Электропроводность электронная

Ясно, что увеличение температуры приводит в конце концов к тому, что все электроны с донорных уровней, переходят в зону проводимости, а дальнейший рост Т вызывает соответствующее увеличение концентрации собственных носителей. До тех пор, пока собственной проводимостью можно пренебречь, для электропроводности электронного полупроводника можно написать [c.251]

Наличие у полупроводников двух типов электропроводности — электронной (п) и электронно-дырочной (р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р — -переходом. Сюда относятся различные типы как мощных, так и маломощных выпрямителей, усилителей и генераторов. Полупроводниковые системы могут быть с успехом использованы для преобразования различных видов энергии в энергию электрического тока с такими значениями коэффициента преобразования, которые делают полупроводниковые преобразователи сравнимыми с существующими преобразователями других типов, а иногда и превосходящими их. Примерами полупроводниковых преобразователей могут служить солнечные батареи и термоэлектрические генераторы. При помощи полупроводников можно понизить температуру на несколько десятков градусов. В последние годы особое значение приобрело рекомбинационное свечение при низком напряжении постоянного тока электроннодырочных переходов, которые используются для создания сигнальных источников света и в устройствах вывода информации из вычислительных машин. [c.230]

Для исследования возможностей метода оптической ИК интроскопии и для испытания прибора, реализующего этот метод, была проведена серия исследований на различных тест-объектах, а также на образцах полупроводниковых материалов германия п- и р-типа электропроводности, электронного и дырочного кремния, фосфида галлия, как нелегированного так и легированного Те, S, Mg, Be, и арсенида галлия, легированного Те до Л д = 5--ь [c.184]

Найти в г-приближении коэффициенты теплопроводности и электропроводности электронного газа в металле, считая /о квазиравновесной фермиевской функцией /о = + 1] где Т = Г(г) и д = д(Г(г)). [c.543]

Вклад решетки в полную теплопроводность в сплавах можно найти более точно, чем в металлах, не только потому, что он велик, но также и потому, что по электропроводности электронную теплопроводность можно оценить с большей уверенностью. Таким образом, самый простой способ определения решеточной теплопроводности в каком-либо металле состоит в том, чтобы провести измерения в сплавах различного состава и экстраполировать результаты к нулевой концентрации примесей. [c.226]

Полупроводники. Собственная и примесная электропроводность. Электронная и дырочная проводимость. [c.319]

Б. Электропроводность электронно-примесной системы [c.329]

Стеатитовые материалы обладают смешанной электропроводностью — электронной н ионной, соотношение которых зависит от содержания щелочных ионов. В материалах СПК-2 и ТК-21 доля электронной электропроводности составляет 38—40 %, СК-1 — 67— 86 %. Для стеатитовых материалов характерно высокое р (рис. 23.15) и при высокой температуре, особенно для материалов типов СК-1 и СНЦ, удельная проводимость до 5 МВ/м не зависит от напряжения (рис, 23.16). [c.233]

Наличие у полупроводников двух типов электропроводности — электронной (п) и электронно-дырочной (р) позволяет получить полупроводниковые изделия с р—п-переходом. [c.322]

Рис. 8-1. Влияние примесей на энергетическую диаграмму полупроводников а — собственный полупроводник б — полупроводник с донорной примесью электропроводность электронная л-типа в — полупроводник с акцепторной примесью, электропроводность дырочная р-типа.

Температурные зависимости электропроводности электронного и дырочного Si показаны на рис. 8-28. [c.351]

Стеатитовые материалы обладают смешанной электропроводностью — электронной и ионной. Доли составляющей [c.331]

Чем выше температура полупроводника или чем интенсивней его облучение, тем больше будет в нем свободных электронов и тем больше будет величина тока в полупроводнике. Итак, во всех полупроводниках электропроводность электронная или п-типа. Причем освободившиеся электроны принадлежат атомам самого полупроводника, поэтому такую электропроводность называют собственной. [c.88]

При комнатной температуре в полупроводниках наблюдается преимущественно примесная электропроводность (электронная или дырочная). С повышением температуры общая проводимость а полупроводников возрастает. В области высоких температур преобладает собственная электропроводность, при которой имеют место электронная и дырочная электропроводности. [c.244]

Под действием разности потенциалов, приложенной извне, свободные электроны передвигаются в направлении положительного полюса источника тока и таким образом осуществляют перенос электричества по проводнику. Высокая электропроводность (электронная проводимость) характерна для металлов только в твердом и жидком состояниях. В парообразном состоянии металлы теряют электронную проводимость и не отличаются от других паров и газов. [c.23]

В ряде случаев возникает необходимость точного установления вида электропроводности (электронная, ионная или же смешанная электропроводность) и в случае ионной электропроводности — знака и химического состава ионов. [c.63]

Для участия в электропроводности электрон должен иметь возможность за счет электрич. поля [c.107]

Электропроводность электронного газа в металлах и полупроводниках. Вклад электронного газа в термоэлектрические эффекты и теплопроводность. [c.80]

Электропроводность электронного газа. [c.332]

СЛОЙ между металлом и его окисью имеет одностороннюю электропроводность — электроны могут проходить лишь в направлении от окиси металла к металлу. Поток электронов, идущий в этом направлении, создается под действием света без всякого внешнего напряжения. Вентильный фотоэлемент непосредственно превра-ш,ает энергию световой волны в энергию электрического тока, т. е. является источником тока. [c.415]

Рассмотрение механизма диффузии и электропроводности в полупроводниковых кристаллах позволило Вагнеру сформулировать ионно-электронную теорию высокотемпературного параболического окисления металлов с образованием достаточно толстых окисных пленок и дать количественный расчет этого процесса. Ниже приводится в простейшем виде вывод уравнения Вагнера. [c.59]

Электрический ток передается в металлах движением электронов, образующих электронный газ. При отсутствии внешнего электрического поля электроны движутся во всех направлениях, и это движение электронов проводимости носит неупорядоченный характер. Под влиянием же разности потенциалов, приложенной к металлу извне, появляется направленное движение электронов. Движение электронов и осуществляет передачу электричества. Чем слабее электроны связаны с атомами, тем больше будет электропроводность металла. [c.10]

Металлы относятся к проводникам первого ряда для них характерно прохождение тока, не сопровождающееся химическим изменением материала. В отличие от растворов электролитов, электропроводность металла не связана с переносом вещества и носит название электронной или металлической. [c.10]

В качестве примера смешанной формы связей (металлической и ковалентной) можно указать на графит атом углерода в решетке графита связан с тремя соседними ковалентной связью, а четвертый электрон каждого атома является общим для всего атомного слоя, обусловливая электропроводность графита. Смешанные связи встречаются также в мышьяке, висмуте, селене и других простых веществах. Чисто металлическая связь характерна только для некоторых металлических монокристаллов. [c.11]

Природу термоэлектричества в металле можно качественно понять на основе простой модели свободного электронного газа. Краткое введение в элементарную теорию электропроводности было дано в начале гл. 5. Модель свободного электронного газа не может дать количественных показаний, но позволяет понять механизм явления. Далее можно построить более сложную теорию, включающую зависимость рассеяния электронов решеткой от их энергии, явление увлечения электронов фононами и т. д. Приведенные ниже элементы теории заимствованы из книги Бернара [3], где современные идеи о термоэлектричестве изложены очень ясно (см. также [12]). [c.267]

Чистые металлы, как правило, не отвечают необходимым требованиям, предъявляемым к материалам для деталей современных машин. Поэтому наибольшее применение в технике получили не чистые металлы, а их сплавы. Однако наряду с увеличением количества сплавов и усложнением их состава для атомной, электронной и других отраслей новой техники особое значение приобретают металлы высокой чистоты. Сплавы по сравнению с металлами отличаются более высокой прочностью. Но они обладают меньшими пластичностью, электропроводностью и другими физическими свойствами. [c.29]

Семейство d-металлов или переходных металлов, заполняющих электронами подуровень d, образует многочисленные карбиды, имеющие важное промышленное значение. Особенно устойчивы карбиды d-металлов, не имеющих парных электронов в подуровне d. Они обладают высокой твердостью (Ti Zr Nb СгдзСв МоС W ), близкой к твердости алмаза, электропроводностью — электронной или полупроводниковой. Растворяясь в жидких металлах, они образуют сложные диаграммы плавкости и могут становиться упрочняющими фазами в зависимости от их термообработки. Термодинамическая устойчивость карбидов различна ЛЯ их образования и другие их свойства приведены в табл. 9.3. [c.339]

Монокристаллы dTe получают как с электронной, так и с дырочной электропроводностью. Электронную электропроводность обеспечивают внедренные в междоузлия решетки атомы кадмия, дырочную — вакансии кадмия. Концентрация свободных носителей заряда может меняться 10 10 м" . Наиболее чистый dTe обладает высокой подвижностью электронов, которая при комнатной температуре может составлять 5,7 м /(В -с). Этот материал используют для изготовления таких приборов, как дозиметры и счетчики квантов гамма-излучения, инжек-ционные лазеры, светодиоды, солнечные батареи и генераторы Ганна. [c.99]

Электропроводность молекулярных кристаллов обычно очень низка вследствие малой подвижности и концентрации носителей. В антрацене, например, движение электрона по кристаллу связано с преодолением потенциального барьера при переходах от одной молекулы к другой, так как электронные функции молекул перекрываются слабо. Аналогичная ситуация имеет место в некоторых полупроводниках, таких, как окислы переходных металлов (см. гл. 3), где катионы находятся в двух валентных состояниях и электрон переходит от одного катиона к другому. В молекулах ароматических соединений электропроводность (электронная или дырочная) обеспечивается за счет jt-орбиталей. Фотовозбужденнсм или введением вполупро- [c.74]

Фононы (см. разд. 3.4.) с энергией (где > — частота колебаний осциллятора) распространяются по кристаллу в направлении температурного градиента, рассеиваясь на дефектах и других фононах, и переносят тепло по кристаллу. Как и при определении теплоемкости,, здесь необходимо учитывать вклад электронов проводимости в теплопроводность. Как электропроводность, электронная составляющая теплопроводности определяется рассеянием электронов на дефектах решетки. Относительный вклад в теплопроводность электронов и фюнонов для разных кристаллов различен. [c.85]

Полное электросопротивление (ионное и мет ла° жТ под в здей" электронное) ОКИСНОЙ пленки с удельной станем газа электропроводностью % (Oм м ), площадью 5 (см ) и толщиной h (см), выполняющей роль как электролита, так и металлического проводника, определяется уравнением [c.61]

Простая модель электронного газа, созданная Друде в 1900 г., успещно предсказала законы Ома и Видемана — Франца. Однако она не объяснила зависимость электропроводности от температуры, а также магнитные свойства и малую величину электронной теплоемкости по сравнению с классическим значением 3/ . В настоящее время ясно, почему удельное сопротивление особо чистых металлов падает от типичного для комнатных температур значения 10 мкОм см до значения менее 10 з мкОм -см при температуре жидкого гелия в то время как удельное сопротивление концентрированного сплава падает всего в два раза в том же диапазоне температур. Поведение полупроводников также хорошо понято удельное сопротивление экспоненциально возрастает при уменьшении температуры, и при очень низких температурах чистые полупроводники становятся хорошими диэлектриками. Добавка в образец полупроводника небольшого количества примесей чаще всего существенно уменьшает удельное сопротивление (в противоположность чистым металлам, в которых наличие примесей ведет к увеличению удельного сопротивления). [c.187]

Рассмотрим сначала простейшее представление электрический ток — это движение электронов под воздействием приложенного электрического поля. В металлах число электронов, участвующих в электропроводности, зависит от структуры кристалла, а для одновалентных металлов —это один электрон на атом Поведение электрона, находящегося в твердом теле, удобнее всего описывать в трехмерной системе координат, для которой три декартовы координаты кх, ку и кг являются компонентами волнового числа к. Электрону с энергией Е и импульсом р соответствует волновое число к. Согласно уравнению де Бройля, р=Ьк (где Й—постоянная Планка, деленная на 2л) и Е р 12т. Положение электрона в -пространстве характеризуется вектором к, пропорциональным импульсу электрона. В ыеталле, содержащем N свободных электронов, при абсолютном нуле температуры электроны займут N 2 низших энергети- [c.187]

Электропроводность а пропорциональна подвижностям электронов и дырок, которые в свою очередь пропорциональны временам релаксации Те и та для электрон-фононных и дырочнофононных взаимодействий соответственно. Поэтому [c.197]

Металлическая связь возникает при образовании из внешних (относительно слабо связанных с ядром) электронов отрицательно заряженного элек-тронного газа , в результате чего положительно заряженные ионы создают плотную, но пластичную кристаллическую решетку. Электроны, свободно перемещаясь между атомами, обеспечивают высокую электропроводность металлов. Металлическая связь усиливается при повышении концентрации электронного газа . [c.6]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...