Кремний методы получения

Технология получения кремния полупроводниковой чистоты включает в себя следующие операции 1) превращение технического кремния в легколетучее соединение, которое после очистки может быть легко восстановлено 2) очистка соединения физическими и химическими методами 3) восстановление соединения с выделением чистого кремния 4) конечная очистка кремния методом бестигельной зонной плавки 5) выращивание монокристаллов. [c.286]

Разработан метод получения пропиткой композиционного материала на основе алюминия, упрочненного волокном из карбида кремния [113]. Особенностью изготовления этого материала является весьма высокая температура расплава, достигающая 1050° С, необходимая для обеспечения хорошей смачиваемости волокна расплавленным металлом. В результате контактного взаимодействия волокна с [расплавленным металлом при этой температуре его прочность снижается более чем на 30% (с 350 до 220 кгс/мм ). Для снижения температуры пропитки и улучшения смачиваемости было предложено наносить на волокна карбида кремния покрытия из никеля, меди или вольфрама. Применение покрытия позволяет снизить температуру пропитки до 700° С и сократить до нескольких минут время пропитки. Изготовленный по такой технологии материал с матрицей из алюминия (предел прочности 3 кгс/мм , относительное удлинение 40%), упрочненный 15 об. % волокна с покрытием, имел предел прочности 24 кгс/мм и относительное удлинение 0,6%. [c.97]

Ме- талл пл , °С Услов- ная исп С/ 2 В 9 О max кремния. Ом см Силицид J S о о о. 4 о о, н ISI Н I 32 Метод получения [c.450]

В настоящей работе рассматриваются современные методы получения фосфида галлия и карбида кремния, их основные электрофизические характеристики и области применения. [c.45]

Среди этих методов особое место занимает сублимация. В настоящее время это единственный метод получения монокристаллов карбида кремния гексагональной модификации с площадью базовой грани до 100—150 мм . Метод сублимации заключается в испарении исходного поликристаллического материала при температуре 2300—2500"С и осаждением его в виде монокристаллов на более холодных местах зоны кристаллообразования. [c.47]

В настоящее время разработаны достаточно перспективные методы получения феррохрома с низким содержанием углерода, которые уже в значительной мере внедрены в промышленность. При оценке способа получения феррохрома с весьма низким углеродом следует учитывать не только допустимое предельное содержание углерода и себестоимость производства, по также и содержание других примесей, отрицательное влияние которых на качество нержавеющих сталей в ряде случаев является решающим, хотя они и не лимитируются ГОСТами. Феррохром вносит в сталь растворенный в нем кислород, окисные включения, кремний и газы, которые увеличивают загрязненность стали. [c.158]

Методы получения волокон из карбида кремния [c.272]

В настоящее время ведутся работы по совершенствованию технологии получения профилированных монокристаллов кремния методом Степанова. [c.184]

ЭПР применен для изучения электрически активных химических примесей и исследования дефектов, образующихся при облучении кремниевых полупроводников с проводимостью л-типа электронами с энергией 1,5 МэВ. Показано, что при получении кремния методом вертикальной зонной плавки основные уровни, образующиеся при облучении, расположены гораздо глубже в запрещенной зоне и собственная проводимость проявляется при значительно меньших дозах, чем в кремнии, выращенном в кварцевых тиглях. [c.182]

Из приведенных в предыдущих главах данных о целлюлозных эфирах и виниловых полимерах можно сделать вывод, что, изменяя органические радикалы у атомов кремния, можно существенно изменять свойства кремнийорганических соединений. Наиболее ценными их свойствами являются растворимость, твердость, теплостойкость и химстойкость. Выше уже указывалось на существенное значение изменения количества органических радикалов, присоединенных к атомам кремния, как фактора, определяющего получение либо небольших молекул, либо линейных полимеров, либо полимеров сетчатого строения. Значение этих двух переменных величин типа радикала и молекулярного отношения R/Si — будут рассмотрены более подробно после краткого обзора двух основных методов получения силиконов. [c.644]

Содержание основного металла в порошках железа и стали, как правило, не ниже 98-99 %. Химический состав получаемых порошков зависит от состава исходного сырья и метода получения. Предельное содержание примесей в порошках определяется допустимым содержанием их в готовой продукции, за исключением оксидов, которые могут быть удалены в процессе спекания. В порошках железа допускается сравнительно высокое содержание кислорода (до 1,5 %), что отвечает содержанию оксидов порядка 1—10 %, для порошков высоколегированных сталей содержание кислорода не превышает 0,2 %. Большее содержание оксидов обычно снижает прессуемость, затрудняет спекание и ухудшает физико-механические свойства получаемых изделий. Большая часть примесей диоксида кремния и оксида марганца, находящихся в порошках железа, полученного из окалины,. при спекании не восстанавливаются. Такие оксиды снижают пластичность порошка и вызывают повышенный износ пресс-инструмента. [c.29]

Остановимся на основных методах получения силицидных покрытий и описании их некоторых свойств, причем рассмотрим только силицидные покрытия на тугоплавких металлах и сплавах, хотя насыщение кремнием сталей и чугунов также достаточно эффективное средство повышения их жаростойкости и коррозионной стойкости [7, 85]. [c.215]

Дальнейшую очистку кремния производят методом зонной плавки и методом получения монокристаллов кремния. [c.242]

Кремний получается в порошкообразном виде. Применяют и йодидный способ получения кремния, аналогичный описанному ранее йодидному методу получения чистого титана. [c.154]

Условия изготовления силицидов плавкой в дуговой печи изучали в работах [7, 8], путем восстанов.тения окиси кремнием — в работах [7, 13, 17]. По сообщению [23] дисилицид кремния был получен также амальгамным методом путем растворения иттрия и кремния в ртути при 400—500 с последующей отгонкой ртути в вакууме при 190—200°. Различные методы получения силицидов иттрия более подробно описаны в работах [6, 26]. [c.704]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

Специалисты полагают, что удешевление фотоэлементов за счет перехода к аморфному кремнию вместо монокристалличе-ского сделает метод прямого преобразования солнечной энергии в электрическую конкурентноспособным по сравнению с другими методами получения энергии. Подробное описание солнечных батарей на аморфном кремнии дано в i[68]. В настоящее время наиболее перспективным материалом считается определенным образом приготовленный аморфный сплав кремния с водородом, фотогаль-ванический эффект в котором был открыт в 1974 г. К 1978 г. КПД солнечных батарей на этом материале достиг 6%. Эта величина в 3—4 раза меньше достигнутой на кристаллических Si и GaAs, однако в последних максимальные значения КПД были получены через 20 лет после открытия соответствующего эффекта. Это подтверждает несомненную перспективность аморфных материалов для использования в солнечных батареях. Для успешной реализации этих батарей необходимо выполнение ряда условий, таких, как большой коэффициент оптического поглощения (в широкой области спектра), эффективный сбор носителей электричества на обеих сторонах полупроводникового материала (пленки), достаточно большой внутренний потенциал, определяющий ЭДС элемента. Эти условия определяются оптическими и электрическими свойствами аморфных полупроводников и в конечном счете энергетическим спектром электронов. Поэтому далее мы перечислим некоторые характерные свойства этих материалов, достаточно тесно связанные с картиной распределения состояний электронов по энергетическим зонам. [c.284]

Распространенным методом получения пленок гидрогенизированного аморфного кремния является высокочастотное ионно-плазменное распыление кремния в атмосфере арюнно-водородной плазмы, которое также широко используется в производстве полупроводниковых приборов и микросхем для нанесения пленок других материалов. [c.16]

Существуют также другие методы получения гидрогенизирован-ного аморфного кремния (аморфизации кристаллического кремния, постгидрогенизации аморфного кремния, первоначально не содержащего водорода), которые не нашли широкого применения. [c.17]

Основным методом получения нитевидных кристаллов карбида и нитрида кремния, окиси и нитрида алюминия и других тугоплавких соединений является осаждение из газовой фазы с использованием химических транспортных реакций, реакций пиролиза, восстановления летучих соединений и др. Промышленное производство нитевидных кристаллов указанным методом стало возможным после детального исследования Вагнером, Элиссом и др. механизма их роста, получившего название пар—жидкость—твердая фаза (ПЖТ). При получении методом ПЖТ нитевидных кристаллов тугоплавких соединений (40 ] в реакционную зону, в которой ведется осаждение соединения, специально вводят примеси некоторых элементов, образующих капельки жидких растворов с элементами соединения, например углерод, железо, кремний, алюминий и др. При получении нитевидных кристаллов карбида кремния используют жидкие тройные растворы железо кремний—углерод. Поверхность жидкой фазы является сильным катализатором участвующих в осаждении химических реакций, поэтому выделение вещества из газовой фазы происходит преимущественно на поверхности присутствующих в ростовой зоне жидких капелек. Далее происходит его растворение в капельке, диффузионный перенос через объем капли к границе раздела с подложкой и кристаллизация под каплей. В результате на подложке образуются вытянутые столбики конденсата, являющиеся нитевидными кристаллами. Ввиду малой скорости осаждения непосредственно на твердой поверхности кристаллы почти не растут в толщину, и отношение длины к диаметру у них достигает 1000 и более. В зависимости от условий получения они имеют диаметр от долей микрона до нескольких десятков микрон и длину до 60—80 мм. [c.40]

Обычно получают плутоний со степенью чистоты около 99,87 вес. 96. Металл может содержать примеси 0,05% железа, 0,04% углерода, 0,02% хрома, 0,02% никеля, 0,01% сурьмы и 0,01% кремния. Однако прн соблюдении необходимых мер предосторожности восстановлением в бомбе можно получить плутоннй со степенью чистоты 99,97%. Джонсон [981 описал метод получения плутония высокой чистоты, который включает очистку исходного раствора последовательным двойным осаждением перекиси плутония и очистку всех реактивов. В этом методе восстановление осуществляется дважды перегнанным кальцием в тиглях из окиси кальция высокой чистоты. Тейт и Андерсон (185) и Норс [199] исследовали очистку металлического плутония методом зонной плавки. Им удалось значительно уменьшить содержание отдельных примесей, но степень чистоты металла оказалась недостаточно высокой. [c.519]

Кремний монокрнсталлический, полученный методом бестигельной плавки (ТУ 48-4-466—85), предназначен для производства полупроводниковых приборов (ПЭС, БИС, СБИС). Слитки моиокристаллического кремния, легированные фосфором, изготовляют электронного (Э) типа элу<трнческой проводимости, а легированного бором — [c.571]

Аморфные металлические сплавы или металлические стекла (МС) являются новым перспективным материалом. По химическому составу они состоят из металлов и элементов аморфизаторов, в качестве которых используют бор, углерод, кремний, азот и другие в количестве до 30 %, Аморфное состояние сплава характеризуется отсутствием дальнего порядка в расположении атомов упаковки. Такое состояние материала достигается сверхбыстрым его охлаждением из газообразного, жидкого или ионизированного состояния. Существуют различные методы получения аморфных сплавов. [c.581]

Нитрид кремния S13N4 — единственное соединение этих элементов. Существуют две модификации S1SN4 — аир. Обе кристаллизуются в гексагональной системе, построены из тетраэдров, которые отличны по методу получения и близки по своим свойствам. Для изготовления керамики имеет значение только a-Si3N4. Плотность (рентгеновская) 3,184 г/см , твердость по шкал-е Роквел- [c.233]

Преимуществом процесса является получение ферроси-ликохрома с низким содержанием углерода и кремния при более высоком содержании в нем хрома. В табл. 67 приведены технико-экономические показатели производства ферросиликохрома различными методами, а в табл. 68— 70 представлены материальный и тепловой балансы и распределение элементов при бесфлюсовом методе получения ферросиликохрома. Тепловой и общий к. п. д. печи составляют соответственно 0,823 и 0,734, а с учетом потенциальной энергии коксика и электродной массы 0,486 и 0,434. Для Шлакового процесса выплавки в закрытой печи характерно следующее распределение элементов (по данным Я. С. Щедр он ицкого), % [c.219]

Температура начала реакций соответственно составляет 2167 и 1507 °С по данным [36] и 800 °С по данным [7], что свидетельствует о преимущественном развитии реакции (98), поэтому не представляется возможным получить ферроцирконий этим способом. На практике используют метод получения комплексного кремнипсодержащего сплава, так как в присутствии кремния затрудняется процесс [c.318]

Основной проблемой кремниевой оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего см (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в кристаллической решетке используют неравновесные методы получения сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию, молекулярно-лучевую эпитаксию, ионно-лучевое напыление и др. Увеличению содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные комплексы. На сегод- [c.96]

За последние годы разработаны новые методы получения нанокристаллов кремния с достаточно воспроизводимыми размерами — путем электроискровой обработки, селективного травления в сочетании с фотолитографией, прямого химического синтеза, ионной имплантации ионов кремния в пленки Si02 с последующим формированием нанокристаллов в процессе распада образующихся при этом пересыщенных твердых ра-стюров и др. Предполагалось, что при достижении определенных размеров нанокристаллы будут приобретать прямозонную структуру, но при [c.99]

При применении косвенных методов получения силиконов органохлорсиланы получают из четыреххлористого кремния и реактива Гриньяра. По прямым методам органохлорсиланы получают в результате непосредственной реакции между металлическим кремнием и хлорированными углеводородами. Косвенные методы дают возможность несколько лучше регулировать получение продукта, а прямые методы более экономичны. [c.644]

Одним из наиболее гибких и соверщенных методов получения планарной и наклонной ориентации является косое напь ение тонких (порядка 8. . 10 нм) слоев моноокиси кремния. Путем различных комбинаций углов апыления при последовательных процессах можно варьировать степень связи молекул ЖК с подложкой и угол наклона молекул к ориентируютей поверхности [c.113]

Ф. А. Королев и А. Ю. Клементьева разработали метод получения диэлектрическнх слоев испарением сульфида цинка и криолита в высоком вакууме с оптическим контролем толщины пленок. Фильтры, полученные таким методом, обладают в видимой области пропусканием до 70% при полуширине полосы пропускания I нм и угловой апертуре —15° [56, 68]. Т. Н. Крыловой [72, 1151 разработан метод химического нанесения диэлектрических слоев двуокиси титана и двуокиси кремния, полученных из спиртовых растворов легко гидролизующихся этиловых эфиров ортотига-новой и ортокремниевой кислот с последующей термической обработкой. Для видимой части спектра такие фильтры имеют следующие характеристики пропускание в максимуме 50 —70% при полуширине полосы пропускания 8—12 нм. Часто вводится дополнительный фильтр из цветного стекла для обрезания вторичных максимумов. Из двух типов интерференционных фильтров более узкой полосой обладают светофильтры, полученные испарением сульфида цинка и криолита. [c.69]

Этой же лабораторией разработан новый метод получения четырехфтористого кремнила. Метод в настоящее время опробуется на заводе № 544. [c.651]

При организации Института А перед Арденне была поставлена задача заняться разработкой гравитационного метода разделения изотопов кремни-ла" — одного из трех основных методов получения делящих веществ. [c.658]

Ферросилиций — сплав железа с кремнием. В зависимости от метода получения различают доменный или малокремнистый ферросилиций, марки СиЮ и Си15, поставляемые по ГОСТ 5163-49 (табл. 38) и средне-и высококремнистый [c.143]

МПГ-бу (по ТУ 01-35—69) МПГ-8У (по ТУ 01-35—69) Г отоБые изделия Изделия уплотняются слоем пироуглерода на глубину до 2 мм. Используются при получении пленок кремния методом газовой эпитаксии [c.14]

Получение искусственного карбида кремния датируется 1891 г. Почти одновременно в 1891—1893 гг. карбид кремния был получен Муассаном [46], Ачесоном [36] и Шутценбергером [50]. Методы получения карбида кремния были различны прямым синтезом из элементов, восстановлением кремнезема углеродом, кристаллизацией из расплавленного кремнистого чугуна, взаимодействием углерода с парами кремния. [c.93]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...