Дислокации частичные

Другой механизм двойникования связан с движением единственной частичной дислокации. Частичная дислокация может оторваться от расщепленной конфигурации, если приложенное напряжение а>Ед.у/Ь. Источниками таких дислокаций могут быть [c.143]

Первая стадия возврата — ог<Зых — наблюдается при невысоком нагреве. При отдыхе происходит уменьшение количества вакансий, уменьшение плотности дислокаций, частичное снятие напряжений. [c.197]

Линейные дефекты, обладающие указанными свойствами, называют дисклинациями. В зависимости от полноты вектора ротации (вектора Франка) дисклинации могут быть полными и частичными. На стадии развитой пластической деформации ротационные моды пластичности возникают при движении частичных дисклинации. В отличие от дислокационного механизма сдвиговой пластической деформации пластический поворот устанавливается дисклинационным механизмом. В смысловой триаде в первом случае имеем атом-дислокацию - пластический сдвиг, а во втором -дислокацию - частичную дисклинацию - пластический поворот. [c.328]

Вследствие упругого взаимодействия между дислокациями сопротивление их движению сильно возрастает и для их продвижения внешнее напряжение должно резко возрасти (стадия // упрочнения). Под влиянием все возрастающего наиряжения развивается поперечное скольжение винтовых дислокаций, т. е. скольжение с переходом из одной разрешенной плоскости скольжения в другую. Это приводит к частичной релаксации напряжений, аннигиляции отдельных дислокаций разного знака и группировке дислокаций в объемные ячейки, внутри которых плотность дислокаций меньше, чем в стенках ячеек. Наступает /// стадии деформации, когда происходит так называемый динамический возврат, который приводит к уменьшению деформационного упрочнения. [c.46]

Если в плотноупакованной кристаллической решетке с чередующимися слоями атомов порядок укладки этих слоев нарушается не на всем сечении кристалла, а лишь на его части, то по границе этого нарушения возникает частичная дислокация. [c.20]

При ускоренном охлаждении и больших степенях переохлаждения вместо стабильной фазы 0 часто образуется метастабиль-ная фаза 0, содержащая обычно меньше растворенного компонента, чем в стабильной (см. рис. 13.6). Фаза 0 зарождается гетерогенно предпочтительно на малоугловых границах блоков внутри зерен, скоплениях вакансий и отдельных дислокациях. Они имеют полностью или частично когерентные границы раздела. Возникновение метастабильных фаз обусловлено меньшим значением энергетического барьера при их зарождении, чем стабильных. Кроме того, для возникновения метастабильной фазы требуются меньшие концентрационные флуктуации. При длительной выдержке может произойти переход 0 в 0, в результате чего будет достигнуто равновесное состояние сплава с минимальной свободной энергией. [c.498]

ДЕФЕКТЫ УПАКОВКИ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ [c.112]

Дефекты упаковки связаны с так называемыми частичными, или неполными, дислокациями. Дислокации, которые были рассмотрены выше, называют совершенными, полными или единичными. Их вектор Бюргерса равен вектору решетки. [c.112]

Образовать частичную дислокацию можно так же, как и единичную, т. е. сделав в кристалле разрез по поверхности S (см. рис. 3.8) и сместив края разреза на вектор Ь. Если вектор Ь меньше вектора решетки, то наблюдается несовпадение решеток по обе стороны поверхности разреза. Край поверхности несовпадения называют частичной дислокацией. Заметим, что при образовании единичной дислокации имеет место совпадение решеток с обеих сторон поверхности S. [c.112]

В случае несовпадения решеток поверхность разреза 5 должна иметь, вообще говоря, очень высокую энергию. Поэтому в большинстве кристаллов таких смещений не происходит. Однако в плотноупакованных кристаллах частичные дислокации и связанные с ними дефекты упаковки образуются достаточно легко. [c.112]

В свою очередь единичные дислокации могут расщепляться на неполные (частичные, полу-) дислокации, уменьшая свою энергию. Для того чтобы такое деление происходило, необходимо выполнение условия [c.242]

Если дополнить (10.28) условием равенства векторов Бюргерса исходной (единичной) и частичной дислокаций [c.242]

Последнее условие означает, что частичные дислокации энергети- [c.242]

Основными видами частичных дислокаций в ГЦК решетке являются частичные дислокации Шокли и Франка. Первый тип дислокаций возникает в результате дислокационной реакции [c.243]

Субмикротрещины, размеры которых соизмеримы с межатомными расстояниями (1...10 нм), могут образовываться различными путями. Наличие в твердом теле большого числа дислокаций, которые под действием внешних сил легко приходят в движение, вызывает, с одной стороны, пластическую деформацию, а с другой стороны, линейные дислокации. Встретив на своем пути препятствие, дислокации скапливаются и облегчают образование субмикротрещины. Путем флуктуации субмикротрещины могут образовываться от непосредственного разрыва связей, образования вакансий и т. п. Накопление субмикротрещин приводит к частичному их слиянию и образованию микротрещин, продольные размеры которых существенно превосходят межатомное расстояние и к которым применимы принципы механики деформируемого тела, в том числе и гипотеза сплошности. [c.184]

В 43 уже было показано, что в многосвязной области при определении напряжений требуется, чтобы соответствующие перемещения обеспечивали отсутствие в них разрывов, т. е. чтобы напряжения частично не были вызваны дислокациями. По этой причине, не говоря уже о случаях, когда перемещения [c.185]

Частичные дислокации имеют вектор Бюргерса меньше трансляционно го вектора решетки. [c.33]

Как правило, в реальном кристалле присутствуют все виды перечисленных выше дислокаций. Дислокационная структура становится еще сложнее для плотноупакован-ных кристаллических решеток при наличии частичных дислокаций. Суммарная длина Ls всех дислокационных линий в объеме V представляет собой плотность дислокаций Nn=L-z IV [ M i. В отожженном металле ЛГд 10 M-2=1Q6 см/см , т. е. каждый квадратный сантиметр поверхности пересекает миллион дислокаций суммарной длиной 10 км. В деформированных (наклепанных) металлах Жд=10 - -10 см- , т. е. суммарная длина дислокаций достигает ста тысяч километров. [c.38]

В типичных кристаллических г. ц. к., о. ц. к. и г. п. у. решетках, характерных для металлов, существуют дислокации с векторами Бюргерса, отличающимися от векторов тождественной трансляции. Такие частичные неполные) дислокации с вектором Бюргерса br = nb (Ос [c.67]

Рис. 35. Расщепление полной дислокации Ь на две частичные 6i и 6j в плоскости (III) г. ц. к. решетки. Слой плотнейшей упаковки атомов с лунками для слоя В (светлый треугольник) сверху и лунками для слоя С (темный треугольник) снизу от слоя А

Кроме энергетического принципа Франка, образование частичных дислокаций определяется кристаллографическими особенностями г. ц. к., о. ц. к. и г. п. у. решеток. Так как сила Пайерлса — Набарро достигает минимальных значений для плотноупакованных плоскостей скольжения, то пространственное расположение атомов в плотнейших упаковках имеет исключительно важное значение. [c.68]

ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ. ДЕФЕКТЫ УПАКОВКИ. В плотноупакованной г. ц. к. решетке (рис. 35, а, б) наименьшее межатомное расстояние составляет половину диагонали элементарной ячейки а1У 2, а рас стояние между плотноупакованными плоскостями И1) a/VS (см. рис. 6,6, расстояния ВВ и СС ). На рис 35,а чередование плотноупакованных слоев такое же [c.68]

Как было показано, увеличение количества частиц фаз внедрения и их коагуляция должны сопровождаться генерацией дислокаций, частично снимающих напряжения около крупных частиц. Исследования субструктуры литого молибдена, модифицированного карбидом циркония [96], показало, что в металле по мере увеличения количества карбида уменьшаются размеры зерен, субзерен первого и второго порядка (субзерна второго порядка в нелегированном литом молибдене вообще отсутствуют), увеличиваются угол разориентации между субзернами первого порядка, удельная разориентац ия субзерен первого и второго порядков и избыточная плотность дислокаций внутри и на границах субзерен первого порядка. Авторадиографическое исследование (с применением радионуклида показывает (рис. 3.6), что распад твердого раствора при введении карбидов происходит не только на границах литого зерна, но и на субструктурных границах, а также, по-видимому, на отдельных нагромождениях дислокаций внутри субзерен. [c.54]

Местные искажения кристаллической решетки в зонах дислокаций приводят к возникновению локальных самоуравновешенных полей усилий в межатомных связях с накоплением соответствующей потенциальной энергии. При достаточном сближении двух или более дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях, зоны местных искажений кристаллической решетки и соответствующих местных усилий перекрываются, причем, если в результате этого перекрытия общая потенциальная энергия возрастает, то возникают силы отталкивания, препятствующие сближению дислокаций, что создает сопротивление их скольжению и ведет к упрочнению материала. Если же общая потенциальная энергия в результате объединения дислокаций убывает, то возникают силы притяжения, и такие разнозначные дислокации частично или полностью друг друга нейтрализуют. В реальных кристаллах плоскости скольжения множества дислокаций распределяются неравномерно, группируясь в пачки, которые образуют так называемые полосы скольжения , являющиеся зонами интенсивных макроскопических деформаций сдвига. Между этими полосами остаются слои материала, не испытывающего пластических сдвигов. [c.8]

При умеренных температурах (400—600 К) деформационное уирочнение, а следовательно, и концентрация напряжений обусловлены другими усложнениями дислокационного строения. В процессе деформации реализуется несколько стадий эволюций дисло-кациоппой структуры. Сначала создаются густые сплетения дислокаций, частично перестраивающиеся в субзерна и ячейки. Позднее в местах максимального иская ения решетки, прежде всего в полосах деформации и вблизи малоподвижных границ, зарождаются [c.72]

На рис. 6.19.2 справа изобран<ен Р-узел растянутых дислокаций. Частичные дислокации, которыми ограничены смыкающиеся де- [c.197]

В этом периоде линейные дислокации, частично взаимно по-гашаясь, выстраиваются по границам блоков в виде вертикаль- [c.64]

Зарождение выделений промежуточных фаз на дислокациях облегчено главным образом потому, что структурное несоответствие зародыша и матричного раствора частично или полностью компенсируется разрежением или сгущением около края экстраплоскости. Пластинки промежуточной фазы зарождаются с такой ориентировкой на краевых дислокациях, что поля напряжений от этих пластинок и дислокаций частично гасят одно другое. В формуле (25) слагаемое упр, затрудняющее зарождение, при выделении полукогерентной частицы на дислокации мало и даже может быть отрицательным — упругая энергия дислокации способствует зарождению. [c.304]

Возможность смещения слоев кристаллов по направлениям, дислокаций или разрыв их на границах зерен понижают прочность. Последняя в известной мере возрастает после отжига — нагревания и медленного охлаждения, когда в результате диф 4узии дислокации частично устраняются, а зерна становятся [c.14]

Дислокации образуются вследствие появления в кристалле дополнительной атомной плоскости (экстраплоскости), из-за частичного сдвига одной части плоскостей по отношению к другой. На рис. 12.35 показана краевая, или линейная, дислокация. Линия дислокации представляет проекцию внедренной экстраплоскости и обозначается знакомХ, если экстраплоскость вставлена сверху (положительная дислокация), — знаком Т, если экстраплоскость вставлена снизу (отрицательная дислокация). Степень искаженности кристаллической решетки (показатель энергии нестабильности дислокации) определяется вектором Бюргерса Ь, [c.470]

Старение, вызванное предварительной пластической деформацией, называется статическим деформационным старением. Старение, развивающееся в процессе пластической деформации, называется динамическим. Условие динамического старения — определенное соотношение между скоростями деформации и диффузионным перемещением растворенных атомов. В данном случае происходит блокировка растворенными атомами дислокаций, движение которых при деформировании по каким-либо причинам замедляется, а вырывание дислокаций из облаков Коттрелла при ускорении их движения служит причиной упрочнения. Указанное выше соотношение устанавливается при определенных температурах, например для низкоуглеродистой стали в диапазоне 520...670 К. Частичное охрупчивание стали при этих температурах называется <асинеломкостью и>. [c.500]

Иа рисунке 1.13 представлен линейный дефект кристаллической решетки - дислокации, возникающий в том случае, ес ш одна из атомных ПJЮ кo тeй при кристаллизации не заполняется полностью, а лишь частично. Эта плоскость на рисунке 1.13 обозначена HMBOJmM J , означающим краевую дислокацию, так как в данном случае дефект связан с краем этой неполной плоскости. [c.49]

Структурный механизм этой реакции можно понять, рассмотрев рис. 10.7. На этом рисунке показана плотноупакованная плоскость (111). Скольжение происходит именно по этой плоскости в направлении [101]. Однако если рассматривать соскальзывание плоскостей как совместное движение перекатывающихся атомов, то более легким может быть перемещение от В к С и далее к В (В- -С В), чем прямо от В к В (В->В). Поэтому перемещение в направлении [101] может соответствовать зигзагообразному движению атомов попеременно в направлениях [211] и [112], что и приводит к диссоциации упомянутой выше единичной дислокации на две частичные с векторами Бюргерса, соответствующими соотношению (10.29). [c.243]

Возникновение частичной дислокации Франка можно представить следующим образом. Пусть по каким-либо причинам из последов ateльнo ти упаковки слоев АВСАВС... удален в части крис- [c.243]

При изложении теории дислокаций в предыдущем параграфе мы в большей мере следовали статье Лейбфрида, чем оригинальной работе Воль-терра. Вывод о том, что выбор поверхности разреза 2 не существен, а поле перемещений и напряжений определяется лишь контуром Г и вектором Ь, приведет неизбежным образом к выводу о том, что в формулах 11.4 поверхностные интегралы могут быть преобразованы в интегралы по контуру Г. Для изотропного тела это было сделано частично в работах Бюргерса <1939 г.) в формулах Бюргерса, кроме контурных интегралов, остался еще телесный угол, под которым виден контур Г из данной точки пространства. Пич и Келер в 1950 г. сумели представить телесный угол, также с помощью контурных интегралов. Для анизотропного тела решение в явной форме получить не удалось. [c.367]

Из приведенных примеров (см. рис. 17, табл. 4) видно, что вектор Бюргерса Ъ характеризует полную дне-локацию, векторы 64 и меньше параметра решетки и характеризуют частичную дислокацию, а векторы Ьг, Ьг и Й5 кратные и характеризуют супердислокации. [c.33]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...