Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Дебая температура

Двойникование 129 Дебая температура 173  [c.382]

При темп-рах порядка Дебая температуры 6д и выше (Гй бо), когда значительно рассеяние носителей заряда на фононах с энергией порядка kQ (в частности, на оптич. фононах), время релаксации в типичных полупроводниках с, а характерное поле Ер"--  [c.519]

ДЕБАЯ ТЕМПЕРАТУРА — характеристич. темп-ра 0D твёрдого тела, вводимая соотношением  [c.572]

Важность получения М, в. связана с тем, что в нём должен сочетаться ряд уникальных свойств. Во-первых, из-за малой массы атомов аномально велика Дебая температура П. Как следствие этого, темп-ра сверхпроводящего перехода 2,  [c.109]


Динамич. теория кристаллич. решётки позволила объяснить упругие свойства Т. т., связав значения статич. модулей упругости с силовыми константами. Тепловые свойства—температурный ход теплоёмкости (см. Дебая закон теплоёмкости, Дебая температура), коэф. теплового расширения и теплопроводность — как свойства газа фононов (в частности, температурный ход теплоёмкости) объясняются как результат изменения с темп-рой числа фононов и длины их свободного пробега. Оптич. свойства, напр, поглощение фотонов ИК-излучения, объясняются резонансным возбуждением оптич. ветви колебаний кристаллич. решётки — рождением оптич. фононов (см. также Динамика кристаллической решётки).  [c.46]

Здесь с—скорость звука, зависящая от направления. Если г> 1, то 3 - — 3 типов Ф. соответствуют оптич. колебаниям кристалла. Макс. энергия Ф. порядка >г д. где 0д — Дебая температура.  [c.339]

При достаточно высоких (по сравнению с температурой Дебая) температурах сопротивление определяется, как правило, фононным механизмом н увеличивается линейно с повышением температуры. В то же время целый ряд сплавов имеют весьма низкий или даже отрицательный температурный коэффициент сопротивления.  [c.304]

При отсутствий выхода грунтовых вод на поверхность организуются длительные гидрогеологические исследования по изучению их определяются колебания уровней, дебит, температура, качество воды и т. д. Вообще желательно повторное определение дебита и температуры воды осенью и зимой и т. д. Места геологических и гидрогеологических разведок (скважины, шурфы и расчистки), а также все пункты наблюдений над режимом грунтовых вод должны быть привязаны в плановом и высотном отношении к существующим съемкам.  [c.490]

Данные о разведочно-эксплуатационных скважинах и произведенных откачках места расположения, глубины скважины, гидрогеологические разрезы, отметки статического уровня, отметки динамического уровня, дебит, температуры воды и пр.  [c.503]

Дарвин—Фаулера метод вывода канонических распределений — 373 Дебаевская экранировка — 642 Дебая модель твердого тела — 506 Дебая температура — 509  [c.796]

Здесь т и е — эфф. масса и заряд эл-на проводимости, п — концентрация эл-нов, Т — темп-ра, 9д — Дебая температура, М — масса атома металла, С — константа 1—10 эВ, d — постоянная решётки,  [c.55]

Д. 3. т. имеет место в условиях, когда в кристалле возбуждены лишь НЧ колебания кристаллической решётки, длина волны к-рых велика по сравнению с постоянной решётки. Для кристаллов с простой решёткой (элементы и простые соединения) Д. з. т. начинает выполняться при Т порядка десятков К для сложных решёток (в частности, для сильно анизотропных крист, структур — слоистых и квазиодномерных) Д. з. т. наблюдается при значительно более низких темп-рах (см. Дебая температура).  [c.145]


ДЕБАЯ ТЕМПЕРАТУРА, характеристич. темп-ра 0д тв. тела, определяемая соотношением 60д=лшд, где мд=г (6я п)1 — предельная частота упругих колебаний кристаллической решётки п — число атомов в ед. объёма, И — усреднённая скорость звука в ТВ. теле), наз. также дебаевской частотой. При темп-рах Г 9д (классич. область) теплоёмкость тв, тела описывается Дюлонга и Пти законом при 7 0д (квант, область) — выполняется Дебая закон теплоёмкости. Д. т. зависит от упругих постоянных кристалла (см. табл.).  [c.145]

При низких темп-рах решёточная составляющая Т. тв. тела оказывается пропорц. кубу абс. темп-ры Дебая закон теплоёмкости). Критерием, позволяющим различать высокие и низкие темп-ры, явл. сравнение их с характерным для каждого данного в-ва параметром — т. н, характеристической, или дебаевской, темп-рой 0д. Эта величина определяется спектром колебания атомов в теле и тем самым существенно зависит от его крист, структуры (см. Колебания кристаллической решётки). Обычно 6д — величина порядка неск. сот К, но может достигать (напр., у алмаза) и тысяч К (см. Дебая температура).  [c.747]

Для температур, близких к абсолютному нулю, следует применять теорию Дебая для теплоемкости твердых тел. Эта теория принимает во внимание колебательные частоты в пределах от нуля до максимальной величины v , определяемой размерами твердого кристалла. Согласно этой теории, приближенное уравнение для мольной теплоемкости твердого кристалла в области, близкой к абсолютному нулю, может быть выражено формулой  [c.123]

Дебая предсказывает, что теплоемкость кристаллических веществ должна быть пропорциональна кубу абсолютной температуры в области, близкой к абсолютному нулю. Для высоких температур эта теория также предсказывает величину теплоемкости, приближающуюся к 3 в соответствии с экспериментальными наблюдениями.  [c.123]

Теория теплоемкости Дебая. Формула для теплоемкости (6.9), полученная Эйнштейном, находится в хорошем согласии с экспериментом при 7 0э, но при более низких температурах такого согласия уже не наблюдается. Теплоемкость, рассчитанная по Эйнштейну, падает с температурой быстрее, чем это имеет место в действительности (рис. 6.3). Эксперимент показал, что теплоемкость, по крайней мере, для диэлектриков при низких температурах (при Т О) изменяется не экспоненциально, а как 73  [c.168]

Удельная теплоемкость с понижением температуры уменьшается в соответствии с законом Дебая, как Т , но рост теплопроводности происходит преимущественно за счет резко возрастающего экспоненциального члена для <Хф>, тогда  [c.191]

Здесь е и т — заряд и эффективная масса электрона проьодимости, п — концентрация )лектронов, Т—теми-ра, 0 ) — Дебая температура, М — масса атома металла, 6 1 — 10 jB, а—постоянная реп1нтки, А =2я (Зи/8л.)  [c.216]

Для всех твёрдых тел при Г—>0 теплоёмкость решётки удовлетворительно описывается ф-лой (-.ь). Это связано с тем, что при низких темп-рах дебаевское приближение (см. Дебая теория) соответствует характеру колебат. спектра твёрдого тела существованию трёх акустич. ветвей колебаний (см. Динамика кристаллической решётки). Различие проявляется вблизи температурных границ применимости теории Дебая. Для простых кристаллич. решёток (элементы и простые соединения) порядка неск. десятков К. Для более сложных ретлёток, а также для анизотропных структур (например, квазидвумерных и квазиодпомерных) Тг-р существенно ниже (Ггр<С9о, тце во — Дебая температура).  [c.572]

ИптеисикЕюсть тепловых колебаний термодинамически равиовесного кристалла зависит от отношения ого темп-ры Т к Дебая температуре При высоких  [c.619]

Отсутствие корреляции между разл. механизмами рассеяния приводит к приближённому соотношению Ун = Е1//,, где 1 — длина свободного пробега относительно определённого механизма рассеяния. Этим объясняется эмпирич. Маттиссена правило, согласно к-рому сопротивление конкретного образца М. есть сумма остаточного сопротивления рд, обусловленного рассеянием на дефектах решётки (совпадает с р при Т ОК), и сопротивления идеального кристалла рид, обязанного рассеянию на фононах н др. квазичастицах. Гл. причина температурной зависимости — рассеяние электронов на фононах. При Г Йд (йд— Дебая температура) р к р д причём типичное зна-  [c.117]


Здесь о, 0э — харакгеристич. темп-ры Дебая и Эйнштейна, > и Э — ф-ции Дебая и Эйнштейна, -уО. уЭ — постчзянные коэф. (см, Дебая температура, Эйнштейна температура).  [c.591]

Природа сверхпроводимости. Явление С. обусловлено возникновением корреляции между электронами, в результате к-рой она образуют куперовские пары, подчиняющиеся боаевской статистике, а электронная жидкость приобретает свойство сверхтекучести. В фононной модели С. спаривание электронов происходит в результате специфического, связанного с наличием кристаллич. решётки фононного притяжения. Даже при абс. нуле темп-р решётка совершает колебания (см. Нулевые колебания, Динамика кристаллической решётки). Эл.-статич. взаимодействие электрона с ионами решётки изменяет характер этих колебаний, что приводит к появлению дополнит, силы притяжения, действующей ва др. электрон. Это притяжение можно рассматривать как обмен виртуальными фононами между электронами. Такое притяжение связывает электроны в узком слое вблизи границы ферми-поверхности. Толщина этого слоя в энергетич. масштабе определяется макс, энергией фонона Йшд Uvja, где сйр — дебаевская частота, и, — скорость звука, а — постоянная решётки (см. Дебая температура), в импульсном пространстве это соответствует слою толщиной Др К(И )1ир, где ир — скорость электронов вблизи поверхности Ферми. Соотношение веопределённостей даёт характерный масштаб области фононного взаимодействия в координатном пространстве  [c.436]

Темп-ры, превосходящие нек-рую характеристич. темп-ру, при достижении к-рой происходит качеств, изменение свойств веществ. Так, Дебая температура 0д определяет для каждого вещества температурную границу, выше к-рой НС сказываются квантовые эффекты (в этом случае Т. в. 7 д). К таким характеристич. темп-рам можно отнести также температуры плавления, разграничивающие области твёрдого и жидкого состояний веществ, критич. темп-ры, определяющие верх, границу сосуществования пара и жидкости, темп-ры, при к-рых начинается диссоциация молекул (Т - Ю К) или ионизация атомов (7 10 К) и т.д. См. также Экс.трема.аьное саста.чние вещества. Э. И Асиноеский.  [c.64]

Температура Дебая. Температура Дебая То определяется через граничную частоту колебаний решетки с помодаю соотношения  [c.342]

При протекании тока электрич. поле ускоряет большее число носителей, а тормозит меньшее, и тем самым сообщает электронному газу дополнит, энергию. В то же время, если ср. энергия эл-нов выше равновесного значения, к-рое в невырожденном электронном газе равно ( / )кТ, электронный газ передаёт энергию фононам при рассеянии на них. Степень разогрева носителей заряда, т. е. увеличение их ср. энергии 8 по сравнению с равновесным значением, зависит от величины поля Е и подвижности носителей тока [Л, а также от скорости передачи ими энергии фононам, к-рая характеризуется временем рассеяния энергии Хд. По порядку величины ё — гкТ я е , х Е , где е — заряд эл-на. При темп-рах Г > Во (Оп — Дебая температура), когда рассеяние носителей на фононах с энергией (в частности, на оптич. фононах) велико, Хд мало (в ПП 10- с). Поэтому характерная величина поля йр, при к-ром разогрев носителей стаг новится значительным, также велика р 10 В/см. При Т 0о, когда носители рассеивают энергию только на ДВ акустич. фононах, гораздо больше (3-10- с в 1п8Ь -типа при Т 4—6 К), а напряжённость электрич. поля, при к-рой разогрев носиг телей уже значителен, составляет р 10- —1 В/см.  [c.135]

Хар-р зависимости Э. от тем-п-ры Т различен у разных в-в. У металлов зависимость а (Г) определяется в осн. уменьшением времени свободного пробега эл-нов с ростом темп-ры Т увеличение темп-ры приводит к возрастанию тепловых колебаний крист, решётки, на к-рых рассеиваются эл-ны, и в уменьшается (на квант, языке говорят о столкновении эл-нов с фононами). При достаточно высоких темп-рах, превышающих Дебая температуру 0д, Э. металлов обратно пропорц. теот-ре а 1/Г при Гс бд однако ограничена остаточным сопротивлением (см. Металлы). Нек-рые металлы, сплавы и ПП при понижении Т до неск. К переходят в сверхпроводящее состояние с бесконечно большой проводимостью (см. Сверхпроводимость). Э. расплавленных металлов того же порядка, что и Э. этих металлов в тв. состоянии.  [c.893]

Выражение (17) выведено Ланжелье [3], исходя из допущения, что выражения для К и К2 содержат концентрации (в моль/л), а не активности. Если — произведение растворимости, содержащее активности ионов, то где v — среднеионный коэффициент активности СаСОз. Для коэффициента активности Ланжелье с использованием теории Дебая—Хюккеля выведено выражение —Ig у = 0,52 х , где ц — ионная сила, а г — валентность. Следовательно, полученные титрованием концентрации С0 и НСО3 можно приравнять к соответствующим концентрациям этих ионов в выражениях для и F . Значения ЛГ и К. меняются не только с температурой, но и в зависимости от суммарного содержания растворенных солей, так как ионная сила раствора влияет на активность отдельных ионов.  [c.408]

Для получения сверхнизких температур применяется метод адиабатического размагничивания парамагнитных веществ (Дебай, 1926 г.), предварительно охлажденных до температуры жидкого гелия, испаряющегося при пониженном давлении ГК). Охлаждение при адиабатическом размагиичивании  [c.159]


Смотреть страницы где упоминается термин Дебая температура : [c.77]    [c.426]    [c.574]    [c.26]    [c.77]    [c.74]    [c.468]    [c.583]    [c.198]    [c.390]    [c.78]    [c.433]    [c.328]    [c.348]    [c.139]    [c.407]    [c.411]    [c.821]    [c.272]    [c.173]    [c.173]   
Физика твердого тела (1985) -- [ c.173 ]

Аморфные металлы (1987) -- [ c.212 , c.215 ]

Металловедение и термическая обработка стали Т1 (1983) -- [ c.276 , c.277 ]

Термодинамика и статистическая физика Т.2 Изд.2 (2002) -- [ c.201 ]

Термодинамика и статистическая физика Теория равновесных систем (1991) -- [ c.509 ]



ПОИСК



Дебай

Дебая закон теплоемкости для низких температур

Дебая формула 124 —температура

Поверхностная температура Деба

Температура характеристическая Деба

Тепловое расширение, среднеквадратичная амплитуда колебаний атомов, температура Дебая и теплоемкость малых частиц

Характеристическая температура Дебая

Характеристическая температура Дебая Эйнштейна



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте