Частота перехода

Это выражение для закона Планка. Он устанавливает связь между энергией, приходящейся на единичный интервал частот при частоте V в замкнутом параллелепипеде с объемом V, и температурой стенок. Как и следовало ожидать, закон Планка в пределе низких частот переходит в закон Рэлея — Джинса, а в пределе высоких частот — в закон Вина. Интегрирование уравнения Планка по всем частотам приводит к закону полного излучения Стефана — Больцмана. Полная энергия 0 в той же полости выражается как [c.314]

Тогда частоту высокочастотных пульсаций можно интерпретировать как частоту перехода вихрей на периферию. [c.130]

Миграция границ — термически активируемый процесс. Для перехода от одного зерна к другому атом должен обладать некоторым избытком энергии, т. е. энергией активации. При этом частота перехода атомов, а следовательно, и скорость миграции увеличиваются с повышением температуры. [c.505]

Как следует из выражения (6.43), с увеличением номера орбит (п) абсолютное значение энергии уменьшается. Так как перед выражением энергии стоит минус, то с увеличением п энергия электрона увеличивается. Если схематически энергии отдельных орбит изобразить горизонтальными линиями (как мы это делали до сих пор), то, как следует из (6.43), при малых значениях п так называемые энергетические уровни далеко отстоят друг от друга. С увеличением п энергетические уровни (и соответствующие орбиты) сближаются друг с другом. Состояние с я = 1 называется основным, а состояния с я > 1 — возбужденными. За орбитой (оболочкой) с == 1 укрепилось название К-оболочки. При п =---- 2, 3, 4, и т. д. оболочки называются соответственно L, М, N и т. д. Пользуясь условием частот Бора, можно определить частоту перехода из п-й на k-ю оболочку [c.160]

В этом трудоемком исследовании измеренные значения частоты сравнивались с величиной действующего эталона (частота перехода между определенными уровнями структуры атомного спектра цезия), для чего пришлось создать ряд лазеров, генерирующих на разных частотах — от далекой инфракрасной области до видимой части спектра. [c.51]

Заметим, что при независимом определении частоты этого ла- и-.ра также приходилось сравнивать ее с частотой некоторого первичного эталона. Как известно, в качестве такого атомного стандарта в 1966 г. была выбрана частота перехода между двумя сверхтонкими компонентами цезия-133 в нулевом магнитном [c.249]

В рамках квантовых представлений собственной частоте колебаний соо отвечает частота перехода (йт == — Е ) Н между [c.570]

Итак, общую картину спектра излучения оптических квантовых генераторов можно представить следующим образом. В интервале длин волн, простирающемся от вакуумного ультрафиолета до далекой инфракрасной области, с помощью разнообразных активных сред удается получать усиление излучения в участках спектра с относительной шириной (со" — со )/со, составляющей в разных случаях от 10 (лазеры на красителях) до 10" (атомные и молекулярные газы). Положение этих участков спектра определяется частотами переходов между энергетическими уровнями, характерными для используемой активной среды (атомы, ионы, молекулы в газовой, жидкой и кристаллической фазе). В пределах каждого из упомянутых участков спектр генерируемого излучения имеет вид дискретных квазимонохроматических эквидистантных компонент, расстояние между которыми задается резонатором и составляет в относительной мере величину Асо/со = Х/2Ь = = 10" — 10 . Наконец, каждая из компонент представляет собой квазимонохроматическое излучение с ничтожно малой естественной спектральной щириной бсо 10 — 10 с , так что боз/со [c.801]

На рис. 40.21 схематически изображены энергетические уровни сложной молекулы ). Верхняя группа уровней относится к одному из возбужденных состояний электронов молекулы, нижняя — к основному состоянию электронов. Каждая из указанных групп содержит уровни, отвечающие различным состояниям колебаний ядер молекулы. Вследствие большого числа колебательных степеней свободы структуры верхней и нижней групп уровней чрезвычайно сложны, однако для достижения наших целей нет необходимости в их конкретизации. Существенно лишь то обстоятельство, что спектр люминесценции состоит из большого числа линий, соответствующих переходам молекулы с уровней верхней группы на уровни нижней, причем отдельные линии не разрешаются и в своей совокупности образуют непрерывный спектр люминесценции. Схематически это показано на нижней части рис. 40.21, где вертикальные отрезки отвечают боровским частотам переходов между индивидуальными уровнями, пунктирная кривая изображает контур [c.816]

В спектроскопии уровни энергии и переходы между ними принято представлять графически. Простейшая диаграмма уровней энергии, образующих дискретную последовательность, изображена на рис. 32.1. Горизонтальные линии проведены на расстояниях, пропорциональных разностям значений энергий Е —Е соответствующих стационарных состояний. Слева дана щкала энергий. Как и в случае потенциальной энергии поднятого тела, начало отсчета энергии является произвольным. Переходы между стационарными состояниями (между уровнями энергии) показаны вертикальными линиями, соединяющими соответствующие горизонтальные линии — комби-нирующие уровни. Для переходов с излучением > разность энергий комбинирующих уровней согласно (32.1) пропорциональна частоте перехода, т. е. частоте испускаемого или поглощаемого кванта (они обозначены Т1з, [c.225]

Это уравнение выделяет всевозможные частоты переходов между различными колебательными уровнями двух электронных состояний. Схема таких переходов дана на рис. 33.8. Никаких принципиальных ограничений для переходов v - v" не существует. [c.244]

Полосатые молекулярные спектры поглощения и излучения возникают при переходах между дискретными уровнями молекул. В точной постановке задача определения энергетических уровней молекулы не имеет решения и для учета взаимного влияния движения электронов и ядер, связи спиновых моментов с орбитальными и т. д. приходится опираться на приближенные методы, использующие характерные особенности внутримолекулярных взаимодействий. Вследствие заметной разницы в массах скорость движения электронов в молекулах велика по сравнению со скоростью движения ядер и стало быть электроны и ядра вносят неодинаковый вклад в полную энергию молекулы. При этом оказалось возможным отделить проблему определения энергии, связанной с движением электронов в поле ядер, от энергии собственно ядерного движения и учесть методами последовательных приближений взаимное влияние электронной (характеризующейся относительно большой частотой переходов) и ядерной (характеризующейся относительно малой частотой переходов) подсистем в молекуле. [c.849]

Формула Планка. Поскольку все попытки описать весь спектр излучения черного тела, основываясь на теоретических представлениях классической физики, не удались, М. Планк предложил (1900) интерполяционную формулу, которая при малых частотах переходит в формулу Рэлея-Джинса, а при больших-в формулу [c.71]

При понижении температуры н переходе вещества в твердое состояние расстояния между молекулами еще несколько уменьшаются и энергетически выгодной становится перестройка частиц с образованием правильной структуры, в которой каждая из частиц оказывается заключенной в ячейке постоянных размеров и постоянного расположения (рис. 1.2, б). Так как такая структура является более плотной, то потенциальный барьер, окружающий частицу, повышается по сравнению с жидким состоянием. Вместе с понижением температуры это приводит к тому, что частота перехода частиц из ячейки в ячейку резко падает. Частицы фактически закрепляются в определенных положениях равновесия, совершая около них колебания с частотой v 10 —10 S и только время от времени (примерно раз в течение нескольких суток) могут переходить из одной ячейку в другую. [c.7]

По мере сближения атомов вероятность перехода электронов к чужим ядрам увеличивается. При г л 2 А наступает заметное перекрытие электронных облаков этих атомов и частота перехода достигает величины 10 с . При дальнейшем сближении степень перекрытия облаков растет и частота обмена атомов электронами увеличивается настолько, что теряет смысл говорить о принадлежности электрона 1 атому А, электрона 2 атому В. Эта соответствует возникновению нового состояния, не свойственного системе, состоящей из двух изолированных атомов, и замечательного тем, что электроны в этом состоянии принадлежат одновременно обоим ядрам, или, как говорят, обобществлены. [c.17]

К первым годам XX в. относятся практические применения в радиотехнике незатухающих электромагнитных колебаний. Источниками таких колебаний служили дуговые генераторы и специальные электрические машины высокой частоты. Переходу на незатухающие колебания предшествовали разнообразные технические попытки улучшить качество сигналов, передаваемых устройствами искрового типа, путем уменьшения затухания генерируемых колебаний. Примером таких попыток могут служить радиопередающие устройства системы К. Брауна (1902 г.) и М. Вина (1906 г.). Однако наибольший эффект был достигнут в передатчиках с так называемой звучащей искрой . Суть метода состояла в том, что в искровом передатчике затухающих волн прерывали искровой разряд с частотой порядка нескольких тысяч раз в секунду. В радиоприемнике работа таких передатчиков воспроизводилась, как телеграфный сигнал звукового тона [47]. [c.317]

Вероятность перехода атома с одного энергетического уровня на другой имеет две составляющие. Первая зависит от свойств атома и не зависит от внешних факторов вторая линейно зависит от плотности энергии поля, соответствующей частоте перехода, [c.6]

НИИ облучению потоком фотонов слабой интенсивности, но с частотой, равной частоте перехода с уровня т на уровень п, то в результате взаимодействия с частицами ансамбля произойдет их лавинное размножение. Действительно, взаимодействие какого-либо фотона частоты с возбужденной частицей приведет к вынужденному излучению фотона той же частоты, распространяющегося в том же направлении. В результате акта взаимодействия образуются уже два фотона, которые, распространяясь дальше и встретив соответственно две возбужденные частицы, образуют еще два фотона. Четыре фотона затем превратятся в восемь, шестнадцать и т. д. В таком размножении будут участвовать все фотоны, образующие поток электромагнитной волны, которой был освещен ансамбль. В результате на выходе из области, где был расположен ансамбль рабочих молекул, интенсивность пучка света будет значительно превосходить интенсивность на входе [20, 119]. [c.9]

Возвращаясь к формуле (11), определяющей мощность излучения в предположении, что частотная характеристика системы имеет форму весьма тонкой линии с частотой перехода Vq, необходимо ее уточнить, учитывая реально существующую частотную [c.11]

График на рис. 2 построен для г = 0. Уравнение (1) в этом случае совпадает с дисперсионным уравнением Рэлея — Лэмба [2]. На рис. 2 в низкочастотной области имеются две длинноволновые ветви, выходяш,ие из начала координат и удовлетворяющие также уравнению (3). Все остальные корни уравнения (1) на низких частотах являются комплексными. По мере возрастания частоты первая мнимая ветвь переходит в действительную. Частота перехода = я/2 носит название критической и является резонансной для стенки (на высоте стенки умещается половина длины сдвиговой волны). Выше этой критической частоты вторая ветвь дисперсии проходит в действительной области и при со —оо стремится к асимптоте в то время как первая ветвь стремится к асимптоте, соответствующей дисперсии поверхностной волны Рэлея. На частотах выше = я/2 появляются новые мнимые ветви (они возникают из комплексных ветвей, не изображенных на графике, в критических точках, соответствующих минимумам [c.30]

Наличие поля на частоте перехода повышает вероятность излучения частицей, находящейся в верхнем состоянии. Процесс перехода частицы 504 [c.504]

Если на частицу действует внешнее поле на частоте перехода, то процесс спонтанного перехода частиц в нижнее состояние продолжает происходить по-прежнему при этом фазы испускаемого излучения не зависят от внешнего электромагнитного поля. [c.505]

Однако внешнее поле на частоте перехода повышает вероятность этого перехода, вынуждая частицы испускать излучение, находящееся в определенном фазовом соотношении с внешним полем. Этот процесс, называемый индуцированным или стимулированным излучением, и лежит в основе действия квантовых генераторов. [c.505]

Поскольку частицы, находящиеся в нижнем энергетическом состоянии, поглощают излучение на частоте перехода, причем вероятность этого поглощения равна вероятности индуцированного излучения из верхнего [c.505]

Перепишем (33.8) в виде 5 р = [5—В/(/+1)]/(/+1) = = 5 /(/+1), где величина 5, = Б—Ь/(/-Ы) не строго постоянна и уменьщается с увеличением /. Энергия вращения согласно формуле (33.8) растет с увеличением / медленнее, чем по формуле (33.5). Частоты переходов при больщих / уменьшаются и поэтому линии вращательного спектра уже не будут равностоящими, а будут постепенно сходиться. Постоянная О всегда очень мала и не превышает 10 В, поэтому ее учет, необходим лишь при больших значениях вращательного квантового числа. [c.236]

Основные процессы в квантовых приборах связаны с излучением энергии при переходе атома (или молекулы) из возбужденного состояния с большей энергией в состояние с мельшей энергией W- . Переход из состояния с энергией в состояние с энергией Vi может быть и безызлучательным, когда энергия выделяется в виде тепла (например, в,кристаллической решетке). В противоположность этому при излуча-тельном переходе энергия поступает во внешнее пространство в виде энергии фотона. Если испускание энергии (фотонов) происходит под действисхм внешнего электромагнитного поля на частоте перехода [c.214]

Классификация материалов и требования к ним. Получение инверсии населенностей возможно при определенном сочетании энергетических уровней активиросанного вещества от его структуры зависит также возможность подбора частоты перехода, близкой к требуемой, поэтому выбор активированных материалов для квантовых приборов является серьезной проблемой. Помимо активированных для ОКГ необходимы и обычные диэлектрики (пассивные), из коюрых выполняется электрическая изоляция активного элемента и других частей квантового прибора. В качестве активированных диэлектриков используют твердые кристаллические и аморфные, жидкие и газообразные диэлектрики, содержащие активирующие примеси. В спектрах [c.218]

На рис. 331 приведено магнитное расщепление уровней водорода сплошные линии для уровня 2 2Si/j соответствуют наличию лэмбовского сдвига, а пунктирные — тому расщеплению, которое наблюдалось бы при совпадении уровней 2 2Si/j и 2 2pi/j. На рис. 332 даны частоты переходов между зее-мановскими подуровнями состояний 2 2Si/j и 2 2pVa (обозначения аа, аЬ и т. д. указывают, какой паре подуровней соответствует данный переход) в зависимости от напряженности внешнего магнитного поля Н. Пунктирные линии снова отвечают случаю совпадения уровней 2 2Si и 2 Pi/j. Кружки относятся к экспериментальным данным. Как видно, опыт вполне определенно указывает на наличие сдвига уровня 2 2Sy, по отношению к уровню 22р1д. Для величины этого сдвига Лэмб и Ризерфорд нашли значение [c.575]

Как видно из таблицы, относительно слабо зависит от физических параметров расплава. Более существенно влияние частоты. Переход от значения частоты / 50 Гц к 10 000 Гц цриводит к возрастанию модулей /р в десятки раз, особенно в моделях с большим значением 5. (Заметим попутно, что значение 5 = 5000 мм встречается в практике лишь в редких случаях.) [c.71]

Предположим теперь, что с такой системой взаимодействует излучение частоты равной частоте перехода Е- Е - Это излучение будет стимулировать два встречных процесса поглощение, приводящее к переходу атомов с нижнего уровня на верхний, и испускание излучения, сопровождающееся переходом частиц с верхнего-уровня на нижний. Важной особенностью подобных процессов является то, что они управляются полем излучения их вероятность, тем больше, чем больше плотность энерпш поля излучения на частоте перехода 0i2- Испускаемое при этом излучение называют стимулированным, индуцированным или вынуоюденным. В отличие от него испускание, происходящее самопроизвольно, независимо or поля, называют спонтанным. [c.334]

Эта вероятноеть имеет две составляющие постоянную и переменную. Постоянная составляющая зависит от свойств частицы и данного перехода и в большинстве случаев не зависит от внешних факторов. Переменная составляющая вероятности перехода из верхнего состояния в нижнее зависит от плотности энергии поля на частоте перехода, действующего на частицу извне. [c.504]

Не +, Li + В. . Вместо с водородом они образуют просте плий иаоэлектринный ряд. Уровни энергии (и спектры) В. а. подобны водородным, отличаясь от них масштабом энергий (и частот) переходов в раз (см. Атом). [c.300]

Др. фактор усиления связан с изменением комбинац. поляризуемости молекулы и взаимодействующих с ней электронов металла. Это взаимодействие имеет, по-видимому, хим. природу. Величина химического усиления зависит от характера связи, к-рую образует адсорбир. молекула с металлом. Существуют две гипотезы хим. усиления, к-рые во мн. случаях согласуются с эксперим. данными. Первая из них основывается на экспериментально обнаруженном для нек-рых молекул (бензол, этилен) сходстве соотношения линий в спектрах Г. к. р. и спектрах характеристич. (неупругих) потерь энергии при рассеянии медленных электронов на изолир. молекулах, в процессе к-рого электрон захватывается на пек-рое время молекулой и образуется промежуточное состояние —отрицательный молекулярный ион. Сделано предположение, что при адсорбции молекулы возникает комплекс, где имеются возбуждённые электронные состояния, частота перехода в к-рые из осн. состояния соответствует частоте видимого диапазона эл.-магн. излучения, т. е. создаются условия резонанса. Возбуждённые состояния в этом случае обусловлены переносом электрона из молекулы в металл или обратно. [c.459]

КВАНТОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА — область физики, охватывающая исследования методов усиления, генерации и преобразования частоты эл.-магн. колебаний и волн (в широком диапазоне длин волн, включающем радио- и оптич. диапазоны), основанных на вынужденном излучении или нелинейном взаимодействии излучения с веществом. Осн. роль в К. э. играют вынужденное испускание и положит, обратная связь. В обычных условиях вещество способно лии1ь поглощать или спонтанно (самопроизвольно и хаотически) испускать фотоны в соответствии с Больцмана распределением частиц вещества по уровням энергии. Вынужденное испускание при этом не существенно. Оно начинает играть роль лигнь при отклонении ансамбля микрочастиц от распределения Больцмана. Такое отклонение может быть достигнуто воздействием эл.-магн. поля, электронным ударом, неравновесным охлаждением, инжекцией носителей заряда через по-тенц. барьер в полупроводниках и т. п. В результате таких воздействий (накачки) поглощение эл.-магн. волн веществом уменьшается и при выравнивании населённостей на. энергетич. уровнях, подвергающихся действию накачки, интенсивности поглощения и вынужденного испускания сравниваются и взаимно гасятся. При этом эл.-магн. волна, частота к-рой резонансна но отношению к частоте перехода между этими, энергетич. уровнями, распространяется в веществе без поглощения. Такое состояние наз. н а-сыщением перехода. [c.319]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...