Создание областей

Из рассмотренной картины следует, что относительно переключения диод ведет себя как сопротивление R, созданное областью объемного заряда, и зашунтированное емкостью Сд, обусловленной накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении и рассасыванием его при обратном смещении. Эту емкость называют диффузионной емкостью р—я-перехода. При подаче прямого смещения ток в диоде в начальный момент представляет собой в основном ток заряда емкости Сд и по своей величине может быть большим. При переключении диода в обратное направление обратный ток представляет собой в начальный момент в основном ток разряда емкости Сд и также может быть большим. [c.232]

Пошаговая инструкция. Создание областей [c.480]

Используя этот параметр, можно, как и с помощью полилинии, определить многоугольную область, но с острыми углами. Создается резиновая линия по выбранным точкам, образуя замкнутый многоугольник. Этот параметр можно использовать для создания области неправильной формы, включающей часть внешней ссылки [c.610]

Можно переместить созданную область и просмотреть ее отдельно, чтобы обнаружить ошибки в модели. [c.783]

Результатом этой операции является создание группы отдельных областей. На рис. 5.6 в показано создание области крыши здания. Каждая отдельная область завершается путем добавления одного или двух краев. Если область имеет два края, добавляется еш,е два для формирования параллелограмма. [c.171]

Как вы уже убедились, с помощью полилинии можно строить самые разнообразные объекты. На основе полилинии в Автокаде реализовано построение правильных многоугольников, прямоугольников, колец и различных эллипсов. К тому же полилиния участвует в процессе создания областей и тел. Правда, если вы используете полилинию в трехмерном фафике, то необходимо помнить о том, что данный примитив описывается в плоскости ПСК, в которой он создавался, поэтому его редактирование при другой пространственный ориентации текущей ПСК может быть затруднительным (Автокад сообщит объект не параллелен текущей ПСК). [c.131]

Служит для создания области путем пересечения плоскости и тел. [c.276]

В этом случае при вводе смазки через вал наличие втулки (в отличие от вкладышей) способствует созданию областей трения, не нарушаемых смазочными канавками, ухудшающими условия работы. Вт лки лучше сопротивляются деформациям, вследствие [c.579]

ВКП(б) производит общую оценку Р. Постановлением Съезда район квалифицируется как основное звено социалистич. строительства в деревне. Сжатую и яркую характеристику проведенному Р. дает т. Сталин в своем докладе Не может быть сомнения, что мы не смогли бы поднять громадную работу по перестройке с. х-ва и развития колхозного движения, если бы не провели районирования. Укрупнение волостей и преобразование их в районы, уничтожение губерний и преобразование их в менее крупные единицы (округа), наконец, создание областей, как прямых опорных пунктов ЦК,—таков общий вид районирования . Оценки Р. касался и Л. М. Каганович За отчетный период мы закончили районирование. Создание областей целиком себя оправдало и экономически и политически. Области сыграли крупнейшую роль в хозяйственном оформлении и развитии целых областей и краев. Они оказались теми политическими центрами, которые помогли партии справиться с труднейшими задачами отчетного периода . [c.35]

Атомная решетка реальных кристаллов не является идеальной по построению. Дефекты кристаллической решетки (рис. 1.4) в виде вакансий 1 или дислокаций 2 приводят к созданию областей с повышенной свободной энергией в результате отсутствия уравновешенных связей. В местах с повышенной свободной энергией активность прилежащих атомов повышена, поэтому выход дефектов кристаллического строения на свариваемые поверхности создает условия, требуемые для образования центров схватывания. Движению и выходу на поверхность дефектов кристаллического строения способствует деформация свариваемых поверхностей. Показателем способности металла к выходу дислокаций на поверхность при деформации может служить энергия активации сдвига [c.12]

Создание областей металлизации [c.295]

Внешний вид созданной области заливки представлен на рис. 7.92. Приведите свою область металлизации в соответствие с этим рисунком. [c.307]

Будьте внимательны при создании областей заливки на несигнальных слоях и слоях металлизации. Переместить созданные области в другой несигнальный слой будет нельзя [c.310]

Рис. 7.110. Создание областей и границ запрета трассировки

Используйте созданные области и границы запрета при трассировке проводников. [c.322]

Пример создания областей металлизации в виде полигонов [c.571]

Создание областей заливки [c.468]

Создание областей металлизации на сигнальном слое [c.557]

Одним из недостатков ионной имплантации и метода радиационного легирования является одновременное с легированием образование в облучаемых кристаллах радиационных нарушений кристаллической решетки, что существенно изменяет электрофизические свойства материала. Поэтому необходимой стадией процесса при получении ионно-легиро-ванных и радиационно-легированных кристаллов является термообработка (отжиг) материала после облучения. Отжиг ионно-имплантированных слоев проводится для активирования имплантированных атомов, уменьшения дефектов кристаллической структуры, образующихся при ионной имплантации и радиационном легировании, и в конечном счете, для создания области с заданным законом распределения легирующей примеси и определенной геометрией. Другими недостатками данного метода легирования являются стоимость облучения и необходимость соблюдения [c.265]

Процессы диффузии очень распространены и играют огромную роль во многих важнейших технологических процессах получения и обработки полупроводников, а также при фазовых и структурных превращениях. Диффузия примесей лежит в основе процесса гомогенизации свойств материала при термообработках, в ряде случаев лимитирует очистку, играет огромную роль при распаде пересыщенных твердых растворов, их упорядочении и разупорядочении. Процессы диффузии используются для получения р — я-переходов, для формирования базовых и эмиттерных областей и резисторов в биполярной технологии изготовления полупроводниковых приборов, для создания областей истока и стока в МОП-техно-логии и т. д. Поэтому знание основных законов диффузии, диффузионных параметров примесей необходимо для выбора оптимальных режимов технологических операций, а также для понимания некоторых эффектов, проявляющихся в процессе изготовления полупроводниковых схем и приборов. [c.283]

Созданию области электропроводности должно предшествовать превращение диэлектрика в проводник (это и происходит во время пробоя), для чего необходимо резко увеличить местную концентрацию свободных электронов, оторвав их от атомов. При определенной пробивной напряженности электрического поля р свободный электрон, двигающийся к аноду, может набрать между двумя столкновениями энергию, достаточную для ударной ионизации встречного атома, т. е. для отрыва от него валентного электрона, наименее прочно связанного с ядром. Вырванный из атома электрон, ставший также свободным, ускоряется в поле вместе с первым электроном, и оба при очередном соударении с новыми атомами образуют еще два свободных электрона, т. е. электропроводная область в рабочей среде может быть создана ударной лавинообразной ионизацией атомов электронами, причем довольно быстро (10-7 с). [c.16]

К сожалению, ознакомление с ОС требует от пользователя значительно больших усилий и временных затрат, чем те, которые он израсходовал, например, на изучение языка ФОРТРАН. Поэтому неудивительно, что многие пользователи, хорошо владеющие каким-либо из языков программирования, не обладают достаточными сведениями в области системного программного обеспечения. Такое положение дел объясняется сложностью построения, функционирования и взаимодействия отдельных модулей ОС, их жесткой привязанностью к конкретной архитектуре ЭВМ, использованием ассемблера для их написания и многими другими причинами. Но ОС предоставляет и большое количество всевозможных услуг, сервисных средств, способов повышения производительности прикладных программ, знание которых в значительной степени расширяет возможности пользователя как при создании новых программ, так и при использовании существующих комплексов САПР. [c.7]

Одно из последних достижений в области НМД — создание накопителей типа Винчестер [9]. Они при одинаковых с накопителями на ГМД физических размерах имеют в 5...60 раз больший объем памяти и примерно в 4 раза меньшее время доступа к памяти. [c.42]

Быстрый прогресс в области развития мини- и микро-ЭВМ, а также стремление повысить среднюю загрузку ПУ привели к созданию многотерминальных АРМ второго поколения и простых АРМ на базе микроЭВМ. [c.76]

Сильное электрич. поле (внешнее и внутреннее) влияет на Ф. э. из полупроводников. Внеш. электрич. поле в соответствии с эффектом Шоттки снижает величину х и тем самым сдвигает порог Ф. э. в длинноволновую часть спектра и повышает величину квантового выхода Ф. э. вблизи порога. Внутр. электрич. поле вблизи поверхности полупроводника ускоряет фотоэлектроны к поверхности, также увеличивая квантовый выход Ф. э. Если электрич. поле достагочно сильное, выйти в вакуум смогут даже фотоэлектроны, находящиеся в объёме полупроводника вблизи дна зоны проводимости ниже уровня вакуума. Дополнит. энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в электрич. поле. При этом порог Ф. э. будет определяться шириной запрещенной зоны полупроводника (Avq k s), к-рая может быть значительно меньше, чем Ф. Для создания областей сильного электрич. поля обычно используют полупроводниковые структуры с р—л-переходами и контактами полупроводник—металл (см. Контактные явления в полупроводниках). На рис. 5 представлены спектральные характеристики Ф. э. из контакта полупроводник — металл -lnGaAs — Ag. Работа выхода плёнки Ag снижена адсорбцией цезия и кислорода до Ф 1,1 эВ. При обратном смещении на контакте [c.366]

Рис. 6.34. Группировка треугольных граней а) исходная сетко, б) сетко после создания областей, в) сетко после группирования областей,

Если в выбранных объектах использовалась штриховка, то при создании области она будет утеряна. Однако при желании можно вновь задать штриховку для всей области. Дело в том, что при создании области профамма Auto AD не знает, как поступить со штриховкой в этом случае в командной строке появляется сообшение [c.480]

После этого со стороны Auto AD поступит приглашение выбрать другую внутреннюю точку. Продолжайте выбирать внутренние точки для создания других контуров. Окончив выбор точек, нажмите клавишу . В ответ программа Auto AD сообщит о количестве созданных областей или полилиний, на чем выполнение команды закончится. [c.481]

При создании области или полилинии с помощью команды BOUNDARY выделенные исходные объекты не удаляются — новая область или полилиния чертится поверх выбранных объектов. [c.481]

Для просмотра вновь созданной области вызовите команду MOVE и в ответ на приглашение Sele t obje ts укажите точку 2. Переместите область немного вправо на чертеже будуг видны одновременно новая область и исходные объекты, на основе которых она была создана. [c.482]

В модели жесткого индентора, скользящего по поверхности упругопластичного полупространства, можно говорить о создании области сжимающих напряжений впереди индентора и зоны растягивающих — позади. Зарождение пластического течения связано с достижением критического значения максимальных сдвигающих напряжений. Еще в первых исследованиях напряженно-деформированного состояния подшипников качения было показано, что область максимальных сдвигающих напряжений в общем случае находится на некотором расстоянии от контактной поверхности. Аналогичный вывод справедлив для трения скольжения [89]. В известной задаче Герца при отсутствии трения на контактной поверхности глубина действия максимальных сдвигающих напряжений определяется соотнощением hxOJR. С увеличением коэффициента трения область максимальных сдвигающих напряжений приближается к контактной поверхности и выходит на нее при ц 0,2. Именно в этой области происходит наиболее интенсивная генерация дефектов и, в частности, развитие процессов отслаивания в пластичных металлах. В малопластичных высокопрочных материалах наиболее опасной оказывается область максимальных растягиваюнщх напряжений. Пределы прочности на растяжение и сжатие твердых сплавов, быстрорежущих сталей, керамических материалов, ряда тугоплавких соединений переходных металлов отличаются в несколько раз (табл. 1.1). Кроме того, напряжения растяжения облегчают проникновение в устье зарождающихся трещин атомов и молекул окружающей среды, препятствуя их последующему захлопьгванию и интенсифицируя разрушение материала. [c.12]

Р. первого периода дало три образования район, округ, область (край). Административный район как основная низовая организация советской власти был образован во многих частях СССР еще до создания областей в связи с задачами правильной организации госаппарата и вовлечения широких масс крестьянства в советское строительство. Округ являлся промежуточным звеном между районом и областью, сосредоточивая в себе значительную часть чисто административных функций и являясь органом организации и укрепления низовых ячеек. Крупнейшая реформа была проведена в 1930 г. с упразднением округов, в результате чего получили новое очертание роли как района, так и края. Ликвидация окру- [c.34]

На вкладке onne tivity (Соединение), показанной на рис. 7.90, определяется имя цепи, к которой подключается созданная область металлизации из числа существующих цепей. Для этого используется список Net (Цепь). Выберите из списка цепь GND. [c.305]

Современные устройства отличаются наличием на одной, как правило, многослойной плате как чувствительных аналоговых устройств, так и быстрых схем цифровой обработки и достаточно могцных ключевых и управляю гцих узлов. Некоторые рекомендации по трассировке таких плат см. разд. 2.4. В данном разделе обратим внимание на использовании сплогиных слоев металлизации, а также на создании областей металлизации на сигнальных слоях. [c.141]

Для теплообменных аппаратов типа движущийся продуваемый слой более распространены схемы не прямоточного, а противоточного типа. В этих, далее рассматриваемых случаях до сравнительно недавнего времени аналогично неподвижному слою поле скоростей считали равномерным. Ошибочность этих представлений была обнаружена в основном при изучении укрупненных и промышленных установок. Л. С. Пиоро [Л. 236, 237] изучал распределение газа не только в выходном, но и во внутренних сечениях противоточного слоя. Установленная им неравномерность поля скоростей воздуха не изменялась при 1деформация поля скоростей и максимальное отнощение локальной и средней скоростей выражено тем резче, чем больше оцениваемая симплексом Д/йт стесненность в канале. По [Л. 313] у стенок скорость потока на 80% выше, чем в центральной части камеры. Наличие максимума скорости газа в пристенной части слоя с резким снижением вблизи стенки отмечено также в Л. 342]. В исследовании Гу-бергрица подчеркивается, что в шахтных генераторах имеет место значительная неравномерность распределения газа, приводящая к неудовлетворительному прогреву сланца во внутренней части слоя [Л. 104а]. Можно полагать, что одна из главных причин рассматриваемого явления заключается в следующем. Как показано далее, движение плотного слоя приводит к созданию разрыхленного пристенного слоя, толщина которого может составить от трех до десяти калибров частиц. Этот 18 275 [c.275]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...