Электронов концентрация, влияние

На электрическую проводимость металлов и сплавов влияют температура, концентрация примесей я атомы с некомпенсированными электронами. Рассчитать влияние всех этих факторов весьма сложно-. П. Вейс отмечал, что электрическую проводимость легко можно вычислить с ошибкой 200—300%, по очень трудно (а подчас и невозможно) с ошибкой 10%. [c.35]

В П.-п. р. значительный, а зачастую определяющий вклад в ионизацию вносят разогретые тепловые электроны плазмы, концентрация к-рых по мере развития разряда обычно начинает превышать концентрацию электронов в пучке. На формирование ф-ции распределения тепловых электронов оказывают влияние упругие и неупругие столкновения, а также ускорение электронов в электрич. полях ленгмюровских колебаний. [c.609]

Наряду с описанными в предыдущем параграфе многолучевыми оптическими интерферометрами представляет интерес многолучевой интерферометр для диагностики плазмы, используемый в миллиметровом и сантиметровом диапазонах. Микроволновой диапазон по сравнению с оптическим позволяет измерять низкие электронные концентрации, при этом влиянием нейтральных частиц можно пренебречь. Это в известной степени упрощает методику измерений и расширяет возможности диагностики плазменных потоков. [c.185]

Низкие отрицательные значения (- —1,5 ккал) и малые изменения в после плавления (большинство которых объясняется изменением в стандартном состоянии) для простых систем, содержащих электронное соединение, позволяют допустить, что изменение энергии Ферми после сплавления дает главный вклад в Н . Во всех этих системах фактор электроотрицательности мал и не может дать значительного вклада в энтальпии смешения или в сильной степени привести к образованию отрицательных группировок в жидкости (возможно, за исключением системы Си—-Sn, где имеет резкий минимум). Хаотичность структуры жидкости отражается в относительно малых отрицательных избыточных энтропиях растворов. Влияния критической электронной концентрации в жидкости не наблюдается, так как плавление уничтожает всякое влияние, вызванное взаимодействием зоны Бриллюэна и сферы Ферми, вследствие разрушения зоны Бриллюэна. Однако влияние зон в жидких сплавах все же возможно (см. разделы 5.1 и 5.2), но не при этом же составе, как в твердом состоянии. [c.58]

Каждая часть пластинки в отдельности до контактирования была нейтральной, так как имело место равновесие свободных и связанных зарядов. Так как концентрация свободных электронов в области п больше, чем в р, а концентрация свободных дырок — наоборот, то после контактирования часть электронов под влиянием тепловой диффузии перейдет в область р, а некоторое количество дырок — в область п. При этом область р у перехода окажется заряженной отрицательно, а область п — положительно, возникнет диффузионное поле (рис. 171, а), которое прекратит дальнейшее перемещение зарядов, т. е. еще в отсутствии внешнего напряжения образуется запирающий слой толщиной порядка 10 см. [c.299]

Причину подобного влияния можно видеть в том, что увеличение электронной концентрации области D (в дневные часы) сопровождается увеличением его проводимости и улучшением его отражающих свойств. [c.257]

При добавлении небольших количеств иона Li+ к ZnO, который является полупроводником п-типа, концентрация электронов снижается в соответствии с требованием сохранения электронейтральности, а концентрация промежуточных ионов цинка возрастает в соответствии с законом действия масс — см. уравнение (3). Это облегчает диффузию межузельных ионов Zn . Следовательно, L+ повышает скорость окисления цинка, т. е. влияние Li+ здесь противоположно его влиянию при добавлении в NiO. Ионы по тем же причинам снижают скорость окисления цинка, что подтверждается следующими данными [28] (/ = 390 °С, ро = = 0,1 МПа) [c.198]

Для того чтобы источник испускал достаточно монохроматическое излучение с хорошо воспроизводимой средней длиной волны, нужно по возможности устранить все причины, возмущающие излучение. Свечение должно вызываться в парах низкого давления во избежание возмущений вследствие соударений атомов и при небольшом разрядном токе для ослабления возмущающего действия электрических полей (эффект Штарка), обусловленных электронами и ионами пара при значительной их концентрации. Наиболее трудно устранить влияние эффекта Допплера (см. 128), вызванного тепловым движением излучающих атомов, и осложнения, связанные со структурой излучающих атомов. Для ослабления эффекта Допплера желательно иметь в качестве излучателя вещество с атомами возможно большей массы, обладающее необходимой упругостью пара при возможно низкой температуре (см. 22). Сложность излучаемых [c.143]

Перечисленные выше причины изменения показателя преломления связаны с воздействием поля световой волны на концентрацию и ориентацию молекул, т. е. на ее внешние степени свободы. Рассмотрим теперь влияние поля на поляризуемость молекулы. При выяснении этого вопроса будем исходить из простой классической модели, подробно обсужденной в 156. Согласно этой модели, поляризация среды определяется смещением х электронов из их положений равновесия, причем [c.835]

Рассмотрим полупроводник, не содержащий примесей и дефектов. Не будем также учитывать влияние поверхностных состояний. При T—QK электропроводность такого полупроводника равна нулю, поскольку в нем нет свободных носителей заряда. Действительно, валентная зона полностью заполнена электронами и не дает никакого вклада в проводимость, а зона проводимости пуста. При Т>ОК возникает вероятность заброса электронов из валентной зоны в зону проводимости (рис. 7.15). В валентной зоне при этом образуются дырки. Ясно, что концентрация электронов п равна концентрации дырок р [c.242]

На высоте 200—500 км в области слоев Ft и F наблюдается наибольшая концентрация электронов. Слой F, образуется только летом в дневные часы в нормальных условиях на высоте 180—220 км. Максимальная концентрация электронов в слое Fi составляет (2-f-5)-10 см- Слой F[ существенно влияет на распространение коротких волн. Максимальная концентрация электронов в слое fa составляет несколько миллионов в 1 см . Высота зоны максимальной концентрации 200—400 км. Состояние слоя F2 оказывает большое влияние на распространение радиоволн в диапазоне 10—200 м. Выше максимума слоя концентрация ионов и электронов очень медленно уменьшается с высотой, приближаясь на высоте 2000—3000 км к концентрации межпланетного газа (10 —10 см ). [c.1196]

При этом электросопротивление металла и его изменение вследствие облучения играют важную роль. Если опыты проводятся при достаточно низких температурах, чтобы предотвратить отжиг дефектов, то можно предположить, что увеличение электросопротивления будет пропорционально числу дефектов, введенных в металл. Необходимо поддерживать общую концентрацию дефектов на достаточно низком уровне, чтобы предотвратить взаимное влияние различных дефектов, которое может само вызвать увеличение электросопротивления. Облучение меди, серебра и золота [21 ] при 10° К нейтронами энергией 12 Мэе показало, что изменение электросопротивления почти линейно зависит от числа частиц, бомбардирующих материал. Отклонение от линейного закона связано, по-видимому, с явлениями отжига. Подобные опыты проведены Б левит-том и др. [41] на большом количестве материалов, облученных в реакторе при 17° К. Результаты этих двух работ сведены в табл. 5.15. Интерпретация изменения удельного электросопротивления была бы проста, если бы был известен коэффициент пропорциональности, связывающий это изменение с концентрацией дефектов. Неизвестное значение поперечного сечения рассеяния электронов проводимости на таких дефектах затрудняет точные вычисления, и величины, соответствующие различным дефектам, весьма спорны. [c.272]

Влияние радиационных нарушений на электрические свойства полупроводников обычно сводится к введению энергетических уровней в запрещенную энергетическую зону [44, 48]. Эти энергетические уровни связаны с дефектами в кристаллической решетке, которые могут захватывать электроны или дырки. Положительно заряженные места в решетке, образовавшиеся в результате захвата дырок, называются донорами. Акцепторами принято называть места в решетке, ставшие отрицательно заряженными в результате захвата электронов. Такие места в решетке оказывают большое влияние на концентрацию свободных дырок и электронов и, следовательно, на электрические и оптические свойства кристалла. [c.282]

Характер влияния донорных и акцепторных уровней на валентную зону или зону проводимости зависит от энергии Ферми (обычно называемой уровнем Ферми), положения энергетического уровня и температуры. Энергия Ферми в свою очередь зависит от концентрации носителей тока. Например, если концентрация носителей не слишком велика (невырожденный случай), то концентрации дырок и электронов соответственно можно представить в виде [c.282]

Чередование фаз Лавеса с различным типом кристаллической структуры в системах Zr — Me (Me — переходной металл V— VIII групп периодической системы элементов) также можно рассматривать как влияние изменения электронной концентрации в зависимости от эффективной валентности компонента В (Ме ) при неизменном компоненте А (Zr). Чередование Х,2-> х А,2 в пределах периода в таком случае должно являться результатом увеличения эффективной валентности переходных металлов с ростом порядкового номера в соответствии с ростом суммы s + d электронов, а диагональное смещение кристаллохимических свойств фаз Лавеса следует отнести за счет уменьшения эффективной валентности с увеличением главного квантового числа в группах. [c.169]

Подобных отклонений следует ожидать у сплавов металлов, образующих большей частью одновалентные ионы, с металлами, которые образуют преимущественно двухвалентные ионы, как например, а-латунь. Юм-Розери [132] показал, что для сплавов меди с цинком и меди с галлием предел растворимости в а-фазе отвечает разным атомным процентам, но приблизительно одинаковым концентрациям валентных электронов. Этот вывод может быть истолкован в том смысле, что при определенной концентрации валентных электронов происходит резкое возрастание энергии. Правда, при более детальном анализе выясняется, что предел растворимости в какой-нибудь фазе определяется как собственными термодинамическими функциями этой фазы, так и соответствующими функциями для фазы, сосуществующей с первой. Однако, как показал Делингер [62], правила Юм-Розери вне зависимости от деталей вопроса указывают на решающее влияние электронной концентрации на термодинамические функции. [c.53]

На Р. р. большое влияние оказывают область АО, как наиб, нерегулярная с широким спектром мелкомасштабных неоднородностей от сотен м до десятков км, к-рые могут быть результатом как прямого высыпания энергичных частиц, так и следствием плазменных неустойчивостей, связанных с электрич. полями магни-тосферного происхождения, а также область ГИП е большими горизонтальными градиентами электронной концентрации. Эффект горизонтальных градиентов ГИП и в ряде случаев и рассеяние на неоднородностях АО состоит в появлении нестандартного ВЧ-распростра-нения с отклонением траектории радиоволны от плоскости дуги большого круга. Эти т. н. азимутальные отклонения траекторий достигают 10—30° и более. У сигналов с азимутальными отклонениями время распространения значительно больше (до 50—100%), чем у нормальных сигналов, распространяющихся в плоскости дуги большого круга, а их максимальная наблюдаемая частота обычно выше в 1,54-7,5 раза. Сигналы с азимутальными отклонениями наиб, часты зимой и в равноденствие. Их появление, как правило, ухудшает радиосвязь, особенно в случае применения остронап- [c.262]

Фридель [29 предполагает, что в сплавах некоторые (s + + р)-электроны могут находиться в связанном состоянии вблизи ядер растворяемого элемента. Согласно Мотту [84], такие элементы, как цинк, галлий, германий и т. п., при растворении в меди отдают по крайней мере один электрон в зону проводимости. Следующий электрон может быть, а может и не быть в связанном состоянии, однако остальные электроны у галлия и германия почти наверняка будут находиться в связанном состоянии. Тем не менее Фридель считает, что правила валентной электронной концентрации могут оставаться справедливыми, если принять, что потенциал, действующий на электроны проводимости в сплаве, снимает со дна зоны проводимости столько связанных состояний, сколько имеется электронов на связующих атомных орбиталях. Связь между эффективными электронами проводимости и зонной структурой может быть такова, что влияние структуры зоны Бриллюэна на стабильность фаз и некоторые другие свойства сплава может оставаться почти неизменным. Для дальнейшего обсуждения данного предмета и связанных с ним вопросов необходимо обратиться к специальной литературе (Фридель [291, Мотт [84], Юм-Розери и Коулс (511). [c.156]

Как показали Даркен и Гарри [22], для большинства металлов коэффициент Пуассона равен - 0,3, и, следовательно, AF2/AF1 составит около 1,6, т. е. увеличение объема всей массы металла будет больше, чем увеличение объема полости. Описанная выше модель может быть перенесена на твердые растворы, в которых роль расширяющейся полости выполняют места, занимаемые атомами растворяемого элемента, а роль матрицы — основная масса металла-растворителя. По аналогии с рассмотренной моделью мы можем ожидать, что при образовании твердого раство-ра замеш ения замена атомов растворителя (полость) атомами растворяемого элемента, отличаюш,имися несколько большими размерами (несжимаемая жидкость), приведет к некоторому расширению металла. Оценки энергии деформации при таком расширении, сделанные рядом авторов (Даркен и Гарри 122], Эшелби [28]), показали прямую связь между пределами ограниченной растворимости в твердом состоянии и правилом 15%-ной разницы Юм-Розери. Определение периодов решетки твердых растворов также показало качественное согласие с вышеописанной моделью, однако в некоторых случаях наблюдается расширение решетки, даже если атомы растворяемого элемента оказываются меньше по сравнению с атомами растворителя. Это противоречие объясняется, по-видимому, трудностями достоверной оценки размеров атомов, а такя е является следствием влияния других факторов, например электронной концентрации, электрохимических эффектов, статических искажений и т. п., под действием которых размер атома растворяемого элемента в чистом веп],естве может значительно отличаться от его размера в твердом растворе. [c.172]

В дальнейшем благодаря главным образом работам Джонса 160—63] стабильность электронных фаз при помощи простой электронной теории металлов была связана с взаимодействием между поверхностью Ферми и зонами Бриллюэна при этом особо подчеркивалось влияние такого взаимодействия на плотность состояний N Е) у поверхности Ферми. у- и е-латуни обладают соответственно кубической объемноцентрированной, сложной кубической и гексагональной плотноупакованной структурами , для которых в момент соприкосновения поверхности Ферми для свободных электронов с основными гранями соответствующих зон Бриллюэна последние оказываются в значительной мере заполненными. Моменту соприкосновения поверхности Ферми с границей зоны Бриллюэна отвечают критические значения электронной концентрации так, для р-латуни в момент контакта е/а = 1,48, для улатуни при соприкосновении поверхности Ферми с гранями 330 и 411 большой зоны Бриллюэна электронная концентрация е а — 1,54 и, наконец, для е-латуни внутренняя зона оказывается в основном заполненной при ela = 1,75. Эти значения отношений числа валентных электронов к числу атомов, полученные на основе модели зон Бриллюэна, очень близки к первоначальным значениям е/а, полученным из химических формул (ср. 1,5 1,62 и 1,75 с 1,48, 1,54 и 1,75), однако необходимо помнить, что в обоих случаях указанные значения выведены на основе определенных моделей, развитых специально для интерпретации стабильности электронных фаз. В настоящее время известно, что химические формулы применять нельзя, а при использовании простой модели зон Бриллюэна возникает следующее ограничение, о котором уже упоминалось выше для приведенных значений е/а необходимо было бы допустить, что энергетический разрыв на границе зоны Бриллюэна равен или близок к нулю. [c.179]

Фактор относительной валентности определяется разностью валентностей компонентов и играет важную роль при дальнейшем рассмотрении вопросов образования и устойчивости электронных соединений. Этот фактор обсуждается на основе рассмотрения изменения электронной концентрации в пределах зоны Бриллюэ-на данной кристаллической решетки. Несмотря на то что образование и y T0fl4HB0 tb фАз Лайёса определяются главным образом размерным фактором, в целом ряде случаев наряду с ним играет роль и электронный фактор [8, 24, 68], влияние которого будет обсужг даться ниже. . [c.221]

Предварительно рассчитывалось распределение концентраций компонент (ОН, Н2О, О2), влияющих на концентрации электронов. Наибольшее влияние на квазиравновесное распределение ае оказывают процессы образования VII, III, II, однако влияние химической кинетики слабо сказывается на величине Н2О и ОН в зоне Тр С Тг-Результаты расчетов зависимости относительных концентраций электронов в продуктах сгорания от параметров расширения 1,12 у 1. 2 (и для Ро, Го), приведенные в работе [3] при расширении трубки тока S, показаны на рис. 2 они указывают на крайне сильное отклонение а от квазиравновесных значений при S IO, причем определяющим параметром при Ф2кр==сопз1 и v= onst является характерный размер /о (рис. 2, а). Для функций Фь характеризующихся более медленным изменением вследствие расшире- [c.246]

Ввиду того, что концентрация свободных электронов в области п больше, чем в р, а дырок — наоборот, часть электронов под влиянием тепловой ди4)фузии уйдет в область р, а некоторое количество дьгрок — в область п. При этом область р у перехода окажется заряженной отрицательно, а область п — положительно. Возникнет [c.335]

Представление о структуре М. как о ионном остове, погруженном в электронный газ, компенсирующий силы отталкивания между ионами и связывающий их в твердое тело, достаточно точно отражает истинное положение вещей в М. свободные электроны определяют не только электрич. свойства, но и кристаллич. структуру, упругость и другие механич. свойства. Наличие свободных электронов обусловливает ненаправленный характер металлич. связи, к-рая сильнее всего проявляется в М. I и II групп цериодич. системы. В М., расположенных в правой части периодич. системы, сказывается влияние направленных валентных связей. Тип связей существенно влияет на кристаллич. структуру. Большое значение для кристаллич. структуры М. имеет также распределение элек тронов проводимости по зонам (см. Зонная теори.ч.) как правило, осуществляется тот тип решетки, в к-ром энергия электронного газа минимальна. Прп анализе возможных крпсталлич. структур М. (особенно прп наличии примесей) необходимо учитывать электронную концентрацию, т. е. число валентных электронов, приходящихся на 1 атом. [c.196]

Причину влияния элементов на полиморфизм железа следует искать в характере заполнения зон Бриллюэна, определяющих критическую электронную концентрацию. Когда эта концентрация становится больщой, происходит перестройка решетки в более плотную гранецентрированную пока электронная концентрация невелика — [c.578]

В рамках RPA квазичастица представляет собой электрон, окруженный движущимся вместе с ним динамическим облаком поляризации. Как было только что показано, экранирующее действие этого облака, по существу, сводится к уменьшению эффективного заряда электрона в e(k ue)l раз, где Ше есть частота, характеризующая движение электрона. Таким образом, это облако может рассматриваться как некая корреляционная дырка, окружающая электрон. Его влияние приводит к разумному поведению характеристик системы, определяемых свойствами квазичастиц (теплоемкости, спиновой восприимчивости и т. д.). При этом оказывается, что в предельном случае высоких концентраций, где условия применимости RPA выполняются хорошо, поправки к указанным характеристикам системы, вычисленные в рамках RPA, весьма малы. Этого н следовало ожидать, так как в данной области концентраций малы как обменная, так и корреляционная поправки к энергии основного состояния. [c.202]

Объяснить это влияние можно на основе электронной теории металлов. При рассмотрении указанных двух серий сплавов необходимо о братить внимание на го, что как растворители, так и растворяемые элементы являются близкими соседями в периодической системе элементов Д. И. Менделеева. Поэтому необходимо учитывать не только размеры растворяемых атомов, но также и число валентных электронов, которые эти атомы дают при образовании сплавов. Как известно, отношение числа валентных электронов к числу атомов есть электронная концентрация, которая для одновалентного растворителя, содержащего х% (атомн.) растворенного элемента с валентностью v, может быть представлена следующим выражением [c.141]

Существование электронных соединений было объяснено Джонсом с позиций электронной теории металлов. В этой работе различие между атомами игно р ируется считается, что структура сплава целиком определяется соотношением энергий электронов в периодических полях различной конфигурации. Разумеется, это очень грубое пр.иближение, и систематический анализ диаграм.м состояния показывает, что подход с точки зрения электронной концентрации осложняется влиянием размерного и электрохимического факторов. [c.171]

Увеличение размерного фактора способствует проявлению тенденции к изменению состава р-фазы и уменьшению электронной концентрации. Можно легко представить себе, что сравнительно рыхло упакованная объемноцентрированная кубическая структура способна растворить большее число атомов другого элемента, чем гексагональная плотноупакованная структура. Выше было показано, что уструктура, представляющая собой искаженную дефектную кубическую объемноцентрированную структуру, способна более легко усваивать атомы иного размера, чем просто объемноцентрированная кубическая структура. При наличии больших атомов растворяемого элемента мы можем, следовательно, ожидать, что свободная энергия (3-фазы будет расти быстрее, чем свободная энерпия у-фазы, а это должно привести к сдв1игу состава р-фазы в направлении меньших значений электронной концентрации. В отдельных случаях (медь—олово, медь—индий) состав р-<фазы соответствует значению электронной концентрации меньше 3/2, и это. понятно, так ка к хорошо объясняется влиянием размерного фактора. [c.173]

На фиг. 2 изображены профили относительной массовой и числовой Л, , концентрации электронов на оси следа. Как и в случае температур, приведенных на фиг. 1, быстрое уменьшение с, ш N на больших высотах объясняется главным образом сильным влиянием вязкостных свойств среды диффузионными процессами, влияние которых увеличивается с уменьшением числа Ке , и, в меньшей степени, конвективным разбавлением. Течение на таких больших высотах (выше 70 км) в условиях низкой плотности практически заморожено, и химическая кинетика никакого влияния на электронную концентрацию не оказывает. По мере спуска тела уменьшается роль вязкостных свойств среды - диффузионного переноса, но из-за возрастания плотности растет влияние химических реакций на снижение электронной концентрации. Как только по мере спуска потоки диффузии вновь возрастают при появлении турбулентности на рассматриваемом участке следа, концентрация электронов быстро падает. Роль химической кинетики в уменьшении электронной концентрации в отличие от совместного вклада диффузии и конвективного разбавления легко проследить, сравнив два графика фиг. 2 при X = lOOd пунктирную кривую, соответствующую химически замороженному течению, и сплошную, определенную с учетом неравновесных химических реакций. [c.160]

Существует класс полупроводниковых приборов, выполненных на основе смешанных окислов переходных металлов, которые известны под общим названием термисторов. Термин термистор происходит от слов термочувствительный резистор . Толчком к разработке термисторов послужила необходимость компенсировать изменение параметров электронных схем под влиянием колебаний температуры. Первые термисторы изготавливались на основе двуокиси урана ПОг, но затем в начале 30-х годов стали использовать шпинель MgTiOз. Оказалось, что удельное сопротивление MgTiOз и его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) легко варьируются путем контролируемого восстановления в водороде и путем изменений концентрации MgO по сравнению со стехиометрической. Использовалась также окись меди СиО. Современные термисторы [60, 61] почти всегда представляют собой нестехиометрические смеси окислов и изготавливаются путем спекания микронных частиц компонентов в контролируемой атмосфере. В зависимости от того, в какой атмосфере происходит спекание (окислительной или восстановительной), может получиться, например, полупроводник п-типа на поверхности зерна, переходящий в полупроводник р-типа в глубине зерна, со всеми вытекающими отсюда последствиями для процессов проводимости. Помимо характера проводимости в отдельном зерне, на проводимость материала оказывают существенное влияние также процессы на границах между спеченными зернами. Высокочастотная дисперсия у термисторов, например, возникает вследствие того, что они представляют собой сложную структуру, образованную зонами плохой проводимости на границах зерен и зонами относительно высокой проводимости внутри зерен. [c.243]

Часто каталитические свойства металла или сплава зависят от их способности хемосорбировать определенные компоненты среды. Поэтому неудивительно, что переходные металлы обычно являются хорошими катализаторами и что электронные конфигурации в сплавах, благоприятствующие каталитической активности и пассивации, сходны между собой. Например, если палладий, содержащий 0,6 d-электронных вакансий на атом в металлическом состоянии, катодно насыщен водородом, он теряет свою каталитическую активность для ор/по-па/>а-водородной конверсии [59] d-уровень заполнен электронами растворенного водорода, и металл не может больше хемосорбировать водород. По каталитической эффективности Pd—Au-сплавы аналогичны палладию, пока не достигнут критический состав 60 ат. % Аи. При этом и большем содержании золота сплав становится слабым катализатором. Золото, будучи непереходным металлом, снабжает электронами незаполненный уровень палладия магнитные измерения подтверждают, что d-уровень заполнен при критической концентрации золота. Результаты исследований каталитического влияния медно-никелевых сплавов различного состава на реакцию 2ННа представлены на рис. 5.17. При 60 ат. % Си и [c.98]

Это уравнение называют логарифмическим. Соответственно, график, построенный в координатах у — g t + onst) или у — — Ig t (при t > onst) имеет вид прямой линии. Логарифмическое уравнение, впервые полученное Тамманном и Кестером [11], отражает поведение многих металлов (Си, Fe, Zn, Ni, Pb, d, Sn, Mn, Al, Ti, Та) на начальных стадиях окисления. Вначале справедливость этого уравнения ставилась под сомнение. Были сделаны попытки вывести уравнения на основе предположений о существовании специфических свойств оксидов, таких как наличие диффузионных барьеров и градиентов ионной концентрации и других. Эти предположения не получили экспериментального подтверждения. С другой стороны, было показано, что логарифмическое уравнение можно вывести из условия, 4TQ скорость окисления контролируется переходом электронов из металла в пленку продуктов реакции, причем эта пленка имеет пространственный электрический заряд во всем своем объеме (7, 12]. Преобладание заряда, обычно отрицательного, в оксидах вблизи поверхности металла, подобно электрическому двойному слою в электролитах, было установлено экспериментально. Таким образом, любой фактор, изменяющий работу выхода электрона (энергию, необходимую для удаления электрона из металла), например ориентация зерен, изменения кристаллической решетки или магнитные превращения (точка Кюри), изменяет скорость окисления, что и наблюдалось в действительности [13—15. Когда толщина пленки превышает толщину пространственно-заряженного слоя, определяющим фактором обычно становится скорость диффузии или миграции сквозь пленку. При этом начинает выполняться параболический закон, и ориентация зерен или точка Кюри перестают оказывать влияние на скорость окисления. Исходя из этого, можно сказать, что в начальной стадии оксидная пленка на металлах [c.193]

В обычных сварочных дугах при атмосферном давлении наибольшее влияние продольное магнитное поле оказывает на диффузионную составляющую скорости ионов и электронов. Скорость диффузии их направлена по радиусу от центра дуги к периферии, где температура и концентрация меньше (рис. 2,39). В связи с тем что скорости диффузии в квазинейтральном столбе дуги равны Ve Vi, а масса те< .гт, импульсы, передаваемые нейтральным частицам от ионов, будут в тысячи раз больше, чем от электронов. Поэтому плазма столба дуги придет во вращательное движение, соответствующее движению в магнитном поле ионов. Столб дуги будет вращаться против часовой стрелки. [c.84]

Одновременно с ростом стримера, направленного от катода к аноду, начинается образование встречного лавинного потока положительно заряженных частиц, направленного к катоду. Положительный стример представляет собой канал газоразрядной плазмы. Это объясняется тем, что электронные лавины оставляют на своем пути большое число вновь образованных положительных ионов, концентрация которьк особенно велика там, где лавины получили свое наибольшее развитие, т. е. около анода. Если концентрация положительньк ионов здесь достигает определенного значения (близкого к 10 ионов в 1 см ), то, во-первых, обнаруживается интенсивная фотонная ионизация, во-вторых, электроны, освобождаемые частицами газа, поглотившими фотоны, притягиваются положительным пространственным зарядом в головную часть положительного стргсмера и, в-третьих, вследствие ионизации концентрация положительных ионов на пути стримера увеличивается. Насыщение электронами пространства, заполненного положительными зарядами, превращает эту область в проводящую газоразрядную плазму. Под влиянием ударов положительных ионов на катоде образуется катодное пятно, излучающее электроны. В результате указанных процессов и возникает пробой газа. Обычно пробой газа совершается практически мгновенно длительность подготовки пробоя газа при длине промежутка 1 см составляет 10 - 10 с. Чем больше напряжение, пркближснпОс к газовому промежутку, тем быстрее может развиться прооой. Если длительность воздействия напряжения очень мала, то пробивное напряжение повышается. [c.119]

Модификация структуры основывается на влиянии изменений параметров микроструктуры (размер зерна, кристаллографическая текстура, плотность дислокаций) на механические свойства и износостойкость материалов. Примерами структурной модификации приповерхностного слоя являются дробеструйная обработка, накатывание роликом, вибрационное накатывание, ультразвуковая упрочняющая обработка, алмазное выглаживание, электромеханическое упрочнение 13]. Известно, ч го поверхностная закалка после нагрева приводит к уменьшению размера зерен вблизи поверхности и увеличению локального напряжения течения. Поэтому поверхностный нагрев с применением направленных источников энергии, таких, как лазер и электронный луч, может использоваться для оплавления и последующего быстрого затвердевания (кристаллизации) поверхностного слоя. Названные мегоды обработки вызывают yny4nJ HHe размеров зерна, формирование мелкой, субзеренной структуры, увеличивают концентрацию выделений и упрочнение, приводят к появлению новых полезных фаз. растворению или удалению инородных включений [19]. Перечисленные эффекты структурной модификации делают ее весьма перспективной, а развитие метода входит в число актуальных задач гриботехнологии. [c.39]

К анодным ингибиторам относится, например, класс окислителей типа МОу (хроматы, ванадаты, вольфраматы, молибдаты, нитриты, пере-кисные соединения), воздействие которых оказывает непосредственное влияние на анодный процесс не только за счет изменения потенциала электрода, но и через поверхностную концентрацию анодно-активных частиц, образующихся при восстановлении окислителя. Установлено [2], что функционировать в качестве эффективных ингибиторов могут окислители, потенциал восстановления которых больше яотенциала коррозии защищаемого металла. Отношение числа и образующихся при катодном акте анодно-активных частиц к числу т реализованных электронов для окислителей ингибиторного типа, исходя из уравнения, описывающего суммарный процесс установившегося режима коррозии, [c.141]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...