Эффективная валентность

Рис. 157. Зависимость эффективной валентности от потенциала при различных концентрациях НСЮ

Зто подтверждается тем, что величина эффективной валентности п (рис. 157), определяемая соотношением скоростей реакций (482) и (483), изменяется в пределах [c.230]

Представлялось интересным исследовать взаимодействие фаз Лавеса в тройных системах, образованных цирконием с переходными металлами, и проследить, наблюдается ли корреляция между характером взаимодействия и структурным типом фаз Лавеса с одной стороны и эффективной валентностью В-компонентов — с другой. В свою очередь, особенности взаимодействия фаз Лавеса в тройных системах должны определять в значительной степени фазовые равновесия в этих системах и закономерности строения их диаграмм состояния. Мы исследовали диаграммы состояния или их элементы (взаимодействие фаз Лавеса) девяти тройных систем (Zr —V-Mo [9, 10], Zr —V-W [28], Zr - V - r [7], [c.169]

Наиболее многочисленна группа систем, в которых бинарная фаза Лавеса существует лишь в одной из ограничивающих систем, а в двух остальных образуются неограниченные твердые растворы или соединения, относящиеся к другим структурным типам. Чаще всего в таких случаях образуется лишь ограниченный твердый раствор на основе X [12], но иногда наблюдается образование тройных фаз Лавеса, кристаллическая структура которых относится к другому типу [5]. Протяженность областей твердых растворов X также коррелирует с эффективной валентностью, т. е. с положением элементов в периодической системе. К этой группе можно отнести 62 системы (большинство из них не исследовано). [c.172]

Член в уравнении (58), взятый в скобки, обычно называют эффективной валентностью Z. из прямых измерений электропереноса можно определить только Vi и Di, а Zi вычислить невозможно. По знаку Zi определяют направление переноса в сплаве отрицательный знак показывает, что силы сопротивления, противодействующие передвижению ионов под действием поля, преобладают, а положительный знак указывает, что преобладает сила поля и перенос идет в сторону анода или катода соответственно. [c.115]

Чтобы придать формуле типа (10.17) определенный смысл, надо знать, как определить значения различных физических величин, в ней фигурирующих. Что касается кр и ]р, то мы можем обратиться к соотношениям (10.5) и (10.7), поскольку концентрацию электронов проводимости для любого жидкого металла можно найти, зная эффективную валентность ионов (ср. с 10.10). Можно также непосредственно определить структурный фактор 5 (д) из опытов по рассеянию рентгеновских лучей или нейтронов (см. [c.457]

Однако пока невозможно объяснить эту структуру особенно из-за неопределенного мнения относительно эффективных валентностей переходных металлов. [c.90]

Найдем, в качестве примера, положение локальных разрешенных уровней примесных атомов V группы таблицы Менделеева в элементарных полупроводниках IV группы. Предположим, например, что в одном из узлов кристалла германия находится атом мышьяка, имеющий пять электронов в валентной оболочке. Четыре валентных электрона участвуют в образовании ковалентных связей с четырьмя соседними атомами германия.- Поскольку ковалентная связь является насыщенной, пятый электрон новой связи образовать не может. Находясь в кристалле, он сравнительно слабо взаимодействует с большим числом окружающих мышьяк атомов германия. Вследствие этого его связь с атомом As уменьшается и он движется по орбите большого радиуса. Его поведение подобно поведению электрона в атоме водорода. Таким образом, задача сводится к отысканию уровней энергии водородоподобного атома. При ее решении необходимо учесть следующие обстоятельства. Поскольку электрон движется не только в кулоновском поле иона мышьяка, но и в периодическом поле решетки, ему необходимо приписать эффективную массу т. Кроме того, взаимодействие электрона с атомным остатком As+, имеющим заряд Ze, происходит в твердом теле, обладающем диэлектрической проницаемостью г. С учетом этого потенциальная энергия электрона примесного атома [c.237]

Приписав электронам в зоне проводимости и дыркам в валентной зоне эффективные массы, мы можем считать их свободными и воспользоваться выражением для электропроводности, полученным в модели свободных электронов Друде —Лорентца. Так, например, согласно (6.90) электронная составляющая тока [c.243]

Таким образом, коллектив обобществленных электронов вблизи нижнего края зоны проводимости может рассматриваться как газ свободных частиц — так называемых электронов проводимости. Они отличаются от обычных электронов только массой. В отличие от электронной массы массу электрона проводимости называют эффективной массой. Коллектив обобществленных электронов вблизи верхнего края валентной зоны рассматривают как газ свободных частиц, называемых дырками. [c.143]

Функции Блоха фк(1 ) являются системой одночастичных функций для электронов, которые применимы к кристаллу с фиксированными в положениях равновесия ионами. Эти функции можно определить в приближении Хартри или приближении Хартри—Фока, в которые включены эффекты обмена электронами. Здесь используется еще более простое приближение и предполагается, что плотность валентных электронов однородна и эффективный потенциал F(r), в котором движутся электроны, таков, что заряд ионов в положении равновесия скомпенсирован однородным отрицательным зарядом. Если w(r—Rj)—потенциал иона в состоянии равновесия R , то [c.758]

Из анализа электрических сил, действующих на носители заряда (см., например, (2.59)), следует, что дырка ведет себя так, как если бы она обладала положительным зарядом - -е и эффективной массой, равной по величине, но обратной по знаку эффективной массе отсутствующего электрона. Надо учесть, что эффективные массы электрона у потолка заполненной (валентной) зоны отрицательны. Следовательно, дырка ведет себя как частица с положительной эффективной массой и положительным зарядом. Как правило, эффективные массы электронов и дырок отличаются друг от друга, поскольку.они относятся к различным зонам. [c.89]

Гетерополярная (ионная) молекула -образуется при переходе валентных электронов от одного атома к другому, обладающему большей электроотрицательностью. Связь между ионами в такой молекуле осуществляется за счет кулоновского притяжения. При этом анион и катион имеют замкнутые устойчивые внешние электронные оболочки, сходные с электронными оболочками инертных газов. При колебании ядер такой молекулы (рис. 40, а) внешние электронные оболочки аниона и катиона практически не деформируются и, следовательно, поляризуемость молекулы не изменяется. В этом случае (da/dq)q=q = 0 и комбинационного рассеяния не возникает. Однако ионная молекула обладает большим дипольным моментом, который изменяется при ее колебаниях. Поэтому величина эффективного заряда dp dq)g q у нее значительна, что приведет к появлению интенсивного поглощения в ИК-области спектра. [c.101]

Теперь мы можем придать дополнительный смысл введенным в 5 изображениям адронных линий. Тройная линия для бариона соответствует его трем валентным кваркам, а двойная линия для мезона — валентным кварку и антикварку. Ниже при изложении физики распадов и реакций мы эффективно воспользуемся этой трактовкой адронных линий. [c.350]

Определением эффективной валентности анодно растворяющегося индия в растворах H IO4 с добавками N32 104 электрохимическими и радиохимическими методами и измерениями с помощью индикаторного электрода В. В. Лосевым с сотрудниками было доказано, что анодное растворение индия протекает стадийно с образованием в качестве промежуточного продукта ионов одновалентного индия [c.229]

Чередование фаз Лавеса с различным типом кристаллической структуры в системах Zr — Me (Me — переходной металл V— VIII групп периодической системы элементов) также можно рассматривать как влияние изменения электронной концентрации в зависимости от эффективной валентности компонента В (Ме ) при неизменном компоненте А (Zr). Чередование Х,2-> х А,2 в пределах периода в таком случае должно являться результатом увеличения эффективной валентности переходных металлов с ростом порядкового номера в соответствии с ростом суммы s + d электронов, а диагональное смещение кристаллохимических свойств фаз Лавеса следует отнести за счет уменьшения эффективной валентности с увеличением главного квантового числа в группах. [c.169]

Областям стабильности фаз Лавеса и К отвечают определенные области значений эффективной валентности (для таких областей две). При граничных значениях эффективной валентности наблюдается полиморфизм фаз Лавеса, как это имеет место для Zr r2, для которого обнаружены три полиморфных модификации — 1, Кз, 2 [19]. Учитывая диагональное смещение свойств элементов, можно ожидать проявление полиморфизма для фаз Лавеса в системах Zr — Тс и Zr — Re. В настоящее время в обеих системах обнаружены только фазы 1, однако следует принимать во внимание, что диаграмма состояния системы Zr — Тс не исследована а данные о строении диаграммы состояния системы Zr — Re противоречивы [25, 36]. [c.169]

Если полиморфизмом обладает лишь один из двух бинарных металлидов, то н. р. т. р. образуется между вторым металлидом и изоморфной ему модификацией первого. На основе других модификаций образуются ограниченные твердые растворы. К. такому типу систем относятся исследованные нами тройные системы Zr — Сг — (V, Мо, W, Мп). В первых трех системах н. р. т. р. образуются с низкотемпературной модификацией Zr rg ( -а), а в системе Zr — Сг — Мп соединение ZrMrij образует н. р. т. р. с высокотемпературной его модификацией (Xj). Протяженность области Xj в каждой из систем Zr — Сг — (V, W, Мо) составляет не более 2 ат. % V, 14 ат. % W и 50 ат.% Мо соответственно. Эти значения вполне согласуются с эффективной валентностью соответствующих компонентов, которая возрастает в ряду V W Мо -> Сг. Замещение атомов хрома атомами молибдена, эффективная валентность которого незначительно меньше, чем у хрома, возможно в широких пределах без уменьшения суммарной электронной концентрации ниже предельного значения, при котором становится нестабильной. При замещении атомов хрома атомами вольфрама, эффективная валентность которого еще несколько меньше, предельное значение электронной концентрации для i-фазы достигается при меньшей концентрации замещающего элемента. Эффективная валентность ванадия, принадлежащего к V группе периодической системы, существенно меньше эффективной валентности хрома, и уже при незначительном содержании его достигается предельное значение электронной концентрации, допускающее существование Xj. Ограниченные растворы на основе Хд в тройных системах не всегда удается выявить металлографически фазы Лавеса здесь неразличимы, а рентгеновские методы также не всегда позволяют отличить ее от Xj, вследствие размытости линий на рентгенограммах порошков закаленных сплавов. Так, в системе Zr — Сг — Мп Яд обнаружена в ограниченном температурном интервале в области до 10 ат. % Мп, а в системах Zr — Сг — (V, Мо, W) пока ее не удается отличить от [c.171]

Бейтес [453, 454] сообщил об измерениях восприимчивости у ряда амальгам (ценность некоторых из приведенных им данных, видимо, снижена не гомогенным состоянием амальгам) и пришел к выводу, что растворенные вещества образуют в ртути катионы (с зарядом -j-ve). Это явление и увеличение удельной проводимости ртути при сплавлении с металлами более высокой валентности говорит о том, что ртуть до конца не ионизируется, т. е. ведет себя с эффективной валентностью <2 (возможно, <1), что качественно согласуется с теорией. Частичная ионная природа амальгам рассматривалась также Вагнером [455]. Она подтверждается данными по поверхностному натяже- [c.145]

Очень важно, что в случаях ненормально низкой эффективной валентности ионов металла, переходящих в раствор, прп вк.лючеш1и анодной поляризации часто наблюдается выделение водорода. Это явление называется разностным эффектом (дпфференц-эффектом). Смысл этого термина будет рассмотрен в гл. V. На первый взгляд выделение водорода при анодной поляризации представляется странным и поэтому заслуживает рассмотрения. [c.127]

Второй вклад в полную энергню — так называемая электростатическая энергия. Она определяется как электростатическая энергия точечных положительных зарядов, расположенных в точках, соответствуюш,их истинным положениям ионов, и окруженных однородно распределенным компенсирующим отрицательным зарядом. Обычно в расчетах заряд этих ионов отличается от истинного заряда ионов последнее связано с ортогонализацией псевдоволновой функции к функциям внутренних оболочек ионов. Поправка к величине валентного заряда обычно бывает порядка 109о. Введение для описания ионов такой эффективной валентности — целиком дело удобства. Если в качестве этой величины мы будем пользоваться другим эффективным зарядом или даже истинным зарядом ионов, это просто изменит оставшиеся члены в энергии, но полная энергия будет математически той же самой. Из-за дальнодействующего характера кулоновского взаимодействия вычисление электростатической энергии представляет собой довольно тонкую проблему. Однако с математической точки зрения она хорошо определена, и соответствующий вклад в энергию можно найти аналитическими методами. Наиболее распространенный подход к решению этой задачи был первоначально развит Эвальдом [161 применительно к вычислению электростатической энергии ионных кристаллов и обобщен на случай металлов Фуксом [17]. Иногда более удобной оказывается другая модификация метода Вальда (см. 131). [c.483]

В расчетах по методу исевдонотенциалов (как ОПВ, так п модельных) всегда учитывают заряд обеднения. Обычно это делают, вводя вместо валентности Z эффективную валентность [60, 68, 335] [c.164]

Поскольку свойства электронов с отрицательной эффективной массой очень сильно отличаются от свойств нормальных электронов, их удобнее описывать, пользуясь представлением о некоторых квазичастицах, имеющих заряд - -е, но положительную эффективную массу. Такая квазичастица получила название дырка. Предположим, что в зоне все состояния, кроме одного, заняты электронами. Вакантное состояние вблизи потолка зоны и называют дыркой. Если внешнее поле равно нулю, дырка занимает самое верхнее состояние. Под действием поля < Г на это вакантное состояние перейдет электрон с более низкого энергетического уровня. Дырка при этом опустится. Далее дырочное состояние займет следующий ьаектрон и т. д. При- этом дырка сместится вниз по шкале энергий. Таким образом, ток в кристаллах может переноситься не только электронами в зоне проводимости, но и дырками в валентной зоне. Дырочная проводимость наиболее характерна для полупроводников. Однако есть и некоторые металлы, которые обладают дырочной проводимостью. [c.235]

В методе валентных схем под обменным молекулярным интегралом понимается недиагональный матричный элемент эффективного двухэлеитроииого гамильтониана в базисе атомных орбиталей. [c.271]

При легировании кремния бором атомы последнего выступают в качестве акцепторов. Бор является трехв1алентным, и поэтому одна из четырехвалентных связей, направленных от атомов кремния к атому бора, останется свободной. В действительности же отсутствующая незавершенная связь может перемещаться от одного междоузлия к другому, подчиняясь только экранированному кулоновскому притяжению центрального отрицательного заряда. Ситуация сводится к представлению связанной дырки, передвигающейся в состоянии, которое зависит от диэлектрической проницаемости и тензора эффективной массы для свободных дырок. Если сообщить дырке энергию ДЕд, она будет полностью делокализована, и тогда нейтральное состояние акцептора можно представить как незаполненное электронное состояние, расположенное в запрещенной зоне над потолком валентной зоны на расстоянии, определяемом энергией ДЕа (см. рис. 35). [c.93]

Во-вторых, в свете учения об ионной связи (В. Коссель) в химии укоренилось представление о положительной и отрицательной валентности (электровалентности). Даже в случае, когда отдача и присоединение электронов были невозможны, нередко подразумевали электровалентность. Это усугублялось еще и тем, что в неорганической химии исключительно важную роль играет электронная теория окислительно-восстановительных реакций, постулирующая переход электронов от восстановителей к окислителям. При этом окислительное число (степень окисления) полностью отождествлялось с электровалентностью, и для удобства подсчета числа отдаваемых и присоединяемых электронов заведомо неионные соединения рас1смат р1ивали1сь ка х вещества с ионной связью. Но понятие окислительного числа носит только условный характер и не имеет ничего общего ни с эффективными зарядами, ни с фактическим числом связей, которые образуют данный атом (валентность). [c.96]

Чтобы выполнить такой расчет, необходимо задаться конкретным видом функций Ыс(Е) и Ы (Е). Раоомотрим простейший случай полупроводника с одним сферически симметричным минимумом энергии в зоне про1ВодИ(Мости, которому соответствует скалярная эффективная масса электрона щ , а также с одним сферически симметричным максимумом в валентной зоне со скалярной эффективной массой дырки Шр. С учетом формул (3. 15) и (3.24) при малых значениях Е и (—АЕ—Е) получим [c.111]

При m = mp уровень Ферми проходит точно посередине запрещенного зазора между валентной зоной и зоной проводимости, и для большого числа собственных полупроводников отклонение уровня Ферми от этого среднего положения пр,и обычных температурах невелико. Однако в таких полупроводниках, как InSb, где отношение эффективных масс mp /mn 20 и АЕ 0,2 эВ, уровень Ферми вблизи комнатной температуры (коТ 0,025 эВ) заметно сдвинут в сторону свободной зоны. [c.113]

При Na>N г акцейторы все больше нейтрализуют действие доноров и уровень Ферми постепенно смещается к середине запрещенной зоны, а число эффективных акцепторов становится равным На—Ый, причем все электроны с донорных центров переходят на акце1Пторные уровни и уровень Ферми опускается еще ниже и в пределе проходит у самого края (потолка) валентной зоны. [c.118]

Поэтому при известном механизме раосеания совместное измерение эффекта Холла и дифференциальной термо-эдс позволяет оценить величину эффективной массы электрона. Кроме того, меняя степень легирования образца, можно проверить, является ли соответствующая зона (свободная >—для образца л-типа, валентная — для р-типа) параболической. Напоминаем, что в качестве грубого критерия вырождения электронного газа принимается совпадение уровня Ферми с дном зоны проводимости (с потолком валентной зоны для полупроводника р-типа), т. е. критическая концентрация электронов, соответствующая началу вырождения, определяется из равенства [c.142]

Обычно достаточно знать вид Е(р) лишь вблизи экст ремальных точек — минимумов или максимумов энергии Изоэнергетические поверхности вблизи экстремумов час то представляют в виде сфер (с эффективными массами например, для нескольких подзон валентной зоны mpi mp2 и т. д.) или эллипсоидов (с эффективными массами для зоны проводимости т ц, mnii, m.iXs )- [c.455]

Смотреть страницы где упоминается термин Эффективная валентность : [c.229] [c.290] [c.155] [c.226] [c.227] [c.236] [c.495] [c.613] [c.128] [c.256] [c.323] [c.197] [c.245] [c.143] [c.646] [c.269] [c.118] [c.199] [c.353] [c.354]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...