Дислокаций плотность

Стадия С. Здесь происходит снижение коэффициента упрочнения, которое, как и для стадии А, можно объяснить осаждением точечных дефектов на дислокациях. Плотность дислокаций здесь становится настолько большой, что точечные дефекты вступают во взаимодействие с дислокациями прежде, чем успевают коагулировать. На стадии С число случаев размытия следов скольжения, наблюдаемое по фотографиям линий скольжения, увеличивается. Это свидетельствует о переходе дислокаций на новые плоскости скольжения путем взаимодействия с точечными дефектами. Эксперименты показывают, что вклад Ts в деформирующее напряжение на стадии С больше, чем на стадиях А п В. Возможно, что вклад в [c.209]

Общую длину дислокаций, приходящихся на единицу объема кристалла, называют плотностью дислокаций. Плотность дислокаций [c.369]

Трехмерная плотность дислокаций, т. е. общая длина дислокаций в единице объема, равна pv = Sp/d. В результате относительное изменение объема благодаря внесенным зернограничным дислокациям плотности р равно [c.106]

Опасность заключается в том, что сплав перестает сопротивляться распространению трещин. Когда трещина встречается со скоплениями дислокаций, плотность которых меньше критической, распространение ее затрудняется, так как упругая энергия у вершины трещины переходит не в работу разрушения, а в работу пластической деформации. Происходит релаксация напряжений у вершины трещины. [c.52]

Увеличение степени деформации приводит к образованию фрагментов с большими углами разориентации, причем это происходит на фоне продолжающегося дислокационного механизма (рис. 1,4,е). Границы фрагментов состоят из дислокаций, плотность которых настолько велика, что различить отдельные дислокации на экране электронного микроскопа невозможно. С увеличением деформации границы совершенствуются, стано- [c.38]

Подгруппа по плотности дислокации Плотность дислокации, см , не более Диаметр монокристалла, мм Длина монокристалла, мм, ке менее [c.337]

Для возможности изучения скорости движения дислокаций плотность состаренных дислокаций должна быть меньше 10 —10 см , чтобы они не мешали следить за скоростью передвижения свежих дислокаций, вводимых в кристалл путем нанесения на его поверхность царапин и уколов. Импульсное нагружение вызывает движение или изолированных друг от друга одиночных дислокаций, или отдельных групп. Длина пробега изолированных одиночных или головных дислокаций в отдельных группах зависит от содержания примесей, структуры, сил химической связи, температуры и уровня приложенного напряжения. Различный характер зависимости скорости движения дислокаций от напряжения и температуры в кристаллах с разным типом химической связи и кристаллической решетки приводит автора к заключению, что движение дислокаций обусловлено взаимодействием их с фононами и, возможно, с электронами. [c.110]

Трещина представляет собой ограниченную область внутри металла, в которой произошло разделение соседних групп или слоев атомов, достаточное для разрыва связей м кду ними и образования двух новых повфхностей, примыкающих одна к другой, но не соединенных в единое целое [147]. Более полную трактовку механизма зарождения усталостных трещин дала теория дислокаций. Согласно этой теории при нагружении в металле возникают линии скольжения, которые могут тормозиться различными препятствиями, типа границ зерен или частиц второй фазы. Такая остановка полосы скольжения перед препятствием эквивалентна образованию скопления дислокаций, плотность которого повышается в случае приближения к препятствию. В результате этого напряжение перед острием линий скольжения может достигнуть теоретической прочности, после чего произойдет образование трещины. [c.137]

Особенности изменения дислокационной структуры после ТЦО изучали на сплавах алюминия с содержанием 1, % 1 6,3 20,5. Плотность дислокаций определяли по методу секущей , заключающемуся в подсчете числа пересечений линии с индивидуальными дислокациями. Плотность дислокаций р=5=2Л М/(2л/ й), где —число пересечений окружности радиусом с дислокациями М — увеличение к — толщина прозрачного слоя фольги, равная 2Л0 м. [c.60]

Пока кристалл находится в температурной области пластической деформации (для германия это 500—940° С, для кремния 900— 1420° С), возникшие термические напряжения вызывают пластическую деформацию сдвига в основном в краевых областях кристалла. Это приводит к образованию структурных дефектов — дислокаций, плотность которых, вызванная только указанной причиной, может достигать порядка 10 см (см. рис. V. 22). [c.490]

Как следует из данных [8], если в монокристаллах ориентировки [110], деформированных при комнатной температуре, в структуре преобладают прямолинейные винтовые дислокации, плотность которых существенно возрастает при увеличении степени деформации от 1 до 10 %, то в монокристаллах ориентировки [100] уже при малых степенях деформации плотность дислокаций существенно выше, чем [c.202]

В заключение следует отметить, что на металлах-основах, используемых для нанесения покрытий в гальванотехнике, имеется значительное число дефектов кристаллической решетки границы зерен, дислокации, плотность которых достигает 10" —10 на 1 м на поверхности технических металлов имеются чужеродные атомы, вакансии, неметаллические примеси и т. д. Все это оказывает существенное влияние на распределение зародышей на поверхности и, возможно, на их число по сравнению с монокристаллическими электродами. Однако и в этом случае снижение концентрации электролита, повышение плотности тока и введение поверх-ностно-активных органических веществ, как правило, вызывают увеличение числа зародышей и соответствующее измельчение структуры осадка. [c.32]

В реальном металле сдвиг при пластической деформации происходит в результате перемещения дислокаций по кристаллу. Однако пластическая деформация вызывает появление и накопление в металле новых дислокаций. Плотность дислокаций в недеформированном металле составляет 10 —10 на 1 см , после деформации в этом же металле она достигает 10 °—10 на 1 см . Накопление дислокаций в деформированном металле затрудняет и тормозит передвижение их по кристаллу, что в свою очередь вызывает сопротивление деформации со стороны металла, т. е. упрочнение. [c.62]

Переходный слой во многом похож на когерентные границы зерен. В нем возможно возникновение значительных механических напряжений. Если растворимость в твердом состоянии мала и не способна обеспечить когерентность перехода одной кристаллической решетки в другую, то для компенсации несоответствия в переходной области возникает двух- или трехмерная сетка дислокаций. Плотностью дислокаций несоответствия можно управлять, меняя параметры решетки растущего кристалла, например, введением примесей. Таким образом можно получать бездислокационные эпитаксиальные слои. [c.328]

Когда движущаяся трещина проходит вблизи скоплений с критической (или близкой к критической) плотностью дислокаций, ее распространение облегчается вследствие того, что упругая энергия, запасенная в области, прилегающей к вершине распространяющейся трещины, переходит непосредственно в работу разрушения. Если же трещина встречается со скоплениями дислокаций, плотность которых меньше критической, то распространение трещины затрудняется, так как упругая [c.32]

Плотность дислокаций. Плотность дислокаций определяется как число дислокационных линий, пересекающих единичную площадку внутри кристалла. Возможные значения плотности дислокаций простираются от 10 — 10 м в наиболее совер-щенных кристаллах германия и кремния до 10 — 10 см" в сильно деформированных металлических кристаллах. Сравни- [c.704]

В результате рекристаллизации наклеп практически полностью снимается и свойства приближаются к их исходным значениям, как показано на рис. 36 в результате рекристаллизации временное сопротивление разрыву а , особенно предел текучести Оо.а, резко снижаются, а пластичность (6) возрастает. Разупрочнение объясняется уменьшением плотности дислокаций. Плотность дислокаций после рекристаллизации снижается с 10 —до 10 —10 см . Наименьшую температуру начала рекристаллизации р (рис. 36), при которой протекает рекристаллизация и происходит разупрочнение металла, называют температурным порогом рекристаллизации. [c.58]

Это является термодинямическим стимулом рекристаллизации обработки. В результате рекристаллизации иаклеи практически полностью снимается и свойства приближаются к их исходным значениям. Как видно из рис. 36, при рекристаллизации времешюе сопротивление разрыву и, особенно предел текучести резко снижаются, а пластичность б возрастает. Разупрочнение объясняется снятием искажения решетки и резким уменьшением плотности дислокаций. Плотность дислокаций после рекристаллизации снижается с 10 "— 10 до 10 —10 см . Наименьшую температуру начала рекристаллизации р (рис. 36), при которой протекает рекристаллизация [c.56]

Просвечивающая электронная микроскопия позволяет опреде -лять основные количественные характеристики дислокационной структуры вектор Бюргёрса отдельных дислокаций, плотность дислокаций (но числу точек выхода дислокаций на 1 см поверхности фольги или по суммарной длине линий дислокаций в единице объема фольги), ширину растянутых дислокаций, размеры субзерен, энергию дефектов упаковки и др. [c.99]

Изучение дислокационной структуры показало, что в железе с 3% Si краевые дислокации пробегают значительно большие расстояния, чем винтовые, так как винтовые дислокации более длинные. Винтовые дислокации легко совершают поперечное скольжение. Простая дислокационная картина, видимая при деформации 1—2%, быстро перерождается при дальнейшем увеличении деформации в ячеистую структуру, в которой стенки ячеек содержат сложнопереплетенные скопления дислокаций, плотность которых увеличивается с ростом деформаций. [c.201]

Кристаллы пластинчатого мартенсита, как и реечного, имеют сложное строение (субструктуру). Рассматривая пластины мартенсита в световой микроскоп, очень часто можно видеть тонкую линию, идущую приблизительно по их середине (в направлении длины) и имеющую более темную окраску. Эта линия, т. е. зона повышенной травимости i, в действительности состоит из плотно расположенных параллельных двойниковых прослоек. По обе стороны от этой двойникованной зоны расположены зоны, содержащие дислокации, плотность которых достигает 10 —ЮМ см-2. [c.14]

На рис. 7 б, а представлена топограмма кристаллов НЛ. Fe в отраженном пучке до воздействия света Свет лые линии па топограмме обусловлены искал еннями кристаллической решетки на дислокациях, плотность которых, оцененная по топограмме, составляет 10" см что говорит о хорошем качестве выбранных образцов Топограмма, приведенная на рис. 7 6, б, получепа после воздействия на кристалл сфокусированного излучения [c.312]

Реальные кристаллы всегда содержат дислокации. Минимальная их плотность 10 -10 см . Термообработанный материал содержит 10 -10 см , а сильно пластически деформированный в результате технологической обработки (например холодная деформация прокаткой до 30 %) или на заключительной стадии деформирования материала перед его разрушением — до 10 -10 см дислокаций. Плотность дислокаций определяется как длина дислокационных линий в единице объема материала, или рассчитывается как число дислокационных линий, нересекаюгцих произвольно выбранную единичную поверхность. Появление дислокаций в кристаллических телах можно объяснить следующими причинами [74] [c.29]

Подгруппа по плотности дислокаций Плотность дислокаций, см , не юлее Диаметр монокристалла, мм Длина монокристалла, мм, не менее [c.464]

В установившемся состоянии плотность свободных дислокаций составляет лишь незначительную долю общей плотности дислокаций. Плотность дислокаций, связанных в границах субзерен, гораздо вьш1е плотности свободных дислокаций [1421. [c.76]

Для того чтобы в кристалле происходила пластическая деформация, необходимо последовательное движение очень большого числа дислокаций. Например, если кристалл деформирован на 1%, то через него должны полностью пройти около 3 10 дислокация. В процессе деформирования при резании реальных кристаллов чисзю дислокаций (плотность), пересекающих площадь в 1 см , доходит до 10 ...10 , а плотность вакансий упрочненного металла до 10 ,.. 10 ° в 1 см". [c.29]

Под ячеистой обычно понимают структуру, возникающую при активной деформации в условиях множественного скольжения. Слаборазориентированные ячейки типичны для конца П — начала П1 стадии упрочнения монокристаллов, т. е. для деформаций = 0,1 -i--f- 0,3. Средний размер ячеек порядка 1—2 мкм, средняя разориентация до Г. С увеличением деформации разориентация нарастает, а размер ячеек падает. Не будем приводить конкретных сведений о материалах, для которых исследована ячеистая дислокационная структура, а рекомендуем обратиться к книге [26] и гл. 7 настоящей монографии. Отметим лишь отличия ячеистой структуры от блочной с той же средней разориентацией прежде всего это размеры блоков и ячеек, однако более существенное — это толщина границ. В ячеистой структуре границы несовершенные, составлены из большого количества переплетенных дислокаций. Сначала толщина границ ячеек составляет 0,5—0,6 мкм, однако с изменением деформации границы становятся тоньше и совершеннее. По сравнению с рассматриваемой ниже фрагментированной структурой в ячеистой объем между границами заполнен дислокациями плотностью порядка 10 —10 [c.110]

В работе [114] изучена структура конденсатов хрома толщиной 5—30 мкм, полученных при температурах от 250 до 900° С в вакууме 5-10 Па со скоростью конденсации 0,04—0,15 мкм/мин. При температуре конденсации 880° С зерна хромового осадка имеют непрерывные четкие границы, во многих зернах дислокации не наблюдаются. При температуре порядка 500° С все зерна оказываются блочными внутри зерен видны дислокации, плотность которых составляет 4 10 1/см . Размер блоков (бездислокацион-ных областей) —90 нм, а взаимная разориентировка блоков 10— 30. Сложную внутреннюю структуру имеет осадок хрома при температуре конденсации ниже 400° С границы зерен искривлены, зачастую прерывисты внутри зерен видны блоки и большое число дислокаций, плотность которых —7 10 1/см , а размер бездисло-кационных областей —40 нм. Такие конденсаты имеют сложное строение зерен и большое количество дефектов структуры. [c.114]

Если считать, что при скорость деформации е — гИ постоянна, то из уравнения (71) е = бру = onst следует, что определенное количество дислокаций движется с постоянной скоростью [см. уравнение (17)1. Однако при том же условии на участке О — td при постоянной скорости движения дислокаций плотность их увеличивается [c.239]

При высоких темп-рах дислокац. механизм П. к. сочетается с диффузионным и самодиффузионным. В кристаллах с примесями релаксация напряжений у дислокаций или дислокац. скоплений может осуществляться в результате перераспределения примесных атомов. Вокруг дислокаций образуются примесные атмосферы , и дислокац. П. к. падает (деформац. старение). Поэтому удаление примесей обычно повышает П. к. Процессы разрядки дислокац. плотности вследствие взаимной аннигиляции дислокаций протекают более интенсивно в условиях высокотемпературной деформации, деформационное упрочнение падает и деформация развивается при постоянной нагрузке (ползучесть). [c.548]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...