Заряды связанные

Между электродами игла — плоскость при положительной полярности иглы пробой происходит при меньшем напряжении, чем при обратной полярности (рис. 4-4). Это объясняется следуюш,нм образом. Ионизация газа при любой полярности на электродах происходит около иглы, т. е. там, где существуют наибольшие значения напряженности электрического поля, и, следовательно, около нее образуется облако из положительно заряженных ионов — молекул, с орбит которых ушли электроны. При положительной полярности на игле этот объемный заряд служит продолжением иглы и сокращает протяженность разрядного промежутка. Положительный объемный заряд отталкивается и уходит от положительно заряженной иглы, однако более подвижные электроны, обусловливающие процесс ионизации, все время успевают его восстанавливать, т. е. получается картина прорастания положительного объемного заряда, связанного с иглой, в сторону отрицательно заряженной плоскости. Поэтому пробой и наступает при меньшем напряжении, чем при противоположной полярности электродов, когда объемный заряд частично нейтрализует и экранирует иглу с отрицательной полярностью от плоскости, заряженной положительно. [c.64]

Этот заряд связан с концентрацией электронов п в диэлектрике соотношением [c.280]

Ферми, отнесенная к единице объема ( г — мера анизотропии в распределении заряда, связанная с волновой функцией электронов проводимости. [c.176]

Электрическая проводимость, обусловленная носителями заряда, связанными с этим эллипсоидом, анизотропна, хотя полная электрическая проводимость кристалла, полученная суммированием по всем эллипсоидам, изотропна из-за симметричного расположения шести эллипсоидов в импульсном пространстве (которое обусловлено симметрией кристалла). [c.340]

Су и Шриффер [6] недавно распространили свою работу на одномерные системы, в которых заряды, связанные с солитоном, должны быть равны и [c.236]

Основным, характерным для любого диэлектрика процессом, возникающим при воздействии на него электрического напряжения, является поляризация составляющих его частиц, т. е. обратимое смещение электрических зарядов, связанных с этими частицами. Это смещение возникает в направлении поля и следует за каждым изменением приложенного напряжения. [c.18]

Под влиянием статического электромагнитного поля заряды в диэлектрике не могут свободно двигаться через среду, как в проводнике — они только смещаются, причем отрицательные заряды смещаются по направлению к положительно заряженной поверхности, а положительные к отрицательно заряженной поверхности. В результате на поверхности образуется заряд, плотность которого постоянная по всему сечению и равна Р. Величина Р называется вектором поляризации. Кроме зарядов, связанных с поляризацией (их называют связанными зарядами), существуют еще свободные заряды, распределение которых определяется напряженностью внешнего электрического поля Е. Суммарная величина, определяемая совокупностью зарядов, называется электрической индукцией О [c.195]

Пусть, например, внешний заряд связан с примесью (с зарядом 1е), помещенной в электронный газ в начало координат. Тогда потенциал, создаваемый этим зарядом на расстоянии г от начала координат, дается формулой [c.164]

Отметим близкое сходство выражений (4.79) и (3.1096). Сравнивая их, видим, что электромагнитная волна, рассматриваемая как слабое поперечное возму щение, непосредственно связана с флуктуациями плотности тока точно также, как внешний пробный заряд связан с флуктуациями концентрации электронов р . Вычисление отклика системы проводится теперь совершенно аналогично тому, как это делалось выше в случае взаимодействия электронов с продольным возмущением. [c.256]

Было обнаружено, по крайней мере, четыре вида электрических зарядов, связанных с термическим окислом на кремниевой подложке [2.44, 2.45]. Они изображены на рис. 2.18. Здесь названия и обозначения зарядов таковы 64 [c.64]

Как было показано, по мере уменьшения геометрических размеров элементов приборов, на их функционирование начинают оказывать неблагоприятное влияние другие механизмы захвата зарядов, связанные с захватом электронов и дырок, возникающих вследствие внутренней фотоэмиссии, туннелирования и лавинной инжекции. Первоначально считалось, что эти заряды можно отжечь при разумно низких температурах. Однако оказалось, что хотя заряды и нейтрализуются при отжиге, но все же остаются ловушки, крайне восприимчивые к последующей зарядке во время функционирования прибора. [c.70]

Благодаря применению внутреннего горения и заряда, связанного с камерой, были получены дополнительные выгоды [c.479]

Возникновение электронной или дырочной электропроводности при введении в идеальный кристалл различных примесей обусловлено следующим. Рассмотрим кристалл 81, в котором один из атомов замещен атомом 8Ь. На внешней электронной оболочке 8Ь располагает пятью электронами (V группа периодической системы). При этом четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими атомами 81. Свободный пятый электрон продолжает двигаться вокруг атома 8Ь по орбите, подобной орбите электрона в атоме На однако сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно величине диэлектрической проницаемости 81. Поэтому для освобождения пятого электрона требуется незначительная энергия (приблизительно 0,008 адж). Такой слабо связанный электрон легко отрывается от атома 8Ь под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около—100° С все атомы примесей в Се и 81 уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. При этом основными носителями заряда являются электроны и возникает электронная (отрицательная) электропроводность, или электропроводность п -типа. [c.388]

Другая интересная проблема, связанная с накоплением зарядов, возникает при взаимодействии космического корабля с ионосферой. Дэвис и Харрис [1501 рассчитали траектории ионов около имеющего электрический заряд спутника в ионосфере без учета магнитного поля Земли путем решения уравнения Пуассона для спутников, размеры которых представлены в калибрах (10, 25 длин Дебая и т. д.). Торможение спутника, имеющего заряд, было изучено в работах [88, 391]. [c.444]

Рис. 13.1. Скорость V заряда < . связанного с массой покоя М и ускоренного из состояния покоя электрическим полем напряженностью 2, изображена как функция времени. При />0 скорость о стремится к пределу с. Штриховая линия показывает ход изменения скорости заряда со временем по предсказаниям нерелягивистской ме<

Выражения (7.85) и (7.86) записаны для значений волновых векторов k Kfa. Волновая функция не изменяется при замене X на —X, а о1з2 меняет знак. Функция -фг является мнимой, однако плотность электрического заряда, связанная с волновой функцией 228 [c.228]

Наиболее известным примером систем рассматриваемого типа является электромагнитное поле. Его можно описать или при помощи напряженностей электрического и магнитного поля или при помощи функций, являющихся векторными и скалярными потенциалами в обоих случаях рассматриваемые величины являются непрерывными функциями координат и времени. Эта форма описания в конце концов основана на наблюдении за движением обычных материальных частиц, по предположению несущих электрические заряды. Концепция непрерывного поля вводится для того, чтобы избежать понятия о взаимодействии частиц на расстоянии (дальнодействии). Источниками поля служат заряды, связанные с частицами. Такое представление совершенствуется и идеализируется настолько, что поле считается существующим в некоторой форме даже при отсутствии частиц. Свойства таких электромагнитных полей выражаются системой дифференциальных соотношений, известных как уравнения Максвелла. Они обычно будут упо.минаться как уравнения поля. [c.151]

Т, а проводимость с инверсионного слоя приобретает иеталлич. характер до/дТ < 0. Инверсионный слой отделён от объёма полупроводника обеднённым слоем, где имеется фиксиров. заряд, связанный с донорами я акцепторами, а концентрация электронов и дырок кала. [c.77]

Наиб.надёжно измерены среднеквадратичные радиусы, характеризующие распределение электрич. заряда протона, заряженных л-меэонов и К-мезонов см. Мезоны). Среднеквадратичный радиус распределения заряда связан простой ф-лой с формфактором частиц Р (Фурье-образом их плотности заряда, Е(ч ) = = /ргехр гАг) Рг]. Здесь — квадрат трёхмерного импульса, передаваемого в процессе рассеяния. При малых q [c.243]

С. в квантовой теории поля можно разделить на два класса — топологические солитоны и иетопо-логические. Среди топологич. С. (устойчивость к-рых Определяется существованием нек-рых квантовых чисел — топологических зарядов, связанных с глобальными. характеристиками решений) следует отметить С. типа ёж . Так, для эффективной киральной (см. Яи-ральлая симметрия) теории л-мезопного поля с лагранжианом [c.574]

Процесс изготовления заряда, связанного с корпусом. РДТТ, показан на рис. 128 [152]. Он включает следующие технологические операции. [c.216]

Отрицательный объемный заряд, связанный с быстро продиф-фундировавшими электронами, и положительный объемный заряд, появившийся в области отставших дырок, создают внутреннее поле, направленное, очевидно, так, чтобы задержать быстро диффундирующие электроны и ускорить более медленные дырки. С того момента, как это внутреннее поле установится, электроны и дырки будут диффундировать и дрейфовать согласованно, но со скоростью, промежуточной между собственной скоростью электронов и собственной скоростью дырок. При обычных условиях в кремнии и в германии для образования этих внутренних полей требуется лишь очень небольшой относительный разбаланс в концентрациях электронов и дырок, и поэтому диффузия и дрейф избыточного распределения носителей характеризуются состоянием приблизительной электронейтральности, в котором [c.349]

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЗАРЯД — связанный с материальным носителем источник электромагнитного поля янляется одним из основных понятий уче1П1Я об электричестве. Вся совокупность электрич. явлений понимается как проявление существования, движения и [c.449]

Перечисленные О. п. применимы к легким атомам, у к-рых снин и орбитальное движение слабо связаны между собой. Для таких атомов со спииом s имеется дополнительное О. п. As = О, т. е. снин не изменяется при разрешенных переходах. В более тяжелых атомах, где связь снина с орбитой велика (из-за большой скорости всех электронов вблизи ядра), и в ядрах О. п. накладывается на полный момент/ А/ = О, 1 с изменением четности. Однако следует учесть, что вероятность ядерных дипольных переходов сильно понижена, потому что центр зарядов связан с центром инерции ядра. Для их раздви-жения нужна энергия около 20 Мэе. Поэтому вероятности дипольных и квадрупольных переходов с меньшей энергией оказываются сравнимыми по величине. О. п. для электрич. квадрупольного перехода AI без изменения четности. Особенно строго запрещены переходы из/ = 0в/==0с изменением четности. [c.548]

Все вещества независимо от агрегатного состояния (см.) построены из зарядов, связанных большими или меньшими силами взаимодействия. Чтобы вещество было Д., т. е. обладало малой электропроводностью, необходимо, чтобы заряды, ионы и электроны, из к-рых оно построено, при наложении поля не могли свободно перемеп5аться. [c.462]

Сначала (например, в течение первых нескольких колебаний) величина скорости V мала. Поэтол1у движение заряда в основном определяется вектором Е. Таким образом, v направлено по Е и изменяет направление вместе с изменением направления Е. Но всякий раз при изменении направления Е меняет направление В. Поэгому вектор vXB всегда имеет один и тот же знак. Сила, действующая на заряд благодаря В, всегда совпадает с направлением распространения, определяемым вектором ЕХВ. Таким образом, заряд совершает движение, являющееся суперпозицией поперечных котебл-ний с частотой поля, плюс движение с медленно возрастающей скоростью вдоль направления распространения поля. Покажем теперь, что средняя по времени скорость, с которой заряд приобретает импульс вдоль г, равна произведению 1/с на среднюю по времени скорость, с которой заряд поглощает энергию из бегущей волны. (Заряд не удерживает поглощенную им энергию. Если заряд связан с веществом, то он постоянно преобразует полученную энергию в тепло благодаря наличию сил сопротивления, действующих на заряд при его движении. Если заряд находится в свободном пространстве, то энергия, поглощенная им, испускается во всех направлениях. Величина энергии, излученной в направлении падения бегущей волны, пренебрежимо мала, так что обратно в бегущую волну возвращается ничтожная часть поглощенной энергии.) [c.325]

К чему приводит взаимодействие электронов с фононами Вероятно, наиболее известное следствие его состоит в рассеянии электронов фононами, что предсгав-ляет собой важную причину электрического сопротивления металлов. Второй результат взаимодействия — поглощение фононов электронами. Это есть один из возможных механизмов затухания звуковых волн, или, в более высоком порядке, механизм теплосопротивления металлов. Два других, близко связанных между собой следствия названного взаимодействия состоят в сдвиге одноэлектронных энергий и фононных частот. Они возникают из-за того, что мы имеем дело с системой взаимо-действуюш,их электронов и фононов. Таким образом, при своем движении электрон оказывается окруженным движущимся вместе с ним облаком фононов, которое меняет его свойства. О таком образовании (электрон плюс окружающее его фононное облако) говорят как об одетом электроне — квазичастице. В частности, электрон-фононное взаимодействие приводит к изменению теплоемкости электронного газа. С другой стороны, изменения плотности заряда, связанные с движением ионов, поляризуют электронный газ. Эта поляризация в свою очередь меняет характер взаимодействия между ионами, что приводит к изменению фононных частот по сравнению с частотами колебаний ионов на однородном фоне [c.300]

Во-вторых, другие члены имеют природу электрического заряда и прибавляются к нему, давая ренормализацию заряда. Подобно тому как мы ввели электромагнитную массу, из теории Дирака следует, что надо ввести еще одно понятие — электромагнитный заряд , связанный с явлением поляризации вакуума вакуум в теории Дирака имеет физический характер и поляризуем. Заряд по самой природе своего поля изменяет вакуум и изменяет сам себя. [c.99]

D1.5. Теорема Ирншоу. Всякая система точечных зарядов,. связанных только электростатическими взаимодействиями, ве может находиться в состоянии устойчивого равновесия. Теорема Ирншоу имеет сипу только в классической элекгро-динамике. [c.92]

Наконец, следует сгладить потенциал внутри каждой сферической области, придав ему центрально-симметричную форму Уяч (г), и определить положение ячеечного нуля отсчета энергии яч., 01 усреднив Т (г) по междоузельной области. Эти намеренные искажения и упрощения вносят ошибки, которые можно скорректировать в процессе расчета блоховских волновых функций (см., например, [8]). Однако ими почти всегда пренебрегают в случае неупорядоченных систем, значительно более сложном в расчетном и геометрическом отношениях. К сожалению, это приближение не оправдано для широкого класса топологически неупорядоченных материалов типа тетраздрических стекол ( 2.8), в которых распределение потенциала в междоузельных областях может оказаться вовсе не локально однородным (рис. 10.6). Кроме того, надо помнить, что крупномасштабные вариации плотности заряда, связанные с деформационным потенциалом (10.26), совершенно не учитываются в модели ячеечных потенциалов, которая тем самым не согласуется с континуальной интерпретацией плазменного сопротивления жидких металлов. [c.468]

Другой характерный вид неустойчивого горения заряда связан с обратным явлением — созданием настолько неблагоприятных условий для горения, что сго1 )ание протекает чрезвычайно вяло, с неполным выделением энергии (до 50%). В некоторых случаях горение может иметь пульсационный характер с периодическим падением давления в камере до значений, близких к нулю (рис. 15.6,6). [c.264]

В чистых металлах введение вакансии в решетку представляет собой пе что иное, как перемещение иона па поверхность. Свободные электроны, которые можно рассматривать как газ, будут стремиться заполнить полость, образовавшуюся подобным образом. В результате образуется отрицательный заряд, связанный с вакантным узлом решетки. Поэтому, когда атом примеси имеет валентность, отличную от атомов растворителя, его нонный заряд будет взаимодействовать с электронами, заполняющими вакансию. Это обстоятельство будет вызывать кулоновское притяжение или отталкивание примесного иона и вакансии. В качестве примера рассмотрим одновалентный растворитель и двухвалентные ноны металла примесн. Двухвалентные ионы будут иметь заряд +2, тогда как ионы растворителя имеют заряд -1-1. Избыточный положительный заряд примеси - -1 будет притягивать вакансию. Таким образом, по утверждению Лазаруса, будет существовать энергия притяжения, удерживающая вакансию в одном из узлов решетки, ближайших к атому примеси. Кроме того, если примесный атом пытается перескочить в вакансию, то же самое кулоновское взаимодействие будет уменьшать необходимую для этого энергию. Следовательно, количество энергии, требуемое для образования вакансии в узле, ближайшем к атому примесн, будет отличаться от энергии образования вакансии в чистом металле. Отметим также, что энергия, необходимая для прыжка атому растворителя в вакантный узел, будет отличаться от энергии, характерной для атома примесн. [c.72]

КОЙ температурой в цепь усилителя вводится точный аттенюатор. На рис. 3.15 приведена блок-схема, поясняющая принцип действия метода равных сопротивлений. Как всегда в таких случаях, предварительная ступень усилителя выполнена на полевых транзисторах. Метод равных сопротивлений требует определения собственного шума усилителя, поскольку он входит в измеряемые шумовые сигналы неодинаково. Кроме того, часть усилителя, находящаяся перед аттенюатором, должна обладать высокой линейностью. Параллельно аттенюатору включается схема компенсации, которая обеспечивает равенство полосы пропускания частот для двух сигналов. Переключатель, основанный на механическом принципе, работает на частоте 30 Гц и вносит незначительные помехи в цепь усилителя. Переключатели на входе и в цепи заряда запоминающих конденсаторов работают в противофазе, что позволяет подавить наводки, связанные с переключением. Кровини и Эктис [21] измерили отношение термодинамических температур с точностью в 2-10 (на уровне За), что составляет 0,25 К при 1000 К- [c.117]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...