Электронная концентрация

Рис. 45.14. Строение атмосфер Венеры, Земли, Марса, Юпитера. Показаны профили температуры Г (пунктир) и электронной концентрации(сплошные кривые). По вертикали отложены высота над

К металлическим относятся также электронные соединения (промежуточные фазы) или фазы Юм-Розери эти фазы образуются при определенной электронной концентрации элементов и характеризуются постоянным отношением числа валентных электронов к числу атомов соединения V4, [c.89]

Помимо основных, полупроводники содержат всегда и неосновные носители, появляющиеся в результате межзонной тепловой генерации донорный полупроводник — дырки, дырочный полупроводник — электроны. Концентрация их, как правило, значительно ниже концентрации основных носителей. Легко установить связь между ними. Для этого рассмотрим невырожденный полупроводник, например, донорного типа. Основными носителями в нем являются электроны. Их концентрация описывается формулой (6.7). Неосновными носителями являются дырки, концентрация которых определяется формулой (6.8). Умножая (6.7) на (6.8), получаем [c.170]

В сильно легированном полупроводнике р-типа (рис. 6.11, в) уровень Ферми расположен вблизи валентной зоны (рис. 6.10, а, область IV), поэтому концентрация дырок в валентной зоне велика и почти все ловушки пустые. В этом случае время жизни электронно-дырочной пары определяется захватом электронов (концентрация которых мала) на уровень ловушки как только электрон будет захвачен ловушкой, она мгновенно заполнится одной из дырок, число которых велико. Время жизни будет определяться временем захвата электрона на пустые ловушки т о- Как и в материале п-типа, время жизни электронно-дырочных пар контролируется временем захвата неосновных носителей. [c.177]

Значение электронной концентрации для термодинамических функций в дальнейшем нашло дополнительные доказательства в эмпирических соотношениях, полученных Юм-Розери. В сплавах u-Zn, u-Ga, u-Ge и многих аналогичных системах предел растворимости в а-фазе отвечает различным молярным концентрациям, НС примерно одной и той же электронной концентрации 1 4 при условии, что разность атомных радиусов не превышает 15%. [c.11]

Юм-Розери и его сотрудники не дали количественных соотношений между термодинамическими функциями отдельных фаз. Однако результаты их сравнительных исследований указывают на значение электронной концентрации для таких термодинамических величин, как активность и относительная парциальная молярная свободная энергия, даже более отчетливо, нежели большинство измерений этих величин в конкретных системах. Тем не менее качественную схему, предложенную Юм-Розери и его школой, еще следует увязать с результатами экспериментального определения термодинамических величин. [c.11]

Металлическая медь содержит практически один электрон нз атом. При легировании меди элементами, имеющими более высокую валентность, такими как цинк, олово и алюминий, концентрация валентных электронов на атом становится больше единицы, в связи с чем фермиевская энергия электронов и F возрастают. При возрастании электронной концентрации всего на десять процентов это увеличение может в несколько раз превысить RT. [c.54]

Возможно, что это деление всей системы на две. части вызвано изменением концентрации электронов проводимости. Наиболее вероятно, что условия в этой системе подобны системе Аи — Pd (гл. II, п. 2). Поскольку в чистом золоте имеется один электрон проводимости на атом, добавки к золоту Pel или Pt вызывают понижение электронной концентрации примерно до 0,5 электронов на атом, на что указывают магнитные измерения. При концентрации палладия или платины, превышающей 50% (атомн.), концентрация электронов проводимости остается постоянной. [c.92]

В ИК- и видимой области оптич, диапазона металлы отражают падающее излучение (металлич. блеск). Это объясняется преимущественным рассеянием света при его взаимодействии со свободными электронами, концентрация к-рых N достигает в металлах — [c.110]

Поэтому по этим уравнениям нельзя судить о связи We и 1 . За1и/1си-мость We от электронной концентрации или от к, дается соотношением (20.1) в случае сферической поверхности Ферми, а в более обшем случае — соотношением (19.4). [c.283]

Клеменс [72] рассмотрел изменение We в зависимости от электронной концентрации для случая одной зоны, считая константой (поверхности постоянной энергии предполагались сферическими). При малых концентрациях электронов Е к-, так что We постоянно при Л - 0. Вблизи границы зоны величина dEjdk уменьшается ниже значения, соответствующего свободным электронам, и поэтому We увеличивается. Однако при заполнении зоны оно опять уменьшается, ибо площадь поверхности Ферми уменьшается. [c.283]

Рассмотрим теперь зависимость величины WgT от состава для отожженных сплавов. На фиг. 13 приведены значения Wдля группы сплавов серебро — палладий и серебро — кадмий в области температур жидкого гелия в зависимости от электронной концентрации. Эта зависимость имеет [c.294]

Рис. 22.117. Температурная зависимость подвижности электронов в HgSe [227]. Кристалл подвергался последовательным процессам отжига для получения различных электронных концентраций п, см , ири Г = 4,2 К

Идеальный диэлектрик. Рассмотрение начнем с идеального диэлектрика, не содержащего примесей, способных захватывать электроны. Концентрация собственных носителей заряда в таком диэлектрике ничтожно мала. Поэтому, казалось бы, внешнее смещение не может привести к появлению в пленке электрического тока. Однако это не так. Внешнее напряжение V, приложенное к подобной структуре (рис. 10.7, а), практически полностью падаем на диэлектрике и именно на той его части, в которую не заходят слои обогащения, и создает в нем электрическое поле (в дополнение к внутреннему полю у контактов). Так как слои обогащения не имеют резкой гргйицы, то это означает, что обогащенный слой при 278 [c.278]

Чередование фаз Лавеса с различным типом кристаллической структуры в системах Zr — Me (Me — переходной металл V— VIII групп периодической системы элементов) также можно рассматривать как влияние изменения электронной концентрации в зависимости от эффективной валентности компонента В (Ме ) при неизменном компоненте А (Zr). Чередование Х,2-> х А,2 в пределах периода в таком случае должно являться результатом увеличения эффективной валентности переходных металлов с ростом порядкового номера в соответствии с ростом суммы s + d электронов, а диагональное смещение кристаллохимических свойств фаз Лавеса следует отнести за счет уменьшения эффективной валентности с увеличением главного квантового числа в группах. [c.169]

Если полиморфизмом обладает лишь один из двух бинарных металлидов, то н. р. т. р. образуется между вторым металлидом и изоморфной ему модификацией первого. На основе других модификаций образуются ограниченные твердые растворы. К. такому типу систем относятся исследованные нами тройные системы Zr — Сг — (V, Мо, W, Мп). В первых трех системах н. р. т. р. образуются с низкотемпературной модификацией Zr rg ( -а), а в системе Zr — Сг — Мп соединение ZrMrij образует н. р. т. р. с высокотемпературной его модификацией (Xj). Протяженность области Xj в каждой из систем Zr — Сг — (V, W, Мо) составляет не более 2 ат. % V, 14 ат. % W и 50 ат.% Мо соответственно. Эти значения вполне согласуются с эффективной валентностью соответствующих компонентов, которая возрастает в ряду V W Мо -> Сг. Замещение атомов хрома атомами молибдена, эффективная валентность которого незначительно меньше, чем у хрома, возможно в широких пределах без уменьшения суммарной электронной концентрации ниже предельного значения, при котором становится нестабильной. При замещении атомов хрома атомами вольфрама, эффективная валентность которого еще несколько меньше, предельное значение электронной концентрации для i-фазы достигается при меньшей концентрации замещающего элемента. Эффективная валентность ванадия, принадлежащего к V группе периодической системы, существенно меньше эффективной валентности хрома, и уже при незначительном содержании его достигается предельное значение электронной концентрации, допускающее существование Xj. Ограниченные растворы на основе Хд в тройных системах не всегда удается выявить металлографически фазы Лавеса здесь неразличимы, а рентгеновские методы также не всегда позволяют отличить ее от Xj, вследствие размытости линий на рентгенограммах порошков закаленных сплавов. Так, в системе Zr — Сг — Мп Яд обнаружена в ограниченном температурном интервале в области до 10 ат. % Мп, а в системах Zr — Сг — (V, Мо, W) пока ее не удается отличить от [c.171]

Осмий стабилизирует р-фазу. Она поддается закалке от 1000 С уже в сплаве с 4 ат. % Os, что соответствует электронной концентрации 4,16 эл1ат и совпадает с таковой, принятой для р-стабйлиза-торов титана. Температура р а-превращения с повышением содержания осмия резко понижается. Величина термических эффектов быстро уменьшается и, начиная с 5 ат. % Os, это превращение на термограммах не обнаруживается. Превращение р -v а идет с большим переохлаждением. Растворимость осмия в а-титане при 600 С составляет примерно 1 ат.%, [c.179]

Если щелочные металлы образуют сплавы с Си, Ag или Аи, то сохраняется электронная концентрация, равная одному электрону на атом. Вероятность нахождения электронов проводимости в сравнительно глубоких потенциальных ямах Си+, Ag+ или Аи+ при этом достаточно велика. Так как при образовании сплавов щелочных металлов с Си, Ag или Аи их объем по сравнению с суммой объемов чистых металлов заметно уменьшается [17], то следует считать, что средняя электронная плотность вблизи ионов Си+, Ag+ или Аи+ превышает один электрон проводимости на каждый ион. Это означает, что в дополнение к электронам проводимости, поставляемым благородными металлами, электроны щелочных металлов, с некоторой вероятностью, также находятся в потенциальных ямах ионов благородных металлов. Переход электронов к потенциальным ямам благородных ионов является, по-видимому, главной причиной освобождения энергии при образовании сплавов щелочных металлов с благородными. Согласно Паулингу [279] этот вопрос тесно связан с электроотрицательностью , т. е. способностью атома притягивать к себе электроны. [c.10]

Вычисление спектральных частот атома или молекулы из таких первичных констант, как масса атома, заряд ядра, заряд электронов и т. д., в принципе возможно при помощи уравнения Шре-дингера. При этом обычно не ставится задача получения абсолютных значений частот для различных уровней, а имеется в виду лишь систематизация опытных данных и оценка порядка величин. Та же степень приближения применяется и при анализе металли ческих систем. Таким образом, главной задачей является получение приблизительных функциональных зависимостей, включающих параметры, которые могут быть получены из экспериментальных данных. Представляется целесообразным рассмотреть в первую очередь сравнительно простые предельные случаи, а затем искать системы, которые приблизительно соответствуют этим случаям. Следует отметить одно слабое место в теоретическом анализе вопроса. Большинство теоретических приближений базируется на допущении, что концентрация электронов проводимости не зависит от состава сплава или что изменения электронной концентрации весьма незначительны и ими можно пренебрегать при вычислении энергетических функций. В действительности же известны системы с ярко выраженной зависимостью электронной концентрации от состава сплава в этих случаях термодинамические функции об- [c.41]

Подобных отклонений следует ожидать у сплавов металлов, образующих большей частью одновалентные ионы, с металлами, которые образуют преимущественно двухвалентные ионы, как например, а-латунь. Юм-Розери [132] показал, что для сплавов меди с цинком и меди с галлием предел растворимости в а-фазе отвечает разным атомным процентам, но приблизительно одинаковым концентрациям валентных электронов. Этот вывод может быть истолкован в том смысле, что при определенной концентрации валентных электронов происходит резкое возрастание энергии. Правда, при более детальном анализе выясняется, что предел растворимости в какой-нибудь фазе определяется как собственными термодинамическими функциями этой фазы, так и соответствующими функциями для фазы, сосуществующей с первой. Однако, как показал Делингер [62], правила Юм-Розери вне зависимости от деталей вопроса указывают на решающее влияние электронной концентрации на термодинамические функции. [c.53]

Поведение гл. максимума ионизации, или области р2, является очень сложным, оно коронным образом отличается от поведения областей Е ж F . Так, хотя в сред]1ом электронная концентрация rig в слое F определяется солнечной активностью, но ото дня ко дню она сильно изменяется. Максимум в суточнолт ходе бывает сильно сдвинут относительно полудня, при этом сдвиг зависит от широты, сезона и даже долготы. Сезонной аномалией наз. необычное увеличение зимо11 но сравнению с летним сезоном. 13 экваториальной области до полудня имеется один, а после полудня и ночью — два максимума Пе, расположенных в геомагн. широтах [c.214]

Металлы, Плазма типичных металлов — сильно вырожденная электронная ферми-жидкость, описание к-рой требует использования многочастичных методов и учёта структуры энергетик, зон. Однако мн. свойства простых металлов, в к-рых электроны проводимости принадлежат атомным з- и р-оболочкам, могут быть описаны в рамках т. н. модели желе , когда кристаллик. решётка заменяется однородно размазанным положит, зарядом ионов, на фоне к-рого колеблются электроны. Концентрация электронов п фактически является единств, параметром модели, т. к. в этом случае в(1)е = 1,ат. — масса свободного электрона, Из-за высоких п частота сор 10 с 1, а энергия плазмона ЙШр для большинства простых металлов 5—2.5 эВ (в Ка 5 эВ в Mg 11 эВ, в А1 16 эВ). [c.601]

Трассы, пересекающие зону АП, когда передающий и приёмные пункты расположены относительно далеко от зоны. В этом случае условия радиосвязи более благоприятные, чем во втором случае на оптнм. частотах прохождение радиоволн составляет 90%. Большую роль при этом играют спорадич. слои , наблюдающиеся в области АО на высотах -областв 110 км и связанные с высыпанием электронов с энергией 1—10 кэВ. Их можно разбить на две группы Е, с групповым запаздыванием и плоские Е.. Вероятность появления Я, в зоне АО достигает 80—90%, а концентрация электронов в максимуме слоя сравнима с электронной концентрацией в слое / , Такая ситуация способствует образованию волноводных каналов между слоями Е, и Е. Попадая в такой канал, радиоволна как бы перескакивает зону АП, испытывая существенно меньшее поглощение (см. Волноводное распространение радиоволн). [c.262]

На Р. р. большое влияние оказывают область АО, как наиб, нерегулярная с широким спектром мелкомасштабных неоднородностей от сотен м до десятков км, к-рые могут быть результатом как прямого высыпания энергичных частиц, так и следствием плазменных неустойчивостей, связанных с электрич. полями магни-тосферного происхождения, а также область ГИП е большими горизонтальными градиентами электронной концентрации. Эффект горизонтальных градиентов ГИП и в ряде случаев и рассеяние на неоднородностях АО состоит в появлении нестандартного ВЧ-распростра-нения с отклонением траектории радиоволны от плоскости дуги большого круга. Эти т. н. азимутальные отклонения траекторий достигают 10—30° и более. У сигналов с азимутальными отклонениями время распространения значительно больше (до 50—100%), чем у нормальных сигналов, распространяющихся в плоскости дуги большого круга, а их максимальная наблюдаемая частота обычно выше в 1,54-7,5 раза. Сигналы с азимутальными отклонениями наиб, часты зимой и в равноденствие. Их появление, как правило, ухудшает радиосвязь, особенно в случае применения остронап- [c.262]

В ср. и верх, областях атмосферы С, важную роль играют фотохим. превращения особенно это касается оцессов с участием N 5, РНз и гидрокарбонатов. Помимо солнечной радиации энергегич. источниками, обусловливающими рост темп-ры выше тропопаузы, могут быть джоулев разогрев и диссипация энергии впут-тренних волн. Макс, электронная концентрация в ионосфере С.й 2-10 СМ на высоте -- 2500 км (считая от уровня с давлением 1 атм). Магнитосфера С. по своей топологии и характеру процессов занимает промежуточное положение между магнитосферами Юпитера и Земли (см. Магнитосферы, планет). Близость маги, поля С. к дипольному проявляется в симметрии распределения заряж. частиц во внутр. зоне его магнитосферы — как относительно оси вращения, так и относительно экваториальной плоскости, с к-рои практически совпадает положение нейтрального плазменного слоя. До радиальных расстояний (7—15) плазма вращается практи- [c.420]

Ионизационно-полевые неустойчивости характерны для разреженных газов и высокой частоты О). Физ. механизм возникновения этой неустойчивости основан на явлении плазменного резонанса пока величина электронной концентрации остаётся ниже критической (п пд < 1), её увеличение в тонком слое, перпендикулярном полю, сопровождается увеличением амплитуды поля Ед оо В , где е — диэлектрическая проницаемость плазмы е == 1 — — 4лле пг/т Г ) ). Это, в свою очередь, приводит [c.424]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронная концентрация : [c.84] [c.84] [c.348] [c.533] [c.153] [c.295] [c.107] [c.88] [c.187] [c.23] [c.165] [c.169] [c.188] [c.195] [c.161] [c.136] [c.141] [c.257] [c.310] [c.162] [c.49] [c.619] [c.258] [c.424] [c.425]

Физическое металловедение Вып I (1967) -- [ c.23 , c.157 , c.159 , c.159 , c.161 , c.161 , c.178 , c.178 , c.181 , c.181 , c.185 , c.185 , c.201 , c.203 , c.226 , c.226 , c.228 , c.228 , c.235 , c.235 , c.236 ]

Материаловедение 1980 (1980) -- [ c.46 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...