Концентрация носителей тока

Обозначения л-концентрация носителей тока R— постоянная Холла. [c.356]

Этот результат замечателен тем, что коэффициент Холла оказывается независящим от каких-либо параметров, за исключением концентрации носителей тока. Очевиден способ проверки для этого необходимо провести измерения ЭДС Холла Еу в зависимости от магнитного поля. Проведенные весьма тщательные измерения на особо чистых веществах при низких температурах показали, что найденные из эксперимента величины п для щелочных (одновалентных) металлов близки к 1 (электрон на атом) благородных металлов (также одновалентных) к 1,3 1,5 двухвалентных Be и Mg -0,2- --0,4, трехвалентных А1 и In —0,3. [c.44]

Характер влияния донорных и акцепторных уровней на валентную зону или зону проводимости зависит от энергии Ферми (обычно называемой уровнем Ферми), положения энергетического уровня и температуры. Энергия Ферми в свою очередь зависит от концентрации носителей тока. Например, если концентрация носителей не слишком велика (невырожденный случай), то концентрации дырок и электронов соответственно можно представить в виде [c.282]

Направление электрического тока (он называется диффузионным) совпадает с направлением убыли концентрации носителей тока, а направление теплового потока не определено и зависит от знака 12. [c.580]

Здесь /холл э. д. с. Холла d —толщина пластины е — элементарный заряд п — концентрация носителей тока, м Л холл постоянная Холла, м -К . [c.140]

Концентрация носителей тока в собственном полупроводнике будет, очевидно, экспоненциальной функцией температуры с энергией активации АЙ /2. [c.320]

На рис. 14.1.1 показаны энергетические уровни полупроводника и-типа. В невырожденном полупроводнике уровень Ферми лежит в запрещенной зоне на расстоянии, по крайней мере равном 2kT от дна зоны проводимости или потолка валентной зоны, так что 2kT и Sp 2kT. Концентрации носителей тока являются функциями и t,p положения уровня Ферми по отношению к краям зон. Для невырожденного полупроводника находим [c.363]

Из этого предположения следует, что на квазиравновесную концентрацию носителей ток, текущий через переход, заметно не влияет. Величину тока можно определить через избыточные концентрации на границах области объемного заряда и условия переноса вне ее. Из требования равновесия на барьере — Vg следует необходимость выполнения условия [c.369]

Накапливаясь, точечные дефекты в керамических материалах снижают подвижность и концентрацию носителей тока и снижают проводимость диэлектрика при длительном облучении в канале реактора. Особенно четко это проявилось на примере титаната бария и вы- [c.322]

В одном и том же полупроводнике могут одновременно существовать и донорные и акцепторные уровни, однако обычно преобладает какой-нибудь один тип. Так, примесная проводимость обычно имеет преимущественно электронный (л-тип) или дырочный (р-тип) характер. Знак и концентрацию носителей тока обычно определяют путем измерения эффекта Холла. [c.162]

IJT ДЛЯ двух образцов кремния по данным Пирсона и Бардина [8]. На кривых видны два почти линейных участка, соответствующих собственной и примесной проводимостям эти линейные участки кривой хорошо описываются приведенными выше предельными выражениями для удельного сопротивления р. В каждой из этих областей изменение удельного сопротивления р с температурой определяется прежде всего экспоненциальным сомножителем, описывающим активацию носителей и переход их через запрещенную зону. Следует отметить, что при переходе от примесной к собственной проводимости в результате повыщения температуры часто наблюдается область, где удельное сопротивление возрастает с ростом температуры. В этой температурной области концентрация носителей тока почти постоянна, все донорные или акцепторные примеси оказываются ионизированными и изменение удельного сопротивления с те.м-пературой определяется изменением подвижности носителей тока. [c.164]

Как указывалось выше, электропроводность полупроводников при повышении температуры возрастает. Рост электропроводности полупроводников практически обусловлен возрастанием вместе с температурой концентрации носителей тока, так как подвижность зарядов может или слабо [c.288]

Рассмотрим подробнее каждую из перечисленных гипотез. Представление о том, что концентрация носителей тока в кристалле может увеличиваться за счет смещения противоположно заряженных ионов под действием электрического поля к граням кристалла (аналогично первой гипотезе), было высказано еще А. Ф. Иоффе [90] в связи с изучением электропроводности кварца. Его рассуждения сводятся к следующему. В отсутствие электрического поля вследствие теплового движения непрерывно происходит образование и рекомбинация противоположно заряженных носителей тока, в результате чего устанавливается равновесная концентрация носителей. Поле смещает ионы разных знаков к соответствующим электродам, где вероятность рекомбинации их уменьшена, поскольку концентрации положительных и отрицательных ионов оказываются различными. В средней части кристалла взамен ушедших ионов рождаются новые носители тока вследствие теплового движения, и в результате суммарная концентрация носителей тока по всему кристаллу увеличивается. В опытах А. Ф. Иоффе это обнаруживалось по резкому повышению электропроводности кварца (в 4 раза) при перемене полярности приложенного напряжения, когда ионы, сконцентрированные у электродов, распределялись по всему кристаллу. С течением времени эта повышенная электропроводность уменьшалась за счет процесса рекомбинации носителей тока. [c.141]

Из особенностей электропроводности полупроводников вытекает ряд важных закономерностей. С увеличением температуры проводимость полупроводников увеличивается, что объясняется увеличением концентрации носителей тока, так как с увеличением температуры существенно облегчается переброс электронов из занятой зоны в незанятую зону акцепторной примеси или из занятой зоны донорной примеси в основную незанятую зону. Зависимость проводимости полупроводников от температуры может быть характеризована той же формулой, что и диэлектриков (см. (2-31)]. [c.319]

Из особенностей электропроводности полупроводников вытекает ряд важных закономерностей, С увеличением температуры проводимость полупроводников увеличивается, что объясняется увеличением концентрации носителей тока, так как с увеличением температуры существенно облегчается [c.278]

Чем чище полупроводниковый материал, тем больше подвижность электронов и дырок и тем выше проводимость полупроводников. В тщательно очищенных (чистых) полупроводниках имеет место собственная электропроводность. При этом концентрации носителей тока равны друг другу, т. е. Л = Л р=Л, и выражение (1) принимает вид [c.243]

Если считать, что изменение коэффициента Холла с температурой обусловлено изменением концентрации носителей тока, то можно объяснить температурные зависимости т. э. д. с. и удельного сопротивления. Рассмотрим области падения коэффициента Холла. Пользуясь экспериментальными зависимостями т. э. д. с. [4], [c.42]

Коэффициент Холла образцов карбида ниобия при высоких температурах не измерялся вследствие экспериментальных трудностей поскольку концентрации носителей тока в нем примерно на порядок выше, чем в Т1С, а э. д. с. Холла соответственно ниже. Однако одинаковый характер зависимостей а и р от температуры указывает на то, что в карбиде ниобия должны наблюдаться аналогичные изменения коэффициента Холла. [c.43]

Остановимся на причине изменения концентрации носителей тока с температурой. Концентрация носителей не может расти за счет ионизации каких-либо примесных уровней, поскольку при концентрациях порядка 10 —10 2 см энергии ионизации обычно равны нулю. Изменение концентрации в карбидах переходных металлов можно объяснить, исходя из сложной зонной структуры этих соединений. Зона проводимости состоит из двух перекрывающихся зон 5-зоны и -зоны. Если уровень Ферми находится в области, где плотность состояний с -зоны падает с ростом энергии, то с повышением температуры происходит перераспределение электронов между зонами таким образом, что число их в 5-зоне растет. Когда уровень Ферми находится в области роста плотности состояний -зоны, то наблюдается обратная картина. В [5] показано, что кривая зависимости плотности состояний от энергии в гибридной 2р + Зо -зоне Т1С действительно имеет минимум, причем уровень Ферми стехиометрического Т1С находится на участке падения плотности состояний. С ростом энергии плотность состояний сначала падает, а потом начинает расти. В соответствии с этим и наблюдается изменение концентрации носителей тока. Эффект падения концентрации сильнее у более дефектных карбидов, поскольку у них вследствие роста концентрации зона заполняется до больших энергий [4]. [c.43]

Термисторы в основном можно разделить на бусинковые и дисковые. Бусинковые термисторы обычно изготавливаются следующим образом на определенном расстоянии параллельно друг другу укладываются платиновые проволочки, которые будут служить выводами, а затем с некоторым интервалом на эти провода наносят капли смеси окислов со связующим веществом. После спекания при 1300°С получается цепочка термисторов с готовыми выводами. После разделения на отдельные термисторы их покрывают стеклом такое покрытие не только увеличивает механическую прочность приборов, но и защищает термисторы от атмосферного кислорода, который, адсорбируясь в порах материала, изменяет концентрацию носителей тока в нем и его электрические свойства. Дисковые термисторы получают прессованием исходного порошка с последующим обжигом при 1100°С, а в качестве выводов на противоположные плоскости диска напыляют или наносят печатным способом слой серебра. Тот факт, что дисковые термисторы существенно менее стабильны, чем бусинковые, почти определенно объясняется тем, что поверхностные электроды уступают по своим электрическим свойствам электродам, введенным внутрь бусинки. [c.244]

Характерными чертами этого класса веществ являются рост электропроводимости с температурой, малая (по сравнению с металлами) концентрация носителей тока, высокая чувствительность электрических свойств по отношению к воздействию излучений и наличию примесей, а также неомическое поведение контактов. [c.454]

В слабых магнитных полях шт 1 для всех металлов p ofi2 и Др/р<1, где Др=р(В)—р(0), р = р(0) R= (ne), где п — концентрация носителей тока е — заряд носителей тока, равный е=—1,6-10 Кл. [c.737]

ПОГЛОЩЕНИЕ [резонансное гамма-излучения — поглощение гамма-квантов (фотонов) атомными ядрами, обусловленное переходами ядер в возбужденное состояние света < — явление уменьшения энергии световой волны при ее распространении в веществе, происходящее вследствие преобразования энергии волны во внутреннюю энергию вещества или энергию вторичного излучения резонансное — поглощение света с частицами, соответствующими переходу атомов поглощающей среды из основного состояния в возбужденное) ] ПОЛЗУЧЕСТЬ - медленная непрерывная пластическая деформация материала под действием небольших напряжений (и особенно при высоких температурах) ПОЛИМОРФИЗМ — способность некоторых веществ существовать в нескольких состояниях с различной атомной кристаллической структурой ПОЛУПРОВОДНИК (есть вещество, обладающее электронной проводимостью, промежуточной между металлами и диэлектриками и возрастающей при увеличении температуры вырожденный имеет большую концентрацию носителей тока компенсированнын содержит одновременно лонор ,1 и ак- [c.260]

Как показали исследования [20, 21], в сульфиде кадмия при распространении упругих волн в пьезоактивных направлениях, т. е. продольных волн в направлении оси с или поперечных волн, поляризованных вдоль оси с, упругая нелинейность сильно зависит от концентрации носителей тока последняя, поскольку сульфид кадмия фоточув-ствителен, может изменяться под действием света. Характерная зависимость амплитуды второй гармоники сдвиговой волны от числа электронов (или от освещенности кристалла) показана на рис. 79. Уменьшение нелинейности при концентрациях электронов, больших 3-10" 1/сл , объясняется экранировкой пьезоэлектрического поля объемным зарядом. Освещение частей кристалла показало, что этот эффект объемный [20]. Там же было установлено, что при заданной концентрации электронов нелинейность сульфида кадмия зависит также от приложенного к кристаллу постоянного электрического поля (этот эксперимент про- [c.346]

Сильное изменение электросопротивления полупроводников с температурой происходит, как мы видели, главным образол вследствие зависимости от температуры концентрации носителей тока. Можно показать, что этот же механизм является причиной сильной температурной зависимости большинства других полупроводниковых свойств, например термо-э.д.с. и транзисторного действия. Не исключена возможность, что у полупроводников существуют другие термометрические параметры, помимо электросопротивления, которыми можно воспользоваться для практических целей. В этом направлении сделаны, однако, только первые шаги. [c.182]

Входящие в это выражение концентрация носителей тока п см ] и их подвижность v [см 1сек-в являются характеристиками полупроводника. Путем измерения электропроводности полупроводников можно определить только произведение этих двух величин. Для их разделения можно воспользоваться эффектом Холла. Смещение носителей тока в поперечном направлении в полупроводнике прекратится, когда лоренцова сила уравновесится силой возникшего поперечного электрического поля сместившихся зарядов [c.288]

Больцман принадлежал к числу поклонников и пропагандистов максвелловской теории электромагнитного поля, шедшей тогда вразрез с привычными взглядами и казавшейся в то время математически чрезвычайно сложной. В ряде как экспериментальных, так и теоретических работ Больцман стремился продемонстрировать справедливость уравнений Максвелла и их плодотворность для научного исследования. Его работы были посвящены измерениям диэлектрической постоянной (Больцман проверял ее связь с показателем преломления), теории электрострикции и магнетострикции, термоэлектрическим явлениям, электромагнитным волнам и т. д. Он также впервые указал, что эффект Холла дает возможность измерять концентрацию носителей тока. [c.11]

Значения холловской подвижности и концентрации носителей тока образцов системы (К15)х(К10)1 хРе20з при комнатной температуре [c.60]

Смотреть страницы где упоминается термин Концентрация носителей тока : [c.347] [c.470] [c.284] [c.283] [c.38] [c.28] [c.46] [c.5] [c.157] [c.167] [c.180] [c.587] [c.380] [c.309] [c.207] [c.37] [c.160] [c.42] [c.202] [c.236]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...