Фактор электронный

Условиями, определяющими растворимость компонентов в растворах замещения, являются изоморфизм, т е однотипность решеток, компонентов, составляющих рас твор, соотношение атомных размеров компонентов ( раз мерный фактор ), электронная структура компонентов, т е [c.33]

Молекулярный гамильтониан инвариантен относительно любой перестановки электронов. Эта операция состоит в перестановке номеров электронов i, j, k, у векторов R, Р, s, входящих в гамильтониан Й с одними и теми же коэффициентами (эти коэффициенты зависят от массы, заряда и g-фактора электрона). Инвариантность Й относительно перестановки электронов следует из постулата, согласно которому электроны в молекуле тождественны и неразличимы, поэтому молекулярный гамильтониан инвариантен относительно всех операций полной [c.103]

Перечислим остальные обозначения в (4.4.11) = e /i/2m — магнетон Бора, величина д представляет собой -фактор электронов, s -o-/ — векторный оператор спина с компонентами [c.299]

Необходимо помнить, что в разных системах предельная растворимость соответствует различным температурам. Строго говоря, связь между предельной растворимостью и величиной е/а должна наблюдаться лишь при температуре абсолютного нуля. Тот факт, что определенное соответствие сохраняется даже при сравнительно высоких температурах, указывает Hai решающую роль, которую играет фактор электронной концентрации при образовании твердых растворов. [c.158]

Таким образом, как и в случае теории ограниченных твердых растворов, мы должны допустить две возможности 1) энергетический разрыв на границе зоны Бриллюэна относительно велик, а поверхности Ферми не являются сферическими при этом устойчивость фаз качественно может быть описана при помощи модели, представленной на фиг. 6 б, 2) энергетический разрыв на границе зоны Бриллюэна изменяется с изменением состава и является небольшим в интервале устойчивости электронных фаз при этом в первом приближении можно использовать сферическую модель поверхности Ферми. Несмотря на то что многие детали все еще неясны, одно является бесспорным — это экспериментально установленная корреляция, которая показывает, какое большое значение в проблеме стабильности электронных фаз имеет фактор электронной концентрации е/а. [c.179]

На рис. 17.2. и 17.3 приведены спектры полного излучения и краевого эффекта й( ) двух оловянных пластин с толщиной а--100 мкм, расположенных в вакууме на разных расстояниях Ь и при разных значениях 7 лоренц-фактора электрона. Для сравнения приведены также спектры и7" р(о)) [c.238]

Суммарная интенсивность и частотный спектр РПИ, испущенного из различных пористых материалов, исследованы также в работах [71.2,71.6,75.15,77.8,77.10]. В частности, в работе [75.15] показано, что суммарная интенсивность РПИ существенно зависит от 7-фактора электрона в области значений от 10 до 10 ,. а при 10 С7<3-10 эта зависимость становится намного слабее. Частотный спектр РПИ, образованного электронами с энергией 1,38 ГэВ ( i =2,7-10 ) в пористых материалах, измерен в работе [c.262]

В целом свойства межфазовых границ раздела следует рассматривать как результат взаимодействия двух факторов — электронного и ионного. [c.197]

Свойства металлов действительно зависят от внутреннего строения атомов, а следовательно, и от электронных конфигураций, но пассивность металлов является функцией не только внутренних, но и внешних факторов. Таким образом, пассивное состояние ме- [c.310]

Важным фактором, управляя которым, можно добиться выполнения условий сходимости метода Ньютона, является близость точки начального приближения Vo к точке корня V. Это обстоятельство привело к появлению метода, повышающего вероятность сходимости метода Ньютона и называемого методом продолжения решения по параметру. В этом методе в решаемой системе уравнений выделяют параметр, влияющий на положение точки корня в пространстве фазовых переменных. Например, при анализе электронной схемы таким параметром может быть напряжение источника питания. Система (5.1) решается методом Ньютона многократно при ступенчатом изменении параметра. Пусть параметр Е выбран так, что при - 0 имеем V - 0. Тогда при первом решении выбираем Vq=0 и находим значение корня V, , соответствующее начальному значению параметра Е. Далее увеличиваем Е и решаем систему уравнений при начальном приближении Vo=Vj [c.228]

До конца бО-х годов измерения на переменном токе не использовались при работе с прецизионными термометрами. С тех пор ситуация изменилась под влиянием двух факторов. Прежде всего это использование индуктивных делителей напряжения или трансформаторов отношений в мостовых схемах. Кроме того, развитие электронной техники привело к созданию высокочувствительных синхронных детекторов, обладающих превосходным отношением сигнал/шум. Появились также сложные системы автоматической балансировки. [c.257]

Проблема детектора теплового излучения неотделима от вопроса об излучательных свойствах источника излучения. Спектральные характеристики излучения черного тела, как будет показано, описываются законом Планка. Проинтегрированный по всем длинам волн закон Планка приводит к закону Стефана — Больцмана, который описывает температурную зависимость полного излучения, испущенного черным телом. Если бы не было необходимости учитывать излучательные свойства материалов, оптический термометр был бы очень простым. К сожалению, реальные материалы не ведут себя как черное тело, и в законы Планка и Стефана — Больцмана приходится вводить поправочные факторы, называемые коэффициентами излучения. Коэффициент излучения зависит от температуры и от длины волны и является функцией электронной структуры материала, а также макроскопической формы его поверхности. [c.311]

Предполагается, что рост тонкой сплошной оксидной пленки определяется проникновением электронов из металла в оксид [7] или, в некоторых случаях, миграцией ионов металла в сильном электрическом поле, которое создается отрицательно заряжённым кислородом, адсорбированным на поверхности оксида [8]. Когда толщина сплошной оксидной пленки достигает нескольких тысяч ангстрем, диффузия ионов сквозь оксид становится определяющим скорость фактором. Такое положение существует до тех пор, пока оксидная пленка остается сплошной. В конце концов, при достижении критической толщины пленки возникшие в оксиде напряжения могут способствовать его растрескиванию и отслоению, при этом скорость окисления незакономерно возрастает. [c.191]

Н, eui>2Ф, поэтому для них выравнивание вероятно. Коэффициент выхода электронов эмиссии на один ион трудно определить. Он зависит от ряда факторов, в том числе от энергии ионов, и меняется в широких пределах. [c.67]

Изложенная схема процессов сильно упрощена, и существует целый ряд факторов, в той или иной мере затрудняющих развитие генерации. 1< числу мешающих факторов относится, например, фотохимическое разложение молекул красителя при высоких значениях освещенности, нагревание раствора, приводящее к безызлучательному затуханию возбужденного электронного состояния, и многие другие. Однако все эти препятствия устраняются специальными методами ), и генерацию удается осуществить с большим числом разных красителей (их насчитывается сейчас около 100) в импульсном и непрерывном режимах, в широкой области спектра (от 350,0 до 1000,0 нм) и с применением в качестве источников возбуждающего излучения ксеноновых газоразрядных ламп и лазеров. [c.817]

Аналогичное понятие (атомный фактор) используется при описании рассеяния электронов, рентгеновских лучей и нейтронов. [c.269]

Форм-факторы нейтрона получают аналогичным образом из сравнения результатов рассеяния электронов на протоне и дей-тоне. Так как полный заряд нейтрона равен нулю, то [c.271]

В первой серии экспериментов, проведенной в 1955—1961 гг. с электронами, энергия которых доходила до 1,3 Гэв, были получены форм-факторы протона и нейтрона в интервале изменения 0 <72 40 ферми- . [c.272]

Современные результаты по упругому рассеянию электронов ка нуклонах интерпретируются при помощи более удобных форм-факторов Ge и Gm, которые следующим образом выражаются через введенные выше Fi и F . [c.275]

Здесь А — амплитуда волны, рассеянной одним электроном. Число, показывающее, во сколько раз эта амплитуда больше амплитуды волны, рассеиваемой электроном, при тех же условиях, т. е. под тем же углом и для той же длины волны, есть f атомный фактор рассеяния атома некоторого элемента с радиальной функ-цией распределения U r) [c.43]

Учет этого отличия производится с помощью введения в фор мулу для интенсивности отраженных от кристалла лучей так называемого структурного фактора равного квадрату структурной амплитуды Рш- Структурная амплитуда — величина, характеризующая рассеяние элементарной ячейкой, выраженное в электронных единицах, т. е. отнесенное к рассеянию электрона в тех же условиях (те же 0 и ). Если, например, говорят, что рассеяние элементарной ячейки в направлении, определяемом индексами hkl, равно 20, то это значит, что таким же под углом рассеяния 20 было бы рассеяние 20 электронов, действующих в фазе. Таким образом, амплитуда волны, рассеянной одной элементарной ячейкой кристалла, равна АРны, где А — амплитуда волны, рассеянной электроном. [c.44]

Температурный фактор. Вывод выражения для атомного фактора f был произведен нами для покоящегося атома со сферически симметричным распределением электронной плотности. В реальном кристалле атомы (а значит, и электроны вместе с атомами) совершают хаотические тепловые колебания около положений равновесия и между атомами имеет место определенный тип химической связи. Естественно, что тепловое движение оказывает влияние на значение рассеивающей способности атома, а следовательно, и на интенсивность рефлексов. [c.46]

К насто5пцему времени в рамках строгих квантовохимических методов изучено достаточно большое число примесных дефектов в Ш-нитридах, см. табл. 2.3, установлен ряд типов глубоких DX, АХ-центров, исследован механизм формирования некоторых из них. Имеющиеся данные позволяют утверждать, что вероятность реконструкции каждого конкретного центра зависит от многих факторов электронного строения, типа межатомных связей и структуры кристалла, химической природы и зарядового состояния дефекта, внешних условий (например давления). Механизм реконструкции с образованием определенного конфигурационного состояния дефекта (тетрагонального, тригонального, орторомбического) будет зависеть от энергетического баланса (экзо- или эндотермического) между возможными метастабильными состояниями, определяемого вкладами разорванных и новых ковалент- [c.52]

Заметим, что mj (0) и разность g(0) - go представляют собой вклад валентной зоны в обратную эффективную массу и g-фактор электрона на дне зоны проводимости, рассчитываемые во втором порядке кр теории возмущений. Этим и обусловлено введение величин ( ) и g( ) в уравнения (2.34), (2.35). При расчете электронных состояний в гетероструктурах внутри каждой однородной области находится общее решение уравнения (2.34), затем эти решения сшиваются на граничных поверхностях с помощью граничных условий. В модели Кейна граничные условия задаются требованием непрерывности спинора м( г) и составляющей вектора Pv(r), перпендикулярной к гетерогранице. [c.24]

Из измерений абсолютной амплитуды и содержания высших гармоник в осцилляциях может быть получен с помощью формулы ЛК спиновый понижающий множитель и, следовательно, коэффициент спинового расщепления ( -фактор) электронов проводимости, который в свою очередь дает информацию о спин-орбитальном и электрон-эдектронном взаимодействиях. При определении g-фактора из экспериментальных данных обнаруживается, что знание [c.43]

Влияние спина электрона проще всего понять, если считать, что электроны с разным направлением спина расположены на разных трубках Ландау. Это приводит к разности фаз между осцилляциями, соответствующими электронам с направлениями спина вверх и вниз, и, следовательно, к некоторой интерференции. Коэффициент, уменьшающий амплитуду, будет просто косинусом половины разности фаз, что приводит к выражению со5(/ 7г т/т ) для р-й гармоники, где g — это -фактор электрона. Заметим наконец, что резкость укорачивания заполненного участка трубки Ландау, когда она проходит через ПФ, определяется тем, насколько сильно площадь сечения ПФ зависит от квблизи экстремума. Очевидно, что амплитуда будет тем больше, чем ближе ПФ к цилиндру около экстремума, и расчет показывает, что она пропорциональна [c.48]

На любой технологический процесс оказывает влияние множество случайных факторов (неточность оборудования, неточности режущего инструмента и приспособлений, внутренние напряжения обрабатываемой детали, разброс параметров у электрорадиоэлементов при монтаже электрон- [c.299]

Это уравнение называют логарифмическим. Соответственно, график, построенный в координатах у — g t + onst) или у — — Ig t (при t > onst) имеет вид прямой линии. Логарифмическое уравнение, впервые полученное Тамманном и Кестером [11], отражает поведение многих металлов (Си, Fe, Zn, Ni, Pb, d, Sn, Mn, Al, Ti, Та) на начальных стадиях окисления. Вначале справедливость этого уравнения ставилась под сомнение. Были сделаны попытки вывести уравнения на основе предположений о существовании специфических свойств оксидов, таких как наличие диффузионных барьеров и градиентов ионной концентрации и других. Эти предположения не получили экспериментального подтверждения. С другой стороны, было показано, что логарифмическое уравнение можно вывести из условия, 4TQ скорость окисления контролируется переходом электронов из металла в пленку продуктов реакции, причем эта пленка имеет пространственный электрический заряд во всем своем объеме (7, 12]. Преобладание заряда, обычно отрицательного, в оксидах вблизи поверхности металла, подобно электрическому двойному слою в электролитах, было установлено экспериментально. Таким образом, любой фактор, изменяющий работу выхода электрона (энергию, необходимую для удаления электрона из металла), например ориентация зерен, изменения кристаллической решетки или магнитные превращения (точка Кюри), изменяет скорость окисления, что и наблюдалось в действительности [13—15. Когда толщина пленки превышает толщину пространственно-заряженного слоя, определяющим фактором обычно становится скорость диффузии или миграции сквозь пленку. При этом начинает выполняться параболический закон, и ориентация зерен или точка Кюри перестают оказывать влияние на скорость окисления. Исходя из этого, можно сказать, что в начальной стадии оксидная пленка на металлах [c.193]

Причини, по которым данное соединение является хорошим ингибитором для железа и плохим для цинка или наоборот, могут быть связаны также со специфическим электронным взаимодействием полярных групп с металлом (хемосорбцией). Последний фактор в определенных случаях более важен, чем стерический, определяющий возможности для плотнейшей упаковки адсорбированных молекул. Это можно проиллюстрировать очень значительным ингибирующим действием оксида углерода СО, растворенного в соляной кислоте, на коррозию в ней нержавеющей стали [36] (степень защиты 99,8%, в 6,3 М растворе НС1 при 25 °С). Об этом же свидетельствует защита железа, обеспечиваемая малым количеством иодида в разбавленных растворах H2SO4 [35, 37, 38]. Как СО, так и иодид хемосорбируются на поверхности металла, препятствуя в основном протеканию анодной реакции [39]. Кеше [40] показал, что 10" т KI значительно лучше ингибирует железо в 0,5 т растворе NajSOi с pH = 1 (степень защиты 89 %), чем в растворе с pH = 2,5 (степень защиты 17 %). Это показывает, что адсорбция иодида в этом интервале pH зависит от значения pH [c.270]

Электронно-лучевая сварка — одно из самых распространенных технологических применений электронного луча. Поскольку сварка — процесс, связанный с локальным плавлением и последующей кристаллизацией расплавленного металла, ширина зоны расплавленного металла имеет при сварке важное значение. Кристаллизация металла в сварочной ванне в значительной мере определяет свойства металла шва и изменение ширины зоны проплавления при сварке сТановитс.я важным фактором воздействия на свойства сварного соединения. Кроме того, от объема расплавленного металла зависят деформ ции и напряжения, возникающие после сварки в сварных конструкциях, что также требует регулирования объема сварочной ванны. [c.113]

Всякая причина, обусловливающая затухание электронных колебаний в атоме, влияет, конечно, на ширину спектральной линии, ибо вследствие затухания колебание перестает быть синусоидальным, и соответствующее излучение будет более или менее отличаться от монохроматического. Поэтому и затухание вследствие излучения и затухание, обусловленное соударениями, ведут к тем больщему уширению спектральной линии, чем больше значение этих факторов. Затухание вследствие излучения должно характеризовать атом, поставленный в наиболее благоприятные условия, т. е. вполне изолированный от воздействия каких-либо внешних агентов. Поэтому ширину, обусловленную этой причиной, называют естественной или радиационной шириной спектральной линии. Величина ее обусловлена механизмом излучения атома. Рассматривая атом как электрический диполь, колеС>лющийся по законам [c.572]

Второй том посвящен физике элементарных частиц и их взаимодействиям. В книге рассмотрены нуклон-нуклонные взаимодействия при низких и высоких энергиях и свойства ядерных сил, изложена теория дейтона и элементы мезонной теории рассмотрены опыты по упругому и неупругому рассеянию электронов на ядрах и нуклонах и обсуждается проблема нуклон-ных форм-факторов подробно изложена физика лептонов, я-мезонов и странных частиц рассмотрена физика антинуклонов и других античастиц, а также антиядер изложены систематика частиц и резонансов на основе унитарной симметрии н цикл вопросов, связанных со свойствами слабых взаимодействий. [c.6]

Рассеяние рентгеновских лучей атомом. Атомный фактор. Ясно, что интенсивность рентгеновских отражений должна быть про-лорциональна рассеивающей способности атома в кристаллической решетке. Рентгеновские лучи — электромагнитные волны — рассеиваются электронными оболочками атомов. Падающая на атом плоская монохроматическая волна возбуждает в каждом его элементе объема dv элементарную вторичную волну. Амплитуда этой рассеянной волны, естественно, пропорциональна рассеивающей способности данного элемента объема, которая, в свою очередь, пропорциональна /(r)dv, где U г) —выражаемая в электронах на функция распределения электронов вдоль радиуса г, от- считываемого от центра покоящегося атома со сферически симметричным распределением в нем электронной плотности, простирающимся от О до оо. Расчеты, проведенные в предположении о сферической симметрии атома, т. е. о сферической симметрии функции и (г), приводят к выражению для амплитуды суммарной волны, рассеиваемой атомом [c.42]

Таким образом, атомный фактор есть функция аргумента (81п6)Д, вид этой функции определяется радиальным распределением электронов в сферически симметричном атоме. На рис. 1.40 приведена типичная кривая зависимости атомного фактора от (sin0)/A, для атома фосфора. [c.43]

Электронная структура атомов, образующих твердое тело, не единственный фактор, обусловливающий различие в заполнении зон. На примере Na l мы видели, что важную роль играет природа химической связи. Характер заполнения энергетических зон зависит также и от структуры кристалла. Так, например, углерод в структуре алмаза — диэлектрик, а углерод в структуре графита обладает металлическими свойствами. [c.231]

Вследствие квантования механических моментов Ps и Рь квантованными оказываются и магнитные моменты. Квант магнитного момента равен магнетону Бора-, лв = ей/(2т)=9,27-10 А-м . Полному механическому моменту атома, определяемому как векторная сумма Pj=Pi,4-Ps, соответствует полный магнитный момент атома Mj, проекции которого на направление поля Н определяются выражением MjH = —wijg UB. Здесь т,- — магнитное квантовое число g — фактор расщепления Ланде, называемый также g-фактором. Для чисто спинового магнетизма g = 2, для чисто орбитального =1- У всех атомов и ионов, имеющих полностью заполненные электронные оболочки, результирующие спиновые и орбитальные магнитные моменты равны нулю. Вследствие этого равен нулю и полный магнитный момент. Атомы или ионы, обладающие недостроенньгаи внутренними оболочками (переходные и редкоземельные элементы), а также содержащие нечетное число электронов в валентной оболочке, имеют отличный от нуля резуль-21—221 321 [c.321]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...