Рассеяния поперечное сечение

Рассеяния поперечное сечение 97 [c.414]

До сих пор не принималась во внимание ограниченность поперечных размеров реальных пучков, и тем самым предполагалось, что на интересующих нас толщинах среды I > /ф з ни самофокусировка, ни дифракция еще не проявляются. Если самофокусировка и дифракция точно компенсируют друг друга, то поперечное распределение амплитуды импульса не изменяется по мере его распространения в среде, т. е. собственно к этому случаю и относятся сделанные выше выводы. Если значение мощности превышает пороговое, даваемое соотношением (232.4), то поперечное сечение пучка уменьшается благодаря самофокусировке, и уширение спектра будет протекать более сложным образом. Качественно ясно, что увеличение амплитуды поля, сопровождающее самофокусировку, вызовет еще большее уширение спектра. Следует иметь в виду, однако, что при огромной концентрации энергии, имеющей место в случае сильно развитой самофокусировки, эффективно протекает и ряд других нелинейных процессов — вынужденное рассеяние. Мандельштама—Бриллюэна, вынужденное комбинационное рассеяние и др. [c.832]

Электронные поперечные сечення рассеяния для сплавов меди с малым содержанием растворенного вещества [c.168]

Рассеяние на границах является единственным процессом, для которого абсолютная величина среднего свободного пробега фонона может быть оценена с приемлемой точностью поэтому были проделаны вычисления эффективного среднего свободного пробега. Казимир [11] рассчитал теплопроводность бесконечно длинного цилиндра в предположении, что внутри кристалла нет процессов взаимодействия и тепловое равновесие достигается лишь на границах, где фононы поглощаются и затем снова изотропно испускаются. Число фононов в данном направлении во внутренней точке определяется температурой точки их испускания. Это распределение, проинтегрированное по всем направлениям, дает плотность теплового потока. Интегрирование но всему поперечному сечению характеризует суммарный тепловой поток. В конечном счете теплопроводность оказывается равной [c.247]

Эта площадь называется поперечным сечением томсоновского рассеяния на свободном электроне. Видно, что оно не зависит от длины падающей на электрон волны. [c.25]

Эффективное сечение упругого рассеяния зависит от энергии. Очевидно, что чем больше энергия электрона, тем меньше он будет отклоняться при столкновении от направления своего движения при прочих равных условиях. Это означает, что поперечное сечение упругого рассеяния электрона атомами уменьшается с увеличением энергии электрона. Это уменьшение подтверждается более точными количественными расчетами. [c.54]

В эксперименте мы не можем измерить прицельное расстояние Ь при единичном рассеянии на угол 0. Поэтому необходимо перейти к статистическим характеристикам рассеяния. Дифференциальное поперечное сечение da упругого рассеяния в угол между 0 и 0 -I- d0 определяется в соответствии с формулой (7.1), как отношение числа частиц diV , рассеянных в угол между 0 и 0 -Ь d0, к потоку падающих частиц N [c.82]

Наиболее прост анализ рассеяния электронов на примесных атомах. В этом случае эффективное сечение рассеяния равно поперечному сечению атома, которое несущественно меняется с температурой и может считаться постоянной величиной. Поэтому (1/п ), где Пд — число примесных атомов в единице объема. [c.458]

Параметр подобия L[G в уравнении (7.15) характеризует влияние напрягаемых объемов, концентрации напряжений, формы поперечного сечения на сопротивление усталости и рассеяние характеристик выносливости. Они позволяют расчетным путем находить функции распределения пределов выносливости деталей, если известны постоянные и, Al, В, S. [c.140]

Реактивное сопротивление рассеяния при площади поперечного сечения воздушного зазора [c.258]

Обозначим через N число электронов в Падающем пучке, пролетающих в единицу времени через единицу поперечного сечения, и через dN—число электронов, рассеян- [c.466]

В освещенной области сферу и цилиндр в поперечном сечении, как следует из строгого решения задачи рассеяния [53], [c.109]

При этом электросопротивление металла и его изменение вследствие облучения играют важную роль. Если опыты проводятся при достаточно низких температурах, чтобы предотвратить отжиг дефектов, то можно предположить, что увеличение электросопротивления будет пропорционально числу дефектов, введенных в металл. Необходимо поддерживать общую концентрацию дефектов на достаточно низком уровне, чтобы предотвратить взаимное влияние различных дефектов, которое может само вызвать увеличение электросопротивления. Облучение меди, серебра и золота [21 ] при 10° К нейтронами энергией 12 Мэе показало, что изменение электросопротивления почти линейно зависит от числа частиц, бомбардирующих материал. Отклонение от линейного закона связано, по-видимому, с явлениями отжига. Подобные опыты проведены Б левит-том и др. [41] на большом количестве материалов, облученных в реакторе при 17° К. Результаты этих двух работ сведены в табл. 5.15. Интерпретация изменения удельного электросопротивления была бы проста, если бы был известен коэффициент пропорциональности, связывающий это изменение с концентрацией дефектов. Неизвестное значение поперечного сечения рассеяния электронов проводимости на таких дефектах затрудняет точные вычисления, и величины, соответствующие различным дефектам, весьма спорны. [c.272]

Проблема рассеяния касается отклонения частиц под действием центральной силы. Мы рассмотрим однородный пучок частиц, например, электронов или а-частиц, обладающих одинаковой массой и одинаковым законом изменения энергии V в зависимости от расстояния г до центра силы. Силу эту мы будем предполагать стремящейся к нулю при г- со. Поток частиц мы будем характеризовать его интенсивностью / (эту величину называют также плотностью потока), которая равна числу частиц, проходящих через единичное поперечное сечение потока в единицу времени. По мере приближения частицы к центру силы она будет притягиваться им либо отталкиваться, и траектория ее будет отклоняться от начальной прямой линии. Затем частица станет удаляться от этого центра, и действующая на нее сила в конце концов уменьшится настолько, что траекторию можно будет опять считать прямолинейной. В общем случае конечное направление ее движения не будет совпадать с начальным, т. е. будет иметь место некоторое отклонение. Поперечным сечением рассеяния в данном направлении мы будем называть величину а(й), определяемую равенством [c.97]

В атомной физике играет важную роль так называемое полное поперечное сечение рассеяния, равное [c.100]

Однако если мы попытаемся вычислить его, подставляя в этот интеграл значения а(0) из выражения (3.68), то получим бесконечность. Физическую причину этого нетрудно установить. Согласно определению полного поперечного сечения рассеяния оно равно числу частиц потока единичной плотности, рассеиваемых по всем направлениям в единицу времени. Но электростатические силы являются силами дальнодействия, и поэтому область, [c.100]

В которой ОНИ себя проявляют, простирается до бесконечности. Вследствие этого очень малые значения 0 будут лишь у тех частиц, у которых очень велико s. Следовательно, все частицы потока, имеющего бесконечно большое поперечное сечение, будут в той или иной степени рассеиваться кулоновской силой. Именно поэтому полное поперечное сечение рассеяния получается в этом случае бесконечным. Из сказанного следует, что бесконечное значение at свойственно не только полю сил Кулона, так как при классическом методе исследования этот результат будет иметь место всегда, когда рассеивающее поле отлично от нуля на всех конечных расстояниях (как бы велики они ни были) ). Поэтому только в случае поля ограниченной протяженности, т. е. такого, в котором, начиная с некоторого расстояния, силы становятся равными нулю, полное поперечное сечение рассеяния будет конечным. Практически это имеет место в электростатическом поле атомного ядра и окружающих его электронов, которые экранируют ядро и эффективно компенсируют его заряд на больших расстояниях. [c.101]

В случае mi = m2 максимальный угол рассеяния, наблюдаемый в лабораторной системе координат, равен ЭО". Соответствующее поперечное сечение рассеяния будет тогда равно [c.104]

Исследуйте рассеяние в поле центральной отталкивающей силы, изменяющейся по закону / = Покажите, что дифференциальное поперечное сечение определяется в этом случае равенством [c.107]

Каково здесь полное поперечное сечение рассеяния [c.107]

Так вот отчего небо — голубое, а заходящее солнце — красное. Вывод напрашивается сам собой если частота зависит от поперечного сечения рассеяния, частота голубого света около 10 Гц, а частота красного около 2х ХЮ Гц. Поэтому частицы атомного и молекулярного масштаба, на которых происходит рас- [c.292]

При помощи (12.18) найдем отношение поперечных сечений рассеяния [c.293]

Случай, когда hi — h , представлен на рис. 2, в. Несложно убедиться, что он в отличие от представленных на рис. 2, а, б удовлетворяет условию симметрии магнитного рассеяния и с этих позиций представляет собой приемлемую модель вытеснения магнитных потоков на поверхности листа. Однако очевидно, что то же можно сказать и о дефектах второго типа, представленных на рис. 2, г. Более того, дополнительный анализ показывает, что именно случай сквозного дефекта наиболее близок к реальной модели магнитного рассеяния в трансформаторной стали. Действительно, чем больше отношение Sd/So (где Sd — экваториальная (наибольшая) площадь сечения дефекта Sq — площадь поперечного сечения листа), тем меньше должна быть, как известно, общая намагниченность листа /о, при которой над дефектом образуются поля рассеяния. В случае сквозных или поверхностных дефектов минималь- [c.187]

Рассмотрим столкновения с начальными элементами (6, w) (см. рис. 19), с фиксированной относптельной скоростью MJ и с переменным вектором соударения Ь. Мы рассматриваем Ь как радиус-вектор точки в плоскости П, тогда любой точке плоскости П соответствует один из двух результатов — захват или рассеяние. Определим полное поперечное сечение захвата как площадь П плоскости П, [c.152]

Если растворенные атомы имеют такую же валентность, как и металл-растворитель (например, калий в натрии), то различия в заряде чужеродного иона и ионов основной решетки не будет, однако рассеяние все же возникнет в результате следующих двух эффектов. Во-первых, внутреннее ноле растворенного иона должно в общем случае отличаться от внутреннего поля ионов основного металла. Теоретически расчет поперечного сечения рассеяния, возникаюш,его вследствие этого разл 1чия, произвел Мотт [48] (см. также Мотт и Джонс [37], стр. 290). Экспериментальная оценка поперечного сечения рассеяния для раствора калия в натрии дает 2,5- .и а для раствора серебра в меди—- 2,4д-10 смР. Во-вторых, в зависимости от относительного размера растворенного атома в основной ре петке могут возникнуть местные деформации и 1 скажения, что также приведет it возрастанию рассеяния [c.168]

Вещество, растворенное в меди Поперечное сечение рассеяния, 10 -16 СЛ12 [c.168]

Заключение, к которому пришли Пайне и Бом, по существу восстанавливает статус-кво, и поэтому поведение электронов можно с полным основанием рассматривать па основе одноэлектронной модели, предполагая, что взаимодействие электрон—электрон распространяется только на близкое расстояние. Это позволяет определить поперечное сечение соударений (Абрагамс [163]) (напомним, что если пользоваться неэкранированным куло-новским потенциалом, то такое определение невозможно произвести аналитическими методами). Оказывается, что это сечение имеет порядок тсГс, т. е. соответствует сечению рассеяния на отдельном ионе. Однако следует иметь в виду, что, в то время как соударение электрона с ионом может сопровождаться только очень малым обменом энергии, в случае соударения двух одинаковых частиц этого утверждать нельзя. Принцип Паули ограничивает соударения электрон—электрон по существу теми электронами, тепловая энер- [c.216]

Измерения Кемпа и др. подтверждают, что сопротивление Wo, вызванное холодной обработкой, меняется как Т . Эта температурная зависимость свидетельствует о том, что рассеяние фононов происходит на отдельных дислокациях. Однако, если величину Wb сравнить с (19.15), то окажется, что число отдельных дислокаций на единицу площади, соответствующее такому теплосопротивлению, должно быть порядка 10 на 1 см . Это значение находится в противоречии с некоторыми другими оценками (см., например, [191]), к тому же оно столь велико, что само представление об изолированных дислокациях теряет смысл. Кроме того, характер температурной зависимости Wц должен измениться. Поэтому следует считать, что рассеяние происходит в основном на группах из N дислокаций одного знака. В этом случае поперечное сечение рассеяния на каждой из таких грунн пропорционально (т. е. сечение рассеяния на отдельной дислокации пропорционально. N). Чтобы согласовать значение W с другими оценками плотности дислокаций (которые дают значения 10 ), N должно быть порядка 50 или 100 [119]. [c.294]

Причина, по которой гамильтониан Блоха дает удонлетворительные результаты в большинство случаев в теории металлов, состоит в том, что кулоновские взаимодействия экранированы в пределах расстояния, по порядку величины равного расстоянию между частицами. Например, Абра-гамс [128] оценил поперечное сечение соударения и среднюю длину свободного пробега для экранированных электронов в щелочных металлах. Он нашел, что возможные рассеяния настолько ограничены принципом Паули, что практически при всех температурах средняя длина свободного пробега при электронных столкновениях значительно больше, чем длина свободного пробега для электронпо-фононных взаимодействий. [c.756]

Длина волны рентгеновского излучения порядка размеров атомов, а их частота много больще собственных частот колебаний электронов в атомах. Поэтому рассеяние рентгеновского излучения на атомах сводится к рассеянию на отдельных электронах атомов, а поперечное сечение рассеяния на атоме является просто суммой поперечных сечений (2.5) рассеяния на электронах, входящих в атом (Стз = aZ, где Z-порядковый номер элемента), и не зависит от длины волны рентгеновского излучения. Это позволило в свое время определить число электронов в атоме. [c.25]

Зависимость поперечного сечения упругого рассеяния электронол на атомах аргона от энергии электрона [c.54]

Растяжение или сжатие стержня связано с работой внешних сил на перемещениях их точек приложения. Если нет рассеяния энергии,то вся эта работа переходит в энергию деформации стержня. Выделим из стержня малый элемент поперечными сечениями в точках 2 и 2 + d2. Пусть в результате приложения к этому стержню внешних сил в нем возникли напряжения и деформации Увеличение внешней силы приведет к увеличению напряжения и деформации соответственно на и бвг. Здесь использован знак приращения б функций и е , чтобы можно было отличить это приращение от знака приращения d, так как происхождение этих приращений различно — одно идет от приращения внешних сил, а второе связано с приращением координаты. При этом грани выделенного элемента дополнительно сместятся друг относительно друга на 6ejdz, так как относительная деформация, умноженная на длину деформируемого элемента, дает удлинение этого элемента (сравним 8 = AUI). Таким образом, если левая грань элемента сместилась на А, то правая сместилась на А + 6e d2. Напряжения Ог на этих смещениях произвели работу —Ла А на левой грани, Авг (А + 6e d2) на правой грани. [c.58]

Реактивное сопротивление рассеяния условного одиовиткового индуктора Л", находится по формуле (6-5), причем расчетная площадь поперечного сечения воздушного зазора [c.256]

Подвижность носителей в полупроводниках с атомной решеткой. В полупроводниках с атомной решеткой рассеяние носителей заряда происходит на тепловых колебаниях решетки и на ионизированных примесях. Эти два механизма рассеяния приводят к появлению двух участков в температурной зависимости подвижности. При рассеянии носителей на тепловых колебаниях решетки средняя длина свободного пробега одинакова для носителей заряда с различными скоростями и обратно []роиорциональна абсолютной температуре полупроводника. Это следует из того, что рассеяние носителей заряда должно быть прямо пропорционально поперечному сечению того объема, в котором шлеблется атом, а оно пропорционально квадрату амплитуды колебания атома, определяющему энергию решетки, которая с температурой растет, как известно, по линейному закону. Поэтому, так кап 3 формуле (8-11) /ср 1/7 , а УТ, то [c.241]

Суть метода заключается в следующем (схема 10 в табл. 5.7). В контролируемое изделие излучают прямым преобразователем импульсы продольных волн и принимают наклонным преобразователем два импульса трансформированных поперечных волн под углом 7 = 90 —ar sin ( f/ ). Первый импульс соответствует отражению (дифракции) ближайшей к преобразователям точке дефекта, второй импульс —дифракции донного сигнала на удаленной от преобразователя точке дефекта. В случае объемного дефекта амплитуда первого импульса Пц значительно больше амплитуды второго импульса Urt по нескольким причинам. Во-первых, на цилиндрической поверхности наблюдается трансформация волн в соответствии с законом Снеллиуса, 30. .. 40 % энергии падающей на цилиндр волны переходит в энергию поперечной волны. Во-вторых, амплитуда донного сигнала существенно ослабляется поперечным сечением дефекта. В-третьих, амплитуда волны, трансформированной на нижней поверхности дефекта, значительно меньше, чем на верхней, поскольку направление распространения волн на приемник составляет угол Ф = = 125°, в то время как максимум индикатрисы рассеяния лежит в диапазоне углов 20. .. 60°. В связи с изложенным коэффициент [c.269]

Так как при переходе к лабораторой системе координат углы рассеяния изменяются, то поперечные сечения рассеяния также будут при этом изменяться. Зависимость между величинами о(0) и а (д) можно получить из того условия, что число частиц, рассеиваемых внутри данного телесного угла, должно быть в обеих системах одинаковым. Поэтому можно написать [c.104]

Можно определить поперечное сечение рассеяния Ор как частное от деления среднего количества энергии, рассеиваемой за единицу времени, на среднее количество энергии, приходящей за единицу времени. Для рассеяния существует нечто вроде закона вероятности чем больше поперечное сечение, тем выше вероятность возникновения рассеяния. Среднее количество энергии, которое приходит на рассеивающий центр за единицу времени, определяется вектором Пойнтинга. В соответствии с теорией электромагнитного поля это количест- [c.292]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...