ЛУЧИ ИССЛЕДУЮТ КРИСТАЛЛЫ

ЛУЧИ ИССЛЕДУЮТ КРИСТАЛЛЫ [c.52]

На этом мы заканчиваем рассказ о том, как лучами исследуют кристаллы. Мы постарались ответить на главный вопрос главы можно ли установить конкретное расположение атомов в веществе Расшифровывая дифракционные картины, полученные с помощью рентгеновских лучей, электронов или нейтронов, удается определить кристаллическую решетку, которую имеет интересующая нас фаза. В частности, кривую охлаждения железа, с которой мы начали эту главу, теперь вполне можно дополнить данными дифракционных экспериментов а- и б-железо (см. рис. 12) имеют ОЦК решетку, а у-железо — ГЦК. [c.101]

Это обстоятельство, равно как и ряд других отступлений от обычных законов преломления, о которых речь пойдет ниже, дали повод назвать второй из этих лучей необыкновенным (е), сохраняя за первым название обыкновенного (о). Различие в отклонении обоих лучей показывает, что по отношению к ни.м кристалл обладает разными показателями преломления. Исследуя явление при различных направлениях преломленных лучей внутри кристалла, [c.381]

Как лучи могут исследовать кристаллы [c.73]

Например, если толщина материала, используемого для записи голограмм, превышает размеры записываемой дифракционной картины, то голограмма приобретает свойства трехмерной дифракционной решетки. При этом дифракцию следует описывать через брэгговские углы отражения, аналогично дифракции рентгеновских лучей на кристаллах. Свойства этих систем, т. е. чувствительность реконструированного изображения к углу падения и длине волны считывающего голограмму пучка, можно исследовать на примере синусоидальной пространственной решетки, типа решетки, получаемой при экспонировании эмульсии в интерференционном поле от двух произвольных плоских волн. В этом случае профиль показателя преломления определяется выражением (3.17.1), причем ось г параллельна разности векторов к, - кз, где к, и к2 — волновые векторы двух плоских волн. [c.211]

Если исследовать оба выходящих пучка при помощи турмалина или стеклянного зеркала, то обнаруживается, что оба они вполне поляризованы, и притом во взаимно перпендикулярных плоскостях. Колебания вектора О обыкновенной волны происходят перпендикулярно к главной плоскости, а необыкновенной — в главной плоскости. Свойства обоих лучей по выходе из кристалла, за исключением направления поляризации, конечно, ничем друг от друга не отличаются, так что название необыкновенный имеет смысл только внутри кристалла. Интенсивности обоих лучей одинаковы ), если на кристалл падал естественный свет. [c.383]

На исследуемое вещество направляются два лазерных луча, разности частот которых совпадают с одной из частот собственных колебаний молекулы или кристалла, что приводит к изменению заселенности колебательных уровней. Для анализа используется дополнительный, так называемый пробный, луч. Фактически исследуется стоксово и антистоксово рассеяние пробного луча. Описанную схему принято называть схемой активной спектроскопии рассеяния света. Пробный луч в этой схеме может использоваться как для регистрации фазовых соотношений между элементарными возбуждениями в разных точках среды (между фазами колебаний разных молекул) — когерентная активная спектроскопия так и для регистрации разности населенностей уровней—некогерентная активная спектроскопия. Естественно, что в обоих случаях рассеянный сигнал, получаемый в схеме активной спектроскопии, существенно превышает уровень сигнала, получаемого в спонтанном комбинационном рассеянии. [c.316]

Как мы видели, обобщая принцип Ферма, Гамильтон рассматривал v не только как функцию координат тонких, и но и как функцию от а, (направляющих косинусов луча по отношению к некоторой особой системе осей кристалла). Это дало ему возможность подойти к проблеме распространения света в двухосных кристаллах. Исследуя волновую поверхность в двухосных кристаллах, Гамильтон дал ясную картину ее геометрической формы и открыл существование четырех плоскостей, касающихся ее вдоль конических сечений. [c.816]

В гл. 4 мы исследовали распространение электромагнитного излучения в анизотропных кристаллических средах. Было показано, что нормальные моды распространения можно определить из эллипсоида показателей преломления. В данной главе мы рассмотрим распространение оптического излучения в кристаллах при наличии внешнего электрического поля. Будет показано, что в некоторых типах кристаллов внешнее электрическое поле приводит к изменению как размеров, так и ориентации осей эллипсоида показателей преломления. Это явление называется электрооптическим эффектом. Электрооптический эффект представляет собой удобный и широко используемый способ управления фазой и интенсивностью оптического излучения. Такая модуляция находит многочисленные применения в различных устройствах, например для кодирования информации в оптических лучах, дефлекторах оптических пучков и спектральных перестраиваемых фильтрах. Некоторые из этих применений мы обсудим в следующей главе. [c.238]

Трактат о свете Гюйгенса был напечатан в 1690 г. но написан, как указано в авторском предисловии (что подтверждается и другими данными), в 1678 г. Он является итогом многолетних исследований великого ученого, немало потрудившегося, как известно, и в области прикладной оптики. Гюйгенс рассматривал в трактате с помощью принципов, принятых в современной философии , свойства прямо распространяющегося света , затем отражение и преломление света, касаясь также рефракции в атмосфере. Далее исследуются причины странного преломления одного кристалла, который привозят из Исландии Под конец Гюйгенс занимается разнообразными различными формами прозрачных и отражающих тел, с помощью которых лучи собираются в одной точке или же отклоняются различным образом . [c.255]

Помещая в оптическую систему установки (см. рис. 29.1) клин, вырезанный из кристалла так, чтобы его оптическая ось была бы парал-можно по расстоянию между максимумами найти угол клина. В случае, если наблюдение ведется в белом свете, то угол клина можно рассчитать по характеру окраски. Для определения других характеристик кристаллов измерения проводят при наблюдении интерференционных картин поляризованных лучей в сходящихся пучках. Остановимся на конкретных приемах, позволяющих исследовать некоторые оптические характеристики кристалла, используя оптическую схему, изображенную на рис. 29.9. Наблюдение коноскопических фигур дает возможность оценить характер кристалла (одноосный или двуосный), провести технологический контроль обработки кристалла, определить знак кристалла (положительный или отрицательный) и знак вращения плоскости поляризации (если кристалл оптически активен). [c.248]

При оптическом исследовании используется выделение видимых примесей на дислокационных линиях в прозрачных кристаллах. Дэш [531 исследовал тонкие пластинки кремния и гер- мания при освещении инфракрасными лучами. Дислокации делались видимыми благодаря присутствию в окрестностях их атомов меди. При исследованиях было, например, получено [c.80]

Равновесная атомная конфигурация возбуждённых состояний. Упорядоченное расположение атомов в решётке кристаллов, определяемое с помощью рентгеновских лучей, является равновесным распределением для наинизшего электронного состояния. Нет никаких оснований ожидать, что подобное распределение будет стабильным для возбуждённых электронных состояний изоляторов. Наоборот, в действительности следует ожидать обратное, поскольку каждое возбуждённое электронное состояние двухатомных илн многоатомных молекул имеет своё собственное равновесное атомное расположение. Вследствие того, что зависимость возбуждённых электронных уровней от расположения атомов количественно подробно не исследована, мы будем оставаться в рамках лишь качественного рассмотрения ). [c.477]

В 1828 г. в Известиях Ирландской академии наук Гамильтон опубликовал одну из своих самых знаменитых работ — Теорию систем лучей . Исследуя системы оптических лучей, он исходил прежде всего из практических запросов их применения в оптических приборах. В третьем добавлешш к этому труду ученый на основании сложных математических вычислений предсказал существование нового, до тех нор неизвестного явления — внешней и внутренней конической рефракции в двухосных кристаллах. Открытие Гамильтона вызвало огромный интерес и впоследствии сравнивалось с открытием иланеты Нептуп на основе вычислений Леверье. [c.207]

Рентгеновские методы являются одними из основных в изучении тонкой структуры деформированных материалов, так как дают достаточно подробные дополнительные данные к прямым методам исследования, использующим, например, электронную и оптическую микроскопию. Преимущество этих методов в том, что материалы и изделия можно исследовать без разрушения и непосредственного контакта, не останавливая производства, а это обеспечивает создание системы неразрушающего контроля дефектной структуры кристаллических твердых тел, находящихся в рабочем состоянии. Для использования интерпретации экспериментальных результатов требуются детальные выражения, описывающие зависимость особенностей распределения интенсивности на дифрактограммах от параметров дислокационной структуры. Часть этих данных содержится в весьма обширной литературе по кинематическому приближению статистической теории рассеяния рентгеновских лучей деформированными кристаллами [3—58]. В настоящей главе в ряде случаев с необходимой подробностью приведены функциональные зависимости и численные значения коэффициентов, определяющих связь экспериментальных данных с параметрами дефектной структуры кристалла. Кроме того, приведены новые результаты по теории рассеяния рентгеновских лучей сильно искаженными приповерхностными слоями и предсказаны рентгенодифракционные эффекты в кристаллах, которые содержат структуры, характерные для развитой пластической деформации материала. [c.226]

Одновременные требования парамагнетизма, сверхтонкой структуры и радиоактивности с периодом полураспада достаточной продолжительности существенно ограничивают выбор ядер для этих экспериментов. Тем не менее описанным методом было проведено большое количество успешных экспериментов. Наиболее подробные исследования были выиолнены на Со . В Оксфорде [352—355] в экспериментах использовались смешанные кристаллы, имевшие состав (1% Со, 12% Си, 87% Zn) Rb2(S0 )2-6H20. В качестве охлаждающего агента применялись ионы меди. Интенсивность у-лучей измерялась в направлениях и (см. и. 40) была найдена анизотропия, доходившая до 33%. Исследовалась также линейная поляризация у-излучепия [356]. [c.601]

Измерения на Ми были выиолнены в Оксфорде [366]. Использовался кристалл ejMg-3 (N0g)i2-24H20, в котором небольшая часть ионов магния была замещена марганцем. Оказалось, что при Т = 0,01 анизотропия обнаруживает максимум (анизотропия в максимуме была равна 28%). Ниже этой температуры анизотропия убывает и при 7 = 0,003° составляет 21%. Этот эффект был приписан влиянию магнитного поля, в месте расположения марганца, вызываемого ионами церия. По этой причине было приложено внешнее магнитное поле напряженностью 1000 эрстед в направлении малого значения g для ионов церия (см. п. 48). Этим путем при самых низких температурах была достигнута анизотропия 90%. Исследовалась также линейная поляризация у-лучей [367]. [c.601]

Рентгенографические методы анализа широко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов. Широкому распространению рентгенофафического анализа способствовали его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто недоступных другим методам исследований. Вследствие высокой проникающей способности рентгеновских лучей для осуществления анализа не требуется создание вакуума. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный состав материалов (рентгенофазовый анализ), тонкую структуру кристаллических веществ - форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла, координаты атомов в пространстве, степень совершенства кристаллов и наличие в них микронапряжений, наличие и величину остаточных макронапряжений в материале, размер мозаичных блоков, тип твердых растворов, текстуру веп ес1в, плотность, коэффициент термического расширения, толидину покрытий и т.д. [c.158]

Кларк [39,401 изучал оптические характеристикиMgO, подвергнутой действию различных видов излучения. Кристаллы MgO облучали ультрафиолетовым светом, рентгеновскими лучами и нейтронами. Им было проанализирована схема образования полос поглощения, а также их светового и термического восстановления, предложена модель активации под действием ультрафиолетовых лучей и сделана попытка объяснить некоторые результаты рентгеновского и нейтронного облучения. Он исследовал роль примесей в MgO и сделал вывод, что радиационные изменения оптических свойств не зависят непосредственно от примесей. По степени эффективности в образовании полос поглощения виды излучения располагаются в следующем порядке нейтроны, электроны, рентгеновские лучи. Вопрос о влиянии облучения на оптические свойства MgO обсуждается в работе Биллипгтопа и Кроуфорда [21]. Верц и др. [214, 215] применили технику электронного спинового резонанса для изучения центров окрашивания в MgO и объяснили полосы поглощения на основе химических изменений примесей переходных элементов, содержащихся в MgO. [c.174]

Если сплав слишком тверд и из него нельзя приготовить опилки, рентгеновские отражения под малыми угл>ами для определения фаз могут быть получены с плоской поверхности образца в камере для шлифа. В этом устройстве пучок рентгеновских лучей падает под небольшим углом на плоскую поверхность образца, помепценного в центре камеры. Отражения фиксируются на цилиндрической пленке, ак и в методе Дебая-Шерера. Чтобы обеспечить отражения от достаточного числа кристаллов, образец должен совершать колебательные движения при современной технике съемки могут успешно исследоваться образцы с достаточно большим размером зерна. Соответствуюпцая конструкция камеры и держатели образца позволяет зафиксировать на одной стороне пленки отражения в интервале углов примерно 5—87 , а на другой 55—87°. Таким образом, камера может применяться для измерений периода решетки при использовании с обеих сторон отражений под большими углами или для определения фаз за последние годы применение этого метода исследования значительно возросло. [c.255]

У Лауэ возникает идея нельзя ли использовать кристалл как очень тонкую естественную дифракционную решетку Надо пропустить через кристалл пучок рентгеновских лучей и исследовать с помощью фотометодов получающуюся картину Слово было за экс-лериментаторами. [c.65]

Влияние воздействия света на кристаллы исследовалось следующим образом. Вначале до воздействия света записывались кривые качания и снимались рентгеновские топограммы. Затем кристаллы облучались. Для этого использовались Не—Ке-лазер с Х = 0,63 мкм, Не— d-ла-зер с Я = 0,44 мкм и ртутная лампа ДРШс—100. Во время воздействия света записывались интенсивность проходящих рентгеновских лучей и кривые качания. После воздействия света снимались рентгеновские топограммы на рефлексах (006) и (110). [c.311]

Для выяснения роли центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений автором была исследована [73, 1201 зависимость световых сумм ультрафиолетовой люминесценции фотохимически окрашенных кристаллов Na l и КС1 от концентрации F-центров. Измерения были произведены при помощи счетчика фотонов. Из больших монокристаллов были выколоты образцы кубической формы объемом в 1 см . Окрашивание образцов производилось либо светом конденсированной А1-искры, либо рентгеновыми лучами при помощи технической трубки с вольфрамовым антикатодом при напряжении 60—80 kV и токе 4 мА. В том и другом,случае для образования равномерной окраски кристалл медленно вращался во время облучения при помощи специального механизма. [c.52]

Морриш и Деккер [221 ] исследовали затухание фосфоресценции в видимой области рентгенизованных кристаллов КВг. Послесвечение таких же кристаллов, но возбужденных действием катодных лучей, изучали также Бозе и Шарма (227). В обоих случаях затухание описывается формулой I — t- . Однако Вильямс, Усис-кин и Деккер [228], повторившие измерения [221] с более совершенной аппаратурой, пришли к выводу, что затухание фосфоресценции КВг может быть представлено в виде суммы от трех до шести экспонент в зависимости от температуры кристалла. [c.137]

А. Арсеньева [311] впервые обнаружила, что после рентгенизации щелочно-галоидных фосфоров в коротковолновой ультрафиолетовой части их спектров абсорбции возникает сильный фон поглощения в широкой области, включающей активаторные полосы. Указанный фон Арсеньева правильно приписывала поглощению света решеткой основного вещества фосфора. Однако подробно это явление было исследовано лишь в последние годы в чистых кристаллах щелочно-галоидных соединений, в спектрах которых были обнаружены У-полосы поглощения, возникающие в ультрафиолетовой области под действием рентгеновых лучей. [c.234]

Настоящее исследование было предпринято, во-первых, для выяснения возможности различения между двумя типами дефектов при высоких температурах путем использования результатов измерения постоянной решетки бромистого серебра, во-вторых, для проверки значения постоянной решетки, полученного Вагнером и Байером [4], и, в-третьих, для проверки предположения Лоусона, что коэффициент расширения бромистого серебра вблизи точки плавления аномален в том смысле, что увеличение объема кристалла частично обусловлено образованием структурных дефектов. Довольно большая концентрация дефектов (около 2% [7]) вблизи температуры плавления бромистого серебра позволяет без труда исследовать эту область методом диффракции рентгеновских лучей. [c.37]

Со времени работ Шеппарда [2] известно, что стабилизация продуктов реакции значительно повыщается в присутствии небольших добавок чужеродных веществ, особенно сернистого серебра. В опытах Эггерта и Ноддак безусловно имела место такая сенсибилизация сернистым серебром. Вначале целесообразно рассмотреть случай кристаллов без примесей. Эти кристаллы также можно разложить фотохимически, если освещать их достаточно коротковолновым светом. Акт поглощения ведет к освобождению подвижных электронов и дырок, которые после непродолжительного блуждания по кристаллу связываются соответствующими участками решетки. В этом случае их можно волны, тц обнаружить по характерным полосам поглощения, если для наблюдения берутся достаточно толстые слои. Но как раз в случае бромистого серебра условия для таких наблюдений неблагоприятны, так как поглощение основной решеткой простирается в видимую область спектра. Благоприятные для таких наблюдений условия имеются в случае щелочных галогенидов, которые подробно исследованы уже много лет назад, и в случае окиси магния, исследованной в последнее время. Например, в результате облучения бромистого калия рентгеновскими лучами при низких температурах (—180° С) образуются первичные продукты реакции со спектром поглощения, изображенным на фиг. 1 [3—5]. Если говорить на химическом языке, то F-полоса обусловлена нейтральным щелочным металлом, а V -полосы — галоидом. С физической точки зрения F-полосу следует приписать электронам, замещающим ионы галоида, а V-полосы — еще не вполне исследованным дыркам. Нагревания до —140° достаточно для глубокой рекомбинации продуктов реакции, т. е. для обесцвечивания кристалла. [c.101]

Ренгенографическпй метод может быть использован для пс-следования продуктов окисления на металлах — распознавания ОКИСЛОВ, определения величины и ориентации кристаллов, измерения параметров решетки. Этот метод особенно пригоден для исследования толстых слоев окалины. Отделенная от металла и размолотая в порошок окалина может быть использована в качестве образца для рентгенографического исследования. Если образуются слои окислов различного состава, то часто их можно разделить и исследовать каждый в отдельности. Если окалина удерживается силами сцепления иа металле, то ренгеиогра-фическне исследования проводят методом скользящего луча (под малыми углами) и методом обратной съемки. Отделенные от металла пленки можно еще исследовать и методом порошка. [c.225]

Левеком [17]. экспериментально исследовалось излучение торможения от стронция-90 с активностью 18,4 0,4% мккюри источник представлял собой диск диаметром 8 мм с толщиной слоя 34 мг см . Излучение торможения получалось путем введения между источником и детектором мишеней со слоем в 1 г1см , что приблизительно соответствовало пробегу бета-лучей иттрия-90, энергия которых 2,18 Мэв. В процессе этой же работы изучались следующие факторы 1) вид спектра излучения торможения 2) выход рентгеновских лучей относительно падающих бета-лучей 3) определение общих коэффициентов поглощения рентгеновских лучей для железа и алюминия. Источник был положен непосредственно на мишень. В качестве, детектора брался кристалл Ыа размером 38,1 X 25,4 мм, алюминиевая оболочка которого имела толщину 172 мг см -. [c.26]

Не совпадают только данные для лантана. Лантан занимает особое положение на- границе между с - и f-переходными элементами, он не меет /-электронов. Все остальные халькогениды РЗМ, кроме лантана, являются сильными парамагнетиками. Их парамагнетизм связан с наличием электронов с нескомпенсированными спинами на внутренней недостроенной 4/-оболочке. То,, что эти соединения являются полиселенидами, подтверждается также их химическими и термическими свойствами. В работе [296] была подробно исследована кристаллическая структура полиселенида церия. Диселенид церия был взят как прототип для исследования структуры путем дифракции ренттен01вских лучей. Кристалл для исследования был получен из расплава селенида. Плавление велось в запаянной кварцевой ампуле при избытке селена во избежание разложения (Гпл=И50°К). Давление достигало 50 ат. В работе показано, что структура этого селенида типична структуре РегАз с параметрами решетки а=8,420 5-10- А, 6=4,210 5-10- А, [c.142]

Основное достоинство растровых электронных микроскопов состоит в том, что с их помошью можно очень быстро изучить большое число образцов, так как подготовка их весьма несложна, исследованию подвергаются практически обычные металлографические шлифы. Растровые электронные микроскопы, снабженные детектором возбуждаемого в образце рентгеновского излучения, используются для локального рентгеноспектрального количественного анализа микроучастков образца. Такие приборы иначе называют рентгеноспектральными м и к р о а н а л и 3 а т о р а м и или м и к р о з о н д я. м и. Характеристическое рентгеновское излучение, возбужденное в точке, на которую воздействует электронный зонд, попадает на кристалл-анализатор, разлагающий рентгеновское излучение в спектр. Из этого спектра можно выделить линии, характерные для заданного химического элемента. По интенсивности линий по отношению к эталонному образцу можно определить содержание данного элемента в исследуемом участке образца. Этот же сигнал, показывающий интенсивность линий характеристического спектра какого-либо элемента, можно направить в видеоблок и при сканировании электронного зонда по поверхности образца получить растровое изображение в рентгеновских лучах. При таком изображении яркость отдельных участков будет пропорциональна содержанию выбранного компонента сплава. 1Че-тод позволяет исследовать участок размером до 3— 5 мкм, чувствительность определения концентраций доходит до 0,1—0,5%. [c.54]

Р. к. т и п а Л а у э (рис. 5) [2, З] предназначена для изучения симметрии и ориентировки кристаллов (РКСО) в Р. к. этого тина чэ13то исследуют текстуры. Снимок получают на кассету, расположенную перпендикулярно первичному пучку за кристаллом (лау эграмма) или перед кристаллом (эпиграмма) по ходу луча. В камере возможны повороты кристалла на 360° относитель- [c.420]

АНИЗОТРОПИЯ, явление, выражающееся в зависимости физич. величин, выражающих определенное свойство твердого или жидкого тела от направления, вдо.11Ь к-рого эта величина (коэфициент теплопроводности, показатели преломления, прочность на разрыв и др.) измеряется. Тела, обладающие А., называются анизотропными в противоположность изотропным, в к-рых свойства по всем направлениям одинаковы. Анизотропная среда однородна (гомогенна) в том случае, когда зависимость физич. свойств от направления одинакова в различных точках среды. Для данного направления все физич. свойства однородного тела не зависят от положения элемента объема, длп к-рого онп исследуются. Однородная А. может быть обусловлена строением тела, наличием кристаллич. структуры или резко выраженной асимметрией его молекул, легко ориентирующихся под влиянием внешнего или собственного поля (жидкие кристаллы, кристаллич. жидкости). А. (например местная) возникает также в результате односторонних деформаций тела (возникновение неравномерно распределенных внутренних напряжений при растяжении, одностороннем сдавливании тел, закалке, вообще при разных видах механической обработки). Поверхностный слой всякого тела вызывает местную А., делая тело неоднородным вблизи поверхности раздела с окружающей средой. При этом А. поверхностного слоя выражается в том, что физич. свойства по тангенциальным направлениям (лежащим в поверхности) отличны от свойств в направлении, нормальном ij поверхностному слою. Тела м. б. анизотропны в отношении одних свойств (напр, оптических) и изотропны относительно других (напр, упругих). Кристаллы всех систем кроме кубической оптически анизотропны. В таких кристаллах по каждому направлению (за исключением направления. лучевых осей) идут два луча, оба поляризованных во взаимно перпендикулярных плоскостях. Оба эти луча распространяются в кристалле с разной скоростью. А. может быть исследована по характеру зависимости физич. свойств напр, тепловых или механических) в данной среде. В прозрачных телах для изучения А. удобнее исследовать оптич. свойства (напр, по отношению к поляризованному свету). Наиболее полным методом исследования является исследование структуры (рентгено- или электро-нографич. анализ), обусловливающей А. [c.388]

Начиная с XIX века, положение стало складываться в пользу волновой теории благодаря работам Юнга (1773—1829) и в особенности Френеля (1788—1827), систематически исследовавших явления интерференции и дифракции света. На основе волновых представлений была создана стройная теория этих явлений, выводы и предсказания которой полностью согласовывались с экспериментом. Объяснение прямолинейного распространения света содержалось в этой теории как частный случай. Были открыты и исследованы новые оптические явления поляризация света при отражении (Малюс, 1808) и преломлении (Малюс и Био, 1811), угол полной поляризации (Брюстер, 1815), интерференция поляризованных лучей (Френель и Aparo, 1816), количественные законы и теория отражения и преломления света (Френель, 1821), двойное преломление сжатым стеклом (Брюстер, 1815), двуосные кристаллы (Брюстер, 1815), законы и теория распространения света в двуосных кристаллах (Френель, 1821), вращение плоскости поляризации в кварце (Aparo, 1811) и жидкостях (Био, 1815 оба явления исследовались далее Био, Брюстером и др.). Юнг (1807) измерил на опыте длину световой волны. Оказалось, что волны красного света длиннее, чем синего и фиолетового. Тем самым в волновой теории было дано экспериментально обоснованное объяснение цветов света, которое связывало это явление с длиной световой волны. (Такое объяснение предлагалось еще Эйлером, но он не мог указать, длина каких волн больше — красных или синих.) Юнг (1817) высказал также мысль о поперечности световых волн. К такому же заключению независимо от него пришел Френель (1821) и обосновал это заключение путем исследования поляризации света и интерференции поляризованных лучей. Все эти факты и в особенности явления интерференции и дифракции света находили непринужденное объяснение в рамках волновой теории света. Корпускулярная теория не могла противопоставить ничего эквивалентного и к началу 30-х годов XIX века была оставлена. [c.27]

Терхьюн [52] исследовал параметрическое взаимодействие, приводящее к появлению излучения с частотой 2(йь— (соь —сои) = ( >ь + ( )v в тонких образцах различных кубических кристаллов и жидкостей. Фокусированный луч комбинационного лазера на бензоле содержал линейно поляризованный свет с частотами Мь и мь — со . с м /2яс = 992 см К Излучения со всеми другими частотами были отфильтрованы из луча. В пластинках, вырезанных из кубических кристаллов, свет распространялся вдоль оси [001]. Угол между осью [100] и направлением параллельных поляризаций излучений с частотами мь и ( >ь — сои обозначается через 0. При 0 = 45° интенсивность излучения с частотой соь + со оказывается другой, чем при 0 = О и 90°, что указывает на анизотропию тензора восприимчивости четвертого ранга в кубических кристаллах. [c.250]

Гораздо проще измерять относительную величину оптической нелинейности. В этом случае, во-первых, отпадает необходимость в абсолютном измерении мощностей взаимодействующих волн. Кроме того, такие измерения обычно не связаны с получением синхронного взаимодействия, и, следовательно, требования к качеству нелинейного кристалла существенно снижаются. Наконец, при относительных измерениях нет необходимости точно исследовать параметры основного излучения, поскольку то же самое излучение воздействует и на опорный образец. Метод измерений, о котором идет речь, был впервые использован Мейкером и соавт. [105] в 1962 г. в настоящее время он известен как техника полос Мейкера. Плоскопараллельная пластинка исследуемого кристалла ориентируется таким образом, чтобы измеряемый нелинейный коэффициент являлся основным в используемом взаимодействии. Например, для измерения коэффициента 36 = z3 y в кристалле KDP необходимо вырезать пластинку так, чтобы ось 2 кристалла лежала в плоскости ее входной грани, а нормаль к входной грани составляла угол 45° с осями хну. Тогда, если луч лазера, падающий нормально на входную грань пластинки, поляризован под углом 90° к оси z, компоненты поля и Еу равны. При этом генерируемая волна второй гармоники будет поляризована параллельно оси 2. Однако при, такой геометрии взаимодействие не будет синхронным и, следовательно, сигнал второй гармоники будет слабым. При повороте кристалла в плоскости, образованной падающим лучом и осью 2, мощность второй гармоники периодически меняется, поскольку при этом меняется эффективная длина взаимодействия и фазовая расстройка. Полученная зависимость мощности второй гармоники от угла поворота кристаллической пластинки представляет собой систему максимумов и минимумов и очень напоминает систему интерференционных полос, за что описанный метод и получил свое название. В действительности же появление таких полос обусловлено природой генерации второй гармоники при больших фазовых расстройках Ak. [c.106]

Если кристалл монодоменный, то его оптическое качество, как линейное, так и нелинейное, можно оценить с помощью описанного выше метода, обработав предварительно две грани кристалла, через которые будет входить луч лазера и выходить излучение второй гармоники. При этом для кристаллов ниобата лития обычно используется метод температурной перестройки. На фиг. 4.6 представлена зависимость температуры синхронизма для ГВГ в кристалле ниобата лития от состава расплава, из которого этот кристалл выращен. Видио, что температура синхронизма сильно зависит от состава расплава. Поэтому, если состав исследуемого кристалла неизвестен, то для нахождения его температуры синхронизма необходимо исследовать довольно большую область значений температур и может быть даже использовать более чем одну линию лазерного излучения. [c.113]

Общие вопросы теории упругости анизотропных сред рассмотрены в книгах [167, 179] и др. Распространение волн в таких средах применительно к кристаллоакустике и сейсмике освещено в монографиях [153, 215, 255]. О рзлеевских волнах в кристаллах различной симметрии см. [344, 495]. Различие направлений фазовой и групповой скоростей упругой волны и его следствия обсуждаются в [539]. О вычислении поля на луче в анизотропной среде см. [322]. В работах [296, 512] определена зависимость фазовой скорости от направления распространения волны в однородной среде со слабой анизотропией. Распространение ультразвуковых пучков в кристалле рассматривалось в [538]. Поверхностные волны в дискретнослоистом анизотропном упругом полупространстве со свободной границей исследованы в работах [340, 341]. [c.149]

Радиофизическую модель рассеяния рентгеновских лучей кристаллом можно осуществить с помощью объемной решетки из металлических вибраторов. Такую модель впервые построил и исследовал Н. А. Капцов в 1921 г. Он работал с затухающими эдектромагнитными волнами длиной около 3 см. [c.351]

Методика измерения спектров поглощения состоит в спектрофотометрическ. определении ослабления света для различных длин волн и вычислениях отсюда значения Е или к. Для жидких тел толщина поглощающего слоя задается расстоянием между плоскопараллельными пластинками, закрывающими сосуд, в к-рыи наливается жидкость, твердые же тела должны исследоваться в виде плоскопараллельных пластинок точно определенной толщины, причем в случае кристаллов д. б. известным положение светового луча по отношению к оптич. оси. Т.к. на практике измеряется всегда ослабление падающего на тело луча, то необходимо принимать во внимание ослабление света вследствие отражения. По ф-ле Френеля при перпендикулярном падении луча на плоскость раздела двух сред, относительный показатель прелом-. [ения к-рых равен п, эта отраженная часть г равна [c.312]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...