Щелочно-галоидные соединения

Рассмотренная интерпретация поведения теплового сопротивления подтверждается еще и результатами Бермана [5], которому удалось измерить теплопроводность кристалла LiF такой чистоты, что его тепловое сопротивление определялось целиком процессами переброса. У этого образца тепловое сопротивление экспоненциально зависело от температуры у других же кристаллов щелочно-галоидных соединений W T. [c.252]

Чисто электрический пробой имеет место, когда исключено влияние электропроводности и диэлектрических потерь, обусловливающих нагрев материала, а также отсутствует ионизация газовых включений. Для однородного поля и полной однородности структуры материала напряженность поля при электрическом пробое может служить мерой электрической прочности вещества. Такие условия уд -ется наблюдать для монокристаллов щелочно-галоидных соединений и некоторых органических полимеров. В этом случае достигает сотен мегавольт на метр и более. [c.67]

МЕХАНИЗМ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА ЧИСТЫМИ КРИСТАЛЛАМИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.8]

СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ ЧИСТЫХ КРИСТАЛЛОВ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.8]

Рис. 1, Спектральные кривые собственного поглощения чистых кристаллов щелочно-галоидных соединений [1—3].

ЭЛЕКТРОННЫЕ ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ В ЧИСТЫХ КРИСТАЛЛАХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.21]

Обзоры экспериментальных данных относительно центров окраски в кристаллах щелочно-галоидных соединений содержатся в ряде работ [2, 13, 14, 31, 32, 33, 34]. Здесь будут рассмотрены только наиболее существенные результаты, освещение которых может оказаться полезным для анализа явлений люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. [c.21]

Именно в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений, как уже упоминалось выше, впервые удалось не только выяснить физическую природу некоторых дефектов структуры, связанных с образованием локальных уровней захвата, но и создать [41 ] количественную теорию энергетического состояния электрона в области таких дефектов. Поэтому щелочно-галоидные фосфоры имеют несомненные преимущества по сравнению с другими люминофорами как объекты для исследования локальных уровней захвата электронов и структурных дефектов решетки, обусловливающих их возникновение. [c.46]

Рис. 18. Схема установки для выращивания монокристаллов щелочно-галоидных соединений.

Наличие примесей в кристаллах щелочно-галоидных соединений в указанных концентрациях может быть обнаружено оптическими методами, так как примеси вызывают появление в спектрах поглощения солей дополнительных максимумов, обычно расположенных [c.48]

Таким образом, указанные выше анализы приводят к выводу, что в выращенных нами кристаллах щелочно-галоидных соединений концентрация примесей, если таковые остаются после тщательной очистки, может быть в пределах 10 —10 г/г, т. е. ниже границы чувствительности спектрального анализа. С другой стороны, из отрицательного результата опытов по возбуждению фотолюминесценции, а также из сопоставления спектров свечения и других люминесцентных свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, не содержащих посторонних активаторов, с активированными щелочно-галоидными фосфорами следует, что их люминесценция не обусловлена какими-либо случайными загрязнениями, а является свойством чистого кристалла. [c.51]

Теплопроводность некоторых щелочно-галоидных соединени . [c.309]

К сожалению, ни в одной главе книги невозможно охватить все разнообразие и свойства голографических регистрирующих сред, применяемых или исследуемых в настоящее время во многих лабораториях у нас и за границей. В этом обзоре не упоминаются элек-трооптические приборы, сухое серебро, аморфные полупроводники, везикулярные пленки, диазотипные пленки, пленки со свободными радикалами и щелочно-галоидные соединения. [c.295]

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ФОТОХИМИЧЕСКИ ОКРАШЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СОЕДИНЕНИЙ [c.1]

Монокристаллы щелочно-галоидных соединений нашли в последние годы также важное практическое применение в сцинтил-ляционных счетчиках и спектрометрах, применяемых широко в экспериментальной ядерной физике, в электронно-лучевых преобразователях, в дозиметрии радиоактивных излучений и в других областях науки и техники. [c.5]

Первая глава представляет собой краткий обзор имеющихся литературных данных о механизме поглощения света чистыми кристаллами щелочно-галоидных соединений, о влиянии дефектов кристаллической структуры на спектры их собственного поглощения и о свойствах и структуре электронных и дырочных центров окраски в субстрактивно и аддитивно окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. [c.6]

Во второй главе описывеются применявшиеся нами способы очистки исходных материалов от посторонних примесей и методы контроля степени чистоты выращенных монокристаллов. В этой же главе рассматривается зависимость между световой суммой ультрафиолетовой люминесценции неактивированных фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений и концентрацией центров окраски, а также связь между спектрами поглощения центров окраски и спектральным распределением стимулирующего действия видимого света на ультрафиолетовое свечение. [c.6]

Четвертая глава посвящена механизму люминесценции чистых фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. [c.7]

Чистые кристаллы щелочно-галоидных соединений прозрачны в широком спектральном интервале, включающем всю видимую и близкую инфракрасную область, а также значительную часть ультрафиолетовой области спектра. Поглощение света щелочногалоидными соединениями начинается в сравнительно далекой ультрафиолетовой области, и их спектры поглощения, расположенные в основном ниже 2000А°, состоят из резких и сильных полос, в которых коэффициенты поглощения очень велики и достигают в максимумах величину порядка 10 —10 см .Поль и его сотрудники [1—2] с большой тщательностью измерили в ультрафиолетовой области вплоть до 1600А° поглощение щелочногалоидных соединений, полученных в виде тонких пленок сублимацией в вакууме. В более коротковолновой области спектры поглощения щелочно-галоидных соединений были исследованы Шнейдером и О Брайаном [3]. На рис. 1 приведены спектральные кривые поглощения для шести различных щелочно-галоидных соединений. Пунктирные участки кривых этого рисунка построены по данным Шнейдера и О Брайана. В таблице 1 приведены данные о положении максимумов отдельных полос поглощения. [c.8]

Число теоретических работ, посвященных исследованию экси-тонов в щелочно-галоидных кристаллах, тоже весьма ограниченно и в большинстве имеют полуэмпирический характер. Однако имеется ряд бесспорно установленных весьма существенных фактов, на основе которых можно сделать определенные выводы о л еха-низме собственного поглощения света щелочно-галоидными кристаллами. Исследования поглощения ряда щелочно-галоидных соединений, проведенные в последнее время при низких температурах при помощи приборов высокой разрешающей силы, позволили обнаружить значительно более сложную структуру в экси-тонной области поглощения по сравнению с той, которая была известна из ранних исследований. [c.12]

Анализируя круговой процесс нейтрализации двух разноименно заряженных ионов, Гиппель [27] уточняет уравнение для расчета энергетического баланса элементарного фотохимического процесса в кристаллах щелочно-галоидных соединений. В основу рассмотрения оптических явлений в кристаллах Гиппель кладет принцип, аналогичный принципу Франка-Кондона для молекул. Так же как в молекуле, где ядра во время электронного перехода не успевают сместиться из положения равновесия, в кристаллической решетке центры тяжести узлов решетки не успевают во время электронного перехода сместиться из положения равновесия. В случае изолированной молекулы этот факт быстрого перехода электрона означает, [c.18]

Относительно природы F-центров существовало несколько различных предположений. Одно из них было основано на идее Л. Д. Ландау [39] и Я. И. Френкеля [6] об автолокализации электрона в идеальном кристалле в результате деформации решетки полем самого электрона. Однако вычисления Маркгама и Зейтца [40] показывают, что локальные состояния, возникающие, например, в LiF вследствие самозахвата электронов, могут быть стабильными только при низких температурах порядка —200°С, а у других щелочно-галоидных соединений еще при более низких температурах. Но F-центры, как известно, обладают большой стабильностью при комнатной температуре. [c.23]

Другая гипотеза [2] была основана на экспериментально установленном факте наличия в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений стехиометрического избытка щелочного металла. Подробный анализ различных гипотез о природе f-центров содержится в монографии С. И. Пекара [41]. В настоящее время общепринята модель Де-Бура, согласно которой F-центр представляет собой электрон, локализованный в области вакантного узла решетки, в котором отсутствует ион галоида [14, 41]. Это предположение лучше всего согласуется со всей совокупностью имеющихся экспериментальных данных относительно центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Де-Буровская модель F-центра была более уточнена и впервые теоретически рассчитана в работах G. И. Пекара [41 ] на основе разработанной им теории поляронов, в основу которой была положена идея Л. Д. Ландау и др. об автолокализации электронов. Электрон, находясь в локальном состоянии, своим электрическим полем диэлектрически поляризует кристалл, а поляризованный [c.23]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

В связи с исследованием люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений, имея в виду указанные вьш1е соображения, автор еще в 1941 году пришел к выводу о том, что образующиеся в процессе фотохимического окрашивания положительные дырки также должны локализоваться подобно электронам в центрах окраски на некоторых уровнях захвата, обусловленных дефектами кристаллической структуры. [c.31]

Исследования автора, приведшие к выводам о наличии в чистых кристаллах щелочно-галоидных соединений уровней захвата положительных дырок, были выполнены еще в 1941 году, но смогли быть опубликованы лишь после войны [72, 73, 74], по причинам, указанным в работе [74]. Представление о дырочных центрах, возникающих вследствие локализации положительных дырок на дефектах структуры, было привлечено автором в качестве рабочей гипотезы для объяснения устойчивости окраски и явлений люминесценции в фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллах. При этом предполагалось, что дырочные уровни захвата расположены в запретной зоне и не связаны с какими-либо чужеродными примесями, а обусловлены дефектами структуры чистых реальных кристаллов. Поглощение света дырочными центрами связывалось с освобождением положительных дырок с уровней захвата и их последующей рекомбинацией с / -центрами. Впоследствии такой механизм обесцвечивания был подтвержден рядом экспериментальных исследований. [c.31]

Идея о локализации положительных дырок в процессе фотохимического окрашивания получила в последние годы весьма убедительное экспериментальное подтверждение открытием в спектрах поглощения фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов новых полос, так называемых V-полос поглощения, обусловленных положительными дырками, локализованными на дефектах кристаллической структуры. Начиная с 1949 года, этот новый вид поглощения окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений привлекает внимание ряда исследователей. Основ- [c.31]

В спектрах поглощения фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений наблюдается ряд полос, расположенных преимущественно в ультрафиолетовой области, следующей за основным поглощением в сторону длинных волн. [c.32]

Таким образом, имеющиеся экспериментальные данные о спектрах поглощения фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений позволяют разделить все центры поглощения (окраски) на две группы на электронные центры окраски, обусловленные локализованными электронами F, F, М, Ri, и Л/ -центры), и на дырочные центры, обусловленные локализованными положительными дырками (У1, V.2, Уз и другие подобные центры). При окрашивании щелочно-галоидных кристаллов излучением высокой энергии электронные и дырочные центры возникают одновременно. Оптическое и термическое обесцвечивание кристалла происходит лишь вследствие одновременной аннигиляции электронных и дырочных центров. Александер и Шнейдер [75] показали, что под действием сильного поля при одновременном облучении кристалла f-светом из фотохимически окрашенного кристалла могут быть выведены f-центры. Остающиеся в таком кристалле У-центры не могут более обесцвечиваться никаким светом. [c.35]

Глазнер и Томпкинс [1031, рассматривая закономерности в спектрах поглощения окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений, приводят иную интерпретацию как для а- и Р-по-лос, так и для ряда И-полос поглощения. Они полагают, что Р- [c.42]

Применявшиеся нами для исследования монокристаллы иа очищенных солей щелочно-галоидных соединений выращивались из расплава по методу Киропулоса. Во многих случаях эта методика применялась и для выращивания щелочно-галоидных фосфоров, активированных различными примесями. Однако в тех случаях, когда температура кипения активирующего соединения значительно ниже температуры кипения основания, получение активированных кристаллов методом Киропулоса весьма затруднительно или даже совершенно невозможно, так как активирующая примесь быстро улетучивается. [c.47]

Для выяснения роли центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений автором была исследована [73, 1201 зависимость световых сумм ультрафиолетовой люминесценции фотохимически окрашенных кристаллов Na l и КС1 от концентрации F-центров. Измерения были произведены при помощи счетчика фотонов. Из больших монокристаллов были выколоты образцы кубической формы объемом в 1 см . Окрашивание образцов производилось либо светом конденсированной А1-искры, либо рентгеновыми лучами при помощи технической трубки с вольфрамовым антикатодом при напряжении 60—80 kV и токе 4 мА. В том и другом,случае для образования равномерной окраски кристалл медленно вращался во время облучения при помощи специального механизма. [c.52]

Промер кривой поглощения F-центров позволяет на основе классической теории дисперсии вычислить число F-центров в единице объема. Смакула (35) впервые предложил формулу, описывающую ход кривой поглощения Р-центров в различных щелочно-галоидных соединениях [c.53]

Вспышка ультрафиолетовой люминесценции фотохимически ск- рашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений возникает под действием света, соответствующего по частоте f-полосам поглощения этих кристаллов [115, 116, 118, 119, 120, 123]. В случае слабо окрашенных кристаллов вспышка с убывающей интенсивностью наблюдается вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Наши измерения, проводившиеся сразу же после рентгенизации [c.54]

Даттон и Маурер [1341 исследовали изменение полос поглощения кристаллов щелочно-галоидных соединений в процессе их нагревания от температуры—183°С, при которой производилась рентгенизация, до комнатной температуры. Они также пришли к выводу о том, что выход свечения относительно центров окраски у рентгенизованных щелочно-галоидных кристаллов очень мал. По произведенной этими авторами грубой оненке выхода один квант люминесценции приходится на Ш —10 центров окраски. Следует, однако, иметь в виду, что нагревание в указанных опытах производилось только до комнатной температуры, а f-neHTpbi можно полностью высветить лишь при более высоких температурах нагрева. [c.56]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...