Кристаллы типа

Таблица 33.1. Электрооптические свойства кристаллов типа KDP и ADP

Таблица 33.3. Электрооптические свойства кристаллов типа АВ [2]

Кристалл Тип Длина волны Область пе- кпд, [c.957]

Вид периодической функции для х х) совпадает с функцией, используемой в выводе теоретической прочности по Френкелю. Однако существенное различие здесь в определении ф(л ), изменяющейся в пределах Ь/2. Этой функцией описывается взаимное смещение двух атомов, расположенных один против другого по разные стороны от плоскости скольжения в ядре дислокаций, т. е. эта функция описывает смещение атомов в ядре дислокации от участка плоскости скольжения, на котором скольжение произошло, к участку, на котором скольжение не произошло. Ширина этого перехода вдоль плоскости скольжения, в пределах которого смещения составляют i/4, т. е. 50% от общего, носит название ширины дислокации и служит мерой плавности этого перехода. Когда этот переход происходит в интервале (1—2) Ь, дислокация узкая, а когда интервал более 56, дислокация широкая. Широкие дислокации характерны для металлов, узкие — для ковалентных кристаллов типа алмаза с направленным характером связи. Для широких дислокаций характерно меньшее смещение атомов выше плоскости скольжения относительно положений атомов ниже этой плоскости, в связи с чем энергия несовпадения и величина энергии А.Е, расходуемая на преодоление сил связи в ядре дислокации, будут меньше. Поэтому подвижность дислокации возрастает с увеличением ее ширины. [c.62]

Исследование высокотемпературных частотных характеристик для защищенных кадмием кристаллов типа R-51/U до и после облучения показало смещение частоты +0,003%, причем при 180° С кристалл не генерировал колебания. Незащищенные кристаллы типа R-51/U показали ту же самую величину частотного сдвига, но нарушения их функций при высокой температуре не обнаружили. У кристаллов типа R-24/U наблюдали обратное поведение. У незащищенных кристаллов этого типа частота увеличивалась и даже выходила за допустимые пределы. У защищенного кадмием кристалла типа R-24/U частота уменьшалась, причем в допустимых пределах. [c.411]

Аналогичным образом изучали несколько низкочастотных кристаллов типа R-18/U. Как у защищенных, так и у незащищенных образцов наблюдали увеличение частоты, однако у незащищенных образцов это увеличение иногда происходило скачкообразно [20]. Явления такого типа не наблюдали ни в одной из более ранних работ. Предполагается, что это связано со структурными изменениями в кристаллическом образце, приводящими к появлению паразитных колебаний. Суммарное влияние кадмиевой защиты в настоящее время нельзя строго установить, поскольку механизм происходящих при этом явлений еще полностью не ясен, [c.411]

Коэффициент трения зависит также от структуры поверхности материала. На примере полиамидов установлено, что аморфная поверхность обладает меньшей твердостью и меньшим коэффициентом трения, чем поверхность с мелкокристаллической структурой с регулярным расположением кристаллов типа перлита такая структура получается в результате относительно медленного охлаждения расплавленного материала. Образец полиамида с аморфной структурой поверхности, подвергнутый термообработке в масле при температуре около 150° С, имеет твердость значительно большую, чем необработанный материал, а коэффициент трения-меньший на 10—20%.. [c.29]

Сплавы Си — А1 — N1 и Си — 2п — А1 имеют размеры кристаллитов порядка миллиметра, фактор упругой анизотропии зтих сплавов очень высок (13—15) — все это создает условия легкого возникновения концентрации напряжений на границах зерен. Несмотря на зто, сплавы Си — 2п — А1 характеризуются сравнительно высокой пластичностью, в них часто наблюдается транскристаллитное разрушение. Причина такого поведения заключается в различии кристаллических структур сплавов Си — А1 — Мт и Си — 2п — А1. Сплавы Си — А1 — N1, как указано в таблице, имеют кристаллическую структуру 00 , в то время как сплавы Си — 2п — А1 — структуру В2. Элементарная ячейка структуры ООз имеет постоянные решетки в два раза больше, чем элементарная ячейка структуры В2. Поэтому величина вектора Бюргерса сверхструктурной дислокации, движущейся в кристаллах типа Юз в два раза больше соответствующей величины в кристаллах В2. В связи с этим движение дислокаций в кристаллах со структурой типа 00 затруднено. Например, в сплавах Си — А1 — N1 скольжение дислокаций происходит при напряжении растяжения 600 МПа, в то время как в сплавах Си — 2п — А1 — 200 МПа. Таким образом, можно считать, что в сплавах Си — 2п — А1, в которых дислокации движутся легко, высокая пластичность обусловлена легкостью релаксации напряжений на границах зерен. [c.129]

По величине U и онр металлы с о. д. к. решеткой занимают промежуточное положение между ковалентными кристаллами типа алмаза и типичными металлами, а по V даже ближе к ковалентным кристаллам. Таким образом, направленные ковалентные связи, если они появляются, уменьшают пластичность, [c.33]

Кристалл Тип решетки Плоскость скольжения Направление скольжения Примечание [c.93]

Кристаллы типа алмаза 55, 56 [c.282]

Таблица 33.2. Электрооптические свойства кристаллов типа АВО3 [2]

Считая, что l Ho существен только для ближайших соседей, для энергии кристалла типа Na l получим [c.34]

Ионные кристаллы типа Na l неполярны, хотя каждая молекула Ка - СГобладает постоянным электрическим моментом. Это связано с тем, что в кристалле молекулы уложены антипараллельно и суммарный момент элементарной ячейки равен нулю, а молекулы не могут переориентироваться как диполь. [c.91]

Ионная поляршация-смещеияе друг относительно друга разноименно заряженных ионов в веществах с ионными связями. На рис. 4.3,6 показана поляризация элементарной ячейки ионного кристалла типа МаС1. Центры положительных и отрицательных зарядов д ионов ячейки, совпадающие до приложения электрического поля, под действием поля раздвигаются на некоторое расстояние х в результате смещения разноименно заряженных ионов в противоположных направлениях, вследствие чего элементарная ячейка приобретает индуцированный электрический момент Ри=Я - Ионная поляризация устанавливается также за малое, но все же большее, чем электронная поляризация, время - порядка с. [c.92]

Соединение типа X, имеющее общую формулу ВагМг" Ре2б04б можно получить при соотношении M W =1 1. Решетка этого феррита состоит из половины решеток М я W, которые наложены друг на друга в направлении оси с. Следовательно, в этом кристалле ионы Ва М" " , Fe и 0" расположены аналогично кристаллам типов М и W. [c.190]

Следовательно, хладноломкость ионных кристаллов типа ПаС1 обус- [c.22]

Фирмой Адмирал корпорейшн [20] ведется работа, которая ставит своей целью определение частотного сдвига при высокой температуре в кристаллах, находящихся в условиях облучения. Исследованы кристаллы типа R-24/U и R-51/U. Для определения возможности улучшения кристаллов в облученном состоянии часть образцов завернули в кадмиевую фольгу. Одна партия образцов находилась в рабочем состоянии, другая — в пассивном. Степень радиационного воздействия определяли по изменениям частотных характеристик при температуре 180° С. Кристаллы облучали интегральными потоками (0,40- 1,4)-10 нейтрон1см в расчете на нейтроны с энергией выше 0,5 Мэе. [c.411]

Имеются сведения о влиянии ядерных взрывов на обычные кристаллы, но эти сведения крайне ограниченны по сравнению с информацией об обратимых и послерадиационных эффектах. Влияние ядерных взрывов изучали на 142 стандартных кристаллах пяти различных типов, используемых в военной аппаратуре [22] (по 30 кристаллов каждого из четырех типов R-18/U, R-23/U, R-38/U, R-47/U и 22 кристалла типа R-37/U). Частоту и полное сопротивление измеряли до и после ядерных взрывов. Кристаллы, разделенные на три группы, располагались в различных местах в зоне у-излучения. В течение времени взрыва образцы каждой группы получили интегральную дозу у-облучения соответственно 8-10 , 6-10 и 4-10 эрг/г. Кроме регистрируемой компоненты излучения имелся некоторый поток нейтронов, однако уровень его был низок и не замерялся. Продолжительность взрыва не указывалась. [c.412]

Это прежде всего двойные соединения, которые кристаллизуются в тетраэдрально-координированные структуры кубического сфалерита и гексагонального вюрцита и, которые, являясь простейшими кристаллами, не имеют центра симметрии, а следовательно, потенциально обладают пьезоэлектрическими свойствами. К этой группе относятся полупроводниковые кристаллы типа А В такие, как Сс15, Сс15е, Хп5, ХпО и т. д. Помимо высоких пьезоэлектрических свойств данных монокристаллов, к их достоинствам следует отнести устойчивость к действию повышенных температур и достаточно хорошие диэлектрические [c.325]

В обычно применяемых кристаллах типа KDP полуволновое напряжение можно значительно снизить, охлаждая кристалл до тсмп-ры, близкой к точке Кюри Тц. Электрооптич. коэф. этих кристаллов г изменяется с понижением темп-ры по закону Кюри — Вейса г=а Т- Т ). Поэтому uxi, пропорционально (Г—Гк). Дополнит, преимуществом охлаждённого устройства является то, что при работе вблизи точки Кюри увеличивается до неск. часов время, в течение К рого сохраняется записанный на поверхности потенциальный рельеф. Охлаждение применяется н в пространств. М. с. с оптич. записью. [c.183]

Ионная П. (а ) в ионных кристаллах обусловлена упругим смещением в поле Е раавоинённых ионов из их положений равновесия в противоположных друг относительно друга направлениях. В простейшем случае ионных кристаллов типа Na l величина [c.73]

Свойства двух предельных типов систем отличаются количественно различны и механизмы сегнетоэлоктрич. фазовых переходов в них. Для кристаллов типа с,ме-щения характерно наличие в спектре колебаний крис-таллич. решётки мягкой моды — предельного оптич. колебания, частота к-рого соо сильно уменьшается при приближении к точке перехода неполярная — полярная фаза. [c.480]

Другой вариант прямопозитивного процесса использует СЧС с кристаллами типа ядро—оболочка , причём центры чувствительности формируют на ядрах до наращивания оболочек , а поверхность последних преднамеренно вуалируют обработкой в хим. восстановителе, т. е, серебрят. При экспонировании фотоэлектроны к поверхности кристалла не выходят, т. к. захватываются центрами чувствительности, а дырки (атомы Hal) выходят к поверхности и окисляют Ag до AgHaJ, При проявлении в нерастворяющем проявителе восстанавливаются лишь кристаллы, сохранившие Ag на поверхности (неэкспонированные, где генерации дырок не было), и не восстанавливаются экспонированные микрокристаллы в результате возникает позитивное изображение. [c.345]

Образование пор при растворении кристаллов избыточной фазы сопряжено с определенными трудностями. Помимо напряжений, возникающих в твердом растворе из-за наличия градиента концентраций и объемных изменений, на формирование пористости влияет нескомпенсирован-ность атомных потоков и механизм перехода атомов через межфазную поверхность. Избыточные вакансии, образующиеся при растворении включений, во многих случаях устраняются на границах зерен, дислокационных ступеньках или образуют призматические петли. Возникающее вблизи включений пересыщение вакансиями может оказаться достаточным для проявления свойств сверхпластичности и недостаточным для порообразования. Пористость, по-видимому, не формируется при растворении включений, сохраняющих когерентную связь с твердым раствором. Она, однако, легко возникает при растворении кристаллов типа графита, когда восстановление непосредственного контакта фаз возможно благодаря разрушению включений избыточной фазы. Аналогичная картина может наблюдаться и при растворении жидких включений. [c.99]

В ионных кристаллах атомы сильно отличаются по электроотрицательности. Наиболее яркий пример — щелочно-галоид-ные кристаллы типа Na l. [c.21]

Вид кривых деформации для усов различных ориентаций и при различных температурах различен. Ниже 1100—1300° С усы всех ориентаций разрушались хрупко. На рис. 163 показана диаграмма деформации нитевидного кристалла типа С (см. рис. 159) диаметром 5 мкм, испытанного при 1200° С. Диаграм-ма типична для хрупкого разрушения. Выше 1100—1300° С разрушение пластичное. На рис. 164 показана диаграмма деформации пластинки типа А (см. рис. 159) при растяжении при температуре 1600° С. Здесь видны зуб текучести и область легкого скольжения, соответствующая прохождению двух полос сдвига через кристалл. Следует отметить, что пластичное разрушение наблюдается только на усах типа Ау и Ла (см. рис. 159), так как только в них могут работать две системы скольжения сапфира — базисная и призматическая. В кристаллах С базисная плоскость перпендикулярна к оси действия нагрузки, поэто- [c.359]

Фиг. 7.6. Зависимость теплопроводности различных кристаллов типа алмаза при 300 К от масштабного параметра. (По Слеку [215].) Кристаллы A1N и BN плохого качества, так что рассчитаиные теплопровод, ности должны быть больше измеренных.

Удаление с поверхности нитевидных кристаллов типа FTH примесей, богатых кремнием, снил ает эффективность упрочнения обнаружено, что присутствие примесной фазы уменьшает как взаимодействие с матрицей, так и разрушение кристаллов в процессе изготовления и, кроме того, способствует уплотнению матрицы. [c.214]

Поккельса), представляет собой нелинейный кристалл типа KD P или нио-бата лития для видимого и ближнего ИК-Диапазо-на или теллурида кадмия для средней ИК-области. [c.287]

Кроме того, исследования показали, что существует четкая температурная зависимость величин удельных нагрузок, при которых только начинают появляться первые ямки травления в месте контакта. При одинаковых режимах нагружения плотность ямок травления максимальная на плоскости (ПО), несколько меньше на (100) и мини-мапьная на (111), что согласуется с литературными данными по анизотропии механических свойств Si. Плотность дислокаций при одинаковых режимах нагружения меньше на кристаллах р-типа, чем на кристаллах -типа. Протекание процесса микропластической деформации ниже порога хрупкости было подтверждено нами с помощью поляризационно-оптических исследований на инфракрасном микроскопе [541]. Трансмиссионная электронная микроскопия позволила окончательно доказать возможность пластической деформации Si во всем интервале температур от 5 50° С до температуры жидкого азота (рис. 102). Кристаллы после нагружения мягким уколом химически полировали только с одной стороны, обратной по отношению к поверхности нагружения, до толщины порядка 1000-5000 А. Как видно из рис. 102 дислокационные полупетли имеют сравнительно малую величину -от нескольких долей микрона (такие дислокационные полупетли целиком видны при просвечивании фольги, поскольку максимальная ее толщина порядка 1 мкм) до нескольких микрон. В последнем случае дислокации выходят за пределы нижней поверхности фольги, со стороны которой осуществляли химическую полировку. Представ яло интерес выяснить, применима [c.172]

Изложим теорию Борна, развитую применительно к ионным кристаллам типа Na l (рис. 6). Аналогичную структуру имеют [c.34]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...