Электронный зонд

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

В электронном микроскопе изображение поверхности во вторичных частицах создается благодаря развертке сфокусированного пучка электронов (зонда) по поверхности исследуемого образца. Пучок требуемого диаметра перемещается по образцу, разворачиваясь в р а с т р, представляющий собой совокупность близко расположенных параллельных линий, вдоль которых пучок обегает за период развертки выбранный [c.151]

Локальность анализа зависит от диаметра электронного зонда, плотности вещества (или от атомного номера) и предельной чувствительности прибора. При рентгеновском микроанализе объем анализируемой зоны объекта имеет размер несколько больший, чем диаметр электронного зонда. Этот эффект обусловлен рассеянием электронов в объекте, рентгеновской флюоресценцией под воздействием характеристического излучения и флюоресценцией иод воздействием излучения с непрерывным спектром. Влияние эффекта расширения анализируемой зоны значительно уменьшается при исследовании тонких фольг. [c.496]

В растровом ЭМ тонкий электронный зонд, проникающий через объект или отраженный от него, с помощью телевизионной развертки пробегает по всем элементам объекта. После взаимодействия с объектом электронный поток используется для модуляции электроннолучевой трубки. [c.599]

Развитие аналитических методов в электронной микроскопии. Современный электронный микроскоп все более становится аналитическим прибором благодаря разработке и применению различных приставок и прежде всего приставок для локального химического анализа. Наиболее распространена приставка для анализа характеристического спектра рентгеновских лучей, возникающих при взаимодействии быстрых электронов с исследуемым образцом. Трудности количественного определения содержания того или иного элемента связаны с необходимостью эталонирования экспериментальных спектров (для эталонирования необходимо точно знать толщину фольги, объемную долю исследуемой фазы и т. д.). В приборах новейших конструкций локальность определения химического состава, ограниченная размерами падающего на образец электронного пучка, достигает десятков ангстремов. Поэтому весьма перспективны растровые (сканирующие) электронные микроскопы просвечивающего типа, снабженные такой приставкой наличие интенсивного электронного зонда малого [c.61]

Композиционный контраст возникает при сканировании электронным зондом объектов с [c.67]

Поверхность образцов, исследуемых в РЭМ, должна быть чистой, так как неэлектропроводные окислы и разнообразные загрязнения под действием электронного зонда заряжаются. Перед исследованием в РЭМ образцы должны быть очищены с помощью различных растворителей в ультразвуковой камере в сочетании с осторожной механической очисткой. Иногда обычную механическую полировку при изготовлении шлифов заменяют электролитической или применяют в сочетании с ней, чтобы устранить искаженный поверхностный слой металла. [c.67]

При исследовании шлифов и изломов в РЭМ иногда полезно менять наклон образца по отношению к электронному зонду и детектору для усиления яркости и контраста изображения. Однако следует учитывать, что при этом искажаются истинные размеры наблюдаемого образца, особенно, если он обладает развитым рельефом. Поэтому полезно получать микрофотографии в РЭМ, ориентируя поверхность образца перпендикулярно электронному зонду и наклоняя ее в сторону детектора. Изменение контраста изображения и тенен при вращении образца вокруг нормали к поверхности также облегчает понимание особенностей рельефа. [c.68]

Сигналы с детекторов излучения через усилители подаются на амплитудные анализаторы импульсов и регистрируются интенсиметра-ми, пересчетными схемами или печатающим устройством типа телетайп (анализ по точкам). Выходной сигнал с интенсиметра может быть подан на самопишущий потенциометр, и при непрерывном перемещении образца под электронным зондом на диаграммной ленте самописца получают кривые распределения определяемых элементов вдоль выбранной прямой, В приборах также имеется возможность сканировать электронный луч в двух взаимно [c.144]

Локальная чувствительность — абсолютная массовая чувствительность, отнесенная к единичному определению в микрообъеме и выраженная в граммах, — может быть оценена для каждого отдельного случая в зависимости от локальности, чувствительности и анализируемого вещества. Например, для вещества с плотностью 10 г/см при чувствительности 0,05 % и диаметре электронного зонда 1 мкм объем зоны возбуждения равен 8 мкм и локальная чувствительность 4Х ХЮ- 4 г. [c.146]

Рис. 6.2. Область возбуждения рентгеновских лучей а — эффект матрицы б — эффект включения 1 — электронный зонд 2 — включение 3 — область возбуждения

Рис. 23. Изменение интенсивности рентгеновского излучения W, Ni, Сг при перемещении электронного зонда поперек границы раздела между вольфрамовой проволокой и нихромом (80% Ni—20% Сг) в композиции, полученной вакуумной пропиткой [33]

Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны, что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения информации о поверхности регистрируют энергию и пространственное распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны, В энергетическом спектре вторичных электронов, испускаемых вследствие облучения поверхности пучком первичных электронов (рис, 6,3), условно можно выделить три основные зоны. [c.151]

Другим распространенным методом анализа состава материалов является рентгено-спектральный микроанализ (РСМА). В РСМА веществ регистрируют характеристическое рентгеновское излучение из зоны торможения электронов зонда в твердой мишени. РСМА часто применяется вместе с РЭМ на одном приборе, в виде специальной приставки - микроанализатора. [c.156]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки. [c.28]

После охлаждения образцы по грани 8 х 35 мм шлифовали, исследовали их структуру на металлографическом микроскопе МИМ-8М и по методу Глаголева определяли объемное содержание связующего сплава по длине образцов. Распределение меди и кобальта по длине образцов исследовали методом локального рентгеноспектрального анализа на установке Микроскан-5 . Облучение образцов проводили электронным зондом длиной 1000 и шириной 2 мкм. Это позволило замерять усредненную интенсивность рентгеновского излучения исследуемых элементов и избежать влияния структуры сплава (зернистости) на измерение интенсивностей. Пять участков измерения интенсивностей располагались на грани 8 X 35 жж по линии, перпендикулярной продольной оси грани, расстояние между этими линиями составляло 0,5 мм. В образцах, контактировавших с расплавом кобальта, количественное содержание связуюш,его металла находили также путем сравнения отношений интенсивностей кобальта и вольфрама (/ o//w) с отношением интенсивностей этих элементов в эталонах. Абсолютная ошибка определения содержания кобальта составляла 0,5 об. %. Разность результатов определения содержания связующего металла по методике Глаголева и путем измерения отношений интенсивностей не превышала 0,8 об.%. [c.95]

Л, мм электронным зондом обнаруже-но обеднение а-твердого раствора хромом, причем более за-Исходное 36,6 метное после старения под па- [c.106]

Рентгеновский микроанализ (локальный анализ) участков пробы 1—-3 мкм выполняют с помощью электронного зонда в микроанализаторе. Электронный зонд формируют с помощью электростатич. и магн. фокусировки до сечения диам. 1 мкм. Анализ осуществляют по рентг. излучению образца, к-рое разлагают в спектр с помощью рентг. спектрометра, В этой методе вводят поправки на Z определяемого элемента, поглощение его излучения в пробе и его флуоресценцию, возбуждаемую тормозной компонентой излучения и характеристич. излучениями др. элементов в пробе. Микроанализ применяют при исследованиях взаимной диффузии 2- и 3-компонентных систем, процессов кристаллизации, локальных флуктуациях состава сплавов и т. д. [c.379]

Состав объектов исследуется методами микродифракции, т. е. электронографии локальных участков объекта, методами рентг. и катодолюминесцентного локального спектрального микроанализа (см. Рентгеноспектральный анализ) регистрируются рентг, излучение на характеристических частотах или катодолюминесценция, возникающие при бомбардировке образца сфокусированным пучком электронов (диаметр электронного зонда менее [c.551]

На РЭМ, оснащённом рентг. спектрометрами, производя- локальный количеств, анализ регистрируют число импульсов, возбуждаемых рентг. квантами от участка, на к-ром остановлен электронный зонд. Кристаллич. спектрометр с помощью набора кристаллов-анализаторов с разд. межплоскостными расстояниями (см. Брэгга—Вульфа условие) дискриминирует с высоким спектр, разрешением характеристич. спектр по длинам волн, перекрывая диапазон элементов от Be до U. Полупроводниковый спектрометр дискриминирует рентг. кванты по их энергиям и регистрирует одновременно все элементы от В (или С) до U. Его спектральное разрешение ниже, чем у кристаллич. спектрометра, но выше чувствительность. Имеются и др. преимущества быстрая выдача информации, простая конструкция, высокие эксплуатационные характеристики. [c.577]

Рвс. 6. Схема растрового оже-элекгронного микроскопа (РОЭМ) I—ионный насос 2—катод 3—трёхэлектродиая электростатическая линза 4 — многоканальный детектор 5 — апертурная диафрагма объектива 6—двухъярусная отклоняющая система для развёртки электронного зонда 7 — объектив 8 — наружный электрод цилиндрического зеркального анализатора 9—объект. [c.577]

ЮМ с автоэмиссиавной пушкой обладают высокой разрешающей способностью (до 2—3 нм). В автоэмисснон-ной пушке используется катод в форме острия, у вершины к-рого возникает сильное электрич. поле, вырывающее электроны из катода (автоэлектронная эмиссия). Электронная яркость пушки с автоэмиссионным катодом в 10 —10 раз выше яркости пушки с термокатодом. Соответственно увеличивается ток электронного зонда. Поэтому в РЭМ с автоэмиссионной пушкой осуществляют наряду с медленной быструю развёртку, а диаметр зонда уменьшают для повышения разрешающей способности. Однако автоэмиссионный катод работает устойчиво лишь при сверхвысоком вакууме (10 —10 Па), что усложняет конструкцию и эксплуатацию таких РЭМ, [c.577]

Рнс. 7. Принципиальная схема просвечивающего растрового электронного микроскопа (ПРЭМ) 1—автоэмиссионный катод 2—промежуточный анод 3 — анод 4 — диафрагма осветителя 5—магнитная линза 6—двухъярусная отклоняющая система для развёртки электронного зонда 7 — маг-нитвый объектив 8 — апертурная диафрагма объектива Ч — объект О—отклоняющая система 11 — кольцевой детектор рассеянных электронов 12 — детектор верассеянных электронов (удаляется при работе магнитного спектрометра) [c.577]

Растровый электронный. микроскоп (РЭМ) формирует изображение объекта при сканировании его поверхности электронным зондом. Это один и.з наиболее универсальных и перспективных приборов для исследования микрострук-турных характеристик мета.члов. По темпа.м развития и количеству моделей РЭМ опережает просвечивающие электронные микроскопы (ПЭМ). Число микрофотографий, выполненных на РЭМ, приблизилось к числу микрофотографий, полученных с помощью светового микроскопа (СМ), и значительно превосходит ПЭМ. По растровой электронной микроскопии имеется несколько монографий [1—5] и обзоров [б—9], елсегодно издаются труды конференций н семинаров [10—12]. [c.62]

В РЭМ поверхность исследуемого массивного образца облучается стабильным во времени тонко сфокусированным (диаметр до 5—10 нм) электронным зондом, совершающим возвратнопоступательное движение по линии или развертывающимся в растр (совокупность близко расположенных параллельных линий, вдоль ко-которых зонд обегает выбранный участок на поверхности образца). При взаимодействии зонда с веществом образца в каждой точке иоверхностп происходит ряд эффектов, которые регистрируются соответству ющнми датчиками (рис. 3.1). [c.62]

На принципиальной схеме РЭМ (рис. 3.3) можно выделить следующие основные системы электронно-оптическую 1—10, формирующую электронный зонд и обеспечиващую его скани- [c.64]

Внутри объективной линзы находятся две пары отклоняющих катушек 7, которые соединены с генератором 13, обеспечивающим синхронную развертку электронного зонда и луча ЭЛТ 1.8 в квадратный растр. Развертка осуществляется в двух взаимно перпендикулярных направлениях, число строк в кадре составляет 500—1000. Применяют быструю развертку (как в телевизионных системах) и медленную. В последнем случае ЭЛТ для визуального наблюдения должны обладать длительным послесвечением в отличие от ЭЛТ для фотографирования. Время сканирования изменяется от нескольких секунд (при визуальном наблюдении) до минут (при фотографировании). Стигматор 8 используют для коррекции астигматизма, вызванного асснмметрией магнитного поля линзы. [c.65]

Основное требование к образцу — соответствие его размеров размерам камеры образцов, чтобы его можно было передвигать по всем трем осям, вращать и наклонять по отношению к электронному зонду. Такое перемещение обес-нечивает обследование всех поверхностей образца, кроме той, которой он приклеен специальным токопроводящим клеем к предметному столику. После нанесения клея на образец его необходимо тщательно высушить. В непросохшем клее в вакууме образуются пузырьки, что загрязняет образец и колонну микроскопа. При исследовании изломов или шлифов кружных деталей последние приходится разрезать на части. При этом необходимо предохранить поверхности изломов от загрязнения, окисления и механических повреждений. [c.67]

Эффект каналирования основан на аномальной адсорбции электронов при определенных углах наклона электронного зонда к кристаллографическим плоскостям. При этом элехгтроны проникают глубоко в кристалл, проходя между рядами атомов (вдоль каналов ) выход вторичных электронов снижается и образуются темные линии. Используя различные углы наклона электронного зонда к поверхности образца, можно получить картины каналирования (псевдо-Кикучи линии) — сетку темных линий, пересекающих светлый фон в различных направлениях. Локальность метода состав.дяет [c.70]

На микрозонде М5/46 фирмы Сатеса количественный металлографический анализ проводят следующим образом. Электронный зонд совершает возвратно-поступательные перемещения по оси х одновременно образец линейно перемещается по оси у, в результате чего зонд на шлифе проходит пилообразную траекторию, пересекая встречающиеся по пути частицы. Концентрация фазы на площади сканирования определяется из отношения времени, в течение которого зонд находится на исследуемой фазе, к времени общего сканирования. Для этого используется генератор импульсов (60 Гц). При сканировании определяется общее число импульсов за время сканирования исследуемой площади на образце и число импульсов генератора за время, когда зонд находится на анализируемой фазе. Из сигнала от счетчика спектрометра дискриминатором выделяется лишь та часть, которая отвечает заданной интенсивности характеристического излучения, зависящей от концентрации элемента. Дискриминаторы трех каналов настраивают на разные уровни характеристического излучения одного элемента или на излучение различных элементов. Анализ ведется в режиме сканирования по площади с фоторегистрацией (изучение характера распределения) или с регистрацией на соответствующих пересчетных устройствах (получение Количественных характеристик). [c.149]

Рис. 14. Волокиа сапфира Тайко после термообработки при 1300 " С в течение 100 ч в водороде в контакте с никелевой матрицей а — поперечное сечение б — реплика с поверхности механически извлеченного волокна в — поверхность волокна (изображение получено с помощью электронного зонда в проходящих электронах) [22]

Все три метода обладают разной чувствительностью и различным пространственным разрешением как по поверхности, так и по глубине. Например, типичный размер электронного зонда д,тя метода ЕРМА составляет 0,01—0,10 мкм, а размер рентгеновского зонда для ES A- или XRF-анализа равен 0,1—0,5 см. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...