Подвижность электрона

Количество электричества, переносимого дырками или электронами, определяется не только концентрацией носителей, но и подвижностью электронов и дырок. [c.389]

Это среднее значение скорости в ускоренном движении получило название дрейфовой скорости (отношение /E=6 называют подвижностью электронов, размерность м2/(В-с)). Существование у всех электронов этой слагающей скорости с постоянным направлением выражается в том, что в направлении, обратном вектору, в металле происходит перемещение отрицательного заряда. При этом плотность тока можно вычислить, пользуясь выражением [c.193]

Она получила название подвижности электронов. В качестве единицы измерения подвижности обычно используют 1 см /(В-с). С учетом (7.121) для / и а имеем [c.243]

Однако в отличие от полупроводников во многих диэлектриках подвижность электронов и дырок чрезвычайно мала в сотни и даже в тысячи раз ниже, чем в полупроводниках. Столь низкие значения подвижности связаны с тем, что электроны находятся в этих веществах в связанном состоянии, образуя квазичастицы— поляроны. [c.273]

Коэффициент пропорциональности р. называется подвижностью электрона, и ее можно определить как дрейфовую скорость, приобретаемую в поле с единичной напряженностью. Для электронов подвижность отрицательна, а для [c.127]

Из равенства (4. 1) находим, что подвижность электрона есть [c.131]

Предположим, что температурная зависимость подвижности электронов и дырок одинакова [c.133]

Если ввести отношение подвижностей электрона и дырки, т. е. Ь = Цп/рр, то выражение для постоянной Холла в случае смешанной проводимости можно представить в виде [c.137]

Отсюда следует, что в области собственной проводимости знак постоянной Холла определяется только тем, что больше— подвижность электрона или дырки. Так, если Ь>1, т. е. Цп>Рр, то Ri<0. [c.137]

Рис. 22.4. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в Р-В [293]

Рис. 22.4. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> дрейфовой подвижности электронов в Р-В [293]

Рис. 22.5. Зависимость холловской подвижности электронов в поликристаллическом р-В от концентрации носителей [7, 14]

Рис. 22.5. Зависимость <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в поликристаллическом р-В от концентрации носителей [7, 14]

Рис. 22,6. Температурные зависимости подвижности электронов (а) и дырок (б) в алмазе [313]

Рис. 22,6. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> подвижности электронов (а) и дырок (б) в алмазе [313]

Рис. 22.11. Температурные зависимости подвижности электронов и дырок (а) и удельного сопротивления (б) в As. Характер зависимости и Цр.

Рис. 22.11. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> подвижности электронов и дырок (а) и <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> (б) в As. Характер зависимости и Цр.

Рис. 22.17. Температурные зависимости компонентов тензора подвижностей электронов (пунктирные линии) и дырок (сплошные линии) в Sb [29]. Концентрации электронов и дырок — 4-10 см нижняя шкала температур для верхняя — для

Рис. 22.17. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/462">компонентов тензора</a> подвижностей электронов (пунктирные линии) и дырок (<a href="/info/232485">сплошные линии</a>) в Sb [29]. <a href="/info/18045">Концентрации электронов</a> и дырок — 4-10 см нижняя <a href="/info/100413">шкала температур</a> для верхняя — для

Рис. 22.27. Температурная зависимость подвижности электронов в Si при различной концентрации доноров [64]

Рис. 22.27. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> подвижности электронов в Si при различной концентрации доноров [64]

Рис. 22.29. Зависимости подвижностей электронов и дырок в Si при 7 = 300 К от концентрации доноров [226]

Рис. 22.31. Зависимости времени жизни неосновных носи-Рис. 22.30. Зависимости подвижностей электронов и ды- гелей в ft-Si (а), p-Si (б), n-Ge (в) и p-Ge (г) от рок в Si при Г = 300 К от концентрации акцепторов концентрации основных носителей при Г = 300 К ГЮ,

Рис. 22.35. Температурная зависимость подвижности электронов и дырок в чистом Qe при постоянной концентрации носителей [711

Рис. 22.35. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> подвижности электронов и дырок в чистом Qe при постоянной концентрации носителей [711

Рис. 22.62. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в чистом и примесных кристаллах

Рис. 22.62. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в чистом и примесных кристаллах

Рнс. 22.67. Температурные зависимости коэффициента Холла (а), удельного сопротивления (6) и холловской подвижности электронов и дырок [c.481]

Рис. 22.106. Температурные зависимости коэффициента Холла (О) и холловской подвижности электронов ( ) в нелегированном кристалле dS [213]

Рис. 22.106. <a href="/info/422072">Температурные зависимости коэффициента</a> Холла (О) и <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов ( ) в нелегированном кристалле dS [213]

Рнс. 22.107. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в различных кристаллах dS [215] [c.496]

Рис. 22.124. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в Hgb [104]

Рис. 22.124. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> дрейфовой подвижности электронов в Hgb [104]

Рис. 22.135. Температурная зависимость холловской подвижности электронов для двух кристаллов GaN [253] кристаллы те же, что на рис. 22.134

Рис. 22.135. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов для двух кристаллов GaN [253] кристаллы те же, что на рис. 22.134

Рис. 22.136. Температурные зависимости холловской подвижности электронов в различных кристаллах GaP [256]

Рис. 22.136. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в различных кристаллах GaP [256]

Электропроводность а пропорциональна подвижностям электронов и дырок, которые в свою очередь пропорциональны временам релаксации Те и та для электрон-фононных и дырочнофононных взаимодействий соответственно. Поэтому [c.197]

Так как подвижность электрона в кристалле мала, то длительность таких возбужденных состояний может быть весьма значительна. Фосфоресценция этого типа характеризуется обычно очень значительным затягиванием, наблюдение которого легко осуществить без всякого фосфороскопа. Повышение температуры нередко значительно сокращает это время, что можно объяснить повышением подвижности электронов. Указанные чистые типы люминесценции представляют крайние случаи, между которыми возможны различные переходы. В частности, наблюдалось, что при повышении вязкости среды (например, путем прибавления к раствору желатина) можно удлинить процессы высвечивания, как бы переводя кратковременное свечение в длительное. Однако здесь нет места такому непрерывному переходу, и при повышении ц зкo ти наряду с кратковременной люминесценцией развивается и вторая, более длительная. [c.760]

В записи выражения (4. 40) уро>вень Ферми проходит приблизительно посередине запрещенной зоны, при этом предполагается, что доминирз ющим является рассеяние носителей заряда на акустических колебаниях решетки, т. е. г = 0. Измерение только полярности термо-эдс в области собственной проводимости уже позволяет определить, величина Ь = рп/цр больше или меньше единицы. А снятие температурной зависимости термо-эдс в собственной области (при известной ширине запрещенной зоны АЕ) позволяет получить оценку отношения подвижностей электрона и дырки (см. формулу (4.40)). [c.142]

Подвижность заряженных частиц К определяется соотношением K=w/E, где W—дрейфовая скорость заряженных частиц в электрическом поле напряженностью Е. При высокой напряженности электрического поля Е, когда функция распределения заряженных частиц отличается от максвелловской и их температура не имеет прямого физического смысла, соотношение (20.3) справедливо приближенно, с погрешностью 10—15%, если при этом под температурой заряженных частиц понимать величму, связанную с их средней энергией ё соотношением 8 = кТ. В плазме, основной механизм проводимости которой связан с движением электронов под действием электрического поля, подвижность электронов Ке связана с проводимостью плазмы а соотношением [c.430]

Основными характеристиками движения электронов в газе под действием электрического поля являются коэффициент поперечной диффузии D х и дрейфовая скорость электронов We. Однако поскольку коэффициент поперечной диффузии электронов в газе является функцией плотности частиц газа, в качестве справочных обычно используют значения и характеристической энергии электронов е, определяемой как отношение D к подвижности электронов Ке. Оба эти параметра являются однозначными функциями отношения напряженности электрического поля Е к плотности частиц газа Na. В табл. 20.1 приведены измеренные значения Se и We для некоторых газов при различных значениях отношения E/Na. В табл. 20.2 представлены значения коэффициента диффузии ионов Di при атмосферном давлении и нулевом электрическом поле. [c.432]

Рис. 22.44. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и холловской подвижности электронов (б) в sAu (пленочный образец толщиной 130 нм) 1811

Рис. 22.44. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> (а) и <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов (б) в sAu (пленочный образец толщиной 130 нм) 1811

Рис. 22.61. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в AgjTe [123]

Рис. 22.61. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в AgjTe [123]

Рис. 22.65. Температурная зависимость дрейфовой подвижности электронов в AgBr

Рис. 22.65. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> дрейфовой подвижности электронов в AgBr

Рис. 22.72. Температурные зависимости удельного, сопротивления и коэффициента Холла --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также холловской подвижности электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.72. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> удельного, сопротивления и <a href="/info/16473">коэффициента Холла</a> --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.92. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в dsAsj [187]

Рис. 22.92. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в dsAsj [187]

Рис. 22.93. Зависимость подвижности электронов от их концентрации в dsAsj при 7 = 4,2 К ио данным различных авторов [204]

Рис. 22.109. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в dSe [138] концентрация доноров Ga. см- Н--1-10 (нелегироаанный образец) И — 1,4-Ю 2,9-10 кривая — расчет

Рис. 22.109. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в dSe [138] концентрация доноров Ga. см- Н--1-10 (нелегироаанный образец) И — 1,4-Ю 2,9-10 кривая — расчет

Рис. 22.114. Температурные зависимоети удельного сопротивления, подвижности электронов и их концентрации в пленке 3-HgS толщиной 11,5 мкм [222]

Рис. 22.114. Температурные зависимоети <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a>, подвижности электронов и их концентрации в пленке 3-HgS толщиной 11,5 мкм [222]

Рис. 22.117. Температурная зависимость подвижности электронов в HgSe [227]. Кристалл подвергался последовательным процессам отжига для получения различных электронных концентраций п, см , ири Г = 4,2 К

Рис. 22.117. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> подвижности электронов в HgSe [227]. Кристалл подвергался <a href="/info/194183">последовательным процессам</a> отжига для получения различных электронных концентраций п, см , ири Г = 4,2 К

Рис 22.120. Зависимость подвижности электронов в HgTe при Г = 4,2 К от их концентрации. Расчет без учета (пунктирная кривая )) и с учетом (сплошная кривая 2) экранирования заряженных центров за счет межзонных переходов [240] [c.499]

Рис. 22.121. Температурная зависимость подвижности электронов в HgTe. Расчет с учетом рассеяния электронов на заряженных центрах 1), полярных оптических (2), неполярных оптических (3) и акустических 4) фононах [244]

Рис. 22.121. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> подвижности электронов в HgTe. Расчет с учетом <a href="/info/13768">рассеяния электронов</a> на заряженных центрах 1), полярных оптических (2), неполярных оптических (3) и акустических 4) фононах [244]

Рис. 22.131. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в AlSb [250]

Рис. 22.131. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в AlSb [250]

Рис. 22.139. Температурная зависимость холловской подвижности электронов в GaAs линии — расчет без учета (-) и с учетом (---) рассеянии электронов на ионизированных примесях точки — данные разных работ [258]

Рис. 22.139. <a href="/info/191882">Температурная зависимость</a> <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов в GaAs линии — расчет без учета (-) и с учетом (---) <a href="/info/13768">рассеянии электронов</a> на ионизированных примесях точки — данные разных работ [258]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...