Кривые качания

В параллельной установке отклонение углов падения на второй кристалл от угла Брэгга (8.1) одинаково для всего спектра излучения, отраженного первым кристаллом, и, следовательно, отсутствует спектральное уширение кривой качания. Угловое распределение каждого спектрального компонента пучка, отраженного коллиматором, повторяет форму его дифракционного профиля, и кривая качания представляет корреляционную функцию дифракционных профилей обоих кристаллов, что следует учитывать при сравнении экспериментальных и расчетных данных. Если оба кристалла идентичны и имеют гауссовскую форму дифракционного профиля, то полуширина записанной кривой качания аа = 1,4и), а коэффициент отражения в максимуме — 0,7- т если же форма их дифракционного профиля подчиняется распределению арктангенса, то и [c.311]

В ряде публикаций [4, 17, 20, 23, 25—30, 35, 36, 38, 49] сравниваются относительные отражательные способности, реже — уровни фона и разрешающие способности (ширины кривых качания) кристаллов, испытанных в качестве диспергирующих элементов для определенного спектрального интервала. Обычно хотя бы для одного из сопоставляемых кристаллов среди работ, содержащих абсолютные результаты измерений, удается подобрать тот же кристалл, измеренный на такой же или близкой длине волны. Используя такой кристалл как реперный, можно оценить абсолютные отражения всей группы. К сожалению, во многих работах [25—28, 35, 36, 38] даже условия измерений оговариваются не полностью, что снижает надежность оценок. [c.313]

Кривизна поверхностей 1 170, 171 Кривые качания 1 269 — усталости 2 306, 311 Кристаллы-анализаторы 1 301 Кристаллическая структура i 188 [c.456]

Рис 7 7 Зависимости интенсивности дифракционного максимума 1 (а), ширины кривой качания р этого максимума (б) и изменения постоянной решетки Ас от экспозиции лазерного воздействия при плотности мощности 0 2 Вт/ом Х-0 44 мкм [48] [c.313]

Как видно из рис. 104, для монокристаллов Мо ориентаций 1 и 2 с увеличением числа циклов нагружения существенно изменяется характер кривых качания возрастает число пиков интенсивности и полуширина отдельных пиков, изменяется угловое расстояние между ними. [c.133]

Приведенный на рис. 104 характер изменения кривых качания свидетельствует о появлении новых субзерен и уменьшении их разориентировки относительно друг друга при общем возрастании величины X. На рис. 105 приведены характерные графики изменения величины АХ, равной приросту в процессе циклического нагружения усредненного общего углового интервала кривой качания, и величины р, равной усредненному значению полуширины пика, в зависимости от числа циклов нагружения для монокристаллов Мо ориентировки 1 и 2, испытанных и доведенных до разрушения при одинаковых значениях приведенных касательных напряжений (Та = 124 МПа), подсчитанных в соответствии с формулой (11.51), в первичной системе скольжения. Амплитуда осевых напряжений при этом составляла 330 МПа для монокристаллов ориентировки 1 и 260 МПа для монокристаллов ориентировки 2. [c.133]

Полосы равной толщины и кривые качания при дифракции электронов [c.194]

Структурные амплитуды из кривых качания [c.342]

Кривые качания 196, 205, 209, 342, 343 Критическая температура 377 Критическое напряжение 346, 347 [c.423]

Из (8.124) легко вычислить интегральную угловую ширину кривой качания [c.261]

АНАЛИЗ КРИВЫХ КАЧАНИЯ В ПОЛИКРИСТАЛЛАХ [c.269]

Кривые качания Синусоидальные, форма зубьев пилы [c.27]

Пусть на некотором участке шатунной кривой чертящая точка описывает дугу окружности с центром в D (рис. 127). Присоединим к четырехзвеннику двухповодковую группу EDF. Очевидно, что во время прохождения точки Е по этой дуге центр внутреннего шарнира D присоединенной двухповодковой группы остается неподвижным. Вместе с ним неподвижно и ведомое звено FDK- На рис. 127 изображен механизм Чебышева с остановкой. При указанных соотношениях длины звеньев продолжительность остановки приблизительно соответствует половине оборота кривошипа или времени полного качания звена FD. Относительные размеры этого механизма [c.112]

Особое значение имеют меры для устранения вредных влияний собственного движения судна. Когда судно идет по кривой или изменяет свою скорость, его гирокомпас, связанный (наподобие маятника) с горизонтальной плоскостью, подвергается действию возникающих сил инерции. Силы инерции оказывают давление на ось фигуры волчка и отклоняют ее в сторону, что должно вызвать ложные показания прибора. Можно показать, что собственное движение судна становится в этом отношении безвредным , если период свободных колебаний стрелки компаса около меридиана совпадает с периодом качаний математического маятника с длиной, равной радиусу Земли [c.206]

Исследования показали, что в условиях эксперимента алмазы, наряду с хрупким разрушением, подвергались пластической деформации. Пластическая деформация, фиксируемая рентгенографическими и оптическими методами, обнаруживалась только после обработок при температуре 1500—1600° К и выше. Степень деформации и общей дефектности кристалла после обработки были достаточно велики. Физическое уширение кривых качания, снятых на двухкристальном сп-ектрометре, после деформации обычно было равно 50—100", и в некоторых случаях — около 1000" (рис. 1). Пластическая деформация проходила крайне неоднородно по образцу, что выявлялось как на лауэграммах, так и кривых качания. Оценка плотности дислокаций, введенных деформацией, по [c.151]

Рис. 1. Кривые качания кристаллов алмаза до и после деформации а, б — съемка по Бреггу,— до деформации, 6 — после деформации (70 кбар, 2100 К) St г — съемка по Лауэ иа прямом Т) и дифрагированном (R) пучках tf — до деформации г — после деформации (70 кбар, 1600 К).

Исследования, проведенные с помощью рентгеновского двухкристального спектрометра, показали, что за 3 10 циклов нагружения происходит увеличение общей ширины кривых качания к [10] от 12... в исходном состоянии до 56.... При дальнейшем увеличении числа циклов скорость уширения кривых качания затухает. Аналогичный характер изменения х наблюдали и при низкочастотной усталости монокристаллов молибдена [11]. Интересно отметить, что при съемке эпиграмм заметного размытия или астеризма рефлексов не наблюдается. [c.165]

Рис. 5.38. Дифрактометрическая кривая качания образца полнкристаллнческой меди после деформации 6 %

Рис, 8.6. Рентгенооптическая схема двухкрИ стального спектрометра в параллельной установке для измерения дифракционных параметров монокристаллов (5 — источник С кристалл-коллиматор С — исследуемый кристалл Д — детектор стрелка указывает вращение исследуемого кристалла при записи кривой качания) [c.312]

При исследовании изменений структуры кристаллов проводились два типа экспериментов 1) измерение полуширины кривой качания дифракционного максимума, 2) получение рентгеновских топограмм. В обоих случаях применялся двукристальный спектрометр и использовалось Си а-излучение. В качестве образцов использовались пластинки чистого и легированного Fe (0,05 и 0,15 вес. % Fe) ниобата лития толщиной 120 и 190 мкм ( i = 5,l и 8,1 соответственно). Пластинки вырезались нормально к направлению [110], что позволяло получать топограммы кристаллов в рефлексах (006) и (110), имеющих большую интенсивность. Пластинки шлифовались, полировались и травились в смеси кислот HF и HNOs. [c.311]

Влияние воздействия света на кристаллы исследовалось следующим образом. Вначале до воздействия света записывались кривые качания и снимались рентгеновские топограммы. Затем кристаллы облучались. Для этого использовались Не—Ке-лазер с Х = 0,63 мкм, Не— d-ла-зер с Я = 0,44 мкм и ртутная лампа ДРШс—100. Во время воздействия света записывались интенсивность проходящих рентгеновских лучей и кривые качания. После воздействия света снимались рентгеновские топограммы на рефлексах (006) и (110). [c.311]

Использовался топографический метод Берга — Баррета при монохроматическом СгКа-излучении и дифрактометрический метод с построением кривых двойного отражения (кривых качания). Применение топографического метода позволяет исследовать структурные изменения (рельеф поверхности) в поверхностном слое по всей длине рабочей части образца, дифрактометрический метод дает возможность судить об разориентировках в локальных объемах кристалла. [c.131]

Если угол падения электронного луча меняется и регистрируется дифракционная интенсивность для получен1 я кривой качания, то отклонение от простой (sin л )/л -кривой кинематической теории будет наиболее заметным при почти точном выполнении условия Брэгга. Для w=0 или =0, интенсивность с возрастанием толщины будет синусоидально осциллировать, соглас-ноформуле (9.3), вместо того, чтобы непрерывно возрастать с как следует из (9.5). [c.196]

На практике, неудобно записывать кривую качания, поворачивая для этого тонкий совершенный кристалл в электронном пучке . Вместо этого можно использовать любой из двух методов. Так, например, можно наблюдать в электронном микроскопе светлопольные или темнопольные изображения равномерно изогнутой плоскопараллельной кристаллической пластинки. Для плоской падающей волны угол падения на плоскости решетки меняется при перемещении электронного пучка вдоль кристалла, как показано на фиг. 9.2. Интенсивность прошедшего и дифракционного пучков в любой точке выходной поверхности будет зависеть от ошибки возбуждения для плоскостей решетки в данной точке, и при постоянной кривизне кристалла ошибка возбуждения будет меняться вдоль кристалла почти линейно. Тогда, если в изображении участвуют дифракционные пучки, интенсивность в результирующем изображении будет меняться, согласно (9.4), как функция расстояния вдоль кристалла, эквивалентная изменению Прямые проходящие пучки дадут светлопольное изображение, которое в этом случае, если пренебречь поглощением, покажет изменение интенсивностей 1— / ( й). [c.197]

Во втором способе наблюдения кривых качания при дифракции на тонком плоскопараллельном кристалле используется метод дифракции в сходящемся пучке, впервые предложенный Косселем [c.199]

НОЙ структуры кристалла в поверхностных слоях [62 ]. Однако при прохождении через тонкие совершенные кристаллы корреляция экспериментальных наблюдений с теоретическими вычислениями может быть сделана с гораздо большей уверенностью. Крейтле и Мейер-Эмзен [264 ] получили кривые качаний для кристаллов кремния толщиной 1200 и 2700 А с использованием электронов при ускоряющем напряжении 71 кВ. Сравнивая их с теоретическими кривыми, полученными с учетом взаимодействий 6 или 18 систематических отражений, они вычислили значения структурных амплитуд для отражений (III) и (222) (5,16 и 0,1 В) в разумном согласии с результатами других методов. [c.343]

Наиболее широкие и точные определения структурных амплитуд сделаны с помощью дифракционного метода сходящегося пучка (гл. 9), который эквивалентен методу кривых качания с тем исключением, что вместо измерения дифракционных интенсивностей в виде функции угла поворота кристалла для параллельного падающего пучка здесь имеется набор углов падения падающего пучка, и соответствующее изменение интенсивности дифракционного пучка появляется, на профиле расширенных дифракционных пятен. Этот метод развили и применили к изучению структурных амплитуд кристаллов MgO Гудман и Лемпфул [165]. Дальнейшее изучение метода и оценку нескольких возможных источников ошибок провел Мак-Магон [299]. В этом методе использована небольшая область совершенного плоскопараллельного кристалла диаметром около 200 А. По-видимому, для большинства любых устойчивых кристаллов возможно найти подходящие области. Однако соединение MgO имеет то преимущество, что оно может давать совершенные плоскопараллельные неизогнутые кристаллы, не имеющие дефектов, видимых в электронном микроскопе, и с областями в несколько квадратных микрометров. [c.343]

Отметим, что попытка разделить рентгеновские эффекты, обусловленные разными факторами, предпринятая Гордоном и Авербахом [89], оказалась неудачной. Авторы [89] предложили гауссов закон распределения интенсивности для всех рассмотренных здесь факторе . При этом квадрат полуширины, измеренный методом двойного кристалла кривой качания, равен сумме квадратов полуширин, обусловленных следующими причинами естественным уширением отра-жепня от образца и анализирующих кристаллов уширением, вызванным наклоном и равномерным изгибом решетки уширением, связанным с локальными деформациями и размерами блоков когерентного рассеяния. Результаты работы [89] нельзя использовать, как в [90], для разделения различных факторов, влияющих па распределение интенсивности рассеянных рентгеновских лучей кристаллами, содержащими различные дислокационные структуры [45], [c.234]

Учение об эволютах впервые разработал выдающийся голландский механик, физик и математик XVII в. Христиан Гюйгенс (1629—1695) и применил его к исследованию циклоиды. Он установил таутохронность движения по циклоиде. Гюйгенсу принадлежит изобретение часов с циклоидальным маятником. Он доказал, что часы с обыкновенным маятником (круговым) не могут идти точно, и поставил перед собой задачу определить, по какой кривой должна двигаться точка, чтобы период ее колебаний не зависел от амплитуды (т. е. чтобы время качания не зависело от величины размаха). Такой таутохронной кривой оказалась циклоида. [c.333]

Точка М шатуна четырехзвенного шарнирного механизма ЕАВС описывает шатунную кривую а —а. Звено 3 входит во вращательные пары М и К со звеньями 2 ц 4. Звено 4 вращается вокруг неподвижной оси F. При указанных размерах механизма полному качанию звена 4 соответствует один оборот кривошипа 1. Участок траектории точки А кривошипа ], соответствующий обратному ходу звена 4, обозначен жирной линией. [c.357]

Точка М шатуна 2 шарнирного четырехзвенного механизма ЕАВС описывает симметричную шатунную кривую а —а с точкой самопересечения, совпадающей с точкой С. Звено 3 входит во вращательную пару М с шатуном 2 и во вращательную пару D со звеном 4, вращающимся вокруг неподвижной оси F. При указанных размерах звеньев механизма за один оборот кривошипа I звено 4 делает два полных качания (одно медленное и одно быстрое). [c.361]

Точка М звена 1 шарнирного четырехзвенного механизма ЕАВС описывает шатунную кривую а — ас точкой самопересечения, совпадающей с точкой С. Звено 3 входит во вращательные пары М и D со звеньями 2 и 4. Звено 4 совершает качательное движение вокруг неподвижной оси F. Звено 5 входит во вращательные пары G и Я со звеньями 4 и 6. Звено 6 жестко связано с маховиком Ь и вращается вокруг неподвижной оси К. При указанных размерах механизма полному качанию звена 2 соответствует один оборот звена 6. Маховик Ь обеспечивает вывод механизма из предельных положений, если ведущим звеном будет звено /. [c.366]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...