Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Структура тонкая

Если образец имеет тонкий поверхностный слой, отличающийся от основного металла по структуре и фазовому составу (например, при науглероживании и обезуглероживании, нанесении покрытий или химико-термической обработке), то используют косые шлифы, плоскость которых расположена под острым углом к поверхности образца. Такие шлифы позволяют более детально исследовать структуру тонкого поверхностного слоя, облегчают измерение его микротвердости или толщины.  [c.309]


Доменная структура тонких ферромагнитных пленок весьма специфична. Характер доменов и границ между ними существенно зависит от толщины пленки. При малой толщине из-за того, что размагничивающий фактор в плоскости пленки на много порядков меньше, чем в направлении нормали к ней, намагниченность располагается параллельно плоскости пленки. В этом случае образования доменов с противоположными направлениями намагничивания по толщине пленки не происходит. Доменная структура в этом случае может быть подобна изображенной на рис. 10.23. В плен-  [c.349]

Шлифовка отличается от других операций механической обработки более значительным нагревом поверхности, что приводит к изменению структуры тонкого поверхностного слоя. При нарушении режимов шлифования возникают прижоги, шлифовочные трещины, сколы и выкрашивания (рис. 7-16).  [c.142]

Структура тонких пленок металлов, нанесенных на неметаллы, зависит от температуры и скорости конденсации, физико-химических свойств подложки, последующей рекристаллизации 17]. При отжиге тонких пленок происходит их расчленение , обусловленное рекристаллизацией, взаимодействием пленки с подложкой, окислением пленки и т. д.  [c.23]

Рис. 6. Структура тонких пленок молибдена толщиной d — 500 кварц и отожженных при температуре 900 С (а) и 1150° С (б) (Х22 ООО). Рис. 6. Структура тонких пленок молибдена толщиной d — 500 кварц и отожженных при температуре 900 С (а) и 1150° С (б) (Х22 ООО).
Рис. 2. Схема структуры тонкого слоя масла в зазоре между поверхностями металла Рис. 2. <a href="/info/138309">Схема структуры тонкого</a> слоя масла в <a href="/info/448852">зазоре между</a> поверхностями металла
Методами Э. были определены мн. атомные структуры, уточнены и дополнены рентгеноструктурные данные для большого числа веществ, в т. ч. мн. цепных и циклич. углеводородов, в к-рых впервые были локализованы атомы водорода, нитридов переходных металлов (Fe. Сг, Ni. W), обширного класса оксидов Nb. V, Та с локализацией атомов N и О, а также 2- и 3-компонентных полупроводниковых соединений, глинистых минералов и слоистых структур. При помощи Э. исследуют и структуру дефектных кристаллов. В комплексе с электронной микроскопией Э. позволяет изучать фазовый состав и степень совершенства структуры тонких кристаллич. плёнок, используемых в разл. областях совр. техники. Для процессов эпитаксии существенным является контроль степени совершенства поверхности подложки до нанесения плёнок.  [c.585]


С помощью дифракционной электронной микроскопии установлено, что дислокационная структура тонких [<100 нм  [c.365]

При трении скольжения графит в чугуне оказывает двоякое действие. С одной стороны, являясь сам смазкой и впитывая смазку, он снижает коэффициент трения и повышает износостойкость чугуна. Поэтому чугун с мелкими выделениями пластинчатого графита, структурой тонкого сорбитообразного перлита и повышенной твердостью хорошо сопротивляется износу и часто применяется в качестве антифрикционного материала для подшипников скольжения.  [c.172]

Исследования структуры тонких фолы подтвердили, что в исходном и состаренном состоянии частицы а2-фазы присутствуют как в теле а-пластин, так и по а/р-границе. В процессе ТВО и последующей изотермической обработки упорядочение происходит только в первичной а-фазе, обеспечивая ее упрочнение, в то время как во вторичной а-фазе уровень упругих напряжений минимален. Это состояние обеспечивает удовлетворительную трещиностойкость, параметры которой не ухудшаются при длительных вьщержках в интервале температур эксплуатации.  [c.207]

Как показывают исследования, угольные отпечатки могут давать в наиболее благоприятных случаях очень высокую разрешающую способность — до 10 А. Такое разрешение получается в том случае, когда структура тонких деталей (величиной того же  [c.66]

Исследование тонких магнитных пленок. Параметры линии ФМР чувствительны к несовершенствам кристаллической структуры тонкого слоя ферромагнетика. Поэтому ФМР используют для контроля качества тонких эпитаксиальных магнитных пленок. В работах [13.28, 13.291 предложены методы сканирования пленок резонатором ФМР, что позволяет установить области дефектной кристаллической структуры.  [c.193]

Атмосферная коррозия луженой жести обусловлена пористой структурой тонких слоев полуды. Ржавление начинается в порах, хотя в условиях периодического смачивания и высыхания могут возникать эффективные пробки по месту этих несплошностей.  [c.152]

В последние годы исключительно широкое распространение получили оптические методы исследования различного рода физических явлений и процессов в прозрачных средах. К таким явлениям следует отнести образование скачков уплотнения в аэродинамических трубах при обтекании моделей сверхзвуковыми потоками газа, различные процессы теплообмена (свободная конвекция, термодиффузия, образование температурных полей вокруг нагретых тел и др.), деформацию фронта световой волны из-за неоднородности прозрачного исследуемого объекта, вариации показателя преломления (давления, плотности) вследствие каких-либо причин и т. д. Значительный интерес представляет определение параметров плазменных струй, а также изучение полей напряжений оптических моделей под действием приложенных к ним сил, исследование микрорельефа поверхности, структуры тонких пленок и другие вопросы.  [c.3]

Метод, основанный на изменении структуры тонкого поверхностного слоя самого полимера под действием хс лодной вакуумной плазмы, в случае ПВХ-пластиката вызывает процесс структурирования, при этом поверхност-  [c.443]

Дислокационная структура. Многочисленные результаты электронно-микроскопических исследований дислокационной структуры тонких фольг из образцов после СПД [1—3] показали, что характерным является отсутствие в СП материалах субструктуры даже после больших удлинений. Зерна, как правило, вообще свободны от дислокаций. Лишь в сплавах, содержащих дисперсные частицы вторых фаз, удается наблюдать отдельные дислокации (рис. 5,а, б), а согласно работам [1, 59, 64—67] —и единичные дислокационные стенки, число которых несколько увеличивается с повышением скорости деформации.  [c.28]

Структура тонких поверхностных слоев при нагружении трением характеризуется значительной плотностью дислокаций уже при малой степени деформаций. При трении в поверхностном слое достигаются значения плотности несовершенств кристаллической структуры на один-два порядка выше, чем при всех известных видах напряженного состояния при одинаковой степени остаточной деформации образуется множество практически не разрешающихся дислокационных сплетений. Дефекты концентрируются в плоскостях (111) в соответствии с тангенциальным нагружением поверхности.  [c.35]


Структура тонких поверхностных слоев металлов и сплавов прл нагружении трением характеризуется значительной плотностью несовершенств кристаллической решетки. При скольжении в поверхностном слое достигаются значения плотности дислокаций на один-два порядка выше, чем при известных видах напряженного состояния для той же степени остаточной деформации. Характеристики структуры поверхностных слоев при трении Определяются соотношением нормальной и тангенциальной составляющих нагрузок и свойствами граничного слоя смазки.  [c.51]

Электронномикроскопические исследования структуры тонких пленок сплавов показали, что гальванические осадки обладают  [c.25]

Значительное уменьшение контактного трения и однородность температурного поля заготовки повышают равномерность деформации. Разница в характере деформации особенно заметна при штамповке деталей с большим отношением площади поверхности к объему. Например, в структуре тонкого полотна заготовки из сплава ВТЗ-1, полученной штамповкой на кривошипном прессе  [c.23]

Плотность дислокаций определяют, также непосредственно изучая структуру тонких пленок металла на просвет в электронном микроскопе.  [c.28]

При электроискровом упрочнении поверхностный слой детали или инструмента приобретает высокую твердость, износостойкость, сопротивляемость коррозии и красностойкость. Из практики некоторых заводов известно, что износостойкость в результате электроискрового упрочнения повышается в 4— 5 раз, так как в структуре тонкого поверхностного слоя детали или инструмента под влиянием искровых разрядов, создающих очень высокую температуру, происходят сложные изменения, в результате которых изменяются свойства металла.  [c.212]

В 5.2 в наиболее простой форме получено предельное решение при отношении плотностей до и после скачка к— 0, что позволило исследовать распределение давления по телам различной формы и общую картину их обтекания. В этой главе исследуем структуру тонких ударных слоев на заостренных и притупленных телах. Для этого уточним решение путем учета следующих членов ряда в разложениях искомых функций по ка  [c.160]

При изучении зубьев тяжело нагруженных зубчатых передач из стали 18Х2Н4ВА наблюдали два вида белой зоны в виде однородной иетравящейся структуры (тонкие слои) и полосчатой белой зоны, в которой белые полосы перемежаются с более темными. Толщина белой зоны с полосатым или однородным белым строением 30—120 мкм. При рентгенографическом исследовании в участках Зелой зоны обнаружены линии аустенита, мартенсита, цементита и карбидов хрома СггзСа.  [c.23]

При яроизводственном конт роле глубины цементированного слоя имеют место выпады, вызванные неодинаковой концентрацией углерода на поверхности и нарушением структуры тонкого поверхностного слоя при шлифовании. Поэтому приходится изыскивать методы оценки соде ржания углерода на поверхности,  [c.122]

БИТНОГО скола при КР всех а-сплавов, а также некоторых р-спла-ВОВ в нейтральных водных растворах хорошо коррелирует с общим характером растрескивания, представленным на рис. 83. Однако в определенных условиях термообработки некоторые из р-сплавов разрушаются путем межкристаллитного растрескивания (рис. 87). Для такого растрескивания, по-видимому, необходимо наличие в видманштеттовой структуре тонких выделений а-фазы в матрице р-фазы. Такие разрушения наблюдали в следующих сплавах при термообработках [19, 105]  [c.379]

Применение бессажевых теплоизоляционных покрытий для металлических форм обеспечивает получение качественной структуры тонких элементов орнамента тонкостенных отливок.  [c.162]

Разл. модификации метода НПВО широко применяются для изучения поверхностных эл.-магн. волн, ад-сорбц. явлений, структуры тонких слоёв и т. п. Явления НПВО следует учитывать при передаче световых сигналов на большие расстояния с помощью световодов.  [c.247]

Метод Р, с, в. используется для исследования структуры ТОНКИХ приповерхностных слоёв монокристаллов, деформированных в результате выеш. воздействий (диффузии примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания плёнок разл, состава и т. д.). Этим методом изучают также структурное состояние примесных атомов в кристаллах и адсорбиров. слоёв на его Поверхности, определяют степень аиорфизации приповерхностных слоёв, измеряют разбухание кристал-лич. структуры, приводящее к сдвигу атомных плоскостей по сравнению с исходным положением на малые доли ангстрема.  [c.364]

Основанный на Т. э. метод монографии нашёл применение в физике твёрдого тела. Он используется в тех областях исследования, где дифракц, методы неэффективны изучение структуры тонких монокристаллич. плёнок, послойное исследование структуры кристалла вблизи его поверхности и измерение распределения дефектов и примесных атомов по глубине кристалла без разрушения образца, определение положения примесного атома в ячейке кристалла.  [c.66]

К параметрам режима УЗО, определяющим качество поверхностного слоя (рис. 64), т. е. структуру тонкого слоя, и, следовательно, эксплуатационные свойства, откосятся статическая сила Рст> амплитуда колебаний инструмента А и радиус г закругления (его рабочей части), частота колебаний f, эффективная масса инструмента М, продольная подача 5, число проходов I, скорость обрабатываемой детали о, ее диаметр й, исходная шероховатость На (,у., круговая частота и колебаний инструмента и др. При этом для процесса характерны высокая частота ультразвуковых колебаний (/ ж 2-10 Гц), незначительная амплитуда (А = 10- 20 мкм), небольшая статическая сила (Рст = = ЗО-ьЗОО Н), весьма малое время контакта инструмента с деталью (т = З-Ю" с), большое значение отношения тангенциальной силы к нормальной Pт/PN О>7), значительная колебательная скорость инструмента (П1 = 2я/Л 2-4-3 м/с), ускорение / = (2я/) А >  [c.286]


Перспективы. Для крупных поковок практически исключено упрочнение и холодной, и горячей пластической деформацией (термомеханической обработкой). Поэтому они не могут сравняться с проволокой, где волочением достигается в тонких сечениях прочность до 4500 МПа (для углеродистых сталей — при структуре тонкого перлита, а для безуглеро-дистых - за счет мартенситного превращения при деформации) [14].  [c.344]

Выявление дендритной сехчатой структуры, тонких трещин, а также зернистой структуры Углеродистая и легированная 15%-ный водный раствор персульфата аммония Погружают шлиф в нагретый до 75-90 С раствор, напет смывают каждые 3 мин струей воды. После многократного травления обрабатывают 5%-ным раствором азотной кислоты в течение 1-2 мин и слегка шлифуют тонкой шкуркой, снова травят в холодном растворе персульфата аммония того же состава, промывают и сушат  [c.215]

Нижняя граница давления определяется необходимостью воспроизведения тонких деталей рельефа. Для стали со структурой тонкого сорбита, например, достаточным оказалось 30 кГ1мм , по-выш ение давления до 40 кГ/мм- не приводит к выявлению новых деталей. Верхняя граница прилагаемого давления определяется прочностью и прежде всего твердостью изучаемого материала. Как правило, твердость материала должна быть выше 150 НВ. При исследовании материалов с меньшей твердостью могут появляться признаки деформации возникновение несоответствия картины на отпечатке оригиналу, появление линий скольжения и пр.  [c.80]

Как было показано, максимум сдвигающих напряжений при трении находится на некоторой глубине от поверхности, определяемой геометрией пятна фактического контакта, реологическими особенностями материала и коэффициентом трения. В частности, для коэффициента трения />0.2 максимальные сдвигающие напряжения расположены на контактной поверхности. Обсуждая возможность изменять трибологические свойства поверхностей за счет модификации структуры тонких поверхностных слоев, следует иметь в виду соотношение между толщиной модифицируемого слоя и глубиной действия максимальных сдвигающих напряжений, определяющих воз- можность пластической деформации и разрушения поверхностных слоев. В частности, при упрочняющей обработке тонких поверхностных слоев наибольшего эффекта следует ожидать при эксплуатации материалов в условиях больших значений коэффициента трения. По-видимому, именно с этим фактором можно связать отсутствие в ряде случаев эффекта ионной имплантации у материалов, предназначенных для работы в условиях трения качения, когда коэффищ1ент трения составляет порядка 10 . Приведенные в табл. 3.2 данные по изменению микротвердости ряда металлов и сплавов при ионной имплантации свидетельствуют, что наиболее интенсивное упрочнение характерно для мятериалов, скпонных к образованию высокопрочных соединений с легирующими ионами.  [c.92]

Степень шероховатости осадка оценивали визуальным осмотром при увеличении в 80 раз и с помощью профилограф-профилометра. Микроструктуру золотых осадков изучали на поперечных шлифах с помощью металлографического микроскопа МИМ-7. Структуру тонких золотых осадков, снятых с образцов из нержавеющей стали, изучали после электролитического травления на приборе Е]1 роУ1 з1 в электролите следующего состава, г/л 3—4 серебра металлического, 20 цианистого калия, 20 углекислого калия.  [c.94]

Различия в абляционной стойкости равноплотных УУКМ пытаются объяснить различием микроструктуры матриц. Методом дифракции электронов установлено, что структура тонких пироуглеродных покрытий определяется природой волокон. На вискозных волокнах почти во всех случаях, включая предварительно термообработанные углеродные волокна, покрытие получается изотропным. Если покрытые пироуглеродом волокна нагреть до 3100 К, то структура покрытия не меняется при условии, что сами волокна не были термообработаны до этой температуры. Если же перед осаждением пироуглерода волокна термообработать при 3100 К, затем покрыть пироуглеродом, а потом опять провести термообработку, то структура становится ориентированной. На предварительно термообработанных волокнах из полиакрил-нитрила пироуглеродное покрытие имеет анизотропную структуру. Покрытие имеет такую же структуру, когда волокна с изотропным покрытием подвергаются термообработке при 3100 К. На волокнах из пека покрытия при всех условиях имеют ярко выраженную анизотропную структуру, кроме тех случаев, когда осаждение пироуглерода осуществляется на пековые волокна, имеющие на поверхности кокс эпоксидной смолы (при осаждении пироуглерода на стержни из углеродных волокон, связанных эпоксидной смолой). В данном случае всегда образуется покрытие с изо-  [c.80]


Смотреть страницы где упоминается термин Структура тонкая : [c.103]    [c.381]    [c.205]    [c.412]    [c.348]    [c.268]    [c.143]    [c.23]    [c.131]    [c.227]    [c.211]   
Физические величины (1990) -- [ c.276 ]



ПОИСК



CH3F, фтористый метил тонкая структура основной полосы

CHN, синильная кислота тонкая структура ифракрасных поло

CHaO, формальдегид тонкая структура инфракрасных поло

GaH2, ацетилен тонкая структура инфракрасных полос

NHS аммиак тонкая структура

Аллена тонкая структура

Аномалии изменения механических свойств и тонкая структура железомарганцевых сплавов

Аномалии изменения свойств и тонкая структура

Влияние тонкой структуры пропускания отверстия на взаимную интенсивность

Д-структура спиновая тонкая

Дифракция света на бесконечно тонких структурах

Инфракрасные вращательно-колебательные спектры (см. также Тонкая структура

Исследование тонкой структуры линии Релея в кристаллах

Исследование тонкой структуры линии рассеянного света в жидкостях с большой объемной вязкостью и малой сдвиговой вязкостью

Козлов, Б. А. Лучавский. О влиянии термической обработки на тонкую кристаллическую структуру закаленной и отпущенной стали ШХ

Коэффициент деполяризации компонент тонкой структур

Л11- - ИГТД Тонкая структура резонансных линий—квадрупольные эффекты Тонкая структура, обусловленная диполь-дипольным взаимодействием

Лайнер, М. И. Цыпи н А. С. Б а й. Применение микродифракции для изучения структуры тонких окисных слоев на титане

Линейные молекулы тонкой структуры вращательно-колебательных полос

Линия тонкая структура

Липпи равной тонкая структура

М20, окись азота тонкая структура инфракрасной основной частоты

МАШИНЫ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЛЕНТ АМОРФНОЙ СТРУКТУРЫ Суконкин)

Механические испытания тонкой структуры

Микроскопия электронная просвечивающая изучение тонкой структуры

Наложение крыла линии Релея на область компонент тонкой структуры

Неполносимметричные комбинационные полосы тонкая структура

Определение отношения интегральных и максимальных интенсивностей в компонентах тонкой структуры

Отношение интенсивностей компонент тонкой структуры

П ашков П О., Рядинская И. М. Тонкая структура и прочность металлов при взрывном деформировании

Поляризация компонент тонкой структуры

Поляризованная люминесценция и тонкая структура экситонных уровней

Постоянная тонкой структуры

Продолжение поисков дисперсии скорости звука по тонкой структуре

Проявлеиве тонкой структуры спеклов при когерентной суперюзиции идентичных спекл-полей

Разностные частоты тонкая структура полос для линейных

Разрушение тонкой структуры благодаря движению

Рассеяние света тонкая, структура

С2Н4, этилен тонкая структура инфракрасных поло

С3Н4, метилацетилен тонкая структура инфракрасных полос

СН и С — D колебания тонкая структура инфракрасных полос

СН3Вг, метилбромид тонкая структура инфракрасных поло

СН40, метиловый спирт тонкая структура инфракрасных полос

СОа, углекислота тонкая структура инфракрасных поло

СвН<„ бензол тонкая структура инфракрасных поло

Свойства симметрии вращательных уровней.— Тонкая структура невырожденных электронно-колебательных состояний,— Тонкая структура в вырожденных электронно-колебательных состояниях Молекулы тина асимметричного волчка

Соотношение интенсивностей в компонентах тонкой структуры

Тонкая структура в жидкостях условия измерения

Тонкая структура в жидкостях условия контуры компонент

Тонкая структура в жидкостях условия ширина компонент

Тонкая структура в жидкостях, условия существования

Тонкая структура в жидкостях, условия существования данные

Тонкая структура в жидкостях, условия существования компонент

Тонкая структура в жидкостях, условия существования стеклах

Тонкая структура и ширина линии релеевского рассеяния света в газах

Тонкая структура комбинационных полос

Тонкая структура комбинационных полос асимметричных волчков

Тонкая структура комбинационных полос жидкостей и твердых тел

Тонкая структура комбинационных полос линейных молекул

Тонкая структура комбинационных полос симметричных волчков

Тонкая структура комбинационных полос сферических волчков

Тонкая структура линии рассеяния, классическая и релаксационные теории, распространения звука в маловязких жидкостях

Тонкая структура линии рассеянного света в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Тонкая структура линий водорода

Тонкая структура линий водорода ионизованного гелия

Тонкая структура мартенсита

Тонкая структура полосы 0,14,0—0,0,0 красной системы СН

Тонкая структура расщепление

Тонкая структура реальных кристаллов

Тонкая структура резонансных ei—квадрулольные эффекты Тонкая структура, обусловленная дшюль-дипольным взаимодействием

Тонкая структура рэлеевской линии рассеяния

Тонкая структура соотношение интенсивностей

Тонкая структура спектров

Тонкая структура уровней энергии атомов

Тонкая структура энергетических уровней атома водорода и сходных с ним ионов

Тонкая структура, схема

Уровни энергии бесспиновой частицы в кулоновском поле. Тонкая структура уровней энергии атома водорода. Состояния с отрицательной энергией Физические свойства вакуума

Установки и методы исследования тонкой структуры линии рассеянного света

Ширина компонент тонкой структуры линии Релея

Экспериментальное наблюдение тонкой структуры линии Релея в стеклах и жидкостях с большой вязкостью

Экспериментальные исследования поляризации, ширины и интенсивности компонент тонкой структуры линии Релея



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте