Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Микроскопия электронная растровая

Микроскопия электронная растровая  [c.349]

Микроскоп электронный растровый классификация 63 глубина фокуса 64 разрешение 64  [c.350]

В сравнении с просвечивающим электронным микроскопом использование растровых приборов дает ряд преимуществ. Во-первых, отпадает нужда в кропотливом и трудоемком изготовлении реплик и фольг, во-вторых, наиболее полно и достоверно фиксируется рельеф поверхности, в-третьих, исследованию доступна значительно большая площадь образца и, наконец, растровый микроскоп позволяет проводить изучения в непрерывном и широком интервале увеличений — от 20 и до 100 000 крат. К недостаткам растрового микроскопа можно отнести более низкую разрешающую способность в сравнении с разрешением, которое возможно на просвечивающем приборе.  [c.180]


Проблема создания и использования композиционных материалов, требующая детальных исследований деформационного и диффузионного взаимодействия составляющих, приводит к необходимости сочетания известных принципов тепловой микроскопии, например, растровой электронной микроскопии это может быть реализовано в виде приставок к сканирующему электронному микроскопу, позволяющих осуществлять одновременное тепловое воздействие (нагрев или охлаждение) и механическое нагружение образца.  [c.7]

Отметим, что обычные методы испытаний соединений для обнаружения водородной хрупкости непригодны. Испытания проводят путем создания в болтах напряжений, близких к пределу текучести, в течение не менее 48 ч. В случае поломок поверхность излома исследуют под электронно-растровым микроскопом.  [c.137]

Метод растровой электронной микроскопии Изображение в растровой электронной микроскопии (РЭМ) создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает непрерывно перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов. Растровая электронная микроскопия позволяет изучать непосредственно поверхность материалов и получать со сравнительно высоким разрешением как качественную, так и количественную информацию о химическом составе объекта во взаимосвязи с топографией поверхности.  [c.69]

Дифракция медленных электронов Растровая электронная микроскопия  [c.162]

Испытания на ползучесть проводили в условиях растягивающей нагрузки на плоских образцах с площадью поперечного сечения 10 мм при напряжении о = 4 МПа и температуре 328 К. Удлинение образцов измеряли с точностью 1 мкм. На полированную поверхность наносилась координатная сетка с квадратными ячейками. Наряду с определением характеристик ползучести (скорость установившейся ползучести — 6, деформация ползучести за время —б(, деформация до разрушения бр, время до разрушения— р) исследовали общую картину структурных изменений, распределение деформации по поликристаллу с количественной оценкой отдельных ее составляющих (внутризеренное скольжение, ЗГ — проскальзывание, фрагментация, экструзия и поворот зерен) на разных стадиях ползучести. Структурные исследования проводили методами оптической, интерференционной и электронной растровой микроскопии с прицельными наблюдениями и съемками.  [c.100]

В электронном растровом микроскопе объект (древесина, резец) ощупывается тонким электронным лучом с одновременным преобразованием результатов контакта в световое изображение на экране.  [c.99]

Хорошо видно существенное различие в микрогеометрии поверхности э гих покрытий. Детальное изучение микроструктуры напыленных на подложки слоев осуществлялось с помощью электронного растрового микроскопа на специально изготовленных шлифах. Типичный микроснимок алюминиевого покрытия, напыленного в режиме 1, приведен на рис. 4.2,а. На этом снимке отчетливо просматриваются форма деформированных частиц, их ориентация в слое и на контактной поверхности.  [c.192]


Металлографические исследования с применением электронного растрового микроскопа проведены в лаборатории французского филиала фирмы ТАРА (см. рис. 5.8).  [c.261]

Исследования оцинкованной поверхности с помощью электронного растрового микроскопа показали, что на ней образуется двуслойная пленка первичная пленка продуктов коррозии цинка и вторичная пленка, в образовании которой решающую роль играет применяемый ингибитор и кальций. Вплоть до конца двухлетних испытаний не происходило совмещения этих пленок и образование единой пленки. Основной защитный эффект обеспечивает вторичная пленка.  [c.75]

Одним из наиболее распространенных методов диагностики поверхности является растровая электронная микроскопия (РЭМ).  [c.151]

Микроструктуру покрытия и зоны контакта покрытие—подложка изучали с помощью растрового электронного микроскопа  [c.57]

Исследование покрытий визуальным, люминесцентным и микро-структурным методами не выявило в них дефектов. С помощью растрового электронного микроскопа обнаружены лишь у верхнего края пера небольшие участки поверхности, недостаточно обработанные микрошариками. Испытание образцов-свидетелей показало, что покрытие обладает хорошей адгезией к сплаву. Средний химический состав покрытия соответствовал заданному (мас.%) Со — 63, Сг — 23, А1 - 12.  [c.182]

Растровая (сканирующая) электронная микроскопия широко используется в исследованиях материалов с покрытиями. Современные микроскопы позволяют получать увеличение до 100 000 крат,  [c.179]

Особый интерес с точки зрения механизма формирования сферических частиц представляет анализ их структуры и состава [88-90]. Применение методов микро-рентгено-спектрального анализа на растровом электронном микроскопе показало, что частицы не имеют никаких особенностей по сравнению с основным материалом в виде избытков легирующих элементов. Измерение микротвердости частиц размером около 10 мкм покат зало, что она более чем в 1,5 раза выше, чем у основного материала. Последнее обусловлено процессом обкатки частиц и их упрочнением.  [c.156]

Рис. 3.24. Последовательность (а)—(г) состояний материала в вершине усталостной трещины при монотонном растяжении пластины в колонне растрового электронного микроскопа, и схема (д), (е) образования трещины по одной из полос скольжения в результате вращения объема металла перед вершиной трещины Рис. 3.24. Последовательность (а)—(г) <a href="/info/544247">состояний материала</a> в вершине <a href="/info/34437">усталостной трещины</a> при монотонном <a href="/info/143003">растяжении пластины</a> в колонне растрового электронного микроскопа, и схема (д), (е) <a href="/info/39537">образования трещины</a> по одной из <a href="/info/7023">полос скольжения</a> в результате вращения объема металла перед вершиной трещины
Устойчивое формирование усталостных бороздок по всему фронту трещины происходит после достижения шага около 45 нм (4,5-10 м или 0,045 мкм), что характерно для алюминиевых сплавов. В сталях могут быть обнаружены бороздки с шагом около 30 нм, в титановых сплавах устойчивое формирование бороздок имеет место после достижения их шага около 25 нм. Все указанные величины обнаружены с помощью методов высокоразрешающей просвечивающей и растровой электронной микроскопии. Они соответствуют нижней границе размеров мезоскопического масштабного уровня применительно к размерам субструктурных элементов и характеризуют определенный процесс нарушения сплошности материала в цикле приложения нагрузки и с этой точки зрения характеризуются определенным профилем или геометрией усталостной бороздки. Поскольку формирование усталостных бороздок происходит под действием двух полуциклов нагружения-растяжения (восходящая ветвь нагрузки) и снижения нагрузки, то форма профиля усталостной бороздки в значительной степени зависит от того, какой процесс доминирует в каждом из полуциклов [123, 132-134].  [c.164]

Механико-термнческая обработка (МТО) 284 Микрозонд 40 Микроскоп растровый 41 Микроскоп электронный 38  [c.645]

Исследовали монокристалл никеля ориентировки [149] (единичное скольжение) в форме образца с прямоугольным поперечным сечением 5 X 10 м.м и длиной рабочей части 10 мм. Кристалл содержал некоторые границы еубзерен. Испытания на усталость проводили в условиях симметричного растяжения — сжатия с постоянной амплитудой пластической деформации при комнатной температуре и частоте около 0,1 Гц. Для наблюдения дислокационной структуры использован 150-киловольтный ТЭМ. Фольги ориентировки (121) были приготовлены из внутренних слоев образца (см. рис. 4). Поверхностная структура наблюдалась с помощью оптической микроскопии или растровой электронной микроскопии (РЭМ).  [c.159]


Эпиквант 2 — иапример, система Кваитиыета 3 — сканирующая система 4 — монитор для контроля 5 — электронное сканирование 6 — дискриминатор 7 — логический элемент (счетчик, запоминающее устройство, счетное устройство, про-граммироваиие) 8 — получение и обработка сигнала 9 — выдача данных 10 — устройство для получения изображения (микроскоп, микрозонд, растровый электронный микроскоп) образец /2 — блок управления движением объекта 13 — механическая развертка  [c.186]

В предлагаемом читателю издании, в отличие от предыдущих, представлены такие новые и перспективные методы исследования, как количественный анализ структуры, диффузное рассеяние электронов, растровая электронная микроскопия, рентгеноспектральный анализ, Оже-элек-тронная спектроскопия, ядерный гамма-резонанс, радиоспектроскопия и др. справочник дополнен разделом о способах оценки параметров вязкости разрушения, живучести отдельно освещены такие важные специальные испытания, как оценка износостойкости, кавитационной стойкости.  [c.7]

Развитие электронной оптики и электронной микроскопии привело также к созданию отражательных, эмиссионных, растровых (электронных и рентгеновских) микроскопов, имеющих большие перспективы использования в исследовании металлов созданы новые приборы и методы металлофизического исследования, использующие электронную оптику и высококачественные электропитающие устройства электронных микроскопов рентгеноспектральные микроанализаторы, рентгеновские микроскопы, электронные анализаторы (для исследования потенциала кристаллической решетки), электронные зеркала (для исследования до-ме.нной структуры ферромагнетиков) и т. д.  [c.165]

Рис. 23. Электронография изломов. Х5000 а, 6 — вязкий (чашечный) излом в, г — хрупкпй (речной) излому а, в — снято в электронном микроскопе а, г — снято на растровом микроскопе Рис. 23. Электронография изломов. Х5000 а, 6 — вязкий (чашечный) излом в, г — хрупкпй (речной) излому а, в — снято в <a href="/info/1617">электронном микроскопе</a> а, г — снято на растровом микроскопе
Сказанное подтверждается электроннофрактографическими исследованиями реплик (рис. 23,а, в) или непосредственно с поверхности (рис. 23,6, г). Первое проводят на одном электронном микроскопе, а второе на сканирующем (растровом) электронном микроскопе.  [c.41]

Отметим, что для исследованных образцов из стали 15Х2МФА для реализации указанных условий образцы необходимо было деформировать в области пластической неустойчивости (после образования шейки). После деформирования из образцов изготавливали продольные шлифы, которые затем травили и просматривали на растровом электронном микроскопе. На рис. 2.17, а представлена микротрещина, обнаруженная в образце, продеформированном до о = 1766 МПа, а на  [c.88]

В связи с этггм получили п )именепие растровые электрон и ы е микроскопы, в которых изображение создается благодаря вторичной эмиссии электронов, излучаемых поверхностью, на которую падает HenpepbiBH(j перемещающийся по этой поверхности поток первичных электронов.  [c.13]

С использованием методов растровой электронной микроскопии, метода скользящего пучка рентгеновских лучей и измерения микротвердости исследованы процессы самоорганизации дислокационной и субаереиной структуры в приповерхностных слоях и внутренних объемах технически чистого рекристаллизованного Мо при статическом растяжении и влияние магнетроиного покрытия Мо-45, 8Re-0,017 на особенности протекания этих процессов вблизи поверхности. Исследования проводили на образцах, растянутых до деформаций, соответствующих пределу пропорциональности, нижнему пределу текучести н пределу прочности.  [c.185]

Приведены новейшие данные по оптической, световой, электронной, просвечивающей, растровой, дифракционной, фотоэмиссиоиной и автоионной микроскопии. Описан метод дифрактометрии в медленных электронах и при использовании электронов с высокими энергиями. Рассмотрен микроанализ с помощью электронного зонда, Оже-спектроскопии и др. Изложены сведения о сварных соединениях. С позиций металлографии классифицированы различные способы сварки, исследованы основные изменения структуры прн сварке с растрескиванием в твердом состоянии, прослежено влияние температурного поля на структурные изменения при различных способах сварки.  [c.28]

Изучением строения изломов и интерпретацией содержащейся в них информации занимается фрактография. Ценность фрактографии как источника информации о механизмах разрущения усиливается тем, что она позволяет однозначно определить источник разрушения. Разработка новых методов изучения поверхности твердых тел каждый раз способствовала развитию фрактографии. Бурный рост фрактогра-фических исследований связан с развитием растровой электронной микроскопии, которая сочетает уникальные возможности одновременного изучения морфологических особенностей рельефа поверхности трещины с разрешением порядка 1,5—2,0 нм, а также химического и кристаллографического микроанализа с разрешением порядка 1 мкм.  [c.187]

При систематическом исследовании с помощью растрового электронного микроскопа изломов материалов на основе переходных ОЦК-металлов, подвергнутых испытанию на одноосное растяжение в щи-роком интервале температур испытания и претерпевших хрупко-пластичный переход [951, установлено, что все кажущееся многообразие видов поверхностей разрушения может быть описано как результат действия весьма ограниченного числа механизмов разрушения, модифицированных влиянием структуры материала и температурно-скоростных условий нагружения. Следует выделить следующие механизмы разрущения скол, слияние пор, хрупкое межзеренное (межъячеистое) разрушение.  [c.187]


Приготовление образцов с покрытиями для просмотра в растровом микроскопе обычно не вызывает затруднений и может проводиться в соответствии с рекомендациями по подготовке металлических образцов [256]. Особое внимание следует обратить на предотвращение изменений рельефа (отслоение и выкрашивание покрытий) при механической подготовке объектов исследования. При изучении неэлектропроводных покрытий для отекания заряда, возникшего на поверхности при сканировании электронного пучка, на образец наносится проводящая пленка углерода или металла. В качестве объекта изучения могут применяться сравнительно крупные образцы —. до 70X20 мм в сечении (размеры должны соответствовать объекто-держателю).  [c.180]

Медленное деформирование материала может приводить к росту трещины не только по плоскостям скольжения, но также и по границам фрагментов Б условиях интенсивного наклепа материала и к потере когезивной прочности в субграницах. Такой вид разрушения сосуда под давлением был зарегистрирован в условиях эксплуатации. Трещина распространялась в сплаве 17Х4НЛ по границе раздела двухфазовой структуры между прослойками феррита (ферритная полосчатость) и мартенситной матрицей, В условиях двухосного растяжения под давлением и длительной выдержки под нагрузкой происходило вязкое отслаивание феррита по приграничным зонам. Трехточечный изгиб образцов в виде пластин, вырезанных из гидроагрегата вдоль образующей его цилиндрической части, показал, что при скорости деформации 0,1 мм/мин образцы имеют высокую пластичность с остаточной деформацией около 8 % в зоне разрушения. Рельеф излома имел полное подобие рельефу эксплуатационного излома. Это означало, что в условиях эксплуатации вязкость разрушения была реализована полностью, хотя на мезоскопическом масштабном уровне (0,1-10 мкм) разрушение было квазихрупким. Пластическая деформация материала была реализована за счет деформации зерен феррита с формированием неглубоких ямок в момент отслаивания феррита по границам мартенситных игл, что привело к столь значительному утонению стенок ямок, что их можно было выявить только при увеличении около 10,000 крат при разрешении растрового электронного микроскопа около 10 нм.  [c.92]

Детальное изучение состава частиц было проведено на Оже-спектрометре LAS-2000 (фирма Рибер , Франция) с коаксиальной электронной нушкой и анализатором электронов тина цилиндрическое зеркало с разрешением доли энергии спектра AWf/ Wf < 0,3 % при остаточном давлении (1,3-2,6) 10 МПа. Ток пучка электронов составлял около 5-10 А, энергия первичного пучка 3 кэВ, диаметр — несколько микрометров. Режим работы во вторичных электронах позволял в режиме работы типа растрового электронного микроскопа выбрать для исследования участок поверхности размером в несколько квадратных микрометров.  [c.157]


Смотреть страницы где упоминается термин Микроскопия электронная растровая : [c.208]    [c.457]    [c.457]    [c.153]    [c.294]    [c.186]    [c.20]    [c.103]    [c.151]    [c.169]    [c.152]    [c.157]    [c.65]    [c.127]    [c.159]   
Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий (1986) -- [ c.163 , c.165 ]

Металловедение и термическая обработка стали Т1 (1983) -- [ c.349 ]

Металловедение и термическая обработка стали Справочник Том1 Изд4 (1991) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Бланк Н. Б., Фомичева Н. А., Калинин В. М. Исследование структуры армированных полимерных материалов методом растровой электронной микроскопии

Метод просвечивающей растровой электронной микроскопии

Микроскоп

Микроскоп растровый

Микроскоп растровый электронный — Характеристики

Микроскоп электронный

Микроскоп электронный растровый

Микроскоп электронный растровый глубина фокуса

Микроскоп электронный растровый классификация

Микроскоп электронный растровый разрешение

Микроскоп электронный растровый электронные пушки

Микроскоп электронный растровый электронные пушки, характеристики

Микроскопия

Микроскопия микроскопы

Микроскопия электронная

Микроскопия электронная растровая изучение структуры

Микроскопия электронная растровая локальный анализ

Микроскопия электронная растровая перспективы развития

Электронный микроскоп, калибровка увеличения растровый



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте