Облученные кристаллы

I, изготовленный из рабочего вещества, помещается между двумя зеркалами. Зеркало 2 полностью отражает все падающие на него лучи, а зеркало 3 полупрозрачно. Для накачки энергии используется газоразрядная лампа 4, которая для большей эффективности облучения кристалла помещается вместе с ним внутрь отражающего кожуха 5, выполненного в виде эллиптического цилиндра. При размещении лампы и кристалла в фокусах эллипса создаются наилучшие условия равномерного освещения [c.121]

Точечные дефекты, возникающие при облучении кристаллов быстрыми частицами (нейтронами, протонами, электронами), а также осколками деления ядер и ускоренными ионами, получили название радиационных дефектов. В отличие от тепловых радиационные точечные дефекты термодинамически неравновесны, так что после прекращения облучения состояние кристалла не является стационарным. [c.94]

Одним из важнейших критериев пригодности материала для применения его в элементах конструкции является способность сохранять в рабочих условиях необходимый уровень механических свойств. Поэтому явлениям этого класса в табл. 2 уделено первое место. Механические свойства сильно подвержены воздействию облучения, так как механизмы движения дислокаций весьма чувствительны к дефектам кристаллической решетки, В облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать, кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с исходными дислокациями и другими несовершенствами структуры, еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, пары, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. Облучение, как правило, вызывает повышение пределов текучести и прочности, ускоряет ползучесть материалов, снижает ресурс пластичности, повышает критическую температуру перехода хрупко-вязкого разрушения. [c.11]

Известно, что пластическая деформация кристаллических тел является следствием движения дислокаций в определенных плоскостях. Кривая упрочнения в какой-то мере отражает интегральный характер зарождения и движения дислокаций, их взаимодействие с решеткой, между собой и другими структурными несовершенствами кристаллов. Одной из важных характеристик кривой упрочнения кристаллов является напряжение начала пластической деформации. Фактически оно соответствует стартовому напряжению дислокаций (Тз), зарождение и смещение которых представляет собой элементарный акт пластической деформации. Наиболее достоверными значениями можно считать данные непосредственных наблюдений начала движения дислокаций при нагружении и измерений критической амплитуды колебаний по методу определения внутреннего трения. В некоторых случаях эти величины совпадают со значением критических скалывающих напряжений (КСН), вычисленных по кривым растяжения как напряжение начала отклонения зависимости сг (б) от линейного закона в упругой области деформации. Самыми развитыми плоскостями и направлениями скольжения являются плотноупакованные, поэтому изменения сопротивления деформированию у облученных кристаллов прежде всего определяются количеством дефектов и полем напряжений в этих плоскостях. [c.55]

Таким образом, в облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с другими несовершенствами исходной структуры еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, поры, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. В табл. 6 приведена примерная классификация барьеров по степени взаимодействия с дислокациями. Видно, что скопления вакансий и атомы растворенного вещества с симметричными полями напряжений ведут себя, как сравнительно слабые барьеры для движения дислокаций. Дефекты с тетрагональными полями (атомы внедрения в ОЦК-ме-таллах, малые призматические петли, комплексы кластер — атом примеси) являются промежуточными барьерами по сопротивлению [c.62]

При облучении кристалл действует подобно призме, разлагающей световой пучок на цветовые составляющие (рис. 33). Волны разных длин отражаются под различными брэгговскими углами и распространяются каждая в своем направлении. Достаточно иметь кристалл известной структуры и расположить. его определенным образом, чтобы знать, на [c.77]

Облученные кристаллы 385 Образцовые средства поверки ТС 180 [c.492]

При облучении кристалла УЗК [648] в пластине Si должна возникать стоячая изгибная волна. Представляет интерес прежде всего тот факт, что после воздействия ультразвука внешний вид поверхности пластин Si существенно изменяется (ср. рис. 140, б и 140, в). Если до облучения пластины Si имеют чистую и ровную поверхность с хорошей отражательной способностью, то после облучения УЗК ее отражательная способность несколько меняется, поскольку поверхность пластины приобретает некоторую мелкозернистую структуру (см. рис. 140, в), внешне очень похожую на структуру, выявляемую в ряде случаев вблизи ребер призматического образца Si или Ge при его одноосном сжатии (сравните, например, рис. 140, в и рис. 117, д, б). Это обстоятельство наводит на мысль, что механизм появления такого рода структурного фона может быть аналогичен рассмотренному в п.7.1 и 7.2, т.е. в данном случае проявляется тот же механизм диф- [c.231]

Получить атом-вакансионные состояния в кристаллах можно различными путями легированием элементами, вызывающими кристалле сильные статические смещения приложением к кристаллу неоднородных полей (механических, тепловых, электрических) с большими градиентами облучением кристалла высокоэнергетическими пучками частиц. [c.8]

Существенно большие неоднородности коэффициента прелом-ления активных элементов возникают при их нагреве излучением источника накачки. Причиной служит выделение внутри активного элемента существенного количества тепла от источника накачки и то, что тепло отводится от разных частей кристаллов неравномерно. Тепло отводится только от внешней поверхности кристалла, непосредственно контактирующей с охлаждающей кристалл средой, например жидкостью. Поэтому граница кристалла холоднее его центральной части, вследствие чего возникают температурные градиенты и градиенты коэффициента преломления кристалла. В большинстве случаев лазерные кристаллы имеют цилиндрическую форму и тепло отводится от боковой поверхности цилиндрического тела (рис. 1.20). Возникающая обычно в таких случаях симметрия облучения кристалла светом накачки и отвода тепла обусловливает симметричное тепловое поле внутри кристалла, имеющее максимум температуры в центре кристалла и плавно спадающее к его краям. Симметричности теплового поля способствует также достаточно высокая теплопроводность кристаллов АИГ-Nd. [c.37]

Многофотонное поглощение было теоретически предсказано М. Гепперт-Майер в 1931 г., но экспериментально было обнаружено лишь в 1962 г. (Кайзер и Гаррет) при облучении кристалла СаГо, активированного европием, светом рубинового лазера. В последующих исследованиях многофотонное поглощение подробно изучалось в парах металлов, растворах органических красителей, полупроводниках, органических и неорганических кристаллах и в газах. [c.571]

Рассмотрим механизм возникновения радиационных дефектов при облучении кристаллов нейтральными и заряженными быстрыми частицами. Прохождение частиц через кристалл сопровождается сложными процессами, среди которых основными являютса следующие [c.95]

Исследователи из Ок-Риджской национальной лаборатории [20] измеряли параметры кристаллической решетки облученных кристаллов сапфира. Расширение по оси а составляло 0,3% и по оси с — 0,45% при потоке быстрых нейтронов 6 10 нейтрон/см при 30° С. Несмотря на то что произошло значительное изменение параметров решетки, рентгеновская дифракционная картина показала, что сохраняется высокая степень ее совершенства. Они также облучали окись алюминия, содержащую 0,15% Ь1гО, чтобы определить влияние заряженных частиц, образуюш,ихся по реакции Li (п, а)Н . Интегральный поток тепловых нейтронов 1,8 10 нейтрон/см дает 3 10 ядер гелия и трития в 1 см образца и приводит к такому же изменению размеров, которое наблюдается при облу- [c.149]

К наиболее распространенным комнонентам термисторов относится закись меди. Установлено [И], что Y-облучение монокристаллов закиси меди заметно не влияет на эффект Холла, электро- и фотопроводимость. Облучение осуществляли с помощью источника Со активностью 100 кюри при мощности дозы до 2,4-10 эрг1(г-сек). Более резкие изменения наблюдали в случае облучения кристаллов закиси меди быстрыми нейтронами, а через несколько дней после облучения интегральным потоком тепловых нейтронов нейтрон 1см был замечен переход характеристик от р- [c.362]

Характерной особенностью дефектной структуры облученных кристаллов являются хаотичность в расположении точечных и объемных барьеров и неоднородность создаваемых ими полей напряжений. Но нельзя считать распределение дефектов в кристаллах изотропным. На начальной стадии облучения кристаллов наблюдается сильная анизотропия в распределении радиационных дефектов и анизотропия влияния радиации на механические свойства в )азличных кристаллографических направлениях. О. А. Троицкий 151 на монокристаллах цинка обнаружил в плоскостях базиса более высокую скорость накопления радиационных дефектов и большее влияние радиации на сопротивление движению дислокаций в базисных плоскостях по сравнению с другими кристаллографическими плоскостями. В. К. Крицкая с сотрудниками [16] по изменению интегральных интенсивностей рентгеновских рефлексов обнаружила ориентационную зависимость в распределении радиационных дефектов в облученных электронами монокристаллах молибдена и как следствие — анизотропию величины эффекта повышения сопротивления деформированию в различных кристаллографических направлениях монокристаллов молибдена. [c.63]

Экспериментальные данные по радиационному упрочнению свидетельствуют о том, что ни одна из рассмотренных теорий и моделей не может однозначно объяснить все аспекты этого сложного явления. Структурные изменения и свойства облученных кристаллов существенно зависят от энергии, спектра частиц, интенсивности и интегрального потока частиц, температуры облуче- [c.70]

Так как при облучении можно получить сколь угодно высокие концентрации точечных дефектов, открывается возможность повышения эффекта упрочнения и сокращения цикла программного нагружения за счет сочетания радиационного воздействия с механическим нагружением. На ряде металлов была показана высокая эффективность упрочнения при программном нагружении облученных образцов [62—65]. Так, например, программное нагружение образцов никеля, меди, алюминия после облучения высокоэнергетичными электронами повышает предел текучести в несколько раз при сохранении ресурса пластичности металлов [65]. Облучение кристаллов фтористого лития в напряженном состоянии сопровождается существенным упрочнением и увеличением степени пластической деформации до разрушения [66]. [c.94]

Типы и концентрация устойчивых Р. д. определяются как условиями облучения, так и свойствами самих твёрдых тел. При этом для лёгких частиц и фотонов не слишком высоких анергий наиб, характерно образование устойчивых точечных дефектов (изолиров. вакансии или междоузельные атомы, дивакансии, комплексы компонентов пары Френкеля с примесными атомами и т. п.). При облучении нейтронами устойчивый кластер представляет собой дпваканспонное ядро, окружённое примесно-дефектными комплексами. При ионной бомбардировке плотность точечных дефектов в кластере больше, чем при нейтронной, и она тем выше, чем больше масса иона. При этом важную роль в формировании устойчивых кластеров играет процесс пространственного разделения вакансий п междоузельных атомов, предшествующий стадии квазихим. реакций. В силу этого устойчивые кластеры, возникающие при ионной бомбардировке, имеют более сложную структуру II состоят из вакансионных комплексов с разл. числом вакансий, примесно-дефектных комплексов, а также атомов внедрённой примеси. При облучении кристаллов тяжёлыми ионами устойчивые кластеры представляют собой локальные аморфные области. [c.204]

Схема твердотельного лазера приведена на рис. 4.26. Стержень /, изготовленный из рабочего вещества, помещается между двумя зеркалами. Зеркагю 2 полностью отражает все падающие на него лучи, а зеркало 3 полупрозрачно. Для накачки энергии используется газоразрядная лампа 4 которая для большей эффективности облучения кристалла помещается вместе с ним внутрь отражающего кожуха 5, выполненного в виде эллиптического цилиндра. При размещении лампы и кристалла в фокусах эллипса создаются наилучшие условия равномерного освещения кристалла. Питание лампы обычно осуществляется от специальной высоковольтной батареи конденсаторов б. [c.204]

Кроме того, принципиальная новизна полученных экспериментальных данных заключается также в том, что нами впервые получено доказательство возможности протекания низкотемпературной микропластичности не только при использовании традиционных контактных методов нагружения, но и при обычных видах деформирования, т.е. в условиях одноосного сжатия (п. 7.1, 7.2) и растяжения (п.7.4), а также в условиях облучения кристалла ультразвуком при 20° С (п.7.3). При этом микропластичность наблюдалась не только на макрообразцах, но и на нитевидных кристаллах, на которых действительно реализуется теоретическая прочность (а =780 кгс/мм ), но до ее проявления при напряжениях примерно на 1,5-2 порядка ниже (Jxeop на псевдоупругой стадии деформирования отчетливо наблюдается протекание процесса микропластичности [651, 652]. [c.248]

Уровень динамических смещений атомов в кристалле определя- тся заданной температурой. Поэтому варьировать его сдвиговую / стойчивость можно главным образом стат11ческими смегцеинями. возможны три принципиальных способа создания в кристалле ста- ических смещений легирование кристалла, наложение внешних [олей (механических, электромагнитных) и облучение кристалла [отоками частиц. [c.16]

Неоднородности показателя преломления также наблюдались при прохождении света с Л = 0,5147 мкм вдоль оси а монодоменного кристалла ВаТЮз [2]. Если рассматривать такой облученный кристалл с помощью поляризационного микроскопа, то область вблизи центра луча, [c.295]

Дефекты типа вакансий и внедренных атомов называются точечными. Точечные дефекты типа вакансий образуются в металлах в результате резкого охлаждения (закалки). Вакансии могут образовываться также в процессе пластической деформации, т. е. в процессе движения дислокаций. Кроме того, вакансии и атомы внедрения могут образовываться и в результате нейтронного облучения кристаллов. При этом упругое столкновение движущейся частицы с атомом облучаемого вещества смещает последний из равновесного положения в решетке, что и приводит к образованию межузельного атома и вакансии (френкелевской пары) [76. [c.26]

Для поддержания непрерывного режима работы модулятора при случайном смещении сигнального пучка, что актуально, например при включении модулятора в цепь обратной связи, существенно отношение времен где Гда — время распада решетки при прекращении лазерного облучения кристалла в данном месте. Так как для фоторефрактивных кристаллов обычно Гдэ/Гз 10 ( 2,l),i то ФРК-лазер действует как идеальный дефлектор свыше 99% рабочего времени. Самоюстировка является основным преимуществом описанной системы, доведенной до стадии технической разработки. [c.225]

Общее решение дифференциальных уравнений (8.9а) и (8.96) представляет полное описание процесса генерации второй гармоники при облучении кристалла когерентным монохроматическим лазерным излучением и учитывает возникающее ослабление основной волны. Рассмотрим случай малых коэффициентов преобразования, когда пространственной зависимостью амплитуды основной волны можно пренебречь и решение задачи сводится к интегрированию (8.96). Если амплитуда второй гармоники на входе в кристалл, т. е. при г = 0, исчезает, то уравнение (8.96) легко проинтегрировать, вводя новые переменные r = t — zlv2 и 2 = 2 [c.278]

Таким образом, имеющиеся экспериментальные данные о спектрах поглощения фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений позволяют разделить все центры поглощения (окраски) на две группы на электронные центры окраски, обусловленные локализованными электронами F, F, М, Ri, и Л/ -центры), и на дырочные центры, обусловленные локализованными положительными дырками (У1, V.2, Уз и другие подобные центры). При окрашивании щелочно-галоидных кристаллов излучением высокой энергии электронные и дырочные центры возникают одновременно. Оптическое и термическое обесцвечивание кристалла происходит лишь вследствие одновременной аннигиляции электронных и дырочных центров. Александер и Шнейдер [75] показали, что под действием сильного поля при одновременном облучении кристалла f-светом из фотохимически окрашенного кристалла могут быть выведены f-центры. Остающиеся в таком кристалле У-центры не могут более обесцвечиваться никаким светом. [c.35]

Облучение кристалла для возбуждения возможной флуоресценции, обусловленной известными примесями, производилось при помощи различных источников света (ртутная лампа, конденсировав-ная искра и дуга с электродами из различных металлов, водородная лампа) в зйвисимости от исследуемой спектральной области Выделение монохроматических пучков и отдельных линий производилось при помощи светосильного кварцевого монохроматора, спектрогрж и специальных светофильтров. В условиях опыта, обеспечивающих хорошее возбуждение кристаллов, содержащих специально введённые активирующие примеси, в случае хорошо очищенных щелочно-галоидных кристаллов никакого свечения не обнаруживается. [c.51]

Низкотемпературные пики свечения, возникающие в кристаллах щелочно-галоидных соединений, рентгенизованных при низкой температуре, весьма чувствительны к действию инфракрасного света. Облучение кристалла КС инфракрасным светом при низкой температуре вызывает резкое уменьшение интенсивности свечения в низкотемпературных пиках, расположенных в первом интервале температур (190 — 273°К) и совершенно не влияет на интенсивность свечения в пиках второго интервала (273 — [c.114]

Смотреть страницы где упоминается термин Облученные кристаллы : [c.966] [c.239] [c.40] [c.55] [c.66] [c.87] [c.240] [c.634] [c.65] [c.385] [c.385] [c.426] [c.233] [c.314] [c.324] [c.60] [c.33] [c.40] [c.60] [c.61] [c.103] [c.110]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...