Состояние системы запрещенное

Таблица включений. Первый этап синтеза систем управления по пути состоит в установлении функциональной связи между входными и выходными сигналами в виде таблицы состояний, в которой аргументами являются сигналы от конечных выключателей и элементов памяти, а функциями — сигналы к движению исполнительных органов и к включению и выключению памяти. Таблица состояний системы управления по пути с указанием рабочих, запрещенных и безразличных состояний для каждой функции называется таблицей включения, так как по ней устанавливается последовательность включения элементов системы. [c.533]

Несмотря на то что при наличии адиабатической перегородки связанная система может не достигать определенных состояний, не запрещенных в иных условиях , га кая перегородка не являет- [c.34]

Состояния системы, в которых выходной сигнал обязательно должен подаваться, являются для данного сигнала обязательными (или рабочими). Состояния, при которых нельзя подавать сигнал, — запрещенными, а состояния, в которых сигнал может подаваться или не подаваться, — безразличными (или условными). К условным состояниям, кроме того, относятся также неиспользуемые в системе состояния. [c.306]

На основании этого метода разработаны и отлажены программы упрощения булевых функций на ЭВМ Стрела и Минск для числа переменных п 30 и суммарного количества обязательных и запрещенных состояний системы до 1000. Разработанный метод удобен для использования его и без применения ЭВМ (для сравнительно небольшого числа переменных п 10). [c.312]

В основу предложенного метода упрощения выходных функций положен анализ всех заданных состояний (в виде обязательных и запрещенных состояний системы) по отношению к одному из них, которое названо основным. [c.312]

До сих пор мы обсуждали лишь флуктуационные электронные состояния неупорядоченной системы. Однако достаточно глубокие и широкие потенциальные ямы могут возникать не только из-за случайных флуктуаций силового поля, но и благодаря существованию вполне определенных, присущих данной системе дефектов (например, оборванных связей, примесных атомов или молекул и т.п.). В отсутствие случайного поля эти дефекты создавали бы дискретные энергетические уровни — узкие пики плотности состояний в запрещенной зоне. При наличии случайного поля эти пики "размываются", причем ширина их тем больше, чем больше амплитуда случайной компоненты силового поля — см. рис. 2.16,а,в. В сильно разупорядоченных системах какие-либо особенности на плавной функции р( ) могут вообще не наблюдаться — рис. 2.16,5. При высокой концентрации флуктуационных полей разделение электронных состояний на истинные (обусловленные конкретными дефектами) и флуктуационные становится нереальным из-за перекрывания кулоновских полей заряженных состояний. При более или менее равномерном пространственном распределении заряженных дефектов это произойдет, когда средние расстояния между ними станут меньше длины дебаевского экранирования. В этом случае флуктуационные поля приобретают кооперативные свойства изменение заряда одного состояния влечет за собой изменение всей системы зарядов хаотически распределенных дефектов. [c.116]

С беспорядком неизбежно появятся атомы без тетраэдрического окружения, и можно представить себе, что у них останутся пустые или болтающиеся связи, которые приводят к возникновению ловушек в запрещенной зоне. Весьма вероятно, что такие ошибки в расположении могут вызывать появление локализованных состояний в запрещенной зоне, отщепляющихся от валентной зоны. Энергии этих состояний будут зависеть от деталей локальной структуры, и поэтому эти. состояния будут распределены по всей запрещенной зоне, хотя в основном они буд сосредоточены по соседству с краями валентной зоны и зоны проводимости. Ясно, что состояния, которые ближе всех лежат к центру запрещенной зоны, должны быть наиболее локализованными те же состояния, которые лежат вблизи краев зоны, должны быть более протяженными. Можно ожидать, что при увеличении беспорядка в конечном счете возникнет система, подобная той, которая схематически показана на фиг. 109. [c.400]

Для синтеза избирательной (однотактной) системы управления следует составить таблицу состояний с указанием рабочих, запрещенных и безразличных состояний, исходные формулы включения и произвести их упрощение. Как и в предыдущем случае, построить функциональную схему управления. [c.200]

Пусть теперь энергия электрона соответствует одной из запрещенных зон неограниченного кристалла, т. е. k E) является комплексной величиной. Условие конечности волновой функции (7.115) в этом случае будет выполнено, если один нз коэффициентов А или Лг (в зависимости от знака мнимой части k) положить равным нулю. Тогда (7.117) и (7.118) превращаются в два линейных однородных уравнения с двумя неизвестными. Они имеют решение только при таком значении энергии, при котором определитель системы равен нулю. Все остальные значения Е запрещены. Таким образом, ограничение кристалла поверхностью приводит к тому, что в области энергии, соответствующей запрещенной зоне неограниченного кристалла, появляются разрешенные энергетические уровни. Эти состояния, локализованные вблизи поверхности, и получили название поверхностных уровней (состояний). Волновые функции, соответствующие поверхностным состояниям, экспоненциально затухают по мере удаления от поверхности. В области вакуума -ф-функция затухает монотонно, а в об-1G-221 24 f [c.241]

Рабочие, запрещенные и безразличные наборы значений двоичных аргументов. Рабочим набором значений двоичных аргументов (рабочим состоянием) для данной функции f называется такой набор, при котором значение функции обязательно должно быть равно единице (/=1). В системах управления рабочее состояние есть та комбинация входных сигналов, при которой должен появиться сигнал на данном выходе. Запрещенным набором значений двоичных аргументов (запрещенным состоянием) для данной функции / называется такой набор, при котором значение функции обязательно должно быть равно нулю () = 0). Все остальные наборы (состояния), кроме рабочих и запрещенных, называются безразличными. Появление сигналов от этих наборов не влияет на действие системы управления, т. е. в этих состояниях может быть и /=1, и / = 0. Другими словами, при рабочем состоянии необходимо иметь сигнал к выполнению данного действия, при запрещенном — нельзя иметь этот сигнал, а при безразличном — безразлично, имеется ли этот сигнал или нет. [c.252]

В системах управления рабочее состояние есть та комбинация входных сигналов, при которой должен появиться сигнал на данном выходе. Запрещенным набором значений двоичных аргументов запрещенным состоянием) для данной функции f называется такой набор, при котором значение функции обязательно должно быть равно нулю (/ = 0). Все остальные наборы (состояния), кроме рабочих и запрещенных, называются безразличными. Появление сигналов от этих наборов не влияет на действие системы управления, т. е. в этих состояниях может быть и / - 1, и / = 0. [c.528]

В системах управления упрощением двоичной функции f называется такое преобразование, которое уменьшает количество букв в ее алгебраическом выражении при сохранении значения / = 1 для рабочих состояний и f — О для запрещенных состояний. [c.529]

Область возможных состояний за скачком конденсации ограничивается также и тем, что в адиабатном скачке плотность среды обязательно должна повышаться. Адиабатный скачок, сопровождающийся разрежением среды, термодинамически запрещен его существование приводило бы к уменьшению энтропии адиабатной системы. [c.115]

При большем числе переменных для структурного синтеза пневматической системы целесообразно использовать электронные вычислительные машины (ЭВМ). В том же институте разработаны алгоритм и программа упрощения логических функций на ЭВМ, рассчитанные на число переменных до 30 при общем количестве обязательных и запрещенных состояний, превышающем 1000. [c.223]

Основной идеей двухзонной модели является предположение, что во многих кристаллах, как диэлектрических, так и полупроводниковых, достаточно знать ширину запрещенной энергетической зоны Eg, чтобы с хорошей точностью описать возбуждения системы из связывающего (основного) состояния Ъ) на разрыхляющую орбиталь (возбужденное состояние 1д)). Линейная восприимчивость такой системы записывается как [c.29]

Из сказанного ясно, что безотказная и надежная работа ГЦН является условием безопасной и надежной работы ЯППУ в целом, поэтому к ГЦН предъявляются высокие требования в части проверки их готовности и состояния перед пуском. Объем проверок на ГЦН достаточно велик, количество их (ГЦН) на одном блоке—от четырех до восьми, и проверка занимает много времени. Поэтому при кратковременных остановках ЯППУ, когда на ГЦН и их системах не проводятся работы, объем проверок может быть сокращен в соответствии с требованиями местной инструкции, а если простой был более 3 сут, то проверка проводится в полном объеме. Неисправности блокировок в системе защиты ГЦН могут привести к выходу их из строя, поэтому пуск их должен быть в этом случае безусловно запрещен. [c.406]

Пример. Произвести упрощение выходной функции, заданной набором обязательных и запрещенных состояний в восьмеричной системе счисления, от пяти переменных [c.318]

Покажем теперь, что решение А(0) 0 соответствует сверхпроводящему состоянию электронного газа. Энергия квазичастицы (о(к,0) = е к)+ А (0) уменьшается по мере приближения к поверхности Ферми и на поверхности Ферми достигает минимального значения А(0). Таким образом, имеем и>(к,0)> А(0). Это значит, что первое возбужденное состояние системы отделено от основного состояния областью запрещенных энергий — энергетической щелью. Так как [c.380]

Выходная функция, описывающая условия работы системы управления, задана в виде недоопределенной булевой функции п переменных набором обязательных N/V.,,. . ., и запрещенных Мсл, N.-+2, . А т состояний системы, где с — число обязательных, а т — число заданных состояний [c.313]

Появление этих слабых перпендикулярных нолос в интенсивной системе, состоящей из параллельных полос, можно было бы рассматривать как результат возбуждения запрещенной комионенты диполя благодаря возмущающему действию близкорасположенного электронного состояния Е (см. стр. 240 и след.). Одпако такая интерпретация не позволяет попять аномально большие расстояния между этими полосами. Удовлетворительное объяснение причин, обусловливающих само появление этих нолос, а также больших расстояний между ними впервые было дано Малликеном и Теллером [917] на основании тщательного изучения взаимодействия электронного, колебательного и вращательного моментов количества движения в этом случае. Авторы показали, что верхнее электронное состояние системы нолос является состоянием Е, и это означает, что основные полосы являются полосами перпендикулярного типа. В гл. II, разд. 3,в, было показано, что если значение для состояния Е близко к 1, то расстояния в пределах основных полос,, равные 2 [А (1 — е) — В], должны быть малы (порядка 2В), и эти полосы, как это и имеет место в действительности, должны выглядеть как полосы параллельного типа. [c.537]

Энергия, необходимая для создания экситона, равна разности энергии запрещенной зоны и энергии связи экситона. Если, однако, запрещенная зона достаточно мала, эта разность может оказаться отрицательной и система будет неустойчивой относительно образования экситонов. Такого рода неустойчивость очень похожа на неустойчивость относительно образования куперовских пар, которая будет рассмотрена в связи с возникновением сверхпроводящего состояния. Основное состояние системы можно построить подо(5но тому, как строится сверхпроводящее состояние. Это новое состояние — экситонный изолятор — опять-таки оказывается непроводящим. Однако оно под действием давления или изменения температуры может претерпевать фазовый переход в полупроводниковое или полуметаллическое состояние. Было рассмотрено несколько систем, которые могут быть экситонными изоляторами, однако ни для одной из них не было доказано, что она таковым является. [c.187]

Сложную логическую функцию можно записать в различных вариантах. Упрон1еннем (или минимизацией) логической функции является такое преобразование, при котором уменьшается количество букв и знаков в се алгебраическом выражении при сохранении значения f=l для рабочих состояний и f==0 для запрещенных. Это приводит к сокращеннк числа логических элементов в схеме, реализующей эту функцию, т. е. к упрощению как логической схемы, так и всей системы управления. [c.179]

Для синтеза последовательностной (многотактной) системы управления необходимо построить тактограмму машины с указанием наличия или отсутствия сигналов от конечных выключателей в начале каждого такта движения, проверить реализуемость тактограммы, в случае необходимости определить число элементов памяти и выбрать такты для их включения и выключения, составить таблицу включений с указанием тактирующих сигналов, рабочих, запрещенных и безразличных состояний, получить исходные формулы включения и упростить их. На основании выполненного синтеза построить функциональную и принципиальную схему управления на пневматических или электромагнитных элементах и проверить ее действие. [c.200]

В первом хметоде, иредложеином Блохом, для построения волновых функций системы электронов в кристалле исходят из функций для отдельных атомов (приближение сильно связанных электронов). Перекрытие волновых функций, соответствующих двум соседним ионам, приводит к тому, что в кристалле дискретные энергетические уровни отдельных атомов размываются в широкие полосы, ширина которых зависит от того, в какой степени перекрываются волновые функции соседних ионов. Так, полосы или зоны, соответствующие внутренним электронам атома, размыты очень слабо, тогда как зоны, соответствующие основным и возбужденным состояниям валентных электронов, имеют такую ширину, что могут даже перекрываться. В случае неперекрывающихся соседних зон между ними имеется зона запрещенных значений энергии. [c.324]

Для распадов мезонных резонансов с нулевой странностью нередко проявляется запрет по G-четности (см. 2, п. 9), снижающий вероятность распада на четыре порядка. С-четности для нестранных мезонов приведены в табл. 7.5. Например, характеристика О" при т]-мезоне означает нулевой спин, отрицательную обычную четность и положительную С-четность. Как мы уже говорили в 2, С-четность сохраняется в сильных взаимодействиях и при нулевой странности имеет определенное значение. Поскольку 0-четность мультипликативна и равна минус единице для пиона, то С-четная система может распадаться только на четное число пионов, а G-нечетная система — только на нечетное число пионов. Так, например, т1-мезон G-четен. Поэтому за счет сильных взаимодействий он не может распадаться на три пиона. Но распад его на два пиона запрещен еще сильнее. Действительно, так как спины ri-мезона и пиона — нули, то два пиона должны рождаться в S-состоянии. Поэтому их волновая функция четна (здесь уже мы говорим об обычной четности). А ri-мезон — нечетен. На опыте было обнаружено, что т]-мезон распадается на три пиона, причем ширина резонанса столь мала, что измерению не поддается. Поскольку трехпионный распад за счет сильных взаимодействий запрещен, то, значит, Б реальном распаде участвуют и электромагнитные взаимодействия. Поэтому т -мезон должен распадаться на два у-кванта примерно с такой же вероятностью, как и на три пиона. Специально проведенные измерения подтвердили, что в 40% случаев идет распад на два Y-кванта. Сохранением G-четности обусловлен запрет двух-пионного распада Ф-мезона. [c.368]

Резко отличаются электронные состояния примеси (81), помещаемой в узлы анионной или катионной подрешетки к-ВЫ, рис. 2.6. Если при замещении 81 —> В примесные состояния существенно делокализованы и примешиваются в основном к дну ЗП кристалла, инициируя электронную проводимость в допированной системе, то при замещении по типу 81 —> В примесные состояния образуют узкие локальные уровни в области запрещенной щели матрицы. Эти состояния частично заняты и расположены на -1,0 эВ ниже дна ЗП. Электроны, заселяющие примесные уровни, [c.44]

Если переходы в состояния 1 и 2 интенсивны и сопровождаются лишь незначительным перераспределением электронной плотности, т.е. малы AfXi и Лц2, то эти состояния имеют одинаковую четность и переход между ними запрещен, т.е. мал дипольный момент Цц. Тем самым малы все три слагаемых (61). Наоборот, если один из переходов, например 0-1, сопровождается ПЗ, то велико значение AjUj, матричный элемент /и 12 может оказаться значительным, и при наличии такого перехода велики первый и третий члены (61). Таким образом, и из рассмотрения трехуровневой системы следует вывод о значительном вкладе в переходов, сопровождающихся ПЗ. Те же рассуждения применимы к многоуровневой системе (см. (54)). [c.32]

В 1937 г. Джонс разработал детальную теорию фазовой границы а — р в системе Си — Zn, в которой за твердым раствором а с кубической гранецентрированной решеткой следует промежуточная фаза Р с кубической объемноцентрированной решеткой. Приняв одинаковые значения атомного объема как для а-, так и для р-фазы и приравняв их к величине атомного объема чистой меди, а также использовав одну и ту же величину энергетического разрыва (запрещенной зоны энергий), полученную для меди путем исследования оптических свойств АЕ = 4,1 эв), Джонс рассчитал кривые зависимости плотности состояний для обеих фаз от энергии, выраженной в электронвольтах. Результаты расчетов представлены схематически ) на фиг. 6, а. Первый максимум на кривой йлотно-сти состояний для а-фазы появляется при величине энергии около 6,6 эв. Сопоставление этих данных с энергией свободных электронов в центре граней 111 зоны Бриллюэна, равной 6,5 эв, приводит к выводу, что соприкосновение между поверхностью Ферми и этими гранями происходит в а-фазе при сравнительно небольшой концентрации легирующего элемента ). Если полученные результаты выразить через электронную концентрацию е а, то два мак -симума на кривых, представленных на фиг. 6, а, будут соответ ствовать е/а 1 для а-фазы и е/а 1,23 для р-фазы и, следовательно, никак не могут быть сопоставлены с величиной предельной растворимости в твердом состоянии (е/а 1,4) или с опти- [c.159]

Однородные неустойчивые состояния, для которых ) < О, не реализуются при квазистатических процессах и образуют на термодинамической поверхности запрещенную область, стягивающуюся к критической точке. На рис. 2 показана поверхность р = / (Г, р), отмечена бинодаль и спинодаль. Возможность равновесного сосуществования фаз и переходов первого рода связана с наличием области неустойчивости однородных состояний внутри спинодали [20]. Не только знак, но и величина детерминанта I) О и коэффициентов устойчивости характеризуют в известной мере устойчивость системы по отношению к непрерывным изменениям. Такой подход позволяет упорядочить материал по фазовым переходам различной природы [21—24]. [c.17]

Рассмотрим СР-четности конечных состояний нри распадах нейтральных каонов на два тг-мезона СР(тг+тг ) = С(тг+тг ) Р(тг+тг ) = ( —1) ( — 1) = +1 (I — орбитальный момент системы тг+тг , в двухчастичных распадах нейтральных каонов / = 0), СР(тг тг ) = (СР(тг )) = ( —1) = +1. Таким образом, при сохранении СР-четности на 2тг может распасться только а для К2 этот раснад запрещен. [c.108]

Требования первого обзаца данного параграфа направлены на создание нормальной радиационной обстановки, возможности дополнительного контроля отдельных воздуховодов, степени их загрязненности. Некоторые вытяжные вентиляционные системы оборудуются аэрозольными и иодными фильтрами, другие — только аэрозольными и т. д. Поэтому запрещение объединения обеспечивает отсутствие перетока воздуха по воздуховодам из более грязных помещений в менее грязные , а значит, отсутствие распространения радиоактивных веществ по помещениям через воздуховоды. При невыполнении этого требования обратные перетоки воздуха могли бы возникнуть при отключении вытяжных вентиляторов за счет разницы давлений в помещениях или даже при их работе в случае повышения давления в герметичном боксе. Такое состояние возможно, например, при появлении течи горячего теплоносителя. [c.442]

По-видимому, более наглядным примером может служить система полос поглощения бензола в близкой ультрафиолетовой области. Было показано, что эта система обусловлена запрещенным переходом — Mig (точечная группа />6/0 Такой переход стал возможным из-за взаимодействия состояния с самым низким состоянием типа (с энергией 6,8 эв). Симметрия этих двух состояний различается на E2g, и, поскольку в бензоле имеются нормальные колебания такого типа (четыре колебания), может происходить заметное заимствование интенсивности. Мюррелл и Попл [921 ] провели количественные расчеты этого взаимодействия и получили теоретическое значение для интенсивности, которое в 8,5 раза больше, чем экспериментальное значение (см. также Альбрехт [53]). [c.141]

Если разрешенная компонента перехода У — X слаба, а смешивание состояний У и Z связано с сильным электронно-колебательным взаимодействием, то может случиться, что запрещенная компонента перехода Y — X будет интенсивнее, чем разрешенная. Именно так обстоит дело в системе полос поглощения нафталина около 3200 А, которая связана с переходом Как было показано Крейгом, Холласом, Редисом и Уэйтом [253], запрещенные полосы с компонентой в 10 раз интенсивнее разрешенных полос с компонентой Му (г/ и z — соответственно длинная и короткая оси в плоскости молекулы). Более подробное теоретическое рассмотрение запрещенных компонент разрешенных электронных переходов можно найти в работе Альбрехта [52]. [c.141]

В возбужденном состоянии. Для всех же несимметричных молекул, например XYZ (фиг. 89), или даже симметричных X2Y2, если в возбужденном состоянии они относятся к точечной группе 2h, при изогнуто-линейных переходах происходит поворот осей. Угол между двумя системами осей обычно очень мал, даже в крайних случаях он пе превышает 10°. Однако из-за различия систем осей (различных систем координат) для вращательных волновых функций в случае переходов с АК ф azi для перпендикулярных полос и с АК ф О для параллельных полос матричные элементы не равны нулю, даже если в возбужденном состоянии молекула очень близка к симметричному волчку. Следовательно, можно ожидать, что будут наблюдаться запрещенные подполосы с необычными значениями АК. Более [c.208]

Если ни одно из электронных состояний, образованных партнерами по столкновению, не комбинирует с основным состоянием при разрешенном переходе, выход в значительной степени понизится. Даже если одно или два состояния комбинируют с основным состоянием, их потенциальные поверхности могут не быть благоприятными. Они могут быть полностью отталкива-тельными или благоприятными только для некоторых относительных ориентаций партнеров по столкновению (т. е. стерический фактор может быть очень малым), или переходы могут соответствовать тем областям потенциальной поверхности, для которых вероятность перехода мала. Таким образом, имеется много причин, которые могут понизить выход рекомбинации для разрешенных переходов. В то же время, даже если переход с излучением запрещен для большинства симметричных конфигураций, система может переходить в менее симметричные конфигурации, из которых электронный переход разрешен. [c.489]

В сиектре молекулы D N, для которой предиссоциация менее интенсивна, была обнаружена вторая система полос, расположенная в той же области спектра и имеющая ту же частоту деформационного колебания v. , что и основная система. Очевидно, в случае H N эта система пе наблюдается в спектре в связи с тем, что она или более снльно. нредиссоциировапа, или в значительной степепи перекрывается основной системой. Характер тонкой структуры второй системы показывает, что и в данном случае возбужденное состояние является состоянием типа А". Два i Л "-состояния, вероятно, возникают из возбужденных 1Д- и i 2 "-состояний, связанных с электронной конфигурацией Таким образом, для линейной молекулы H N переходы А — X и В — X должны быть запрещенными. По этой причине в обеих системах в спектре H N наблюдались, лишь полосы, связанные с переходами на верхние уровни, расположенные ниже потенциального максимума, соответствующего линейной конфигурации (фиг. 68). При этом разности AG в наблюдаемых прогрессиях полос изменяются вполне закономерно. Лишь, к концу прогрессии O aO — ООО небольшой изгиб кривой G становится заметным (Джонс [635]), что согласуется с выводами, ожидаемыми для квазилинейных молекул (фиг. 46j. [c.505]

Дуглас [293] показал, что в полосах первой системы наблюдается заметный эффект Зеемана, свидетельствующий о том, что верхнее состояние должно быть триплетным состоянием. На этом основании будем обозначать соответствующий переход как а — X-переход. Мерер [822] проанализировал вращательную структуру ряда полос рассматриваемой системы и нашел ясные доказательства триплетного характера расщепления, хотя он и не смог обнаружить некоторые из ожидаемых ветвей (см. стр 268). Он установил, что система связана с электронным переходом так как в спектре наблюдаются только подполосы с АК = 1. Представляется вероятным, что система А —X соответствует переходу 51—однако это предположение пока не подтверждено детальным анализом вращательной структуры полос. Другая интересная особенность системы при 3900 А заключается в появлении для колебания Vз (антисимметричное валентное колебание) полосы 1—О, интенсивность которой сравнима с интенсивностью полосы 0—0. Согласно Ван дер Ваальсу [1248а], появление такой запрещенной компоненты нри электронном переходе не может быть обусловлено простым электронно-колебательным взаимодействием с другим триплетным состоянием (типа В ), а должно быть связано с колебательным спин-орбитальным расщеплением. При этом расщеплении, если колебание Гз (Ьг) возбуждается нечетным числом квантов, Лг-ком-понента состояния смешивается с 1Д1-состоянием и электронный переход Вх — сопровождается появлением полос 1—О, 3—О,. . ., заимствующих интенсивность у соседнего перехода [c.522]

СН3. Спектр СНз впервые был получен прп импульсном фотолизе Hg( Hз)2 Герцбергом и Шусмитом [540]. Позднее он наблюдался в спектрах поглощения при импульсном фотолизе и многих других соединений. Несмотря на высокую точность исследования, в видимой и близкой ультрафиолетовой областях спектра не было найдено никаких следов поглощения, хотя, если бы радикал СН3 имел неплоскую структуру, именно в этой спектральной области должна была бы находиться система полос, обусловленная переходом из основного состояния в возбужденное состояние. .. еУа Е. Для плоской молекулы СН3 отсутствие соответствующего перехода [из состояния. .. (е ) арА2 в состояние Е легко объяснимо, поскольку в этом случае подобный переход должен быть запрещенным (табл. 9). Даже в предположении, которое представляется весьма правдоподобным, что молекула СН3 имеет неплоскую структуру в возбужденном состоянии Е и, следовательно, строго говоря, применимо правило отбора для точечной грунны соответствующий переход должен иметь очень малую интенсивность, так как вертикальная, т. е. разрешенная принципом Франка — Кондона, часть перехода должна подчиняться правилам отбора для точечной группы 1>зл. Если все же, несмотря на малую ожидаемую интенсивность, соответствующий переход будет найден в спектре СНд, его исследование смогкет дать значительно более обширную информацию о молекуле СН3, чем системы, обнару кениые до сих пор. Это связано с тем, что ожидаемому электронному переходу должны соответствовать в спектре четкие, а не диффузные полосы. Кроме того, можно ожидать, что в возбужденном состоянии Е должен наблюдаться эффект Яна — Теллера. [c.523]

Еще одна очень слабая прогрессия с подобным же расщеплением была найдена Дугласом и Холлас(Ш [295] и Дугласом [294] в той же области спектра, где расположена система полос В — X. Анализ тонкой структуры показывает, что это полосы параллельного типа. Поэтому они, очевидно, должны быть связаны с другим электронным переходом С — X, хотя трудно с определенностью исключить возможность идентификации полос как принадлежащих к запрещенной компоненте системы В — X, для которой правила запрета ослаблены благодаря электронно-колебательному взммодействию. Поскольку нумерация колебательных уровней не проводилась, состояние С может быть либо состоянием А[, либо состоянием А" , однако на основании анализа электронной конфигурации отнесение состояния С к типу А х представляется более разумным. [c.526]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...