Рекомбинация выход

Предварительные эксперименты показали, что выход металла на катоде существенно зависит от взаимного расположения индуктора и электродов, а также от направления потока паров летучего соединения металла. Ионизация паров перед поступлением их в камеру с помощью внешнего индуктора оказалась неэффективной, так как рекомбинация и осаждение ионов на стенках паропровода — керамической трубки — снижает выход металла на катоде. [c.90]

Диффундируя в глубь полупроводника, неравновесные носители рекомбинируют, проникая в среднем на расстояние диффузионной длины от слоя объемного заряда р — п-перехода. Если при этом существенная доля актов рекомбинации происходит с излучением света, то, создав условия для выхода этого света наружу, полупроводниковый диод можно использовать как источник излучения. Такой диод называют светодиодом. [c.331]

Этот эффект значительно превосходит влияние pH на начальные выходы и, наиболее вероятно, вызван действием pH на стадии процессов рекомбинации, контролирующие скорость. [c.98]

П. с. обнаружены у мн. металлов, полупроводников и диэлектриков. П. с., находящиеся в запрещённых зонах полупроводников, влияют на их электрич. свойства они определяют изгиб зон у поверхности, т. е. работу выхода полупроводника и приповерхностную концентрацию электронов в тонких образцах изменяется и ср. концентрация электронов, П. с. ответственны за поверхностную рекомбинацию и рассеяние, приводящее к уменьшению подвижности электронов в приграничных слоях. [c.652]

Идея об основной роли процессов рекомбинации электронов и положительных дырок в явлениях люминесценции чистых окрашенных щелочно-галоидных кристаллов была впервые высказана автором в 1947 году [72]. В этих кристаллах процессы рекомбинации электронов и положительных дырок сопровождаются люминесценцией с небольшим выходом относительно F -центров. Впоследствии эта точка зрения развивалась в ряде работ, посвященных исследованию люминесценции чистых кристаллов щелочно-галоид-ных соединений [134, 142, 205, 221, 228, 231, 232]. Аналогичный механизм предложен в последнее время также для объяснения свечения типичных фосфоров [234, 233]. [c.247]

Интенсивность фосфоресценции определяется числом актов рекомбинации в единицу времени и квантовым выходом этой реакции Q [c.249]

Отдельными стадиями процесса являются диссоциация, вход, диффузия, выход, рекомбинация. Для стадий входа и выхода энер- [c.39]

Процесс образования электронов и ионов называется ионизацией, а газ, содержащий электроны и ионы, ионизированным. При прохождении электрического тока через газовый промежуток положительные ионы стремятся к отрицательному полюсу (катоду), а отрицательные — к положительному (аноду). При движении некоторые ионы и электроны, сталкиваясь между собой, нейтрализуются и образуют нейтральные атомы и молекулы. Процесс образования нейтральных атомов и молекул называется рекомбинацией. При рекомбинации образуется энергия в форме электромагнитных излучений. В электрическом газовом разряде при бомбардировке поверхности отрицательного полюса электрода (катода) ионами, воздействии на эту поверхность электромагнитных излучений, влиянии высокой температуры и приложении электрического поля с поверхности отрицательного полюса (катода) во внешнюю среду выходят электроны. Излучение с поверхности отрицательного полюса электронов во внешнюю среду называется электронной эмиссией. Таким образом, при дуговом разряде происходит образование ионов — ионизация газов с обратимым процессом — рекомбинацией и имеет место электронная эмиссия. [c.28]

Здесь Р1 представляет собой коэффициент выхода электронов (постоянная скорости реакции), — коэффициент реакции рекомбинации, Аг+ — однозарядный ион аргона, Аг — атом аргона в возбужденном состоянии и /IV — квант излучения с частотой V. [c.475]

Однако не во всех случаях Можно говорить о термически равновесной плазме. Плазма газового разряда, как правило, неравновесна, так как нагревается изнутри энергией, выделяющейся при прохождении тока, и охлаждается вследствие контакта с окружающей средой. Кроме того, она состоит из нескольких компонентов с различной температурой и различной средней кинетической энергией. Стационарное состояние ее не совпадает с равновесным, энергии частиц не подчиняются максвелловскому распределению и для определения степени ионизации нельзя пользоваться формулой (818). В этом случае приходится приравнивать скорости процессов ионизации и рекомбинации. Так, например, если плазма разреженная, то можно допустить, что излучение выходит свободно, ионизация происходит только при электронных ударах, а рекомбинация — при излучении. [c.428]

Результаты измерений позволяют предположить, что на реальной поверхности имеются два различных типа состояний быстрые и медленные . Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей тока порядка не более нескольких микросекунд, медленные состояния — от миллисекунд до нескольких часов. Быстрые состояния связаны в основном с характером обработки поверхности (наличие примесей, дефектов), медленные — со структурой окисного слоя и окружающей газовой средой. Быстрые состояния находятся на границе германий — окись германия, медленные — в самом слое и на его поверхности. Установлено, что в связи с существованием поверхностных состояний на границе объем — поверхность возникает потенциальный барьер, от которого зависят такие явления, как работа выхода, контактный потенциал, выпрямление, поверхностная рекомбинация ( а следовательно и эффективное время жизни носителей тока), поверхностная проводимость, шумы. [c.179]

Предотвращение рекомбинации. Существует несколько возможностей избежать рекомбинации фрагментов. Во-первых, если один из фрагментов представляет собой небольшой том, способный легко диффундировать в матрице даже без избытка энергии, то возможен его выход из матричной клетки еще до рекомбинации. Идеальным в этом смысле является атом водорода, и поэтому фотолиз водородсодержащих молекул обычно приводит к высокому выходу фрагментов, образующихся путем отрыва этого атома. Атомы элементов второго периода (например, лития, углерода, азота, кислорода и фтора) также могут диффундировать из клетки, хотя для диффузии таких,более тяжелых атомов в некоторых случаях нужно поддерживать температуру в интервале отжига матрицы. [c.78]

Коэффициент рекомбинации электрон-ион Л в большинстве случаев на несколько порядков меньше, чем коэффициент рекомбинации ион-ион Р/. так как электроны даже при очень низкой энергии имеют намного большую скорость, чем ионы. В плотной плазме рекомбинация может проходить при тройных столкновениях, когда с ионом сталкиваются два электрона один присоединяется к иону, другой уносит избыточную энергию. Свободные электроны могут также попасть на один из энергетических уровней атома с выходом излучения (рекомбинация с излучением). [c.56]

Если при переходе угол У — X — У изменяется значительно, то лучше всего воспользоваться потенциальной диаграммой типа приведенной на фиг. 169. Ясно, что если в возбужденном состоянии угол меньше, чем в основном, т. е. если потенциальная яма находится при больших значениях у, то тогда фигуративная точка после прохождения через минимум может легко выходить по долине вверху диаграммы, т. е. может иметь место диссоциация на X + У2. Такой же вывод применим к молекуле, которая линейна в основном состоянии (фиг. 167) и, как часто случается, изогнута в возбужденном состоянии. В каждом случае двухатомная молекула образуется из двух атомов (У), не связанных непосредственно в исходной молекуле. Тем самым такой процесс диссоциации приводит к внутренней рекомбинации. [c.462]

Наибольших значений средняя глубина выхода фотоэлектронов достигает в фотоэмиттерах с отрицательным электронным сродством. Здесь Н соответствует длине диффузии электронов проводимости, т. е. характерному расстоянию, которое проходит электрон до того, как произойдет его рекомбинация с дыркой. В таких фотоэмиттерах Я превышает микрометр (Ялг (1- 5) м). [c.172]

Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода здесь излучение обз словлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-я-пере-ход неосновных носителей тока. Для таких диодов применяют монокристаллы — соединения А" — В — 1пР, InAs, GaP, GaAs и их твердые растворы соединения А — В — ZnS, ZnSe, а также карбид кремния (табл. 14.5). Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 10 сек. -Недостатком является невысокий квантовый выход. [c.205]

Влияние деформации на катодную поляризационную кривую выделения водорода для стали 1Х18Н9Т аналогично отмеченному выше для стали 20 деформация на стадии деформационного упрочнения ускоряет катодную реакцию (на стадии динамического возврата наблюдалось ослабление этого влияния, как и в случае анодной поляризации). Объясняется это, по-видимому, зависимостью скорости разряда ионов водорода и рекомбинации адсорбированных атомов от работы выхода электрона и адсорбционных свойств поверхности металла в связи с влиянием деформации электрода на эти свойства. Однако возможно, что наблюдаемое изменение катодной поляризации связано с пространственным перераспределением анодных и катодных реакций вследствие стремления к локализации анодного растворения пластически деформированного электрода, как это рассмотрено в гл. IV. [c.86]

Эффективность светодиода определяется прежде всего его внутренним квантовым выходом г в , представляющим собой отношение числа квантов, испускаемых при рекомбинации, к чилу инжектированных неосновных носителей. Если бы рекомбинация была только излучательной, то т в = 1. Однако наряду с излучательной рекомбинацией всегда протекает процесс безызлучательной рекомбинации. Поэтому в общем случае т] ,, < 1 и определяется следующим соотношением [c.331]

Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора к (рис. 5.4), вероятность меж-зонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадаюш,ими экстремумами зон (GaAs, InAs, InSb и др.). Поэтому для изготовления светодиодов необходимо брать [c.332]

ДИОД, испуская спонтанное излучение с равномерной плотностью во всех на-ттравлениях (в телесном угле 4 я рад.). Лучи, не попавшие на отражающие грани кристалла, полностью поглощаются в нем. Кроме того, лучи, упавшие на эти грани под углом а > 17 , испытывают полное внутреннее отражение и в конечном счете также поглощаются в кристалле. Поэтому из светодиода выходит всего ж2% излучения, возникшего в нем в результате излучательной. рекомбинации. [c.343]

ДЕИОНИЗАЦИЯ газа — исчезновение носителей свободного электрич. заряда (положительных и отрицательных ионов и электронов) из занимаемого газом объёма после прекращения электрич. разряда. К Д. приводят объёмная рекомбинация ионов и электронов, их диффузия к границам занимаемого объёма н рекомбинация нх на стенках, а также выход заряж. частиц из занимаемого объёма под действием внеш. электрич. поля. Время, необходимое для уменьшения концентрации носителей заряда в определ. число раз (напр., в 10 или в 10 раз от нач. концентрации), тгаз. временем Д, Оно является важной характеристикой газоразрядных п др. приборов, для работы к-рых существенно поддержание определ. степени иони.эации. Время Д. зависит от природы газа, геометрии занимаемого им объёма, наличия и изменения во времени внеш- электрич. поля, а также от распределения полей пространственных зарядов. [c.575]

После прекращения ядерных реакций плазма Вселенной расншрялась и остывала. В этой плазме имО лнсь небольшие неоднородности плотности стоячие звуковые волны). Эти небольшие сгустки плазмы не могли расти, т. к. было велико давление реликтовых фотонов на плазму (для РИ плазма непрозрачна). Это давление препятствовало силам гравитации уплотнять н наращивать первичные сгущения. Более того, н достаточно малых масштабах неоднородности плот-U0 T11 (звуковые волны) затухали из-за лучистой вязкости и теплопроводности. Спустя примерно 300 ООО лет после начала расширения темп-ра плазмы снизилась до 4000 К, произошла рекомбинация электронов и атомных ядер, п плазма превратилась в нейтральный газ. Этот газ прозрачен для РИ, и оно стало свободно выходить из газовых сгустков. Силам тяготения, сжимающим сгустки, стало противостоять только относительно слабое давление нейтрального газа. Тнго-тенпе на этом этапе развития Вселенной стало превосходить силы газового давления и сжи.мать сгустки вещества, масса к-рых превосходила М Мq [c.479]

Внеш. тушение обусловлено переносом поглощённой энергии на центры тушения—специально вводимые или остаточные примеси, а также собств. дефекть[ кристал-лич, структуры, вероятность безызлучат. переходов в к-рых велика, Этот перенос может осуществляться по резонансно-индукционному механизму миграции энергии и рекомбинац, путём, т, е, с помощью неравновесных носителей заряда (электронов зоны проводимости и дырок валентной зоны). При рекомбинац. Т, л. иногда наблюдается очень резкая зависимость выхода свечения от темп-ры (при нагреве на неск. градусов выход уменьшается в 2 раза) и от плотности возбуждения эта зависимость 187 [c.187]

Вероятность образования иона с зарядом Z в результате одиночного электронного удара быстро уменьшается с увеличением Z, поэтому для получения достаточно эффективного выхода высокозарядных ионов используют процессы многократной ионизации. Для этого необходимо увеличить время пребывания ионов в облаке плазмы, содержащей горячие электроны. Темп-ра электронов должна лежать в диапазоне кэБ (I кэВ= 10 К), если необходимо достичь больших значений Z и избежать процессов прямого захвата электронов (процесс рекомбинации) Кроме того, для образования высокозарядных ионов должно выполняться условие п/по 1, т. е. плотность плазмы п должна превосходить плотность нейтрального газа По, чтобы свести до минимума захват электронов в результате столкновений. Если обозначить концентрацию электронов в плазме п , а время её удержания х. то условия образования многозарядных ионов для трёх типичных случаев можно записать след, образом [c.196]

Основной проблемой кремниевой оптоэлектроники является проблема создания эффективного источника излучения, роль которого выполняет светодиод или лазер. Кремний является непрямозонным полупроводником, и эффективность межзонной излучательной рекомбинации в нем очень низка. Определенным выходом из этого положения является легирование кремния эрбием, примесью, которая формирует в кристаллической решетке эффективные центры излучательной рекомбинации с участием 4f электронов примесного атома. В процессе такой рекомбинации генерируется излучение с длиной волны 1,54 мкм, для которого сам кремний практически прозрачен и которое также соответствует окну максимальной прозрачности оптических волноводов из кварцевого стекла. К сожалению, растворимость Ег в Si составляет всего см (при 1300 °С). Этого явно недостаточно для получения интенсивного излучения. Для увеличения содержания Ег в кристаллической решетке используют неравновесные методы получения сильнолегированных кремниевых слоев — ионную имплантацию, молекулярно-лучевую эпитаксию, ионно-лучевое напыление и др. Увеличению содержания Ег в слое способствует и дополнительное его легирование кислородом или фтором, с которыми эрбий образует достаточно стабильные комплексы. На сегод- [c.96]

V и УФ-чувствительные ПВМС. Основные ограничения на чувствительность ПВ. 1С в УФ-области спектра накладываются возрастанием поглощения света в слоях структуры в подложке, в прозрачном электроде. Большой коэффициент поглощения j и УФ-излучсния приводит к поглощению этого излучения в приповерхностной области полупроводников, характеризуемой высокой скоростью рекомбинации носителей. Это снижает фоточув-ствительность полупроводников в этой области спектра. Кроме того, снижается квантовый выход фотоэффекта из-за появления. новых каналов возбуждения — прежде всего, возб ждения внутренних атомных оболочек. [c.185]

На рис. 27.3 представлена энергетическая схема применяемой модели. В схеме приняты следующие обозначения О — дно зоны проводимости в—край валентной зоны ОРизл— поток носителей, забрасываемых излучением из валентной зоны в зону проводимости (G — радиационный выход электронов, на 100 эВ обычно G = 0,05- 0,2 Ризл — мощность ИИ) п — концентрация свободных носителей (электронов) в зоне проводимости т — концентрация занятых ловушек, а также стабилизированных зарядов (дырок) в валентной зоне М-—концентрация электроноакцепторных ловушек (ловушками могут быть свободные радикалы, структурные дефекты, например, в виде механически напряженных областей с деформированными химическими связями и полостей) k mn — поток рекомбинированных носителей (йр — константа рекомбинации). [c.321]

Весьма эффективно происходит ФЛ при рекомбинации электронов и дырок в монокристалах прямозонных полупроводников (GaAs, InP и т.д.). Вероятность излучательной рекомбинации электрона и дырки для прямозонных полупроводников на 5-6 порядков выше, чем для непрямозонных (Si, Ge и т. д.). Например, коэффициент излучательной рекомбинации при 300 К составляет примерно 2 10 см с для Si и 7 10 ° см с для GaAs [2.34]. Квантовый выход ФЛ для GaAs при комнатной температуре составляет примерно 0,07, остальные 93 % поглощенных квантов полностью превращаются в тепло. Величина энергетического выхода ФЛ в этом случае еще меньше. [c.55]

Эффективность сенсибилизатора заключается прежде всего в том, что он при поглощении света освобождает электрон без одновременного освобождения дыркн. Поглощение кванта света из области собственного поглощения несенсибилизированного бромистого серебра приводит к одновременному образованию электрона и дырки, рекомбинация которых неизбежна, что сильно снижает квантовый выход процесса. [Рекомбинация возможна, но не обязательна, если присутствует акцептор брома (дырки).— Прим. перев.] [c.148]

В работе [185] использовалась установка, изображенная на рис. 7.7. Установка состояла из лампы, в которой возбуждалась резонансная линия водорода, источника водородных атомов, оптической системы, детектора, усилителей, модулятора магнитного поля. Атомы создавались в высокочастотном разряде (частота 2450 Мгц) при диссоциации водорода, содержащегося в смеси гелия с парами воды. Источник водородных атомов помещался на расстоянии 10 см от магнита, резонансное излучение от диссоциатора не попадало в рассеивающий объем. Концентрация атомов, дошедшая до этого объема, составляет A 10 атом1см . Скорость течения гелия 1 м/сек, давление гелия 1 тор. Атомы водорода рекомбинируют на платиновой сетке, пройдя объем, в котором наблюдается рассеяние, и попадают в резонансную лампу, где молекулы вновь диссоциируют и атомы водорода возбуждаются до уровня 2 Р. Такой процесс рекомбинации и диссоциации молекул водорода необходим для устранения поглощающего резонансное излучение слоя атомов водорода между лампой и рассеивающим объемом. Эксперимент заключается в наблюдении рассеяния излучения L . Рассеяние наблюдалось в направлении, перпендикулярном к направлению возбуждения излучения и направлению магнитного поля. Резонансная лампа изготовлялась из кварца и находилась на расстоянии 21 см от рассеивающего объема. Вместо окон из Mgp2, которые теряют свою прозрачность под действием излучения, употреблялись платиновые сетки. Они ставились на выходе из лампы и в том месте, где излучение входит в рассеивающий объем. Окно, обращенное к детектору, сделано из Mgp2. Оно не теряет свою прозрачность, так как интенсивность рассеянного света мала. Детектором служила ионизационная камера, наполненная N0, в качестве магнита использовался соленоид, обеспечивающий высокую однородность поля во всей области рассеяния (20 см ). Модуляция проводилась с частотой 17 гц. Напряженность поля измерялась с помощью зонда. Экспериментально определялась напряженность поля, при которой резонансная флуоресценция была максимальна. Пересечение уровней происходит при напряженности поля 3484 гс, что соответствует разности энергий между уровнями Рз,2 и 10969,13 Мгц или 0,3658901 см К В работе [181] эта же величина оказалась рав- [c.314]

Для надежной фиксагщи изменений знака ускорения при немонотонном изменении W(t) в приборе предусмотрена система поляризационного кодирования. Перед расщеплением в большом светоделителе пучок отраженного от образца света поляризуется под углом 45° к горизонтали. Одно из плеч интерферометра содержит четвертьволновую пластину, в которой происходит сдвиг приблизительно на 90 фазы вертикально поляризованного света относительно горизонтальной компоненты. После рекомбинации лучей на выходе из интерферометра пучок света расщепляется поляризационным светоделителем на две компоненты с вертикальной и горизонтальной поляризацией. Двумя фотоприемниками независимо регистрируются биения интенсивности каждой компоненты, которые оказываются также сдвинутыми по фазе друг относительно друга на 90°. В результате смена знака ускорения неизбежно будет зафиксирована по крайней мере одним фотоприемником по смене (вне экстремумов биений) знака изменения светового потока. [c.69]

Этот процесс очень эффективен в случае рекомбинации свободных электронов при пороге термической ионизации, т. е. - 1 эв. Его можно представить как такое столкновение электрона с электроном в поле иона, при котором один электрон остается с кинетической энергией, недостаточной для выхода из поля иона [см. соотношение (4.93)]. Захваты на высшие п-уровни наиболее благоприятны и обусловлены геометрическими соображениями. Джио-ванелли [43] рассмотрел подробно этот процесс. Он получил для скорости рекомбинации к и-му водородному уровню величину [c.165]

Газовый разряд. В этом методе для диссоциации стабильных молекул используется энергия электрическбго разряда в потоке газообразного исходаого вещества. Обычно в качестве источника энергии для создания разряда применяют сверхвысокочастотные (микроволновые) генераторы. В области сверхвысокочастотного (СВЧ) разряда при низком давлении газа образуется плазма и все молекулы, за исключением наиболее стабильных, практически полностью диссоциируют на атомы. Частицы, исследование которых является целью эксперимента, образуются в результате рекомбинации атомов после выхода плазмы из области разряда до замораживания в криостате. [c.67]

Существенно влияет на работу полупроводниковых приборов также поверхностная рекомбинация. В точечных и маломощных плоскостных полупроводниковых диодах и триодах основная доля рекомбинации определяется участками поверхносш, непосредственно примыкающими к точечному контакту или к выходу р—п-нерехода на поверхность. Еще большую роль поверхностная рекомбинация играет в фотоэлементах, в частности в со.течных батаре.чх, где генерация носителей тока происходит практически у поверхности. [c.62]

Эффективность этого процесса была определена Кауфманом [663] и Фонти-ном, Мейером и Шиффом [392], которые нашли, что может быть только одна рекомбинация на 10 —10 столкновений. Такой низкий выход следует ожидать для рекомбинации при двойном столкновении, если время излучения 10" сек, в то время как продолжительность столкновения порядка 10 сек. [c.468]

Если две сталкивающиеся частицы имеют достаточную энергию (соответствующую одному из диффузных уровней энергии системы), время столкнове- ния несколько превышает время простого колебания, и получается, согласно терминологии некоторых авторов, липкое столкновение ( sti ky ollision ). В этом случае возможность испускания кванта света и стабилизации молекулы значительно превышает 10 . Она будет равна 1, если время жизни Т для распада без излучения намного больше, чем время излучения т,. Однако это верно только для определенных уровней энергии сталкивающихся частиц (которые выделяются тем резче, чем больше их время жизни), а так как вообще сталкивающиеся атомы или радикалы имеют непрерывное распределение поступательной энергии, то чистый выход рекомбинации (на одно столкновение) и в этом случае будет очень низким, если плотность диффузных уровней не очень высока. [c.486]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...