Полосы параллельного типа

Рассмотренные примеры относятся к молекулам типа сплюснутого симметричного волчка. Разрешенные полосы параллельного типа для вытянутых волчков еще не наблюдались. Рассчитанная структура таких полос при большом различии между А — В и А" — В" приводится в томе Н ([23], фиг. 122, в, стр. 447). [c.228]

Далее распределение интенсивности зависит от статистического веса [см. уравнение (11,78)], Чередование весов в зависимости от К значительно легче наблюдать в перпендикулярных полосах, чем в полосах параллельного типа, поскольку ( -ветви в подполосах находятся в общем случае на весьма больших расстояниях друг от друга. Чередование статистического веса в зависимости от / в случае молекул симметрии изп, 1)цг, сказывается на чередовании интенсивности только в подполосах 1—0 и 0—1. [c.231]

Существуют три основных тина муаровых картин. Один из них образуется в том случае, если направления двух совмещенных растров совпадают, а их шаги различаются. Этот тип соответствует, например, однородному растяжению или сжатию одного из растров. Образующиеся при совмещении таких растров муаровые полосы параллельны линиям исходного растра (рис. 23.19, д). [c.547]

Для получения интерференционных полос многолучевого типа могут быть использованы две, три и четыре отражающие поверхности, расположенные параллельно. Функция пропускания системы, состоящей их двух поверхностей, при использовании монохроматического излучения описывается формулой (7.12). [c.70]

При разрешенных электронных переходах комбинируют между собой только состояния, относящиеся к одному и тому же типу колебаний. Иными словами, значения I одинаковы в верхнем и нижнем состояниях, а поэтому тип полосы зависит только от типа электронных состояний, т. е. от значения АЛ (=А ), как и для двухатомных молекул. Если АЛ = 1, то все разрешенные полосы системы имеют интенсивные -ветви, тогда как при А Л = = О все разрешенные полосы либо совсем не имеют ( -ветвей (если Я = 0), либо эти ветви очень слабы (если К фО). Например, при электронном переходе 2 — 2 в результате поглощения в колебательном невозбужденном состоянии молекула может перейти только на полносимметричные верхние колебательные уровни с = О (тип 2). Поэтому все холодные полосы поглощения будут относиться к типу 2 — 2, т. е. не будут иметь ( -ветвей. Если в нижнем состоянии однократно возбуждено деформационное колебание, т. е. если Г = 1, то в верхнем состоянии также должно быть возбуждено деформационное колебание с = 1. Полоса по-прежнему параллельного типа, но имеет слабую -ветвь. Однако ни в каком случае разрешенная колебательная полоса при электронном переходе 2 — 2 не может иметь интенсивной ( -ветви. Аналогичные рассуждения применимы к электронному переходу типа П — 2, при котором все разрешенные колебательные полосы имеют интенсивные ( -ветви. [c.184]

На фиг. 90,а приводится схема переходов параллельного типа, на фиг. 90,6 — перпендикулярного типа. При этом предполагается, что возбужденным состоянием является электронное состояние типа 2. В возбужденном состоянии показаны только уровни V = 5, 6, 7. Для четных и нечетных значений V имеет место чередование четных и нечетных значений I. Как видно из схемы, число подполос в параллельной полосе равно числу значений Г для каждого значения и (в случае, показанном на фиг. 90,а, три для Перехода 5—0, четыре для 6—0 и 7—0). В перпендикулярной полосе число подполос в два раза больше, так как АК может принимать значение как 4-1, так и —1 (кроме случая = О в основном состоянии). Так, поло- [c.209]

Разрешенный электронный переход между невырожденными состояниями в молекуле, которая по своей симметрии относится к типу симметричного волчка, обязательно должен быть параллельного типа, а это значит, что только компонента отлична от нуля. Следовательно, все разрешенные полосы в такой системе полос должны быть параллельного типа и подчиняться правилу отбора (11,65). Если вращательные постоянные А ж В -в верхнем и нижнем электронных состояниях различаются не очень сильно, то структура полос будет такой же, как структура параллельных инфракрасных полос, подробно рассмотренных в томе II ([23], стр. 446 и след.) полоса будет иметь Р-, Q- и Л-ветви со слабым оттенением. В такой полосе каждая линия состоит из нескольких компонент с различными значениями К К = [c.225]

Четкие полосы имеют структуру параллельного типа (фиг. 105) более широкие полосы относятся к полосам перпендикулярного типа. [c.673]

Вследствие периодичности фазового портрета все происходящие движения воспроизводятся в одной полосе, параллельной оси V, ограниченной значениями —я и я и имеющей ширину 2я. Представим себе, что такую полосу вырезали и свернули в цилиндр, состыковав разрезанные фазовые траектории. При этом весь фазовый портрет будет представляться на цилиндре без повторения отдельных участков. Фазовые траектории опрокидывающегося маятника обегают цилиндр, в то время как фазовые траектории, соответствующие колебаниям обычного маятника, окружают особую точку типа центра на поверхности цилиндра. [c.59]

После горячей деформации структура слитка сильно изменяется — дендриты удлиняются до такой степени, что становятся волокнами. Однако часто картина кристаллизации и ликвации поперечного сечения деформированного изделия подобна картине кристаллизации и ликвации поперечного сечения слитка. Это сходство может иногда ввести в заблуждение, как например, в случае блюма легированной стали (ф. 583). Здесь вновь проявляются особенности слитка подкорковые газовые пузыри (хотя в самом деле они расплющены и образуют волосовины на поверхности блюма), контуры затвердевания (ф. 583/2), параллельные поверхности в зоне столбчатых кристаллов, затем равноосные и глобулярные дендриты (ф. 582/7) с темными ликвационными полосами на половине длины радиуса с характерным асимметричным профилем (здесь темные полосы д-типа) на половине длины радиуса имеются также флокены, которые не видны на этой микрофотографии. [c.31]

Таким образом при удовлетворении условий (7.30) мы получаем разделительный фильтр с постоянным сопротивлением] это свойство является очень удобным с точки зрения эффективности работы оконечного усилителя в широкой полосе частот. Условие (7.30) приводит к результату (7.31) также и для фильтра параллельного типа (рис. 128, Ь) при а = / 2. [c.244]

Матрица этой системы является матрицей ленточного типа, содержащей достаточно много нулевых элементов. Эта матрица характеризуется тем, что все ее ненулевые элементы располагаются вблизи главной диагонали, а коэффициенты за пределами некоторой полосы, ограниченной линией, которая параллельна главной диагонали, равны нулю. Матрица системы трехдиагональная, если используются двумерные симплекс-элементы. В случае квадратичных элементов и элементов более высокого порядка матрица системы содержит большее число ненулевых элементов. Матрица системы является хорошо обусловленной. [c.203]

Прежде водопроводную сеть использовали для заземления низковольтных сетей. Поэтому и теперь нередко можно встретить соединения между электрическим оборудованием в зданиях и водопроводами через заземлители типа чугунной полосы. Эти заземлители часто располагаются параллельно газовым домовым вводам, что нередко приводит к образованию контактов. Анализ вида дефекта при 401 исследованном контакте в период 1970—1977 гг. дал следующие результаты контакты с газопроводами 29,0% контакты с водопроводами 29,3% контакты с полосовыми заземлителями 14,5 % последующее закорачивание изолирующих элементов трубопровода в домах 11,7% контакты подземных кабелей с арматурой бетона 15,5 %. Какой-либо корреляции с возрастом (сроком службы) при этом не наблюдалось. [c.263]

Трактовка явления муара как результата сложения двух тригонометрических функций в случае рассмотре ия двух параллельных сеток с разным шагом, а также в случае повернутых сеток с одинаковым шагом приводит к главному выводу о том, что муаровые полосы можно рассматривать как модуляцию некоторой эквивалентной сетки с шагом, равным среднему шагу двух наложенных сеток. Вместе с тем такое рассмотрение приводит к выражениям типа [c.62]

Ирвин ввел новое понятие — коэффициент интенсивности напряжений К. Поясним его сущность. Распределение напряжений по поперечному сечению растянутой полосы, ослабленному поперечной трещиной, подчиняется зависимости гиперболического типа. Согласно ей при уменьшении расстояния от точки материальной части поперечного сечения до вершины трещины нормальные напряжения в поперечном сечении увеличиваются и устремляются к бесконечности, если указанное выше расстояние устремляется к нулю. Асимптотами являются линия, параллельная ослабленному поперечному сечению полосы и перпендикулярная ей линия, проходящая через вершину трещины. Вследствие перехода материала у вершины трещины в пластическое состояние пик напряжений срезается. В системе осей, совмещенных с асимптотами, можно рассмотреть бесчисленное множество гипербол, каждая из которых характеризуется своим параметром, представляющим собой произведение переменных, входящих в гиперболическую зависимость. Этот параметр называют коэффициентом при особенности, Аналогично, коэффициент К представляет собой коэффициент при особенности в зависимости между нормальным напряжением и расстоянием точки ослабленного сечения, в которой оно действует, от вершины трещины. В теории Ирвина коэффициент К — величина, полностью характеризующая локальное деформирование и разрушение на контуре макротрещины. Величина К зависит от формы тела и от граничных условий и определяется из решения глобальной (т. е. для всего тела в целом) задачи. Ирвиным было получено условие предельного равновесия трещины в форме [c.578]

Рис. 2.140. Схемы механизмов подъемно-опускающихся столов у рабочих клетей прокатных станов а — параллельно-подъемный стол для подачи полос длиной не более 5— 10 м б — подъемно-качающийся стол легкого типа с пружинным уравновешиванием в — с грузовым уравновешиванием.

Другой тип муаровых картин полос возникает при наложении под некоторым углом двух идентичных линейных растров. Муаровые полосы в этом случае проходят параллельно биссектрисе тупого угла между линиями пересекающихся растров (рис. 23.19,5). [c.547]

Для структуры второго типа при определении коэффициента радиационной теплопроводности в газовых слоях необходимо рассматривать условия теплообмена излучением между двумя параллельными полосами малой ширины расположенными друг против друга на расстоянии бзл. Естественно, что коэффициент радиационной теплопроводности будет при этом зависеть [c.173]

Халл Р ], напротив, полагает, что кривизна полей напряжения усложняет интерпретацию результатов, и пользуется поэтому прямолинейным сдвиговым потоком в зазоре между движущейся полосой и плоскопараллельными стенками. В опытах регистрируется только давление на стенке. Не ясно, как из этих данных можно получить величину разности нормальных компонент напряжения. Величина любой отдельной нормальной компоненты для несжимаемой жидкости не представляет реологического интереса. Более того, ввиду малости зазора в опытах Халла (примерно 0,05 см) регистрируемое давление, по-видимому, имеет такой же порядок величины, как и при течении ньютоновской жидкости через очень узкий зазор между плоскими и не совсем параллельными стенками. Известно, что в приборах, применяемых для измерения разностей нормальных напряжений, возникают нежелательные давления такого типа °]. [c.240]

Кирпичная полосчатая (КП) структура обнаруживается в сплаве с 9—14% Мп. Для сплавов с 9—11% Мп эта структура является основной, а в сплавах с 12—14% Мп ее количество снижается. Для данного типа структуры характерно полосчатое расположение а-кристаллов с высокой плотностью дислокаций. Протяженность полос значительно превосходит размеры отдельных а-кристаллов, что приводит к выводу о предшествующей образованию а-мартенсита фрагментации исходного аустенита по плоскостям 111 7. Кристаллы а-мартенсита характеризуются ровными границами а-мартенсит, образовавшийся из е-фазы, имеет дефекты упаковки в плоскостях 110 а. Полосы группируются в пакеты. Толщина полос в пакете КП-струк-туры сплавов с 10 и 11% Мп однородна и составляет примерно 0,1 мкм. При увеличении содержания марганца однородность нарушается и увеличивается толщина полос. Пакеты состоят из а-кристаллов двух ориентировок, взаимное расположение которых описывается параллельностью плоскостей 100 ai и 111 а2, одно из направлений <011> в этих плоскостях является общим для обеих ориентировок. [c.50]

При правильной нумерации узлов матрица системы — глобальная матрица жесткости—.ленточного типа, т. е. все ее ненулевые элементы располагаются вблизи главной диагонали, а все коэффициенты за пределами некоторой полосы, ограниченной линиями, параллельными главной диагонали, равны нулю [см. формулу (1.70)]. [c.254]

Задачи N, N2. Рассматривается в декартовых координатах х,у) контактная задача теории упругости о чистом сдвиге штампом бесконечного цилиндра О h, х R y)) (см. рис. 5.4, а на стр. 191). Эта задача служит модельной для более сложных задач, однако может представлять и самостоятельный интерес. Пусть к поверхности у — h цилиндрического тела, имеющего сечение в виде симметричной криволинейной трапеции, жестко присоединена бесконечно длинная полоса (штамп) шириной 2а, ось которой параллельна оси Поверхность вне штампа будем считать свободной от напряжений за исключением основания, которое жестко защемлено. На боковой поверхности тела X = R y) будем рассматривать два типа условий жесткое защемление (задача N ) и отсутствие напряжений (задача N2). [c.26]

Еще одна очень слабая прогрессия с подобным же расщеплением была найдена Дугласом и Холлас(Ш [295] и Дугласом [294] в той же области спектра, где расположена система полос В — X. Анализ тонкой структуры показывает, что это полосы параллельного типа. Поэтому они, очевидно, должны быть связаны с другим электронным переходом С — X, хотя трудно с определенностью исключить возможность идентификации полос как принадлежащих к запрещенной компоненте системы В — X, для которой правила запрета ослаблены благодаря электронно-колебательному взммодействию. Поскольку нумерация колебательных уровней не проводилась, состояние С может быть либо состоянием А[, либо состоянием А" , однако на основании анализа электронной конфигурации отнесение состояния С к типу А х представляется более разумным. [c.526]

Появление этих слабых перпендикулярных нолос в интенсивной системе, состоящей из параллельных полос, можно было бы рассматривать как результат возбуждения запрещенной комионенты диполя благодаря возмущающему действию близкорасположенного электронного состояния Е (см. стр. 240 и след.). Одпако такая интерпретация не позволяет попять аномально большие расстояния между этими полосами. Удовлетворительное объяснение причин, обусловливающих само появление этих нолос, а также больших расстояний между ними впервые было дано Малликеном и Теллером [917] на основании тщательного изучения взаимодействия электронного, колебательного и вращательного моментов количества движения в этом случае. Авторы показали, что верхнее электронное состояние системы нолос является состоянием Е, и это означает, что основные полосы являются полосами перпендикулярного типа. В гл. II, разд. 3,в, было показано, что если значение для состояния Е близко к 1, то расстояния в пределах основных полос,, равные 2 [А (1 — е) — В], должны быть малы (порядка 2В), и эти полосы, как это и имеет место в действительности, должны выглядеть как полосы параллельного типа. [c.537]

Как видно из фиг. 196, протяженная и весьма четкая ридберговская серия начинается с узкой группы полос при 1670 А и сходится к пределу при 1378 А, соответствующему потенциалу ионизации, равному 8,99д эв. Небольшая величина ридберговской поправки (0,10) показывает, что эта серия соответствует переходу наиболее слабо связанного электрона на орбиталь пй. Такой электронной конфигурации отвечают пять близко-лежащих синглетных электронных состояний, из которых только одно ( Лг) не может комбинировать с основным состоянием. Вполне возможно, что основная ридберговская серия соответствует одной из компонент состояния Ai, поскольку, так же как и для кетена, ридберговские полосы являются, по-видимому, полосами параллельного типа. [c.539]

Так как разность хода зависит от толщины пластины и от угла падения лучей, то наблюдаются полосы смешанного типа. Принято различать полосы равной толщины и полосы равного наклона. Если на пластинку направить пучок лучей с i = onst (параллельный пучок), то появятся полосы равной толщины. Лучи АВ и СВ, вышедшие из плоскопараллельной пластины (Л = onst), параллельны (следовательно, плоскость локализации находится в бесконечности). Их можно собрать дополнительной линзой интерференционная картина, наблюдаемая в различных точках фокальной плоскости линзы, зависит от угла наклона лучей, падающих на пластину. Наблюдаются полосы равного наклона. [c.151]

Примером перехода чисто параллельного типа могут служить полосы поглош,ения СЗг в близкой ультрафиолетовой области (3800— 3300 А). На фиг. 84, а приводится одна из главных полос, имеюш ая простые ветви Р и Е. Нулевой промежуток в полтора раза (а не в два) больше, чем расстояние между линиями. Это говорит об отсутствии чередую1цихся вращательных линий (как и в главных инфракрасных полосах), чего и следовало ожидать, поскольку спин ядра атома серы равен нулю. Если бы молекула в возбужденном состоянии была линейной (как в основном состоянии), то электронный переход был бы 2 — 2 . Если бы она была изогнутой (точечная груп- [c.200]

Наблюдались две системы полос испускания подобного типа упоминавшиеся ранее полосы NH2 в спектрах испускания различных пламен, в спектрах разрядов, а также в спектрах комет. Единственное отличие от спектра поглощения заключается в том, что в спектре испускания появляются полосы, у которых в нижнем состоянии возбуждено по одному или по нескольку квантов одного или большего числа колебаний. Второй является система полос в спектре пламени окиси углерода, которые оставались не отнесенными в течение нескольких десятилетий. Однако недавно Диксон [283] показал, что эти полосы обусловлены изогнуто-линейным переходом в молекуле СОз- Все наблюдавшиеся полосы связаны с переходами с двух самых низких колебательных уровней возбужденного состояния (типа В2), в котором молекула сильно изогнута (0 122°). В нижнем же (в основном) -состоянии, в котором молекула линейна, в переходах участвуют высокие возбужденные колебательные уровни. Наблюдается характерное чередование четных и нечетных подполос в последовательных полосах прогрессии по 2, однако колебательная структура усложнена наличием резонанса Ферми. Переход относится к параллельному типу (фиг. 90, а), т. е. К = I" и были идентифицированы полосы со значениями от О до 4. Определение величины А — В ъ возбужденном состоянии не может быть произведено непосредственно из спектра (поскольку АК = 0), как и в случае спектра поглощения СЗг- Для этого необходимо знать разности энергий между уровнями с различными значениями I в нижнем состоянии. В случае молекулы СО2 такие разности энергий могут быть получены экстраполяцией данных из инфракрасных спектров (Куртуа [246]). Полученные вращательные постоянные верхнего состояния приведены в табл. 64 приложения VI. [c.218]

Вопрос о знаке имеющий больяюе значение при выводе уравнений (11,80) и (11,81), был рассмотрен на стр. 68. Второй член в выражении (П,82) исчезает, если вырожденные колебания не возбуждаются. В спектрах поглощения это условие выполняется для всех интенсивных полос разрешенного электронного перехода, поскольку, как было показано, возбуждаются почти исключительно полносимметричные колебания. Таким образом, структура интенсивных полос определяется моментом количества движения Если 7ке, как это часто бывает, значение Се близко к единице, то расстояние между подполосами, равное 2 [А — 1,) — В], невелико. Иными словами, перпендикулярная полоса по внешнему виду похожа на нолосу параллельного типа, даже если при переходе не происходит изменения геометрии молекулы. Объясняется это просто — электроны не влияют на величину вращательной энергии, однако они участвуют в создании момента количества движения [c.230]

Примером системы псевдопараллельных полос (которые на самом деле являются перпендикулярными полосами) могут служить системы полос поглощения СНз1, обозначаемые В — ХтлС Хж расположенные соответ- ственно около 2000 и 1800 А. Главные полосы этих систем состоят из очень тесных интенсивных пиков поглощения и имеют внешний вид неразрешенных параллельных полос. Однако из рассмотрения электронных конфигураций и из структуры некоторых более слабых полос следует, что верхними должны быть состояния типа Е. Другими словами, в действительности это полосы перпендикулярного типа с очень тесно расположенными подполосами, так как значение Се г 1 (гл. V, разд. 3). Соответствующие полосы СРз совершенно аналогичны. [c.235]

Гибридные полосы. Как показано в таэл. 16, в молекулах точечных групп 6 1, Сь, Сз, С2 и Сгк могут наблюдаться гибридные полосы. Иными словами, при одном и том же электронно-колебательном переходе для таких молекул возможны вращательные переходы параллельного типа и вращательные переходы перпендикулярного типа. Относительные интенсивности параллельных и перпендикулярных компонент зависят от ориентации момента перехода по отношению к осям волчка. Из табл. 16 легко можно видеть, что перпендикулярные компоненты гибридных полос являются одиночными компонентами для каждой из них должно соблюдаться одно из грех правил отбора (И,97) — (Н,99). Другими словами, при А >0 ветви Р, а В имеют только по две, но не по четыре компоненты. Исключение составляют молекучы точечных групп С 1 (симметрия отсутствует) и (7,, полосы которых полностью гибридны, т. е. наблюдаются все три компоненты — тина А, типа В и типа С,— если момент перехода случайно не оказывается направленным по одной из главных осей. Характерные гибридные полосы были обнаружены в запрещенных компонентах системы полос пропиналя около 3800 А (Бранд, Калломон и Уотсон [141]). В отличие от главных полос, относящихся к строго перпендикулярному типу (тип С), запрещенная компонента состоит из электронно-коле-бательных переходов А — А% при которых имеются как параллельные, так и перпендикулярные составляющие момента перехода. В некоторых из этих полос разрешена А -структура. Подполосы с АК = О (тип ) и с АК = 1 (тип В) имеют приблизительно одинаковую интенсивность. [c.260]

Следует отметить еще ряд интересных особенностей, относящихся к спектру поглощения формальдегида в близком ультрафиолете. Помимо основных полос поглощения пернендикулярного типа, в спектре было найдено несколько значительно менее интенсивных полос, имеющих структуру параллельного типа (Дике и Кистяковский [277]). [c.530]

Иннес и Джиддингс [607] изучили на приборе с очень высоким разрешением слабую систему при 3700 А. Они нашли, что в спектре поглощения структура полосы очень похожа на структуру полос 3300 А, т. е. что она является полосой параллельного перехода. Однако наблюдающееся небольшое чередование интенсивности в ветвях заставляет предполагать существование, кроме главных переходов с АК = О, переходов с АК = 2. Для плоской молекулы типа почти симметричного волчка интервал 4 В — С) в (З-ветвях с АК = 2 почти такой же, как и интервал в Р- и Л-ветвях (а именно 2В) в компоненте АК = 0 но компонента АК = 2 будет иметь чередование интенсивностей в отношении 13 11 как функцию К, поскольку ось волчка является осью симметрии второго порядка. Присутствие ветвей А ЛГ = 2 может быть объяснено, если предположить, что переход является переходом триплет — синглет (Герцберг [523] см. гл. II, разд. 3,в). Наиболее вероятно, что этот триплет-синглетный переход является переходом Вз1 — A g, соответствующим переходу Дзи —при 3300 А. Предложенная интерпретация полностью подтвердилась наблюдением Дугласа и ]У1ил-тона [299] большого зеемановского расщепления системы 3700 А. [c.558]

Одним из наиболее интересных и всепроникающих факторов является тип скольжения, к которому давно проявляют интерес исследователи КР. В последнее время он начал привлекать внимание и в связи с водородными процессами. Тип скольжения, как обобщенное понятие, впервые был предлонген [305] для описания внешнего вида поверхностных линий скольжения. Он может быть либо планарным (т. е. довольно прямым и параллельным), либо волнистым (искривленным и разветвляющимся). Эти внешние особенности линий скольжения в общем случае хорошо коррелируют со структурой полос дислокационного соскальзывания, наблюдаемой в тонкопленочной электронной микроскопии, и поэтому тип скольжения, даже будучи несколько описательным понятием, все же получил широкое признание. Эта терминология, однако, не лишена некоторой неоднозначности, так как скольжение как планарное, так и волнистое может, кроме того, быть либо тонким (образуются многочисленные ступеньки соскальзывания малой высоты), либо грубым (большие, но редкие ступеньки) [201]. [c.126]

Осн. колебат. полосы линейной многоатомной молекулы, соответствующие переходам из осн. колебат. состояния, могут быть двух типов параллельные ( ) полосы, соответствующие переходам с дипольным моментом перехода, направленным по оси молекулы, и перпендикулярные (i) полосы, отвечающие переходам с дипольным моментом перехода, перпендикулярным оси молекулы. Параллельная полоса состоит только из Я- и Р-ветвей, а в перпендикулярной полосе разрешена также и -ветвь (рис. 2). Спектр осн. полос поглощения молекулы типа симметричного волчка также состоит из II и 1 полос, но вращат. структура этих полос (см. ниже) более сложная -ветвь в 1 полосе также не разрешена. Разрешённые колебат. полосы обозначают V j. Интенсивность полосы Vj. зависит от квадрата производной (ddJdQji) или (da/dQ ) . Если полоса соответствует переходу из возбуждённого состояния на более высокое, то её наз. горячей. [c.202]

ПОЛОСА ПРОПУСКАНИЯ — область частот, в к-рой колебания, проходящие через радиотехн., акустич., оптич. и др. устройства, изменяют свою амплитуду и др. параметры в установленных границах. Для электрич. цепей в пределах П. п, сопротивление цепи (в зависимости от её типа) близко к своему макс, или мин. значению (наир., параллельно или последовательно включённый колебат. контур). П. и.— важная характеристика резонансных систем, фильтров и др. В радиотехнике принято оценивать ширину П. п. по определ. уровню (обычно 1/1 2) амплитудно-частотной характеристики цепи относительно её макс, значения. П. п. [c.28]

Экспериментально возможность выделения на дефектах упаковки гексагональной фазы (типа фазы Лавеса) в виде плоских строчечных колоний наблюдалась в [196] (рис. 104). Вначале обнаруживаются серые полосы с трудно различимой тонкой структурой — микроскопически криволинейные, ступенчатые поверхности, образованные дефектами упаковки. Затем на этих полосах отмечается возникновение, а потом еще и огрубление колоний параллельных цепочек — выделений. Укрупнение частиц Fe2W в колониях приводило к заметному падению ударной вязкости. [c.236]

К основным элементам полосовой субструктуры относятся 1) системы параллельных субграниц 2) оборванные субграницы 3) петлеобразные конфигурации дисклинационного типа 4) непрерывно распределенные дислокации одного знака [155]. Внутри микрополосы между субграницами распределены избыточные дислокации, которые создают изгиб, кручение или более сложную деформацию. Образование полосовой субструктуры происходит вследствие [155] 1) перерастания системы полос скольжения от границ зерен поликристаллов 2) зарождения и развития петлеобразных субграниц дисклинационного типа в монокристаллах 3) вытягивания ячеек в одном направлении и появления разориентировок в ячеистой субструктуре. При наличии в деформируемом кристалле разориентировок скалярное описание дислокационной субструктуры оказывается недостаточным, в связи с чем вводятся такие параметры, как избыточная (тензорная) плотность дислокаций р , плотность субграниц, азимутальная и радиальная разориентировка, кривизна-кручение решетки к. Локальная избыточная плотность дислокаций определяется при чисто пластическом изгибе ф по его градиенту d(p/dl следующим образом [139] [c.96]

Однако из уравнений (135)—(138) видно, что как G так и G равны нулю при (3 = 0. Следовательно, чтобы реализовать деформирование типа II в чистом виде, необходим другой эксперимент. Для экспериментального определения величин С,к Дональдсон [56] применил модифицированный метод такого испытания на сдвиг пфекраши-ванием полосы (схема образца для такого испытания показана на рис. 4.64). Испытание осуществляют на пластине из однонаправленного композита, закрепленного между тремя рельсами . Крайние рельсы опираются на основание, а центральный нагружается вертикальной силой, в результате чего в обеих частях образца развивается плоский сдвиг. Рекомендуемые размеры композитной пластины и оснастки можно найти в [58]. Если волокна ориентированы параллельно рельсам, получить значение можно, создав в одной из незащемленных половин образца центральный надрез, параллельный волокнам. [c.279]

Пятым из перечисленных является субструктурный механизм разупрочнения, характерный для однофазных материалов, в которых формирование протяженных устойчивых полос скольжения связано с перераспределением дислокаций, возникающих в результате пластической деформации (наклепа) или интенсивного фазового превращения. В пластичных материалах на стадии циклического деформационного упрочнения возникает ячеистая структура (рис. 5.18, а), которая трасформируется в полосовую, типа представленной на рис. 5.18, б, В условиях знакопеременного нагружения дислокационная полосовая структура, которой на поверхности образца соответствуют устойчивые полосы скольжения, характеризуется наличием упорядоченной системы дислокационных стенок [29] и представляет протяженные в пределах одного зерна плотные дислокационные стенки, параллельные плоскости первичного скольжения и вызывающие заметную (до нескольких десятков минут) разориентацию заключенных [c.233]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...