Запрещенные

Метод перебора заключается в последовательном рассмотрении всех возможных вариантов упрощения исходно функции с использованием тех же аргументов. Оставляется тот из вариантов упрощенной функции, в котором /=1 в рабочем состоянии и f = 0 в запрещенном. Варианты упрощения рекомендуется сводить в табл. 5.2. [c.181]

I, и /2 рабочие состояния отмечаются знаком -(- , запрещенные — знаком — , безразличные не имеют знака. [c.188]

Производится упрощение формул включения. Сначала в табл. 5.5 из табл. 5.4 переписываются значения х л г для запрещенных состояний, в которых [c.195]

Для синтеза избирательной (однотактной) системы управления следует составить таблицу состояний с указанием рабочих, запрещенных и безразличных состояний, исходные формулы включения и произвести их упрощение. Как и в предыдущем случае, построить функциональную схему управления. [c.200]

Сверяют коды на перфоленте с записью на программной карте. Пропускают перфоленту через [ .читы)зающее устройство интерполятора ускоренно для контроля на отсутствие запрещенных комбинаций кодов. [c.252]

Рис. 6.1. Допустимая и запрещенная полуплоскости (а) и область существования задачи нелинейного программирования (б)

В полупроводнике с шириной запрещенной зоны —1 эВ число электронов п, имеющих при комнатной температуре (кТ 2 - 0 эВ) энергию, достаточную для перехода в зону [c.196]

Минимальная энергия, необходимая для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, характеризует величину энергетического интервала между этими зонами (или ширину запрещенной зоны). [c.387]

Энергетические уровни электронов в твердом теле объединены в серии и образуют энергетические зоны. Число расщепленных уровней в каждой зоне равно числу атомов, объединенных в кристалл. Установлено наличие трех зон нижняя зона валентных связей запрещенная зона зона проводимости. [c.32]

В отличие от металлов в полупроводниках и диэлектриках также возникает так называемый внутренний фотоэффект, состояш,ий в возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для внутреннего фотоэффекта энергия поглощенного светового кванта не должна быть меньше ширины запрещенной зоны (разность энергии между нижней границей зоны проводимости и верхней границей валентной зоны). [c.345]

Использование зонной теории. Согласно зонной теории, для объяснения электрических и оптических свойств кристаллов важное значение имеют как последняя заполненная (валентная зона), так и первая незаполненная (зона проводимости) зоны. При внедрении в кристалл чужеродных ионов возникают уровни, в запрещенной зоне расположенные несколько выше вершины валентной зоны решетки и ниже дна зоны проводимости. Эти уровни локализуются около конкретного иона и поэтому называются локальными. [c.362]

Если электрону в валентной зоне сообщить энергию, превышающую ширину запрещенной зоны, то он, покидая валентную зону, перейдет в зону проводимости (рис, 16.4, /), При движении по зоне проводимости электрон, потеряв часть своей энергии, опускается к ее дну (рис. 16.4, 2), а в дальнейшем переходит на локальный уровень активатора (рис, 16.4, < ). При уходе электрона из валентной зоны возникает дырка, которая ведет себя подобно положительному заряду. Дырка, двигаясь по валентной зоне, рекомбинирует (рис. 16.4, 4) с электроном, попавшим на уровень активатора из зоны проводимости. Выделенная энергия при рекомбинации электрона и дырки возбуждает ион активатора, являющийся центром высвечивания. Поскольку движение электрона в зоне проводимости происходит с большой скоростью, то процесс люминесценции в данном случае является весьма кратковременным. [c.362]

Построим конус трения, приняв материальную точку за его вершину. Угол раствора конуса равен р, а ось конуса направлена по нормали к поверхности. Для равновесия материальной точки необходимо и достаточно, чтобы равнодействующая Г активных сил принадлежала конусу трения. Если поверхность удерживающая, то безразлично, внутри какой полости конуса расположена сила Р. Если же поверхность неудерживающая, то от конуса трения надо взять лишь ту полость, которая направлена в сторону, запрещенную для схода точки. [c.361]

Сечения А v В закреплены шарнирно и запрещен их поворот относительно осей fj н г [c.248]

Рис. 73. 3-спектр RaE (принадлежит к числу запрещенных спектров). [c.241]

Запаздывающие нейтроны 308 Запрещенные а-переходы 234 [c.393]

Проведенные расчеты показывают, что С-60 в кристаллическом состоянии с кубической гранецентрированной решеткой является полупроводником. При этом молекулы С-60 совершают беспорядочные колебания [20], Ширина запрещенной зоны 1,5 -1,95 эВ [22], [c.60]

Д.ИЯ сварки полупроводниковых материалов, пмеюпщх различную ншрину запрещенной зоны w-i и ш.,), выбирают лазер с энергией квантов Wji, отвечающей условию < Уц <С w. . [c.169]

Сложную логическую функцию можно записать в различных вариантах. Упрон1еннем (или минимизацией) логической функции является такое преобразование, при котором уменьшается количество букв и знаков в се алгебраическом выражении при сохранении значения f=l для рабочих состояний и f==0 для запрещенных. Это приводит к сокращеннк числа логических элементов в схеме, реализующей эту функцию, т. е. к упрощению как логической схемы, так и всей системы управления. [c.179]

В последовательностных СУ состояния выхода между его рабочим состоянием fj = ] и рабочим состоянием инверсного выхода /у = 1 являются безразличными и обозначаются — . Все остальные состожшя запрещенные. Например, для сигнала f, на вклЕОчение ЭП ставится 1 в такте 6а, преди1ествующему такту 66, де сигнал г меняется с О на 1. В тактах 66, 1, 2, 3 (до 4а, когда /7 = ) ставятся прочерки (безразличные состояния), так как ЭП уже включен (г=1) и для него безразличен сигнал 1 или fj = 0. В осталь 1ых тактах (4а, 46, 5) для fi ставятся иули. [c.195]

Для синтеза последовательностной (многотактной) системы управления необходимо построить тактограмму машины с указанием наличия или отсутствия сигналов от конечных выключателей в начале каждого такта движения, проверить реализуемость тактограммы, в случае необходимости определить число элементов памяти и выбрать такты для их включения и выключения, составить таблицу включений с указанием тактирующих сигналов, рабочих, запрещенных и безразличных состояний, получить исходные формулы включения и упростить их. На основании выполненного синтеза построить функциональную и принципиальную схему управления на пневматических или электромагнитных элементах и проверить ее действие. [c.200]

Зонная структура твердого тела является результатом взаимодействия волновой функции электрона с рещеткой. Зонная структура позволяет найти частоты и направления, для которых волновая функция электрона может или не может проходить через решетку. Отражение электронной волны под углами Брэгга от кристаллографических плоскостей является идеально упругим и не вносит вклада в электрическое сопротивление. Для каждого кристалла и каждой электронной конфигурации условия Брэгга налагают определенные ограничения на направление волнового вектора и значения энергий, которые может принимать электронная волна. Эти ограничения в направлениях и значениях энергий приводят к появлению щелей в почти непрерывном спектре энергий и направлений. Именно эти щели (порядка 1 эВ для полупроводников и 5 эВ или больше для хороших диэлектриков) обусловливают сильнейшие различия между металлами, полупроводниками и диэлектриками (рис. 5.2). Для металлов характерно, что уровень Ферми оказывается внутри зоны, имеющей вакантные энергетические уровни. Полупроводники имеют полностью заполненную разрешенную зону. Ширина запрещенной зоны у них невелика, н поэтому ие большое число электронов при тепловом возбуждении может перейти в расположенную выше разрешенную зону. Диэлектрик отличается от полупроводника тем, что его запрещенная зона очень велика, и практически ни один возбужденный электрон не может ее преодолеть. [c.190]

А1А , А18Ь, ОаР, ОаАз, ОаЗЬ, 1пР, 1пА5, 1п5Ь. По ряду свойств эти химические соединения близки к полупроводниковым материалам — Ое и 51. Так, подвижность носителей заряда в них достигает больших значений ширина запрещенной зоны также велика, а вводимые примеси изменяют механизм электропроводности, поскольку некоторые атомы II группы (2п, Сс1) являются акцепторными, а VI группы (5е, Те) — донорными примесями. [c.390]

Толщина масляного слоя максимальна л 19. мк.ч) при ф = 0,0008, что соответствует = 0,5 (значения нанесены на кривой светлыми точками). С уменьшением ф (левая ветвь кривой) подшипник вступает в область запрещенных эксцентриситетов ( >.0,5) коэффициент трения резко возрастает. С уве.чиченнем ф (правая ветвь) значения уменьшаются коэффициент надежности падает. Заштрихованная область показывает допустимые пределы ф = 0,001 -т 0,002 ( = 0,3 0,1), при которых и V. со.храняют приемлемые значения (/ = 1610 мкм и = 4,22,5). В этом интервале коэффициент трения имеет пологий минимум (f X 0,002). [c.346]

Auto AD не отображает на экране объекты, расположенные на невидимых слоях, и не выводит их на плоттер. Если при работе с деталями рисунка на одном или нескольких слоях рисунок слишком загроможден, допускается отключить или заморозить неиспользуемые слои. Более того, для запрещения вывода на печать объектов определенных слоев, например слоев для вспомогательных линий, можно оставить эти слои видимыми, но отключить их вывод на печать. [c.179]

Изолированной системой называется система, у которой запрещен энергообмен и массообмен с окружающей средой 2Л1 = = onst 2 = onst. [c.251]

Замкнутая система может иметь энергообмен с окружающей средой, но массообмен запрещен 2Al = onst Sf onst. [c.251]

Следовательно, все процессы, имеющие неразумно большие времена релаксации, являются кинетически заторможенными и могут не приниматься во внимание при термодинамическом анализе более быстрых процессов. Ограничения, на основании, которых из рассмотрения исключаются некоторые из возможных в принципе, но не происходящих практически процессов, должны, конечно, формулироваться заранее при описании термодинамической модели явления. Например, условие постоянства объема системы исключает возможность ее расширения, условие неподвижности компонентов исключает возможность диффузионных процессов и т. д. Одновременно становятся необязательными и равновесия, соответствующие этим запрещенным процессам. [c.35]

В гетерогенных системах при фиксированных некоторых координатах возможны нейтральные равновесия за счет перераспределения веществ между гомогенными частями без изменения их интенсивных свойств. Такие процессы называют фазовыми реакциями. При использовании ограничений на термодинамические свойства гетерогенной системы они должны исключаться из рассмотрения. Запрет на определенные процессы не является, однако, чем-то особенным, исключительным с точки зрения методов термодинамики, поскольку понятие термодинамического равновесия имеет смысл лишь тогда, когда конкретно указаны все возможные, допустимые в системе процессы (см. 4). Поэтому можно условиться не рассматривать фазовые реакции, считая их запрещенными, что позволяет, как уже говорилось, выяснить аналогию между устойчивостью равнове-си71 в гомогенных и в гетерогенных системах. С другой стороны, если допустить возможность протекания в гетерогенной системе фазовых реакций, то удается обнаружить существенные особенности поведения гетерогенных систем (подробнее см. [6]). [c.128]

В квантовой механике не всегда возможны переходы с поглощением одного фотона между двумя состояниями, если даже энергия фотона равна разности энергий между этими уровнями. В таком случае говорят, что подобные переходы запрещены. Преимуществом двухфотонного поглощения является то, что этот процесс возможен и в том случае, если даже переход между соответствующими состояниями запрещен. Следовательно, исследуя двухфотонрюе поглощение, можно обнаружить уровни, между которыми запрещен однофотонный переход. [c.402]

Сечеиня А и В закреплены шарнирно и запрещен их поворот вокруг оси бруса г [c.248]

Под действием света, падающего на поверхность полупроводника, в нем образуются пары л-р-носителей (электрон-дырка). Неосновные носители (дырки в полупроводнике л-типа и электроны в р-полупроводнике) диффундируют в область п-р-перехода, втягиваются в него и образуют пространственный заряд по другую сторону перехода. Таким образом, происходит накопление носителей тока разных знаков в двух противоположных частях полупроводника. Однако этот процесс не может продолжаться сколь угодно долго, так как в результате накопления зарядов возникает электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам. Таким образом, наступает динамическое равновесие между переходами электр01 0в (дырок) в одну и другую сторону. В результате образуется постоянная разность потенциалов (фото-э. д. с. ), не превьппающая ширины запрещенной зоны в полупроводнике, выраженной в вольтах. [c.443]

Обратимся к вопросу о разрешенных и запрещенных р-перехо-дах. Выше уже отмечалось, что Р-распад ядра представляет собой переход нуклона ядра из одного зарядового состояния в другое. При этом начальное и конечное состояния ядра для наблюдаемых процессов Р-распада должны удовлетворять определенным условиям (фермиевские и гамов-теллеровские переходы). Эти условия [c.247]

Основную долю публикаций по изучению строения производных фул-леренов методами колебательной спектроскопии составляют данные по ИК-спектрам [131]. Присоединение заместителей существенно понижает симметрию исходного фуллерена,и запрещенные симметрией колебания стшю-вятся активными. По этой причине ИК-спектроскопия является полезной при анализе структуры заместителей. [c.229]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...