Дебаевская длина экранирования

Здесь Lb—так называемая дебаевская длина экранирования. Физический смысл этого параметра хорошо известен (см., например [c.56]

LJ) = у tt k-gT/e NX — дебаевская длина экранирования [c.312]

Параметр д называется дебаевской длиной экранирования для собственного материала к = = I и Ld = Loj. Знак производной dY/dz в соотношении (1.6) положителен, если энергетические зоны изогнуты вверх (У < 0) и отрицателен при У > О (изгиб зон вниз). [c.19]

Более точно физический смысл дебаевской длины экранирования можно выяснить, анализируя случай малых изгибов зон ( У <<1). Используя разложение экспонент в степенные ряды и ограничиваясь квадратичными членами, легко показать, что в этих условиях F k,Y) = Уи решение (1.6) имеет вид [c.20]

Два последних числа следует рассматривать как сугубо ориентировочные, поскольку соотношение (1.8) получено в предположении, что вырождение отсутствует. Для металлов и вырожденных полупроводников тепловую энергию кТ следует заменить на энергию Ферми ), а под е понимать диэлектрическую проницаемость одной решетки, без электронного вклада (обычно е = 1). Такой расчет дает для алюминия F= 11,6 эВ, о = 1,8- см ) дебаевскую длину экранирования д S 0,05 нм. [c.20]

В диэлектриках с заметной ионной проводимостью электростатическое экранирование, по крайней мере частично, может осуществляться за счет накопления ионного заряда в приповерхностной области. В итоге дебаевская длина экранирования станет еще меньше. [c.21]

Очевидно, решение уравнения Пуассона в квазиравновесном случае будет иметь точно такой же вид, как (1.6). Роль дебаевской длины экранирования будет играть величина [c.30]

Ряс. 1. Нарушение квазинейтральности плазмы на длине порядка дебаевского радиуса экранирования го. [c.595]

В каждой из контактирующих сред на нек-рое расстояние от П. простирается слой, в к-ром элементный состав и хим. состояние, атомная и электронная структуры и, следовательно, динамич., электронные, магн. и др. свойства вещества существенно отличаются от его свойств в объёме. Толщина этого слоя зависит от природы соприкасающихся сред и внеш. условий и определяется характерной длиной, присущей рассматриваемому физ. явлению (см. Размерные эффекты. Квантовые размерные эффекты). Напр., толщина слоя со специфич, электронными свойствами определяется длиной экранирования электрич. поля в среде и изменяется от 10 см в металлах до величин 10 — 10" см и более в полупроводниках, плазме и электролитах (см. Дебаевский радиус экранирования). [c.653]

Поскольку энергия активации для движения дислокации, согласно [531], равняется энергии активации, необходимой для образования двойного перегиба на расщепленной дислокации t/(r) = U . + RX, где энергия стягивания, R - энергия рекомбинации и X - критическая длина рекомбинирующего сегмента, то вполне естественно ожидать значительно меньшее значение энергии активации вблизи свободной поверхности кристалла (/ (г) < U" (т)) вследствие наличия эффекта уменьшения ширины расщепления, показанного на рис. 94. Тогда и в этом случае свободная поверхность в энергетическом отношении будет являться областью наиболее легкого зарождения перегибов с последующим их стоком по дислокации в глубинные слои кристалла. Кроме того, если даже рассматривать другой возможный вариант локальное повышение электронной плотности и соответствующее снижение барьера Пайерлса вблизи атомов легирующей примеси [519, 520], то и в этом случае максимальное проявление эффекта, по-видимому, следует ожидать вблизи поверхности, так как на глубине дебаевского радиуса экранирования концентрация примеси будет максимальна. [c.162]

Взаимодействие атома с каждым электроном проводимости формально дается величиной / но суммарное взаимодействие всех электронов с атомом не равно сумме С/, оно сильно подавлено из-за наличия ионного остова и корреляции электронов между собой. Основная корреляция, которую можно назвать локальной квазинейтральностью, возникает в толще металла. А именно, каждый заряд, в том числе заряд каждого электрона, оказывается окруженным оболочкой противоположного заряда. В плазме, т.е. в системе заряженных классических частиц, характерная длина экранирования заряда равна дебаевскому радиусу. А в металлах эта длина приближенно равна среднему расстоянию /, между электронами проводимости. Поэтому можно считать, что с атомом реально взаимодействуют лишь те электроны, которые находятся в поверхностном слое толщиной /,. [c.246]

Это известная формула Л.Д.Ландау (1946) для затухания плазменных колебаний. Условие 7 < П, обеспечивающее корректность нашего рассмотрения при получении результатов для П и 7, как видно из рис. 195, выполняется только в области к <к. к = 1/гк или для волн, длина которых значительно превышает дебаевский радиус экранирования, А > гд. [c.308]

Кристаллы SBN, легированные церием [42], отличаются более высокой чувствительностью к голографической записи. Длина дебаевского экранирования для них становится существенно меньше, чем для чистых, и снимается ограничение на угол схождения взаимодействующих пучков. Введение церия приводит к существенному росту поглощения в сине-зе-леной области спектра, что ограничивает использование толстых образцов. [c.52]

До сих пор мы обсуждали лишь флуктуационные электронные состояния неупорядоченной системы. Однако достаточно глубокие и широкие потенциальные ямы могут возникать не только из-за случайных флуктуаций силового поля, но и благодаря существованию вполне определенных, присущих данной системе дефектов (например, оборванных связей, примесных атомов или молекул и т.п.). В отсутствие случайного поля эти дефекты создавали бы дискретные энергетические уровни — узкие пики плотности состояний в запрещенной зоне. При наличии случайного поля эти пики "размываются", причем ширина их тем больше, чем больше амплитуда случайной компоненты силового поля — см. рис. 2.16,а,в. В сильно разупорядоченных системах какие-либо особенности на плавной функции р( ) могут вообще не наблюдаться — рис. 2.16,5. При высокой концентрации флуктуационных полей разделение электронных состояний на истинные (обусловленные конкретными дефектами) и флуктуационные становится нереальным из-за перекрывания кулоновских полей заряженных состояний. При более или менее равномерном пространственном распределении заряженных дефектов это произойдет, когда средние расстояния между ними станут меньше длины дебаевского экранирования. В этом случае флуктуационные поля приобретают кооперативные свойства изменение заряда одного состояния влечет за собой изменение всей системы зарядов хаотически распределенных дефектов. [c.116]

Заряжение поверхности полупроводника вызывает возникновение разности потенциалов между поверхностью и объемом полупроводника и, следовательно, искривление энергетических зон. При заряжении поверхности отрицательным знаком энергетические зоны изгибаются вверх, так как при перемещении электрона из объема на поверхность его потенциальная энергия увеличивается рис. 8.29). При положительном зарял ении поверхности зоны изгибаются вниз. Изгиб простирается в глубь полупроводника примерно на дебаевскую длину экранирования 1д. [c.244]

КОГО электрода, величина его определяется типом металла, дебаевской длиной экранирования /д не только в металле, но и в полупроводнике, или р -слоях, и геометрией металлического слоя контакта. Например, коэффициент к для меди равен, Кл/см 9,8 10 , для алюминия 3,3 10" , для щелочноземельньгх металлов <1,0-10 и т.д., в то время как усредненное значение поверхностных состояний находится в пределах 10" ...10 . [c.177]

Дебаевская длина экранирования I для ЗпОа с концентрацией электронов 10 — 101 см составляла 10 —Ю см.. [c.47]

Как следует из табл. 1.3, эффективная ширина ОПЗ при малых изгибах энергетических зон равна дебаевской длине экранирования. Для слоя истощения получается такой же, как в (1.15). Эффективная ширина слоев сильного обогащения или сильной инверсии может быть значительно меньше например, если при сильном обогашении 1 = 10, то = Ю д. При таком же значении истощенный слой имеет ширину lVe/= tVd= 6,3 Lp. [c.27]

Будем считать, что толщина 26 переходного слоя много меньше длины рэлеевской волны Яд в кристалле. Под переходным слоем в полупроводнике обычно иопимают приповерхностную область кристалла толщины порядка дебаевского радиуса экранирования /д [c.198]

Эту величину называют радиусом экранирования. Дело в том, что при введении в плазму пробного точечного заряда вокруг него образуется область сильного электрического поля, ограниченная сферой, радиус которой равен Г ) (радиус Дебая, или дебаевская длина). Таким образом, радиус Дебая — это характерный пространственный масштаб областей декомпенсации плазмы, а рассматриваемому нами случаю соответствует условие X Го- Время Ь, в течение которого сохраняются области декоменсапии, пропорционально го/Уе, где скорость Уе электронов (наиболее быстрых частиц) определяется из соотношения ТОе /2 к Т (тое — масса электрона). Тогда характерный временной масштаб декомпенсации плазмы [c.119]

Д. с. п. заряженных частиц (электронов и ионов). При классическом рассмотрении понятия эффективного сечения и Д. с. п. по отношению к упругим столкновениям заряж. ч-ц теряют смысл, т. к. вз-ствие ионов (эл-нов) с атомами (молекулами) может происходить и на расстоянии. В рамках квант, механики, рассматривая упругие вз-ствия заряж. ч-п, получают конечные значения для эфф. поперечного сечения и, следовательно, для Д. с. п., если вз-ствие убывает быстрее, чем 1/г . В плазме можно определить Д. с. п. для упругих вз-ствий, считая, что радиус действия поля рассеивающих центров не превышает дебаевского радиуса экранирования. По отношению к неупругим процессам Д. с. л. определяется ср. расстоянием, к-рое проходит ион (эл-н) при данной скорости, прежде чем примет участие в процессе. ДЛИННЫЕ ЛЙНИИ, см. в ст. Линии передачи. .. [c.180]

Зеличина А, о,, так же как и значение злектронного шглощс1П1 [ звука, зависит от частоты УЗ. А. а. максимален, когда длина волны оказывается одного порядка с 1)адпусом дебаевского экранирования для свободных э ]сктронов, Акусто )дс существенно меняется [c.51]

К этому же классу симметрии (4w) принадлежат смешанные кристаллы Srj(Bai eNb206 (SBN). Диагональный электрооптический коэффициент Гэз оказывается для них наибольшим и составляет 100 10" см/В для состава сх = 0,25 и 1,400 10 ° см/В для х - 0,75 [41]. Однако для неактивированных кристаллов длина дебаевского экранирования фото-возбужденных носителей /д 1 мкм, что ограничивает предельно достижимый коэффициент усиления [28] при двзоспучковом взаимодействии. [c.52]

Поскольку длины волн колебаний нлазмы не малы но сравнению с радиусом экранирования, то можно говорить, что интересующие нас эффекты возникают из-за взаимодействия частиц, когда среднее расстояние между ними больше дебаевского радиуса (или сравнимо с ним). В газе заряженных частиц со слабым взаимодействием выполняется неравенство [c.232]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...