См. также Работа выхода

См. также Работа выхода Контактное (фермиевское, сверхтонкое) взаимодействие II 281 (с) [c.398]

С ЭТИМИ работами (см. также работу Колони и Рейнольдса [1970] ), поскольку упомянутые здесь методы выходят за рамки данной книги. [c.205]

Из измерений Милликена можно, пользуясь формулой Эйнштейна, определить также и работу выхода. Найдем то значение V = которому соответствует У = 0, т. е. точку пересечения прямой Милликена (см. рис. 32.5) с осью абсцисс тогда Р = йлф. [c.639]

Важнейшей эмиссионной характеристикой твердых тел является работа выхода еср (е — заряд электрона, Ф — потенциал), равная минимальной энергии, которая необходима для перемещения электрона с поверхности Ферми в теле в вакуум, в точку пространства, где напряженность электрического поля практически равна нулю [1]. Если отсчитывать потенциал от уровня, соответствующего покоящемуся электрону в вакууме, то ф— потенциал внутри кристалла, отвечающий уровню Ферми. Согласно современным представлениям в поверхностный потенциальный барьер, при преодолении которого и совершается работа выхода, основной вклад вносят обменные и корреляционные эффекты, а также — в меньшей степени — электрический двойной слой у поверхности тела. Наиболее распространенные методы экспериментального определения работы выхода — эмиссионные по температурной, спектральной или полевой зависимости соответственно термо- фото- или полевой эмиссии, а также по измерению контактной разности потенциалов между исследуемым телом и другим телом (анодом), работа выхода которого известна [I, 2]. В табл. 25.1, 25.3 и 25.4 приведены значения работы выхода простых веществ и некоторых соединений. Внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода (эффект Шоттки). Если поверхность эмиттера однородна, то уменьшение работы выхода. эВ, при наложении электрического поля напряженностью В/см, равно [c.567]

При выгорании ядерного топлива происходит накопление продуктов деления, в том числе и газообразных, а также изменение структуры топлива за счет перекристаллизации. Оба эти явления могут приводить к распуханию материалов электрогенерирующего канала ТЭП, что сопровождается уменьщением размера и без того малого зазора между катодом и анодом ТЭП.. Это может привести к серьезному нарушению режима работы ТЭП и к его вынужденной остановке. Кроме того, создается опасность проникновения или диффузии топлива на внешнюю поверхность эмиттера и перенос вещества с катода на анод посредством транспортных реакций. Для повышения эффективности работы эмиттера применяются ориентированные молибденовые и особенно вольфрамовые покрытия (см. гл. V). Однако проникновение на наружную поверхность хотя бы небольших количеств топлива может привести к образованию слоя, который резко ухудшает адсорбционную способность эмиттирующей поверхности по отношению к цезию и тем самым сильно снижает работу выхода электронов. [c.127]

При столкновениях образуются также возбуждённые атомы, к-рые высвечиваются (УФ-излучение) за время 10 с. Энергия фотонов йоа почти всегда превосходит работу выхода электронов с поверхности катода, поэтому вырванные (с вероятностью 10 ) фотоэлектроны также движутся к аноду, усложняя картину разряда и образуя лавинные серии — последовательно затухающую цепочку импульсов, отстоящих друг от друга на время дрейфа электронов от катода к аноду. Фотоэлектронную эмиссию можно ослабить, если в состав газа кроме инертных (Ат, Кг, Хе) ввести многоатомные газы (СН С И , СО я т. д.), поглощающие УФ-излучение. Т. к. электроны поглощают газы и пары со сродством к электрону (О, НаО, галогены), то их в смеси П. с. должно быть мин. кол-во (концентрация О 10 см ). [c.147]

Уменьшение работы выхода, наблюдаемое после достижения тока пассивации, обусловлено, по-видимому, появлением положительного объемного заряда, тормозящего движение катионов через пленку в раствор. Когда величина объемного заряда становится столь существенной, что ионный ток через пленку практически прекращается, наступает пассивное состояние. Поскольку установившееся значение АУк весьма стабильно вне раствора (электрод запомнил поляризацию и релаксацию У, становится заметной лишь через несколько суток), имеются основания считать, что объемный заряд прочно локализован в пленке. Дальнейшее смещение электродного потенциала в сторону положительных значений даже на такое большое значение, как один вольт, не приводит к изменению Fk (см. кривую 3 на рис. 2,28) , что также указывает на достаточную электрическую прочность структуры в пленке окисла, обеспечивающей пассивность. [c.82]

Отметим также работы, в которых решались задачи теории трещин для криволинейных (некруговых) областей. Метод сингулярных интегральных уравнений использовался при определении напряженного состояния около трещин в конечной криволинейной области [377, 418] или в бесконечной плоскости с эллиптическим отверстием [16, 60, 95, 154]. В работах [15, 348, 403) решались задачи о трещинах в эллиптической [15, 3481 и полукруглой [403] пластинах. В случае односвязной области, когда трещины выходят на край области, широкое применение нашел метод конформного, (отображения (см. обзор в работе [160], а также [74]). При [c.155]

Основные граничные плоские и антиплоские задачи теории упругости для многосвязной области, содержащей криволинейные разрезы и отверстия произвольной формы, сведены в работах [94—96] к системе сингулярных интегральных уравнений первого рода по замкнутым (контуры отверстий и внешняя граница) и разомкнутым (разрезы) контурам. При этом предполагалось, что контуры разрезов и отверстий не пересекаются между собой (см. параграф 3 данной главы). Краевые трещины рассматривались только в некоторых частных случаях граничного контура (окружность, прямая), когда удается построить модифицированные сингулярные интегральные уравнения, не содержащие искомых функций на этом контуре [70, 95]. В последнее время изучались также задачи в случае произвольной симметричной области с краевой трещиной, находящейся на оси упругой и геометрической симметрии [27, 53, 58, 104] (см. также параграфы 3—5 четвертой главы). Ниже, следуя работе [97], приводятся обобщения указанных выше результатов на общий случай многосвязной области с разрезами и отверстиями, когда разрезы одним или двумя концами могут выходить на внешнюю границу и контуры отверстий. Получены численные решения построенных интегральных уравнений при одноосном растяжении бесконечной плоскости с одним или двумя круговыми отверстиями, на контуры которых выходят радиальные трещины. [c.33]

Информация о радиационном выходе ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ДОКУМЕНТЫ должны содержать соответствующую информацию о фиксированных, почти всегда предварительно выбираемых, заранее задаваемых и используемых параметров другого типа или режимов работы, чтобы ОПЕРАТОР мог предварительно задавать соответствующие условия ОБЛУЧЕНИЯ и получать данные, необходимые для определения подводимой ВОЗДУЩНОЙ или ВОДНОЙ КЕР-МЫ, а также иметь подробную информацию о КАЧЕСТВЕ ИЗЛУЧЕНИЯ см. также примечание к 29.104.4. [c.72]

Причина контактной разности потенциалов заключается в различных значениях работы выхода электронов из металлов (см. табл. 44), а также в том, что число свободных электронов, а следовательно, и давление электронного газа разных металлов может быть неодинаковым. Из курса физики известно, что контактная разность потенциалов между металлами А V. В будет равна [c.273]

Повышение частоты вращения преобразователя, как и случайное чрезмерное повышение напряжения, может привести к его разрушению, а также к выходу из строя электрооборудования. Контроль за работой преобразователя осуществляется с помощью реле РМ2 (см. рис. 319), которое получает напряжение через предохранитель ЛрЗ, конденсаторы С1—СЗ и выпрямитель ПП1. Его настраивают на срабатывание при напряжении 145 % от номинального. Кроме того, наличие конденсаторов С1—СЗ обусловливает увеличение напряжения на реле при повышении частоты, так как сопротивление конденсаторов при этом уменьшается. Поэтому реле сработает и в случае, если напряжение генератора будет поддерживаться номинальным, но частота превысит 75 Гц. [c.338]

Величина работы выхода эмиттера существенно зависит от состояния и структуры его новерхности. Адсорбция чужеродных атомов, создающих покрытия порядка мономолекулярного слоя, может заметно повысить или понизить работу выхода и очень сильно изменить термоэмиссионные свойства катода. Различие в расположении атомов на поверхности разных граней одного и того же кристалла также приводит к отличию в величине работы выхода этих граней (см. Работа выхода). [c.174]

Так как платина подавляет термоэлектронную эмиссию молибденовых сеток генераторных ламп с катодами из торированного вольфрама вследствие образования сплава ТЬ-Р1, отличающегося большой работой выхода, очевидно, что вместо механически мало прочной и дорогой платиновой проволоки целесообразнее применять для изготовления таких сеток платинированную молибденовую проволоку. При этом слой платины при сварке этих проволок с платинированными молибденовыми траверсами служит одновременно тугоплавким припоем. Такие проволоки значительно облегчают производство некоторых типов сеток, подобных изображенной на рис. 5-2-15 (см. также рис. 8-5-24), с большим числом сварных соединений. Кроме того, дополнительно наносимый обычно на поверхность сеток порошок [c.340]

Контактное поле вызывает перемещение электронов в направлении к м-области, а дырок — к р-полу-проводнику. На границе образуется так называемый запорный слой с ничтолсно малой концентрацией носителей и, следовательно, низкой проводимостью толщина этого слоя порядка 10 см. Запорный слой образуется также на границе между металлом и р-полупроводником, если у первого работа выхода электронов меньше, чем у второго, или же на границе между металлом и п-полупроводником,если у первого работа выхода больше, чем у второго электроны переходят в металл и в п-полупроводнике у границы раздела появляется положительный объемный заряд. [c.176]

Т е р м о э л е к т р о д в и ж у UJ, а я сила. При соприкосновении двух различных металл1 ческих проводников (или полупроводников, см. гл. 8) между ними возникает контактная разность пот( нциалов. Причина появления этой разности потенциалов заключается в различии значений работы выхода электронов из различных металлов (см. табл. 7-1), а также в том, что концентрация электронов, а следовательно, и давление электронного газа у разных металлов и сплавов могут быть неодинаковыми. Из электронной теории металлов следует, что контактная разность потенциалов между металлами А и Б равна [c.196]

Сопоставление величины запрещенной зоны А12О3 с энергией отрыва электрона ОН"-группы (2.16 эВ), а также учет напряженности поля в оксиде (15 МВ/см), действующего на электрон в процессе роста пленки, позволяет считать барьер на границе оксид—электролит инжекционным. В то же время сравнение работ выхода А1 и А12О3 (3.93 и 3.35 эВ соответственно) дает возможность с большой вероятностью допустить возникновение запорного контакта на границе оксид—металл. [c.77]

При высоких рабочих температурах ЭГК ТЭП вследствие термически активируемых и диффузионных процессов устраняется структурная метастабильность деформированных монокристаллов и осуществляется переход их к стабильному состоянию. Устранение следов пластической деформации при отжиге, (разупрочнение) происходит вследствие процессов возврата, полигонизации и рекристаллизации [31]. Однако ориентационная зависимость деформационного упрочнения, условия пластической обработки, а также примеси, энергия дефектов упаковки и т. д. существенно влияют на характер процессов разупрочнения, на взаимосвязь полигонизации и рекристаллизации [10, 24, 37, 38, 41, 42, 48, 70, 71, 74—76, 101, 121, 126, 135, 1361. При этом устранение упрочненного состояния монокристаллов вследствие рекристаллизации (т. е. образования высокоугловых границ)—крайне нежелательное явление, так как означает превращение монокристалла -в поликристаллический материал с присущими ему недостатками (см. предыдущий раздел) уменьшение работы выхода электронов, появление эффектов пропотевания жидкого металла через границы зерен и т. д. [10, 71, 126]. [c.96]

Приведение в контакт двух разл. материалов сопровождается перетеканием носителей (для определёи-ности электронов) из одного в другой и образовашГем контактной разности потенциалов V . Напряжённость поля контактной разности потенциалов илавно убывает в глубь полупроводника, вызывая прпконтактный изгиб краёв энергетич. зон (валентной зоны и зоны проводимости). Направление изгиба и его величина зависят от знака и величины V , определяе.мой разностью работ выхода, а также от знака п концентрации локализованных на поверхности раздела зарядов (адсорбированные ионы, заряженные поверхностные дефекты и др., см. ниже). [c.446]

Распределение электронов вокруг ионных остовов поверхностных атомов асимметрично, что приводит к наличию нек-рого дипольного момента. Связанный с этим двойной электрич. слой вносит существенный вклад в поверхностный потенциальный барьер (см. Работа выхода). Электронная структура чужеродных атомов и молекул, адсорбируемых на П., также существенно изменяется. Напр., они могут поляризоваться, приобретать нек-рый электрич. заряд, что приводит к изменению характера их взаимодействия. Вследствие этого внутримолекулярные связи могут быть настолько ослаблены, что происходит диссоциация адсорбиров. молекул. Эти явления лежат в основе гетерогенного катализа. В процессе десорбции может происходить передача электронов от десорбирующейся частицы к П. или в обратном направлении (см. Поверхностная ионизация). [c.654]

Епшние неоднородностей. Поверхность большинства эмиттеров неоднородна, на ней существуют пятна с разной работой выхода. Между ними возникает контактная разность потенциалов Аф и электрич. поля (поля пятен) величиной Лф/Л (где R—характерный размер неоднородностей). Эти поля создают дополнит, потснц. барьеры для эмитируемых электронов, что приводит к более сильной зависимости тока от анодного напряжения (аномальный эффект Шоттки), а также увеличивает зависимость тока от Г. Поскольку размеры неоднородностей обычно не малы, 100 А, а значения разности потенциалов между соседними пятнами 0,1 — 1 эВ, то типичные величины полей пятен не велики ( )0 В/см или меньше) и требуют для своего раскрытия относительно малых (по сравнению со случаем нормального эффекта Шоттки) внеш. полей, с чем и связана большая величина (аномальность) эффекта в случае неоднородных поверхностей. [c.101]

Наиб, чувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра обладают Ф. с отрицат. электронным сродством (ОЭС). Они представляют собой сильнолегированные полупроводники /1-типа, работа выхода к-рых снижена так, что уровень вакуума оказывается ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Такие Ф. изготавливаются на основе полупроводниковых соединений GaP, GaAs, InP и их твёрдых растворов, а также на основе Si. В процессе изготовления Ф. поверхность полупроводника очищается прогревом в сверхвысоком вакууме, после чего работа выхода снижается адсорбцией цезия и кислорода. Наиб, высокую чувствительность имеют Ф. с ОЭС, изготовленные на основе совершенных полупроводниковых эпитаксиальных плёнок, обладающих большими диффузионными длинами (см. Эпитаксия). Длинноволновая П)аница Ф. с ОЭС определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника (рис. 2) i-oss 1,24/ , [c.349]

Ф, с сильным внутр. электрич. полем представляют собой полупроводниковые структуры с выпрямляющими контактами полупроводник—металл и гетеропереходами (см. также Контактные явления в полупроводниках). В таких Ф. свет возбуждает электроны в зону проводимости ниже уровня вакуума, а дополнительную энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в сильном электрич. поле внутри полупроводника. Длинноволновая граница таких Ф. определяется шириной запрещённой зоны полупроводника (Хо[мкм]я = l,24/ < j [эВ]). Ф. с выпрямляющим контактом полупроводник — металл изготавливаются на основе полупроводниковых соединений /i-InGaAs и -InGaAsP и представляют собой эпитаксиальные слои таких полупроводников, на поверхность к-рых наносится тонкая ( 10 нм) плёнка Ag. Работа выхода Ag снижается адсорбцией цезия и кислорода до величины а 1,1 эВ, Такие Ф. работают при включении на контакт внеш. напряжения в обратном направлении (плюс , на Ag) V=2—5 В. Фотоэлектроны, возбуждённые светом в зону проводимости, разогреваются. в сильном электрич. поле контакта и выходят в вакуум сквозь плёнку Ag, Ф. на основе InGaAs с 0,75 эВ имеют порог чувствительности /(-о 1,7 мкм, а квантовый выход достигает 10" —10 электрон/фотон при ).< 1,6 мкм. [c.349]

В полупроводниках и диэлектриках порог Ф. э. Avo = электронное сродство, равное высоте потенц, барьера на границе для электронов проводимости. Величина Avo, иногда называемая для полупроводников фотоэлектрич, работой выхода, как правило, превосходит Ф. При hvквантовым выходом, связанная с возбуждением электронов с уровней примесей, дефектов и поверхностных состояний, расположенных в запрещённой зоне, а также из зоны проводимости (а вырожденных полупроводниках и-типа). Для большинства чистых полупроводников Луо>3,5 эВ и Ф. э. наблюдается только в УФ-области. Исключение составляют антимони-ды щелочных металлов ( sjSb и др.), для к-рых Ф. э, наблюдается не только в УФ-, но и в видимой области спектра, а для Na2KSb( s) и в ближней ИК-области до 900 нм (см. Фотокатод). Нанесение на полупроводники моноатомных слоев щелочных и щелочноземельных металлов, а также монослоёв этих металлов и кислорода приводит к уменьшению % и Avo, [c.365]

Сильное электрич. поле (внешнее и внутреннее) влияет на Ф. э. из полупроводников. Внеш. электрич. поле в соответствии с эффектом Шоттки снижает величину х и тем самым сдвигает порог Ф. э. в длинноволновую часть спектра и повышает величину квантового выхода Ф. э. вблизи порога. Внутр. электрич. поле вблизи поверхности полупроводника ускоряет фотоэлектроны к поверхности, также увеличивая квантовый выход Ф. э. Если электрич. поле достагочно сильное, выйти в вакуум смогут даже фотоэлектроны, находящиеся в объёме полупроводника вблизи дна зоны проводимости ниже уровня вакуума. Дополнит. энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в электрич. поле. При этом порог Ф. э. будет определяться шириной запрещенной зоны полупроводника (Avq k s), к-рая может быть значительно меньше, чем Ф. Для создания областей сильного электрич. поля обычно используют полупроводниковые структуры с р—л-переходами и контактами полупроводник—металл (см. Контактные явления в полупроводниках). На рис. 5 представлены спектральные характеристики Ф. э. из контакта полупроводник — металл -lnGaAs — Ag. Работа выхода плёнки Ag снижена адсорбцией цезия и кислорода до Ф 1,1 эВ. При обратном смещении на контакте [c.366]

Наличие в сульфонатах и ПИНС заряженных твердых частиц карбоната металла до определенного экстремального предела поляризует систему, о чем свидетельствует увеличение диэлектрической проницаемости, сдвиг полосы поглощения валентных симметричных колебаний в сторону низких частот на 20— 40 см с уменьшением ширины этой полосы на 15—17 м и увеличением ее относительной интенсивности (метод ИКС), а также увеличение числа долгоживущих свободных стабильных радикалов (метод ЭПР) и значительное изменение работы выхода электрона (показателя АКРП) [18—20, 34]. [c.163]

На станции проверяют плотность тормозной сети поезда, правильность включения груженого режима в соответствии с загрузкой вагона, горного и равнинного режимов в соответствии с профилем пути и при прицепке грузовых вагонов к пассажирскому поезду, а также длинносоставного и короткого режимов в соответствии с количеством вагонов в пассажирском поезде и при пересылке пассажирских вагонов в грузовом поезде. Кроме того, на вагонах проверяют действие авторежимов и регуляторов выхода штока тормозных цилиндров, правильность установки на вагон композиционных и чугунных колодок в соответствии с положением валиков и затяжки горизонтальных рычагов (см. рис. 14), правильность регулировки рычажной передачи, положение ручных тормозов. Проверяется также величина выхода штоков тормозных цилиндров, увеличение которой допускается на грузовых вагонах от предельно допустимой величины не более чем на 50 мм, а на пассажирских — не более 20 мм, т. е. вход штока не должен быть более 180 мм. На локомотиве проверяют работу крана машиниста, стабильность поддержания давления в тормозной магистрали при поездном положении ручки крана и перекрыше после ступени торможения, пределы регулировки давления в главных резервуарах, действие автотормоза, проходимость воздуха через блокировочное устройство тормозов уел. № 367. Проходимость считается нормальной, если при I положении ручки крана машиниста и открытии концевого крана со стороны проверяемой блокировки падение давления с 6 до 5 кГf M - в главных резервуарах происходит за время, указанное на стр. 23. При этом начальное зарядное давление в главных резервуарах должно быть не менее 8 кПсм . [c.208]

Казалось бы, что наличие в гелии II специфического конвекционного механизма теплопередачи, объясняемого встречным движением сверхтекучей и нормальной компонент, должно было бы обеспечить отсутствие температурных градиентов на границе твердого тела, рассеивающего тепло. Однако П. Л. Капица (1941) обнаружил температурные скачки вблизи нагретых поверхностей, погруженных в гелий И. Впоследствии это явление было более подробно изучено Э. Л. Андроникашвили и Г. Г. Мирской (1955), которые показали, что в тонких пристенных слоях градиент температуры может достигать 2000 epadI M и что скачок температуры вдали от Я-точки пропорционален 1/Т . Этому явлению, получившему название скачка Капицы, посвящено большое количество работ, проведенных в различных странах. Теория этого явления дана И. М. Халатниковым (1952) (см. также И. Л. Бекаревич и И. М. Халатников, 1960), который показал, что решающим фактором является акустическая жесткость материала тепловыделяющего тела (произведение плотности на скорость звука). Именно соотношение между акустическими жесткостями твердого тела и жидкого гелия определяет выход фононов из нагретого тела в гелий II. [c.666]

Имеются и другие убедительные экспериментальные доказательства влияния рассмотренных выше факторов на сопротивление трубок потоку. Лунд и Берман [11] изучали молекулярное течение газов через никелевые капилляры. Ими была обнаружена отчетливая зависимость вероятности прохождения молекул через канал отверсти.ч от сорта газа и температуры. С ростом температуры от О до 50° вероятности прохождения увеличивались для всех газов, кроме гелия. Гюн-стер [12] исследовал диаграмму направленности выхода молекул 510 из цилиндрических каналов различных размеров, сделанных в графитовой крышке эффузионной камеры. Известно, что канал оказывает на выходящий из него молекулярный пучок формирующее действие, уменьшая его интенсивность в направлении больших углов выхода. Формирующее действие канала непосредственно связано с распределением поверхностной плотности молекул на его стенках. Приведенная в этой работе диаграмма направленности пучка показывает, что истинная плотность вещества на стенках отверстия значительно больше, чем рассчитанная по Клаузингу. Это объясняется адсорбцией вещества и поверхностной диффузией по стенкам канала отверстия [12, 13] (см. также на стр. 21). [c.20]

Дуги с неплавящимся (тугоплавким) катодом. Если катод сварочной дуги выполнен из материала с высокими точками плавления и кипения (вольфрам — Гцл = 3650°К, Гкип=5645— 6000° К уголь —Гвозг=4470° К, см. табл. 3.3 и 3.4), то он может быть нагрет до столь высокой температуры, при которой основная часть катодного тока обеспечивается за счет термоэлектронной эмиссии. Учитывая, что торированный Ш-катод является пленочным катодом, а примеси из плазмы (если изделие, например, алюминиевый сплав) могут за счет эффекта Молтера также снизить работу выхода, допустимыми по порядку будут следующие величины, указанные в примере (цифры для простоты расчета взяты округленно). [c.92]

Развитие химической и электрохимической коррозии, механического и коррозионно-механического износа (механохимической коррозии) определяется энергетическими взаимодействиями в системе металл-1 — металл-2 — нефтепродукт — ПАВ — вода (электролит) (см. рис. 1). К важнейшим энергетическим характеристикам, определяющим эти процессы, относятся прежде всего характеристики самих металлов, связанные с их свойствами (пластичностью, твердостью, хрупкостью, коррозионной стойкостью и др.) работа выхода электрона из 1металла поверхностный потенциал металла Уд, контактная разность потенциалов (КРП),, нормальный электродный потенциал V нэп, потенциал нулевого заряда металла (Унз), свободная поверхностная энергия металла ( поверхностное натяжение металла) ме, энергия кристаллической решетки металла кр и др. [44—53]. Эти характеристики для одного и того же металла существенно отличаются в зависимости от состояния его внешней (видимой) и внутренней (микротрещины, совокупность внутренних дефектов) поверх ности. Эти характеристики различны также для зоны ювенильного металла и внешней зо ны наклепа — слоев деформированного металла, образующегося в результате механической обработки. Для стали зона наклепа может распространяться па глубину от 0,01 мм (при протяжке) и до 3—4 мм (при точении, прессовании) [44]. [c.18]

Рассмотрим в качестве примера изотерму адсорбции О2 на атомарночистой поверхности графита (рис.7.6.) и, соответствующие изменения дифференциальной теплоты адсорбции ( ), электропроводности (о), термо5ДС Ет) и термоэлектронной работы выхода (Фг) на границе графит- золото (Р..7Л Измерен велись на образце, диспергированном при ЗООК и практически не содержащем спиновых центров (< 10 спин см -2). Как следует из рис.7.6, начальный вертикальный участок адсорбции соответствует заполнению я = 110 см- активных центров, что близко к концентрации угловых атомов С на реакционно-способных призматических гранях графита, находящихся в 52р2.гибридизации. Этот участок изотермы характеризуется весьма быстрой кинетикой установления равновесия (= 30 мин). В этой области Па теплота адсорбции qJ постоянна и высока (= 460 кДж/моль), также неизменны и все электрофизические характеристики — рис.7.7. Последнее указывает на неизменность заряда в контактах между наночастицами. Адсорбция протекает на дважды заполненных состояниях Шокли (спиновые центры, захватившие [c.231]

А/см -К , Ге — коэффициент отражения для электронов при нулевом поле и ф — работа выхода. Не следует забывать те предположения, которые легли в основу вывода уравнения (2.1). Главные из них следующие а) поверхность проводника однородна, б) поле, необходимое для насыщения тока, настолько мало, что может быть положено равным нулю. На практике эти критерии так редко выполняются, что постоянные эмиссии , получаемые обычными методами, не имеют очевидного физического смысла и должны рассматриваться только как ориентировочные ожидаемые значения плотности тока с данной поверхности и при данных условиях. Несмотря на это и несмотря на предостережения, высказанные в явной или неявной форме в работах Херринга и Никольса [3], Хенсли [5], Шелтона [6] и Добрецова [7], неизменно продолжается составление таблиц термоэлектронных работ выхода и постоянных Ричардсона с целью представления их в качестве характерных физических констант. Вследствие этого имеет смысл еще раз подчеркнуть важность учета отклонений от указанных выше основных предположений, хотя это уже достаточно ясно было показано Херрингом и Ни-кольсом [3], а также другими авторами. [c.195]

Мы останавлииаемся на вопросе о выходе дислокаций на поверхность по следующей причине. Согласно последним работам в области схватывания [115, 116], необходимое условие схватывания при сварке в твердом состоянии, кроме сближения поверхностей, которое, как мы говорили, наблюдается при сварке ультразвуком, состоит в создании активных центров (дислокаций, вакансий) в приповерхностном слое, а также в выходе дислокаций на поверхность. Еще одно условие схватывания — отсутствие окисных пленок на соединяемых поверхностях или хотя бы Нарушение их ненрерывности при ультразвуковой сварке это получается автоматически (при сварке меди см. [16]). На рис. 33 для примера приведена микрофотография поверхности алюминиевой детали (т=0,1 сек, 0=3 мк), в середине которой на светлом участке видна сетка тонких тре- [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...