Электронное сродство

Такова же связь и у других окислителей, обладаюш,их, аналогично кислороду, гораздо большим электронным сродством, чем [c.29]

Порядок энергии электронного сродства таков, что указанные процессы могут считаться обратимыми. Но быстрая рекомбинация молекул из этих ионов с положительными ионами металлов (Ri велико) приводит к более интенсивной деионизации разрядного промежутка. [c.46]

Экситонное поглощение 306, 310 Электронное сродство 57 Электроотрицательность 57 Электропроводность диэлектриков 371 [c.384]

Как показал И. Е. Тамм, вблизи поверхности кристаллического образца возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные нарушением трансляционной симметрии кристаллической решетки вследствие ее обрыва поверхностные состояния или, иначе, уровни Там-ма). В полупроводнике эти состояния локализуются внутри запрещенной зоны. Они могут либо отдавать, либо принимать электроны, в результате чего на поверхности полупроводника образуется заряд того или иного знака, приводящий к изгибу энергетических зон в приповерхностном слое. Если полупроводник содержит донорные примеси (п-полупроводник), то в этом случае электроны будут переходить от примесей на поверхностные уровни в результате поверхность полупроводника зарядится отрицательно, а внутри полупроводника вблизи его поверхности возникнет положительный объемный заряд. Это приводит к изгибу зон, показанному на рис. 7.5, б. Изгиб происходит в пределах слоя толщиной обычно не более 10 м значительная же часть фотоэлектронов зарождается глубже — на расстояниях примерно до 10 —10 м от поверхности. Для таких электронов энергия электронного сродства х и соответственно порог фотоэффекта W увеличиваются на некоторую величину ЬЕ (см. рисунок). Более интересен в практическом отношении случай, когда полупроводник содержит акцепторные примеси (р-полупроводник). В нем электроны будут переходить с поверхностных уровней на примеси, поверхность будет заряжаться положительно, изгиб зон будет иметь вид, показанный на рис. 7.5, в. В данном случае благодаря изгибу зон происходит снижение порога внешнего фотоэффекта. [c.166]

Электроотрицательностью атома называют его тенденцию образовывать отрицательно заряженный ион. Мерой электроотрицательности атома часто считают сумму потенциала ионизации I и электронного сродства Е. [c.273]

О, о, электронов в кристаллах используется для получения интенсивных поляризов. пучков свободных электронов, т. к. при спец, обработке поверхности кристаллов в высоком вакууме удаётся достичь отрицат. электронного сродства и обеспечить высокий квантовый выход фотоэлектронной эмиссии. [c.438]

Аналогичная ситуация возникает и в том случае, когда внеш. поле превышает величину, достаточную для устранения экранирующего влияния поверхностных состояний. По этим причинам отбор тока эмиссии из полупроводников (в отличие от металлов, где эти эффекты обычно малы) может приводить к значит, нарушению термодинамич. равновесия. Особая ситуация возникает при эмиссии из систем с отрицат. электронным сродством (см. Фотоэлектронная эмиссия), в к-рых неравновесный характер процессов эмиссии (в т. ч. и Т. э.) обусловлен изначальными особенностями приповерхностной энергетич. структуры эмиттеров. [c.101]

ЭЛЕКТРОННОЕ СРОДСТВО—см. Сродство к электрону. [c.559]

Размерная зависимость IP и электронного сродства (ЕА) довольно крупных кластеров натрия, содержащих до 350 атомов, изучалась с использованием формализма локального функционала электронной плотности, который применялся к двум моделям кластеров, предполагаемых сферическими [428]. В первой модели ионы решетки заменялись однородным пространственным распределением положительного заряда (модель желе ), тогда как во второй — положи- [c.232]

РИС. 103. Ионизационный потенциал IP и электронное сродство ЕА кластеров Na как функции радиуса г частицы [c.233]

За исключением членов а (1) а (2) и Ь )Ь 2), эта функция совпадает с функцией Гайтлера — Лондона (включающей спины) исходного состояния Hg (см. задачу 3.21). Два дополнительных члена соответствуют одновременному присутствию обоих электронов или в окрестности протона А или в окрестности протона В. Поэтому они часто называются ионными членами. Из-за того, что энергия ионизации атома водорода велика по сравнению с энергией электронного сродства, ионные члены существенны только при малых межъядерных расстояниях, когда каждый электрон сильно взаимодействует с обоими протонами. [c.132]

Затем ионы разделяются и нейтрализуются с затратой энер-ГИИ Е—I, где Е — энергия электронного сродства к иону [c.20]

Ионизация примесей, потенциал ионизации которых существенно ниже, чем у N0 (таких, как металлы, особенно из группы щелочных и щелочноземельных), может коренным образом повлиять на распределение концентрации электронов в следе. Однако примеси с потенциалом ионизации, равным или превышаю щим первый потенциал ионизации N0, который составляет 9,25 эв (например, большинство неметаллических элементов и органических соединений, или элементов с высоким электронным сродством, как галогены), не изменяют распределения концентрации электронов. [c.138]

Поглощение света из области длинноволнового хвоста ведет к освобождению электрона из иона который переходит в одновалентный ион 5 . Естественно, что ион легко отдает свой второй электрон сродство атома серы к первому валентному электрону равно +2 эв, а ко второму оно отрицательно и равно —6 эв. Существование положительного электронного сродства в решетке обусловлено окружением из 6 ионов Ag+. Нейтральные комплексы также могут служить донорами электронов, однако с гораздо меньшей вероятностью вследствие повышенной энергии связи электрона. [c.148]

Предположим, что полупроводниковый фотоэмиттер имеет энергетическую диаграмму, показанную на рис. 7.9, а. Здесь через Е обозначена энергия ударной ионизации (Ei AE), штриховой прямой показан порог ударной ионизации X — энергия электронного сродства. В рассматриваемом случае % -Ei (х>А ). Чтобы не участвовать в столкновении с валентным электроном, зародившийся фотоэлектрон должен был бы иметь энергию ниже порога ударной ионизации, но тогда, как легко видеть, он оказался бы ниже уровня вакуума . Если же фотоэлектрон имеет энергию [c.170]

Чем меньше энергия электронного сродства по сравнению с энергией ударной ионизации, а следовательно, и с шириной запрещенной зоны, тем, во-первых, выше над уровнем вакуума остается фотоэлектрон после столкновения с валентным электроном и, во-вторых, больше фотоэлектронов могут иметь энергию выше уровня вакуума , но ниже порога ударной ионизации. На рисунке показаны два фотоэлектрона — один испытывает столкновение с валентным электроном, энергия другого ниже порога ударной ионизации легко видеть, что оба фотоэлектрона могут участвовать в фотоэмиссии. Фотоэмиттеры, для которых выполняется условие (7.2.6), имеют м здесь Н определяется электрон-фононными и электрон-примеснымп столкновениями. Квантовый выход в максимуме превышает 0,1. Он может увеличиться еще больше за счет размножения фотоэлектро- [c.171]

Наибольших значений средняя глубина выхода фотоэлектронов достигает в фотоэмиттерах с отрицательным электронным сродством. Здесь Н соответствует длине диффузии электронов проводимости, т. е. характерному расстоянию, которое проходит электрон до того, как произойдет его рекомбинация с дыркой. В таких фотоэмиттерах Я превышает микрометр (Ялг (1- 5) м). [c.172]

Эффективные фотоэмиттеры в видимой и ближней ультрафиолетовой областях спектра созданы на основе полупроводниковых материалов, которые обладают следующими свойствами а) имеют высокий коэффициент поглощения излучения в интересующей области спектра, б) являются />-п0лупр0Е0дниками (имеют благоприятный изгиб зон вблизи поверхности), в) характеризуются низким электронным сродством (выполняется условие (7.2.6)). Укажем некоторые эффективные фотоэмиттеры, имеющие широкое практическое применение. [c.172]

Под электроотрицательностью атома подразумевают величину (Ё+1)/2. Потенциал ионизации I — величина, надежно определяемая экспериментально, а для слагаемого Е (электронного сродства) пока нет однозначных методов определения. Поэтому, задавщись целью построить щкалу ион- [c.97]

Снижение работы выхода полупроводников путем адсорбции на их поверхности электроположительных атомов (цезия, бария и других) приводит к уменьшению X и резкому увеличению квантового выхода. В случае GaAs, GaP, Si и ряда других полупроводников совместная адсорбция цезия и кислорода приводит к столь сильному снижению работы выхода, что реализуется условие отрицательного электронного сродства (ОЭС). Полупроводники с ОЭС обладают наибольшим квантовым выходом в видимой и ближней инфракрасной областях спектра. [c.576]

Так как электронное сродство более сильно зависит от типа связи, чем от кристалличности, хр -связь в алмазоподобных пленках проявляет низкую эффективную работу выхода, сравнимую с низким или отрицательным электронным сродством алмаза. Кластеры с хр -связью имеют более высокую работу выхода электронов, аналогичную графиту, поэтому sp -фракция в неактивированных образцах дает вклад в низковольтную часть автоэмиссии. При более высоких полях автоэмиссия из хр -кластеров доминирует в силу их более высокой электропроводности и, таким образом, возможности обеспечивать больший ток. [c.200]

Неопределенность расчетной величины электропроводности <т обусловлена неопределенностью величин электронного сродства гидроксильной группы он и диффузионного сечения рассеяния низкоэнергетических электронов нейтральными компонентами плазмы Q ea Qden- На основании экспериментов наиболее обоснованной величиной следует считать Eq-ц = = 2,1 эв. Как известно, расхождения в экспериментальных данных по в значительной степени обусловливаются методикой постановки эксперимента. Существующая неопределенность экспериментального установления величины оценивается в 20—30%. В настоящей работе величины приняты по данным [98] в виде соответствующих аппроксимаций для всех компонент, кроме N0. Для этой компоненты использованы данные [108]. [c.113]

Зонная диаграмма описывает большинство электрич., оптич. и др. свойств Г. Для её построения необходимо знать ширины запрещённых зон 8g, работы выхода Ф, электронное сродство х и диэлектрическую проницаемость е для обоих полупроводников. Рассмотрим, напр., зонную диаграмму идеального резкого анизотип-ного П-—Р-Г. (заглавная буква здесь и дальше обозначает более широкозонный полупроводник, имеется в виду ширина запрещённой зоны). При приведении полупроводников (рис. 1, а) в контакт в системе устанавливается термодинамич. равновесие (рис. 1, б), к-рое характеризуется единым ферми-уровнем Sp для обоих полупроводников и наличием контактной разности потенциалов и = е Ф.у—Фа) е — элемеитарпый заряд) и злектрич. поля Е в приконтактной области. [c.446]

Наиб, чувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра обладают Ф. с отрицат. электронным сродством (ОЭС). Они представляют собой сильнолегированные полупроводники /1-типа, работа выхода к-рых снижена так, что уровень вакуума оказывается ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Такие Ф. изготавливаются на основе полупроводниковых соединений GaP, GaAs, InP и их твёрдых растворов, а также на основе Si. В процессе изготовления Ф. поверхность полупроводника очищается прогревом в сверхвысоком вакууме, после чего работа выхода снижается адсорбцией цезия и кислорода. Наиб, высокую чувствительность имеют Ф. с ОЭС, изготовленные на основе совершенных полупроводниковых эпитаксиальных плёнок, обладающих большими диффузионными длинами (см. Эпитаксия). Длинноволновая П)аница Ф. с ОЭС определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника (рис. 2) i-oss 1,24/ , [c.349]

В полупроводниках и диэлектриках порог Ф. э. Avo = электронов проводимости. Величина Avo, иногда называемая для полупроводников фотоэлектрич, работой выхода, как правило, превосходит Ф. При hvквантовым выходом, связанная с возбуждением электронов с уровней примесей, дефектов и поверхностных состояний, расположенных в запрещённой зоне, а также из зоны проводимости (а вырожденных полупроводниках и-типа). Для большинства чистых полупроводников Луо>3,5 эВ и Ф. э. наблюдается только в УФ-области. Исключение составляют антимони-ды щелочных металлов ( sjSb и др.), для к-рых Ф. э, наблюдается не только в УФ-, но и в видимой области спектра, а для Na2KSb( s) и в ближней ИК-области до 900 нм (см. Фотокатод). Нанесение на полупроводники моноатомных слоев щелочных и щелочноземельных металлов, а также монослоёв этих металлов и кислорода приводит к уменьшению % и Avo, [c.365]

При адсорбции на поверхности металла органических молекул работа выхода металла Ф изменяется на величину АФ. Чем больше электронная поляризуемость адсорбировалной молекулы, тем больше смещение электронов этой молекулы к поверхности металла катода, тем прочнее связь адмолекулы с поверхностью металла. Если /ме — сродство поверхности металла к электрону, /ом —то же органической молекулы, то при /ме> >/ом работа выхода металла понижается (АФ<0). При /меС/ом работа выхода повышается (ДФ>0) вследствие смещения электронов металла по направлению к адсорбированной молекуле. Если различие в электронном сродстве поверхности железа и органической молекулы достаточно велико, то может происходить не только смещение электронов, но и их полный переход с органической молекулы на железо в 1-м случае, или в обратном направлении во 2-м случае. [c.251]

Ф и г. 4.19. Эффективные сечения фотоотщепления для некоторых атомов и О2. Дано также электронное сродство ЕА в электрон-вольтах. Дополнительный подъем в эффективном сечении для 0 при 3,5 эв означает начало перехода в возбужденное состояние О. Другие значения ЕА см. в табл. 4.1. [c.151]

Смотреть страницы где упоминается термин Электронное сродство : [c.165] [c.167] [c.173] [c.575] [c.216] [c.356] [c.217] [c.101] [c.348] [c.348] [c.348] [c.350] [c.366] [c.366] [c.367] [c.621] [c.259] [c.17] [c.123] [c.80] [c.202] [c.203] [c.322] [c.592]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...