Работа выхода термоэлектронная

Работа выхода термоэлектронная 164, 176 [c.281]

ДРУГИЕ СПОСОБЫ ИЗМЕРЕНИЯ РАБОТЫ ВЫХОДА. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ [c.362]

Дуги с неплавящимся (тугоплавким) катодом. Если катод сварочной дуги выполнен из материала с высокими температурами плавления и кипения (для вольфрама 7 = 3650 К, = 5645...6000 К для угля Т возг = 4470 К), то он может быть нагрет до столь высокой температуры, при которой основная часть катодного тока обеспечивается термоэлектронной эмиссией. Учитывая, что торированный W-катод представляет собой пленочный катод, а примеси из столба дуги (если изделие, например, алюминиевый сплав) могут также снизить работу выхода, то расчетные значения плотности тока могут быть такими, как в приведенном ниже примере (цифры для простоты расчета взяты округленно). [c.71]

Выражение (8.53) находится в полном согласии с данными опыта. Коэффициент к = hiq действительно является константой, а Fo == A/q должен зависеть от свойств катода, так как работа выхода электрона характеризуется глубиной потенциальной ямы, в которой находится электрон, и определяется свойствами данного металла. Заметим, что наблюдается совпадение между значением работы выхода, определяемым из результатов опытов по фотоэффекту, и данных, полученных при исследовании термоэлектронной эмиссии — физического процесса, в котором работа выхода играет основную роль. [c.434]

Явление термоэлектронной эмиссии обусловлено тем, что наиболее быстрые электроны металла, обладающие энергией, превышающей работу выхода, преодолевают потенциальный барьер и выходят за пределы металла. Подробнее см. С. Г. К а л а ш н и к о в, Электричество, Наука , 1970. [c.646]

Необходимость затраты энергии для освобождения электрона из металла проявляется не только в случае фотоэффекта, но и в случае испускания электронов накаленными телами (термоэлектронная эмиссия). Работа выхода может быть определена экспериментально независимо от фотоэффекта путем исследования термоэлектронной эмиссии. [c.162]

Понятие работа выхода принято определять по термоэлектронной эмиссии работа выхода равна разности энер- [c.165]

Рис. 25,8, Термоэлектронная эмиссия пяти тугоплавких металлов и сплава вольфрам — молибден (в равных массовых количествах) в парах цезия [9] температура жидкой фазы цезия 200°С. Наклонные прямые — линии постоянной работы выхода

Рис. 25.6. Термоэлектронная эмиссия поликристалличе-ского вольфрама в парах цезия [9] для каждой кривой снизу указана температура жидкой фазы цезия Гс1 и сверху плотность потока атомов цезия на поверхность катода Наклонные прямые — линии постоянной работы выхода

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Наряду со световой тепловой микроскопией интенсивно развивается аппаратурно-методическое обеспечение электронной тепловой микроскопии, в которой контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а такими характеристиками материала, как работа выхода электронов при термоэлектронной или фотоэмиссии, коэффициент вторичной электронной эмиссии и т. д. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта. Высокая разрешающая способность этих методов обеспечит получение большого объема информации по сравнению с тепловой микроскопией. [c.493]

Термоэлектронной эмиссией называется испускание электронов поверхностями нагретых тел. Она может происходить, если энергия электрона, находящегося вблизи поверхности, превысит работу выхода. Для создания термоэлектрического тока необходимо нагревать катод цепи и образовывать поле с разностью потенциалов U, необходимой для рассасывания облака электронов, скапливающихся вблизи катода. [c.236]

Металлическая связь отлична от других видов связи частиц в кристаллах. Природа ее обусловлена взаимодействием ионов с электронами, переходящими от одного иона к другому. Последнее сближает металлическую связь с ковалентной, однако в отличие от нее металлическая связь не обладает ни направленностью, ни насыщенностью, определяемой валентностью соответствующих атомов, что сближает ее с ионной связью. Степень связанности электрона в металле в определенной степени характеризуется работой выхода электрона, измеряемой наименьшей энергией электромагнитных колебаний, способной выделить электрон, или температурой, при которой начинается термоэлектронная эмиссия. Экспериментально найденные значения работы выхода электрона для некоторых металлов приведены в табл. 17. [c.110]

Кроме этих тепловых и термоупругих явлений, свойственных всем кристаллам, в диэлектриках в ряде случаев возникают различные теплоэлектрические эффекты. В зоне контакта различных диэлектриков и полупроводников (а также металлов) может возникнуть термо-ЭДС, величина которой зависит от разности температур между двумя контактами и различия в работе выхода электронов. При высоких температурах возможны термоэлектронная и термоионная эмиссии с поверхности диэлектриков. В диэлектриках, длительное время подвергавшихся воздействию электрического поля или облучения, нагревание приводит к появлению термостимулированных токов деполяризации (ТСД). [c.23]

Вычислить ток термоэлектронной эмиссии от вольфрамовой проволоки длиной 3 см и радиусом 1 мм, нагретой до 2 ООО °С (работу выхода ф для вольфрама принять равной 4,5 эв). [c.69]

Плотность тока насыщения термоэлектронной эмиссии js эмиттера с однородной поверхностью при слабом внешнем электрическом поле, не влияющем на работу выхода, определяется уравнением Ричардсона — Деш-мана [3] [c.445]

Зависимости тока термоэлектронной эмиссии от температуры и работы выхода катода [10]. [c.446]

Наряду с высокотемпературным методом исследования структуры массивного объекта с помощью светового микроскопа в последние годы развивается применение метода эмиссионной микроскопии, позволяющего наблюдать за структурой изучаемого объекта при высоких температурах, даже если они не связаны с изменением рельефа поверхности. Этот метод основан, на использовании отличий в величине работы выхода электронов разных фаз или различных граней кристаллов при термоэлектронной эмиссии. [c.40]

Эмитированными образцом электронами с помощью, электронной оптики формируется увеличенное изображение участка образца на экране, причем отличие в эмиссионной способности (работе выхода электронов) разных фаз или разных граней кристаллов в случае термоэлектронной эмиссии проявляется в различной яркости их изображения. [c.40]

Термоэлектронная эмиссия — это процесс выхода электронов проводимости с накаленной поверхности отрицательного полюса (катода) при нагревании электрода. При нагревании электрода кинетическая энергия электрона становится больше работы выхода, необходимой для преодоления электростатического притяжения электрона, и последний, теряя связь с ядром, вылетает с поверхности электрода. С увеличением температуры нагрева торца электрода кинетическая энергия электрона увеличивается, а сила электростатического притяжения его уменьшается, благодаря чему число вырываемых электронов увеличивается. При термоэлектронной эмиссии происходит охлаждение электро- [c.34]

Существует несколько методов экспериментального определения и теоретического расчета работы выхода электрона термоэлектронный, фотоэлектронный, автоэлектронный, контактной разности потенциалов и др. Но существующие методы позволяют определять работу выхода электрона либо при комнатной темпе- [c.99]

Если на катод из никеля нанести оксиды ВаО, 5гО, СаО, то получаются так называемые оксидные катоды, обладающие весьма низкой работой выхода, равной примерно 1 эВ. При этом плотность тока в электронной эмиссии достигает порядка 10 А/М . Такие катоды характеризуются высоким к. п. д. термоэлектронной эмиссии и позволяют применять косвенный накал. Поэтому они широко используются в малогабаритных электронных лампах. [c.376]

Термоэлектронная эмиссия — это процесс выхода электронов проводимости с накаленной поверхности отрицательного полюса (катода) при нагревании электрода. При нагревании электрода кинетическая энергия электрона становится больше работы выхода, необходимой для преодоления электростатического притяжения электрона, и последний, теряя связь с ядром, вылетает с поверхности электрода. [c.73]

В четвертой главе (X. С. Ривьере, Англия) дан критический обзор методов и результатов исследования работы выхода металлов, некоторых полупроводников и бинарных соединений. Автор хорошо известен своими исследованиями работы выхода металлов. В главе подробно рассмотрены различные методы определения работы выхода термоэлектронная эмиссия, фотоэлектрические измерения, холодная эмиссия, разные варианты измерений контактной разности потенциалов и, наконец, измерения поверхностной ионизации. Приводятся довольно подробно отдельные детали конструкций для тех или других экспериментальных методик. В главе имеется весьма обширный фактический материал по величинам работы выхода (свыше 40 металлов, элементарные полупроводники, около сотни бинарных соединений оксиды, нитриды, сульфиды, бориды, фториды и ин-терметаллиды). Автор широко дискутирует вопрос о надежности и точности тех или иных методов и проводит сопоставление результатов, полученных разными методами. Следует особо отметить, что обзор Ривьере достаточно полно отражает исследования советских авторов. [c.7]

Из формулы (8.6) следует, что плотность термоэлектронного тока определяется температурой эмиттирующей поверхности и работой выхода. Так как обе эти величины стоят в показателе эскпонеьггы, то зависимость тока от них очень сильная. Так, повышение тем1]е-ратуры вольфрамового катода от 1000 до 2500 К вызывает увеличение тока эмиссии примерно на 16,порядков покрытие вольфрамового катода одноатомным слоем цезия, уменьшающим работу выхода с 4,52 до 1,36 эВ, вызывает увеличение плотности тока примерно па 14 порядков. Поэтому в настоящее время катоды из чистых металлов практически не применяются (кроме катодов специального назначения). [c.213]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обус-словлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками материала, например работой выхода электрона при термоэлектронной эмиссии или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и темпера-10 туры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпера- [c.10]

Эмиссия электронов. При нагревании М. до высоких темп-р наблюдается испарение электронов с поверхности М. (см. Термоэлектронная эмиссия). Число электронов, вылетающих из М. в единицу времени, дропорц. ехр (—WIkT), где W — работа выхода электрона из М. Величина W (2—5 эВ) у разл. М. (и даже на разных кристаллич. гранях одного М.) различна W зависит от состояния поверхности. Приложив к М. сильное электрич. поле ( 10 В/см), можно существенно увеличить эмиссию электронов за счёт того, что электроны покидают М. в результате туннельного прохождения (см. Лвтоэлектронная эмиссия). Различия в W обусловливают контактную разность потенциалов между разными М, [c.119]

ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к-рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны с энергиями > I эВ относительно ферми-уровня в эмиттере) в условиях термодинамич. равновесия в соответствии с Ферми—Дирака распределением ничтожно мало при темп-рах ГяаЗОО К и экспоненциально растёт с Г. Поэтому ток Т. э. заметен только для нагретых тел. [c.99]

Темновой ток Ф.— ток через фотоэлемент в отсутствие облучения, определяется термоэлектронной эмиссией. Она зависит от состояния поверхности Ф. (работы выхода Ф) и его темп-ры. Темновой ток является осн. источником электрич. шума в фотоэлектронных приборах. Среднеквадратичный шум в отсутствие излучения равен [c.348]

Причина возникновения потенциалов и мощных электрических полей с напряженностью до сотен кВ/см — использование разнородных металов с разной работой выхода электрона и высокой контактной разностью потенциалов. Кроме того, создание электрических полей происходит в результате термоэлектронной эмиссии, экзоэлектронной эмиссии (эффект Крамера), электро-лизации и накопления электростатических зарядов в жидком диэлектрике — смазочном материале в результате трения. [c.227]

Характеристич, темп-ра изменяется в пределах 490—580° в зависимости от состояния металла, Константа Холла = 1,455-10-2 в-см/а-э. Оптич. свойства — отражаемость X, (%) в зависимости от длины волны падающего света (серебро 100%) 14 (1300А), 37 (2000А), 67 (ЗОООА), 70 (5000 А), 63 (10000 А), 88 (40000 А). Работа выхода при термоэлектронной эмиссии 4,6 эв, фото-электрич. работа выхода 4,37 эв. Темп-ра рекристаллизации X., как и др. металлов, зависит от мн. факторов. Темп-ра рекристаллизации X., полученного по пром. технологии, колеблется в интервале 800—850°. к (ккал/см.сек- ) 0,22 (100°), 0,18 (500°), 0,16 (900°). Обращает внимание повышение теплопроводности X. при повышении темп-ры. а-10 (1°С) 7,5 (20—100°), 8,8 (20—600°), 10,0 (20—1000°). с (кал молъ°С) 5,52 (20°), 5,75 (500°), 5,85 (900°), 9,40—для жидкого металла, [c.415]

Фликкер (мерца- Термоэлектрон- Флуктуации работы выхода катода [c.156]

Механизм перехода электрона через двойную границу раздела железо (слой диэлектрика) ион гидроксония пояснен на рис. 5.45. Разность энергии между уровнем Ферми и потенциальной энергией электронов в вакууме в отсутствие электрического поля представляет собой термоэлектронлую работу выхода ф. При термоэлектронной эмиссии происходит вылет электронов из металла с уровней, находящихся ниже уровня Ферми, с кинетическими энергиями (p+S- Поверхность Ферми в железе расположена между валентной зоной и эоной проводимости изолятора (слой органических молекул -на поверхности железа). Работа, необходимая для нейтрализации иона Н3О+, находящегося на поверхности пленки из органических молекул, при переходе одного электрона из валентной зоны изолятора, обозначена на рис. 5.45 через 1)5. Потенциальный [c.252]

Работа выхода электронов. Эмиссия электронов с поверхности кристалла является чувствительным критерием для доказательства наличия адсорбционных слоев. Каждый кристалл обладает характерным потенциалом выхода электронов, определяющим энергию, необходимую для эмиссии электронов, которая может быть фотоэлектронной или термоэлектронной. Так как потенциал выхода электронов с поверхности металла сильно зависит от присутствия адатомов, то можно этим методом измерять степень покрытия 0 поверхности адатомами, причем можно обнаружить степени покрытия, начиная от долей моноатомного адсорбированного слоя. При малых степенях покрытия 0<1 (0=1 соответствует моноатомному покрытию). Для различных комбинаций металл — адатомы получается линейное соотношение между разностью интегрально измерен1н.1х потенциалов выхода ДФ и степенью покрытия 0 [c.363]

Работа выхода ср, определенная по данной формуле, хорошо согласуется с результатами, полученны И из экспериментя по термоэлектронной эмиссии (табл. 5-4- ). [c.351]

Хотя мы считаем, что в термоэлектронной дуге эмитиро ващные электроны переносят значительную часть тока, у нас нет точных сведений о том, как велика их доля в общем токе, и нет никакого разработанного для этой цели метода непосредственного измерения. Если бы вся энергия, подводимая к катоду положительными ионами, затрачивалась на термоэлектронную эмиссию, можно было бы составить следующий баланс энергии. Каждый ион (с единичным зарядом) обладает кинетической энергией еУс, где Ус — катодное падение потенциала, и энергией ионизации еУ1, где Vi — потенциал ионизации. Для нейтрализации каждого иона необходимо извлечь один электрон на это расходуется энергия еф, где Ф — работа выхода. Остальная энергия будет затрачиваться на высвобождение электронов, необходимых для переноса тока. [c.59]

Электронная эмиссия подразделяется на автоэлект-ронную, термоэлектронную и фотоэлектронную. Термоэлектронная эмиссия — это процесс выхода электронов с поверхности металла благодаря высокой температуре. Чем выше температура металла, тем больше будет работа выхода электронов, тем больше число вырываемых электронов. [c.137]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...