Запорный слой

Транзистор о управляющим р—п переходом — полевой транзистор, работа которого основана на модуляции эффективного сечения канала модуляция осуществляется изменением толщины запорного слоя обратно смещенного р—п перехода [3]. [c.159]

В так называемых селеновых вентилях в качестве запорного слоя используются соединения селена, в частности селенид кадмия. [c.278]

Широкое распространение получили фотосопротивления, чувствительные не только к видимому участку спектра, но и к далеким инфракрасным лучам, а также фотоэлементы с запорным слоем, работающие без внешней электродвижущей силы. Фотосопротивления и фотоэлементы нашли применение для световых измерений, экспонометров, автоматизации технических процессов и т. п. [c.320]

И. с. всегда изолирован от осп. объёма полупроводника запорным слоем. И. с. у границы раздела полупроводник--диэлектрик (вакуум) изолирован с обеих сто- [c.139]

I — раствор 2 — слой с узкими порами (запорный слой) 3 — слой с широкими порами 4 — газовая камера [c.529]

В различных типах аппаратов высокого давления (АВД) функции запирающих прокладок различаются. В общем случае, прокладки предназначены для обеспечения процесса нагружения контейнера с минимальным вытеканием его материала в зазор между твердосплавными пуансонами и без самопроизвольных выбросов материала контейнера ( выстрелов ), особенно в процессе нагружения, а также для электроизоляции пуансонов между собой. На камерах типа наковальня с лункой наиболее широкое распространение в качестве материала прокладок при синтезе алмазных порошков получили картон и различные пластики (например, ПВХ-поливинилхлорид). В этом случае запирающая прокладка поддерживает материал контейнера на первом этапе сжатия и способствует формированию запорного слоя из материала контейнера при наборе давления. С уменьшением величины зазора меж- [c.462]

Действие сухих выпрямителей основано на выпрямляющем свойстве контактного слоя между металлом и некоторыми полупроводниками. Этот слой, именуемый часто запорным слоем, оказывает различное сопротивление движению электронов в прямом и обратном направлении если падение напряжения в слое для тока в прямом направлении измеряется единицами вольт, то для тока в обратном направлении это падение напряжения измеряется сотнями вольт. В результате прохождения тока через запорный слой температура последнего возрастает. С увеличением температуры выпрямителя сопротивление запорного слоя понижается, что может вызвать пробой слоя действием обратного напряжения. Поэтому для каждого вида сухих выпрямителей существует предельно допустимая температура. Для снижения температуры выпрямителя его охлаждают воздухом или маслом. [c.127]

Если же полупроводник включить наоборот, т. е. положительную п-область подключить к отрицательному полюсу батареи, а отрицательную / -область присоединить к положительному, то образовавшееся электрическое поле будет способствовать притеканию дырок и электронов к запорному слою, и через переход пойдет электрический ток. Подобные полупроводники с двумя областями п—р называют диодами. [c.125]

Другим инертным запорным слоем является олово. Покрытия из олова защищают металлы от проникновения в них азота. Азот нерастворим в олове и не образует с ним соединений при температуре до 800 °С. Поэтому нет и диффузии. Еще более эффективным должно быть покрытие из палладия, так как азот нерастворим в палладии вплоть до 1400°С. Отсутствие же растворимости говорит об отсутствии сродства. [c.245]

Наличие у полупроводников двух типов проводимости —- электронной (я) и дырочной р) позволяет изготовлять полупроводниковые детали с р — л-переходом. При существовании в полупроводнике р — л-перехода возникает запорный слой, которым обусловливается выпрямительный эффект для переменного тока. Наличие двух или более взаимно связанных переходов позволяет получать управляемые системы — кристаллические триоды и тетроды. [c.282]

Запорный слой 282, 299, 302, 307, Золото 24, 36, 68, 109, 245, 248. [c.349]

Слой закиси меди, находящийся между электродами К и А), можно представить состоящим из двух частей тонкого (10 см) слоя чистой закиси меди с большим сопротивлением ( запорный слой — /) и толстого слоя закиси меди, содержащей избыток кислорода, порядка 0,03% (2). Слой закиси меди с избытком кислорода представляет собой дырочный полупроводник р . [c.321]

Число дырок в единице объема запорного слоя значительно меньше, чем в закиси меди с избыточным кислородом, вследствие чего происходит диффузия дырок в запорный слой, который поэтому заряжается положительно относительно остальной закиси меди. Возникшее на границе этих слоев электрическое поле прекратит дальнейшую диффузию дырок , т. е. еще в отсутствие тока образуется запорный барьер. Если к выпрямителю приложить внешнюю разность потенциалов так, чтобы катод был отрицательным, а анод — положительным, то направление внешнего поля будет направлено навстречу [c.321]

К — катод—материнская медь А — анод — нанесенный металлический контакт 1 — слой чистой закиси меди ( запорный слой ), 2 — слой закиси меди, обогащенный кислородом (избыток кислорода, порядка 0,03%) [c.321]

Разрез кремниевого детектора показан на фиг. 180, а. Запорный слой такого детектора образуется за счет испарения примесей из поверхности полупроводника и остаточной тонкой пленки окиси, которая сохраняется после удаления кислотой основной части слоя окиси. [c.325]

Сечение промежуточного узла Высота промежуточного узла с запорным слоем и раздаточ-ны>1и трубками Тип тормозящих элементов [c.370]

Контактное поле вызывает перемещение электронов в направлении к м-области, а дырок — к р-полу-проводнику. На границе образуется так называемый запорный слой с ничтолсно малой концентрацией носителей и, следовательно, низкой проводимостью толщина этого слоя порядка 10 см. Запорный слой образуется также на границе между металлом и р-полупроводником, если у первого работа выхода электронов меньше, чем у второго, или же на границе между металлом и п-полупроводником,если у первого работа выхода больше, чем у второго электроны переходят в металл и в п-полупроводнике у границы раздела появляется положительный объемный заряд. [c.176]

Рис. 13.3. Основные характеристики нерезкого р-п-перехода схематическое расположение основных носителей в областях г н р и объемных зарядов в запорном слое ирн разомкнутой цепи (й) изменение плотности объемного заряда (б) наиряженцости контактного поля кол (fl) Ф (з) вдоль перехода потенциал области р условно принят равным нулю знаком + показаны иескомиенсированиые ионы доноров, знаком — — акцепторов

Вентильный фотоэффект. При облучении полупроводника, содержащего электронно-дырочный переход, помимо изменения проводимости нередко возникает разность потенциалов на электродах. Один из электродов, на который надаёт лучистый поток, должен быть полупрозрачным. Появление этой разности нотенциалов обязано так называемому вентильному- ютоэффекту. В результате поглощения лучистой энергии в полупроводнике образуются новые фотоэлектроны и фотодырки. Фотоэлектроны, оказываясь в зоне действия контактного поля, перебрасываются им в область/г. Аналогичные процессы переброса претерпевают дырки. В результате этого электрод на -области зарядится отрицательно, а прилегающий к дырочному полупроводнику электрод зарядится положительно. Таким образом, вентильный эффект можно рассматривать как появление избыточной концентрации электронов в -области и дырок в р-области, появившихся под воздействием лучистой энергии. Рост концентрации электронов в п-области и концентрации дырок во второй р-области будет постепенно замедляться, так как одновременно начнет увеличиваться создаваемое ими поле обратного направления, препятствующее переходу неосновных носи-, телей заряда через запорный слой в конце концов установится равновесная концентрация зарядов и соответствующая электродвижущая сила. На этом принципе основаны источники тока, непосредственно преобразующие энергию солнца или атомного ядра в энергию электрического тока — солнечные и атомные батареи., [c.180]

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) — слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода (р —п-перехода), свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, уве.ттичнвает соле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.—основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов. [c.52]

Т — темп-ра, е — заряд алектропа. Типичные толщины И. с. с вырожденным гауом носителей d 40—100 А (толщины запорного слоя А). [c.139]

Рис. 1. Изгиб зон на контакте металл — элент-ронный полупроводник с запорным слоем W Sр — уровень Ферми — край зоны про- W

Омические контакты. При изгибе зон вниз рис. 2) лриконтактный слой имеет избыток электронов [анти-запорный слой, обогащённый слой). Ввиду повышенной проводимости оц не вносит заметный нйлад в сопротивление длинного образца. Поатому контакты с обогащённым слоем могут служить омич, контактами в полцпроводниковых приборах. [c.447]

ОБЕДНЕННЫЙ СЛОЙ — то же, что запорный слой. ОБЕРТОН (от нем. Oberton — высокий тон, высокий звук) — синусоидальная составляющая периодич. колебания сложной формы с частотой, более высокой, чем основной тон. Любое периодич. колебание можно представить как сумму осп. тона и О., причём частоты и амплитуды этих О. определяются как физ. свойствами ко-лебат. системы, таки способом её возбуждения. Если частоты всех О.— целые кратные осн. частоте, то такие О. ваз. гармоническими или гармониками. Если же частоты зависят от осн. частоты более сложным образом, то говорят о негармонич. О. В этом случае представление периодич. колебания в виде суммы гармоник будет приближённым, но тем более точным, чем большее число гармоник взято. Если частота осн. тона / (первая гармоника), то частота второй гармоники равна 2/ или близка к этому значению, частота третьей 3/ и т. д. Состав и кол-во О. сложного звука определяет его [c.371]

Здесь е—заряд электрона, Т—темп-ра полупроводника, П — концентрация электронов в собств. полупроводнике, п и рр — концентрации электронов и дырок в п- и р-областях. Внутр. электрич. поле сосредоточено в обеднённом (запорном) слое р — -П., где концентрации носителей обоих типов меньше концентраций основных носителей в р- и -областях вдали от перехода ( < , р<СДр)<а мин. уровень суммарной концентрации электронов и дырок достигает значения (и + р)мин= = 2щ. Т. к. в обеднённом слое, как правило, разность концентраций свободных носителей мала по сравнению с разностью концентраций ионизиров. доноров (JVд) и акцепторов (Л/ ц), границы этого слоя с квазинейтра-льными р- в -областями Юр и и> могут быть найдены (после приближённого интегрирования Пуассона уравнения в одномерном случае) из ф-л [c.641]

ЭМСЮНбЗИЯ (от лат. ex lusio—исключение)—обеднение объёма полупроводника (или его части) свободными носителями заряда под влиянием их дрейфа во внеш. электрич. поле, Э. происходит в области, прилегающей к потенц. барьеру (напр., контакт металл—полупроводник, р— -переход или поверхность, см. Запорный слой), к-рый ограничивает поток носителей, втекающих через него. Если носители вытекают из области, прилегающей к барьеру, с высокой скоростью благодаря дрейфу во внеш. поле, то область обедняется носителями, причём тем сильнее, чем выше скорость дрейфа. С ростом внеш. поля протяжённость области Э. увеличивается. При протекании тока в полупроводнике с биполярной проводимостью область Э. может одновременно обедняться носителями заряда обоих знаков вследствие максвелловской релаксации нескомпенсированного заряда свободных носителей. Размер этой области близок к длине амбиполярного дрейфа. [c.505]

ЭХГ и ЭЭУ на основе ТЭ со свободным электролитом [17—19]. Разработано несколько типов ЭХГ на основе ТЭ со свободным электролитом. В элементах фирмы Юнион Карбайд (США) используются ТЭ с гидрофобными угольными и платиновыми катализаторами (менее 10 г/м 5 на аноде и оксидными катализаторами на катоде. Запорным слоем у электродов служит слой пористого никеля. Электролитом служит раствор КОН. Воздушно-во-дородные ЭХГ мощностью 32—90 кВт входили в состав ЭЭУ для автофургона. Запас водорода и кислорода в жидком состоянии обеспечивал пробег 160—240 км. Общая масса ЭЭУ 1480 кг Кислород-но-водородный ЭХГ входил в состав ЭЭУ для четырехместного легкового автомобиля. Водород хранился в баллонах и обеспечивал выработку 33 кВт ч электроэнергии (пробег 320 км). Кроме ЭХГ и системы хранения водорода, ЭЭУ имела блок свинцовых аккумуляторов емкостью 4 кВт ч. [c.533]

При пористости контейнера 20...25 % давление 4,2 ГПа в реакцион-)й зоне достигнуто при 1250 атм в гидросистеме. Контейнер хорошо предавал давление и образовывал равномерный запорный слой между шансонами. [c.461]

Определенная пористость и деформируемость контейнера необходимы для равномерного заполнения всей полости между пуансонами, равномерного нагружения пуансонов и образования оптимального запорного слоя. Поэтому наиболее перспективными из рассмотренньк контейнеров являются контейнеры, изготовленные из ZrOj с пористостью [c.462]

По-видимому, коллекторы, заполненные газообразным водородом и расположенные в относительно тонком приповерхностном слое стали, играют роль своеобразного барьера, регулирующего поток диффузии водорода в глубинные слон сталп. Количество атомов-протонов, проникающих через этот барьер при комнатной температуре, очевидно, настолько мало, что концентрация водорода в глубинных слоях не повышается заметно над уровнем металлургического водорода. Однако такой запорный слой образуется при катодной поляризации в кислоте при Дк>10мА/см2 [305]. При очень малых плотностях тока, когда [c.102]

В полупроводнике на границе между областями, т. е. на п—р-переходе, благодаря рекомбинации электронов с дырками образуется лишенная зарядов зона, которую называ.вдт также запорным слоем. Если теперь к составленному из п—р-областей полупроеоднику приложить внешнее напряжение, причем таким образом, чтобы положительиый полюс батареи был присоединен к положительной -области, а отрицательный — к отрицательной /7-области, то возникшее электрическое поле будет способствовать оттеканию электронов и дырок от запорного слоя. Практически ток через запорный слой прекратится, так как его сопротивление будет очень велико. Такое включение полупроводников называют обратным. [c.125]

К недостаткам катодов на основе окисло в щелочноземельных металлов относится высокое сопротивление эмиттирующего слоя, связанное с его пористой структу-, рой и сильно возрастающее при использовании кернов с активирующими присадками (образ 0(ваиие запорного слоя в контакте между покрытием и подложкой), недостаточная прочность сцепления покрытия с керном, оклонность к отравлению газами, нестойкость по отношению к интенсивным электронным и ионным бомбардировкам и перегреву. [c.221]

При длительном хранении селенового выпрямителя сопротивление запорного слоя в элементах уменьшается, происходит расформовка элемента. В связи с этим при первичном включении селенового выпрямителя, длительное время не работавшего, напряжение на выпрямитель [c.311]

При длительном хранении селенового выпрямителя сопротивление запорного слоя в элементах уменьшается, происходит расформовка элемента. В связи с этим при первичном включении селенового выпрямителя, длительное время не работавшего, напряжение на выпрямитель надо подавать пониженное и постепенно увеличивать его до номинального. Таким образом проводят повторную формовку селеновых элементов. [c.323]

В технике используют полупроводниковые материалы, которые имеют /7- -переходы, обусловливающие запорный слой, с униполярной проводимостью и выпрямительньш эффектом для переменного тока. Полупроводниковые материалы дают возможность изготовлять выпрямители, усилители и генераторы различной мощности, преобразователи различных видов энергии в электрическую и обратно (солнечные батареи, термоэлектрические генераторы и др.), нагревательные элементы, датчики Холла для измерения напряженности магнитного поля, индикаторы радиоактивных излучений, различные датчики (давления, температуры), регуляторы тока и напряжения, нелинейные сопротивления для вентильных разрядников защитной аппаратуры в линиях высокого напряжения, счетчики ядерных частиц, элементы памяти в вычислительных машинах. [c.237]

На фиг. 189 показан схематический разрез селенового фотоэлемента. Под воздействием света электроны проникают через запорный слой, вследствие чего на верхнем электроде будет поддерживаться отрицательный потенциал относительно подкладки. В серно-таллиевых фотоэлементах электрон переходит из металлической подкладки в полупроводник, заполняя свободные А энергетические уровни, возникшие под действием света. Чувствительность селеновых фотоэлементов доходит до500 а серно-таллиевых — до 10 ООО мт/лм. Спектральная чувствительность фотоэлементов иллюстрируется кривыми фиг. 190. [c.333]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...