Контактные явления

Контактные явления меньше проявляются при малых скоростях относительного движения в контактах, поэтому диаметр колец обычно выбирают в пределах 10—40 мм. Наиболее распространенными являются скорости скольжения 10—15 м/с. [c.317]

Контактные явления а полупроводниках [c.65]

Контактная разность потенциалов может играть большую роль в работе электровакуумных приборов, электроды которых (катод, анод, сетки и др.) изготовляются, как правило, из разнородных металлов. Контактная разность потенциалов, возникающая между такими электродами, складывается с внешней разностью потенциалов и оказывает непосредственное влияние на ВАХ приборов. Изменение контактной разности потенциалов может привести к нестабильности работы этих приборов. Контактные явления лежат также в основе работы многих полупроводниковых и других твердотельных приборов и устройств. [c.217]

Время контакта по номинальной площади г .н например, для случая контакта цилиндров или цилиндра с плоскостью г .н = 2й/И, где 2Ь — длина полоски контакта, рассчитанная по Герцу. Характеризует в среднем все контактные явления, зависящие от времени. [c.181]

Помимо собственно контактных явлений, одной из причин, уменьшающих отдачу тепла металлом-теплоносителем стенке, [c.46]

Инжекция осн. носителей происходит, наир., при подаче обратного смещения на р — п-нереход, если у катода имеется слой, обогащённый осн. носителями см. Контактные явления в полупроводниках). При. этом в образце появляется пространств, заряд, препятствующий дальнейшему поступлению носителей из обогащённого слоя. Плотность / стационарного тока определяется условием, что падение напряжения внутри образца, обусловленное пространств, зарядом, уравновешивается внеш. напряжением f/ (закон Мот-т а) [c.148]

КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич.тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход) либо через границу двух областей одного и того же полупроводника с разным типом [c.446]

В общем случае смещение у измерительной базы под действием силы закрепления складывается из перемещений, вызванных контактными явлениями в стыке "опора СП -технологическая база заготовки (J0" собственными деформациями заготовки у и СП контактными явлениями в предварительно затянутых стыках СП (Уст)- [c.173]

В инженерных расчетах основное внимание уделяют контактным явлениям в стыке "опора СП - технологическая база заготовки", принимая у Y, составляющими у, и y , обычно пренебрегают, полагая заготовку и СП весьма жесткими. Составляющую у учитывают при использовании обратимых и переналаживаемых СП с большим числом стыков. [c.173]

Контактные явления. Если привести в соприкосновение два металла, то между ними возникнет ток эмиссии, который будет существовать до тех пор, пока не наступит равновесие электрохимических потенциалов. Оно характеризуется тем, что границы Ферми обоих металлов будут лежать на одном энергетическом уровне. Равновесие устанавливается путем перехода электронов из металла с более высоким уровнем Ферми в другой металл, ко-" торый заряжается при этом отрицательно. Возникшая разность потенциалов—контактное напряжение Вольта Ув — равно в = [c.298]

В большинстве публикаций, посвященных решению прикладных контактных задач, используется двумерная постановка краевой задачи, в которой НДС объектов определяется соотношениями осесимметричной либо плоской задачи теории упругости. Это обстоятельство в основном объясняется двумя причинами сложностью анализа контактных явлений в трехмерной постановке и недостаточной мощностью вычислительных средств для удовлетворительного описания в пространстве геометрии взаимодействующих тел. [c.15]

Двумерная постановка задач существенно упрощает анализ контактных явлений. Вследствие снижения мерности задачи происходит вырождение площадок контакта в отрезки кривых или, в частном случае, прямых линий, лежащих в плоскости меридионального сечения конструкции. Решение контактной задачи сводится в данном случае к определению участков отрыва и прилегания контура взаимодействующих тел, зон сцепления и проскальзывания внутри последних, а также компонентов напряженного и деформированного состояний в плоскости сечения рассматриваемых тел. [c.16]

V < 10" наблюдается расхождение с экспериментальными данными [49], так как не учитываются поверхностные и контактные явления на границе раздела компонентов, которые иногда определяют процессы переноса в гетерогенных системах. [c.14]

При оксидировании алюминия в растворе силиката натрия в области предпробнвных значений напряженности поля вклад электронной составляющей тока в процесс переноса, заряда составляет более 80 что делает невозможным использование традиционных кинетических уравнений для ионного тока. В связи с этим был выполнен теоретический анализ и экспериментальная проверка применимости уравнений Янга—Цобеля, Шоттки и Пула—Френкеля для описания полного тока и его электронной составляющей на границах раздела фаз ц в объеме оксида. Путем обработки кривых спада тока при вольтотатическом режиме формовки получены линейные характеристики в координатах Ini—VU и показано, что кинетика процесса контролируется контактными явлениями на границах раздела фаз. Энергетический расчет позволил предположить существование блокирующего контакта на границе металл— оксид. [c.238]

Параметр испытания r= onst связан с линейным законом нарастания нагрузки на образец (рис. 17). Для нагрух<ения чаще всего используется удар массивного груза по головке образца [69] через специальный волновод. Скорость нагрух<ения регулируется демпфированием удара в результате контактных явлений. Величина скорости нагружения определяется но осциллограмме a t) (см. рис. 17, а), регистрируемой в сечении, прилегающем к рабочей части образца. В пространстве aet этому параметру испытания соответствует плоскость, проходящая под углом к плоскости аое (см. рис. 17, б). Поскольку существующие методики обеспечивают линейный закон нагружения (близкую аппроксимацию действительного изменения напряжений во времени) только в упругой области, за верхним пределом текучести начальный параметр испытания не выдерживается. Поэтому полная кривая деформирования о(е) (см. рис. 17, а) в таких испытаниях не характеризует поведение материала с параметром испытания a= onst. Нижний предел текучести, предел прочности и другие характеристики сопротивления пластической [c.66]

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) — слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода (р —п-перехода), свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, уве.ттичнвает соле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.—основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов. [c.52]

Биполярные явления. Если в полу-проводнике происходит генерация не-V,. г Т///. основных носителей, наир, дырок, или Рис. 4. если они инжектируются в образец с помощью др. контакта, то возникают т. н. биполярные контактные явления. Контакты с обогащённым слоем (рис. 2, 3, 4) обедняются дырками, ибо то электрич. поле, к-рое способствует обогащению электронами, выпосит из слоя дырки. Электрич. поле тока в обогащённом слое мало по сравнению с электрич. полем в объёме. Поэтому ток дырок почти не проходит сквозь обогащённый слой. Если направление тока электронов таково, что дырки в поле этого тока движутся из объёма к контакту, то [c.447]

При протекании тока через контакт П. с металлом или др, П. неравновесные электроны и дырки заполняют цриконтактвую область, причём их кояцентрация зависит от величины тока, а толщина об.тасти, заполненной неравновесными носителями,— от длины, на к-рую они диффундируют за время жизни (см. Инжекция носителей заряда, Контактные явления в полупроводниках). [c.42]

Ф, с сильным внутр. электрич. полем представляют собой полупроводниковые структуры с выпрямляющими контактами полупроводник—металл и гетеропереходами (см. также Контактные явления в полупроводниках). В таких Ф. свет возбуждает электроны в зону проводимости ниже уровня вакуума, а дополнительную энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в сильном электрич. поле внутри полупроводника. Длинноволновая граница таких Ф. определяется шириной запрещённой зоны полупроводника (Хо[мкм]я = l,24/ < j [эВ]). Ф. с выпрямляющим контактом полупроводник — металл изготавливаются на основе полупроводниковых соединений /i-InGaAs и -InGaAsP и представляют собой эпитаксиальные слои таких полупроводников, на поверхность к-рых наносится тонкая ( 10 нм) плёнка Ag. Работа выхода Ag снижается адсорбцией цезия и кислорода до величины а 1,1 эВ, Такие Ф. работают при включении на контакт внеш. напряжения в обратном направлении (плюс , на Ag) V=2—5 В. Фотоэлектроны, возбуждённые светом в зону проводимости, разогреваются. в сильном электрич. поле контакта и выходят в вакуум сквозь плёнку Ag, Ф. на основе InGaAs с 0,75 эВ имеют порог чувствительности /(-о 1,7 мкм, а квантовый выход достигает 10" —10 электрон/фотон при ).< 1,6 мкм. [c.349]

Сильное электрич. поле (внешнее и внутреннее) влияет на Ф. э. из полупроводников. Внеш. электрич. поле в соответствии с эффектом Шоттки снижает величину х и тем самым сдвигает порог Ф. э. в длинноволновую часть спектра и повышает величину квантового выхода Ф. э. вблизи порога. Внутр. электрич. поле вблизи поверхности полупроводника ускоряет фотоэлектроны к поверхности, также увеличивая квантовый выход Ф. э. Если электрич. поле достагочно сильное, выйти в вакуум смогут даже фотоэлектроны, находящиеся в объёме полупроводника вблизи дна зоны проводимости ниже уровня вакуума. Дополнит. энергию, необходимую для выхода в вакуум, фотоэлектроны приобретают в электрич. поле. При этом порог Ф. э. будет определяться шириной запрещенной зоны полупроводника (Avq k s), к-рая может быть значительно меньше, чем Ф. Для создания областей сильного электрич. поля обычно используют полупроводниковые структуры с р—л-переходами и контактами полупроводник—металл (см. Контактные явления в полупроводниках). На рис. 5 представлены спектральные характеристики Ф. э. из контакта полупроводник — металл -lnGaAs — Ag. Работа выхода плёнки Ag снижена адсорбцией цезия и кислорода до Ф 1,1 эВ. При обратном смещении на контакте [c.366]

Ф., действие к-рого основано на внутр. фотоэффекте, представляет собой полупроводниковый прибор с выпрямляющим полупроводниковым переходом (р—п-перехо-дом), изотипным гетеропереходом или контактом металл—полупроводник (см. Контактные явления в полупроводниках). При поглоп ении оптич. излучения в таком Ф. (рис. 1,6) увеличивается число свободных носителей заряда внутри полупроводника, к-рые пространственно разделяются электрич. полем перехода (контакта). Избыток носителей заряда, возникающий по обе стороны от потенц. барьера, создаёт в, полупроводниковом Ф. (ПФ) разность потенциалов, т. с. фотоэдс. При замыкании внеш. цепи ПФ через нагрузку начинает протекать электрич. ток, В качестве материала для ПФ наиб, часто применяют Se, GaAs, dS, Ge и Si. [c.368]

НИЮ в области барьера дрейфовых потоков над диффузионными (см. Контактные явления в полупроводниках). Основные захономерности Э. н. з. определяются полем заряда, образующегося в объёме полупроводника. Поскольку знак этого заряда противоположен знаку носителей, вытягиваемых в контакт, создаваемое им поле препятствует Э. н. 3. Различия в механизме образования объёмного заряда приводят к необходимости подразделять Э. н. з. (так же, как инжекцию) на монополярную и биполярную (двойную), стационарную и нестационарную. Б. И. Фукс. [c.506]

Изменение жесткостей Сд и Сц, за счет контактных явлений (влияния шероховатости, смятия резьбы, силы прижатия) может быть причиной нестабильности эффективной ч ветвигельности. Поэтому в датчиках для малых статических нагрузок, работающих без ударов н перекосов, следует использовать податливый шунт (Сщ Сд) В остальных случаях допустимы жесткие шунты, если есть резерв чувствительности Практика показала, что при сильном натяге и отсутствии перегрузок величина s p практически постоянна с точностью 5—7 %. Периодическую градуировку д1тчика проводят с помош,ью эталонной массы т, и датчика ее виброускорения а (по силе т- а) [c.321]

Контактные явления. При соприкосновении двух металлов между ними возникает ток эмиссии, который сундествует до тех пор, пока не наступает равновесие, y тaнaвливae 4( e в результате перехода электронов из металла с более высоким уровнем Ферми в другой металл, с более низким уровнем Ферми. Последний металл при этом заряжается отрицательно. Возникшая разность потенциалов — контактное напряжение Вольта Vg равно [c.81]

Описанное впервые А. Галлоком и Ф. М. Флавицким явление плавления твердых тел в их контакте при температуре выше температуры плавления эвтектики в их системе, но ниже температуры автономного плавления наиболее легкоплавкого из них, было названо контактным явлением. [c.10]

Для того чтобы продемонстрировать основные особенности процесса формирования заряда в ФРК, связанные с контактными явлениями, будем считать, что кристалл имеет полностью блокирующие электроды, когда электроды не инжектируются в кристаллах, но свободно переходят из кристалла в электрод. Это приводит к граничному условию л = 0прих = 0(л — плотность свободных электронов, ах — координата поверхности кристалла, на которой расположен электрод, находящийся под отрицательным потенциалом). Кроме того, для простоты предположим, что кристалл однородно освещается слабо поглощающимся записывающим светом, так что поглощением можно пренебречь (а 0). Как будет показано в разделе 7.1, основные результаты, полученные здесь для случая однородного освещения, могут быть применены при рассмотрении процесса записи изображения в фоторефрактивных ПВМС. [c.67]

Важную роль в процессах электроперепоса в диэлектриках играют контактные явления на границах диэлектрика с металлическими электродами. В случае ионной (точнее, катионной) электропроводности стационарный постоянный ток может быть обеспечен только в том случае, когда анод изготовлен из металла, ноны которого переносят в диэлектрике электрический заряд. Например, в технических устройствах, использующих ионную электропроводность в кристаллах Rb4AgIs, в которых ток осуществляется ионами Ag+, анод изготовляют из серебра (см. 4.4). Контакт диэлектрик — металл, обеспечивающий свободный обмен носителями заряда, называют нейтральным. В противном случае на постоянном напряжении носители заряда быстро истощаются п в приэлектродной области возникает обедненный слой с повышенным электрическим сопротивлением, а ионный ток через диэлектрик со временем уменьшается. В результате распределение электрического напряжения между металлическими электродами в диэлектрике становится неоднородным — вблизи контакта напряженность электрического толя повышается. Такой процесс азы-вается формовкой. [c.45]

При рассмотрении контактных явлений обычно допускается, что осаждающиеся частицы до момента контакта не были в соприкосновении друг с другом и с подложкой, что равноценно исключению трибоэффекта (о роли последнего см. 35). Кроме того, не учитывается возможность возникновения разряда между частицей и поверхностью при отрыве частицы. Такой разряд наблюдается и при отрыве пленок, он зависит от скорости их отрыва и существенно влияет на величину работы адгезии . Влияние разряда в процессе отрыва частиц пока еще не изуче-но, можно лишь предположить, что с уменьшением размеров частиц снижается вероятность возникновения разряда между частицей и поверхностью . [c.67]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...