Роста процессы

Формирование барьеров на пути растущих кристаллов, тормозящих их рост (процесс лимитации). [c.300]

Процесс зародышеобразования в подобных системах вызван существованием гетерофазных флюктуаций, а их концентрация пропорциональна запасу внутренней энергии твердого тела. Поэтому зависимость концентрации зародышей новой фазы от температуры принимается подобной зависимости теплоемкости данного твердого тела от температуры. Известно, что энергия активации процесса роста всегда меньше энергии активации процесса зародышеобразования, поэтому после образования зародышей немедленно происходит их рост. Процесс роста приводит к основным изменениям в структуре вещества. Зародыше-образование и рост являются независимыми процессами, порожденными флюктуациями. К росту приводят только те флюктуации, которые возникли вблизи поверхности раздела двух фаз, т. е. вблизи зародышей. При этом вероятность благоприятной пространственной ориентации характеризуется энтропией активации процесса [62]. [c.150]

Влияние pH на ско рость процесса и состав [c.147]

К. возникает в результате потери устойчивости зародышей, попадающих в область пониженного давления в звуковой волне, и быстрого их роста. Процесс расширения пузырьков-зародышей обусловлен рядом эффектов давлением газа и пара в пузырьке, превышающим давление в окружающей жидкости диффузией газа в ну- [c.156]

Сам процесс роста кристаллов из газообразной фазы состоит из тех же этапов, что и процесс кристаллизации из жидкой фазы 1) подвод кристаллизующегося компонента к поверхности роста (процессы массопереноса) 2) поверхностная диффузия (миграция по поверхности роста и встраивание атомов в кристалл) 3) диффузия в объеме кристалла (миграция в кристалле) 4) отвод теплоты кристаллизации от поверхности роста (процессы теплопереноса). Различие процессов конденсации из газообразной фазы и кристаллизации из жидкой фазы заключается в том, что при росте из газообразной фазы, как правило, не реализуется сплошность контакта этой фазы с фронтом кристаллизации. [c.250]

Процесс распространения лучистой энергии в газовой (незапыленной) среде имеет много общего с вышеописанным процессом в запыленной среде. Роль пылинок играют здесь молекулы газа, концентрация которых увеличивается с ростом давления газа. [c.96]

В реакторах ВГР и БГР применяется керамическое топливо— окислы, карбиды и нитриды урана и твердого сплава уран-плутоний. Двуокись урана имеет высокую температуру плавления, химически совместима со многими материалами, в том числе с нержавеющей сталью, не подвержена большим изменениям объема под действием нейтронного излучения и при большой глубине выгорания. Двуокись урана имеет теоретическую плотность около И г/см , однако при процессе спекания-не удается получить образцы с плотностью выше 95% теоретической. Существенные недостатки двуокиси урана — низкая теплопроводность, к тому же уменьшающаяся с ростом температуры, и склонность двуокиси урана к окислению и образованию окислов с большим содержанием кислорода. [c.9]

Передача тепла в пограничной пристенной зоне к стенке канала в основном осуществляется теплопроводностью. На основе выше изложенного следует предположить, что уменьшение термического сопротивления этой зоны и, следовательно, интенсификация всего процесса происходит за счет растущего с увеличением р проникновения в нее твердых частиц, увеличения объемной теплоемкости и уменьшения толщины зоны и изменением ее структуры. Разумеется, что предполагаемое соотношение термических сопротивлений основных зон потока при определенных критических условиях изменяется, так как с ростом концентрации р нарастают и отрицательные для теплообмена явления (гл. 7, 8). Поэтому указанные предпосылки и далее приводимые зависимости верны лишь при р<Ркр, м-< Акр [Л. 80, 98, 99]. [c.182]

В первой области существования дисперсных потоков — области потоков газовзвеси — согласно теоретическим и опытным данным (гл. 6) увеличение концентрации при прочих равных условиях может вызвать значительное увеличение интенсивности теплообмена. Такой результат был объяснен улучшением теплофизических характеристик, радиальным теплопереносом и положительным влиянием твердых частиц на теплообмен в пограничном слое. Этот эффект до определенного предела перекрывает отрицательное влияние роста концентрации на пульсации газа (гл. 3) и на скорость межкомпонентного теплообмена в газовзвеси (гл. 5). Однако во в т о-рой области дисперсных потоков — области потоков флюидной взвеси— увеличение насыщенности газового потока твердыми частицами сверх Ркр не только меняет структуру потока, но и содействует постепенному сближению растущего термического сопротивления ядра потока и понижающегося термического сопротивления пристенной зоны. Наконец, при определенных значениях растущей концентрации и определенных условиях движения потока могут сформироваться условия, при которых в решающей степени скажется отрицательное влияние стесненности движения частиц на теплообмен. В этом случае рост концентрации приведет не к повышению относительной интенсивности теплоотдачи, а к ее падению— процесс уже прошел через максимум. [c.255]

Наиболее существенное влияние оказывает расход насадки. С его ростом увеличивается количество тепла, отбираемого в верхней камере, и снижается температура газов и насадки на выходе из нее. При этом неравномерность распределения температур по сечению заметно увеличивается. Так, при небольших расходах насадки (200—600 кг/ч) поле выходных температур практически равномерно, а при расходах более 1 500 /сг/ч неравномерность достигает 300—400° С. Характер температурного поля насадки определяет процесс нагрева воздуха в нижней камере. При прямоточном движении газов и воздуха и неравномерном распределении температур насадки воздух успевает нагреться в первых (по ходу) горячих слоях насадки и последующие, слои работают с очень низким температурным напором. При достаточно больших расходах насадки (свыше 1 ООО кг/ч) этот температурный напор становится отрицательным, что приводит к обратному теплообмену, т, е. к переходу тепла 380 [c.380]

Процесс об )азования кристаллов путем зарождения центров кристаллизации п пх роста можно изучать с помощью рассмотрения моделей (схем), что с успехом применялось II, Л. Мнр-киным. Подобная модель кристаллизации представлена на [c.46]

По мере развития процесса кристаллизации в нем участвует все большее и большее число кристаллов. Поэтому процесс вначале ускоряется, пока в какой-то момент взаимное столкновение растущих кристаллов не начинает заметно препятствовать их росту рост кристаллов замедляется, тем более что и жидкости, в которой образуются новые кристаллы, становится все меньше. [c.47]

Скорость всего процесса кристаллизации количественно определяется двумя величинами скоростью зарождения центров кристаллизации и скоростью роста кристаллов. Обе эти величины можно измерить для разных условий кристаллизации. [c.47]

Процесс кристаллизации может протекать только при условии уменьшения свободной энергии, поэтому, если образуется зародыш размером меньше (рис. 30), он расти не может, так как это повело бы к увеличению энергии системы. Если же образуется зародыш размером г и более, то его рост возможен, так как это приведет к уменьшению свободной энергии. [c.50]

Начавшееся хрупкое разрушение является самопроизвольным процессом накопленная в системе энергия поддерживает процесс лавинообразного хрупкого разрушения, затрата энергии на образование новых поверхностей меньше, чем освобождающаяся при этом упругая энергия. Гриффитсом было установлено, что существует некоторая критическая длина трещины, назовем ее первой критической и обозначим через /аь рост которой происходит самопроизвольно и сопровождается уменьшением энергии в системе. Как было сказано выше, для того чтобы трещина двигалась, кроме энергетических условий (уменьшение энергии в системе), требуется и достижение определенного напряжения в устье трещины, что достигается при втором критическом ее размере—1с. Ввиду того что в металлах трещина не предельно остра, определяет хрупкую прочность вторая критическая длина дефекта, поскольку h >U, для, стекла имеет место обратная картина 1о<1а или разница между 1с и /э не так велика. Это количественная, но не принципиальная разница хрупкого разрушения стекла и металла. [c.72]

К концу первой стадии рекристаллизации можно получить структуру, состоящую только из таких зерен, т. е. очень мелких зерен, в поперечнике имеющих размер в несколько микрон. Но в этот момент наступает процесс вторичной рекристаллизации, заключающейся, как говорилось раньше, в росте зерен. [c.90]

Соответственно, зависимость концентрации углерода от интенсивности этектромагнитного перемешивания представится экспоненциальной функцией (рис 25, б) Это указывает на то, что даже малая интенсивность перемешивания уже оказывает существенное влияние на ско рость науглероживания жидкого сплава Эффективность воздействия э1ектромагнитного перемешивания на ско рость процесса снижается по мере увеличения интенсив ности перемешивания [c.63]

В процессе деформашш возникает ориентированная структура вследствие дробления зерен а-титана двойни-кованием и скольжением. Последующий нагрев приводит к зарождению новых зерен и дальнейшему их росту. Процессу рекристаллизации предшествует перемещение границ зерен или границ двойников и образование свободных от напряжений кристаллов [31]. [c.155]

Следовательно, решающим фактором скорости растворения является не столько количественный состав сплавов, сколько размеры их структурных составляющих, образованных электрохимически отрицательным компонентом. Существенно, что сами эти размеры неоднозначно связаны. со ско-. ростью процесса. В зависимости от ряда условий мелкодисперсная структура может соответствовать как максимальной (системы Mg— Mg2 u и Mg—MgZn), так и минимальной (системы Sb—РЪ, Sn—РЬ, Bi—РЬ, РЬ—Ag Zn— d, Zn—Pb, d—Pb) скорости растворения. [c.158]

Малая подвижность компонента В способствует ее неупорядоченному расположению в кристалле, что снижает их совершенство. Стремление кристаллов к наибольшему совершенству приводит к выталкиванию компонента В к фронту кристал шзации. В результате возникает слой, обогащенный В. Через этот слой компонент А может переноситься благодаря малости Xg, компонент В не переносится. Увеличение толщины слоя, обогащенного компонентом Б, привоЗо[ит к уменьшению интегрального потока через него и к накоплению компонента А в периферий-,ном слое. На этом этапе роста возникает два слоя обедненный компонентом В и обогащенный им. При дальнейшем росте процессы, которые привели к образованию первых двух слоев, повторяются. 0 т видно, что при нагреве такой слоистой композиции до температуры, когда Ха Xg, произойдет ее гомогенизация при этом, естественно, в ней возникнут напряжения разных знаков. [c.81]

Уже при нагреве до температуры 200—300° в холоднокатанной стали начинается уменьшение внутренних напряжений, вызванных ее наклепом при холодной прокатке, и соответствующее понижение твердости. При медленном нагреве до температуры порядка 450° происходит разупрочнение малоуглеродистой стали (возврат), т. е. понижение ее твердости и предела прочности до значений, соответствующих ненаклепанной стали того же химического состава. Возврат не сопровождается заметными изменениями в структуре стали. При дальнейшем нагреве начинается рекристаллизация холоднокатанной стали, протекающая быстро при температуре выше 650°. При медленном нагреве в результате рекристаллизации возможен значительный рост зерна. Однако при контактной сварке стали время выдержки при температурах рекристаллизации, как правило, недостаточно для такого роста. Процессы, протекающие при нагреве холоднокатанной стали до более высоких температур, не отличаются от описанных выше процессов в горячекатанной стали. Схемы распределения температур и твердости при сварке холоднокатанной стали приведены на фиг. 35, б. [c.60]

При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. Процессы переноса по поверхности в свою очередь зависят от распределения потенциала в пленке вблизи поверхности. Известным примером такого рода эффектов служит окисление алюминия, когда после образования нескольких первых слоев скорость падает до очень низкого значения. То же наблюдается и при окислении некоторых других металлов. Скорость окисления алюминия определяется стадией перехода алюминия в виде ионов через границу раздела металл—окисел в междоузлия решетки окисла. Согласно теории, при переходе иона металла с поверхности металла в междоузлие окисла, связанного с металлом, ион металла должен преодолеть потенциальный барьер. Этот барьер намного больше того, который приходится преодолевать иону при переходе из одного междоузлия в другое, так что скорость диффузии в самом окисле не определяет скорости окисления в целом. Вероятность того, что такой переход произойдет, определяется выражением где v —частота колебаний атома, Е —высота барьера. Скорость переходов повышается под действием электрического поля, возникающего в результате адсорбции на внешней поверхности нонов кислорода (отрицательно заряженных), поскольку они притягивают ионы А1 + через слой окисла. Скорость роста пленки дается выражением [c.168]

Исследованиями особенностей превращения аустенита при сварке плавлением установлено, что скорость нагрева в интервале температур A i — Асз и длительность пребывания металла околошовной зоны при температуре выше A g оказывают существенное влияние на процесс гомогенизации аустенита и роста зерна. В условиях сварки наблюдаются две противоположные тенденции высокая температура нагрева Л1еталла околошовной зоны способствует росту зерна, особенно при большой длительности пребывания металла при температуре выше Асз, и одновременно увеличивает устойчивость аустенита быстрый нагрев и малая длительность пребывания металла выше температуры Ас понижают степень гомогенизации и устойчивость аустенита. [c.232]

Высокологпровпниые хромистые стали, находящиеся в феррит-иом состоянии, при температурах выше И50° С обладают склонностью к быстрому росту зерна. Так как в таких сталях обычно присутствует и карбидная фаза, то при быстром нагреве и охлаждении, характерном для условий сварки, растворяющиеся карбиды обогащают углеродом только микрообъемы металла, прилегающие к ним, без общей гомогенизации, в результате чего в этих участках создаются условия протекания в них превращении а у, а при охлаждении — у а. Наиболее вероятны эти процессы вблизи границ зерен. В результате таких процессов [c.261]

При нагревании твердого топлива без доступа воздуха его органическая масса разлагается, в результате чего образуются газы, водяные и смоляные пары и углеродсодержащий остаток. Суммарное количество выделяющихся л е-тучих веществ увеличивается с ростом температуры и времени выдержки, Этот процесс в основном заканчивается при 700—800 °С. По ГОСТ 6382— 80 (стандарт СЭВ 2033—79) выход летучих в процентах на сухое [c.120]

Соотношение (2.52) качественно хорошо согласуется с формулой, предложенной в [39]. Следует отметить, что в силу своей структуры соотношения типа (2.54) или другие для определения т не очень чувствительны к выбору параметров, отражающих расширение слоя в процессе роста скорости фильтрации газа, и связи между ними. Поэтому пог шность при сопоставлении экспериментальных и расчетных данных по порозности слоя может быть удовлетворительной, хотя сама формула не адекватна физической картине. [c.55]

Еще в 1878 г. Д. К. Чернов, изучая структуру литой стал1г, указал, что процесс кристаллизации состоит из двух элементарных процессов. Первый ироцесс заключается в зарождении мельчайших частиц кристаллов, которые Чернов называл зачатками , а теперь пх называют зародышами, или центрами кристаллизации. Второй процесс состоит в росте кристаллов из этих центров. [c.46]

Было показано, что не только, в жидких расплавах, но и при превращении в твердом состоянии новая форма образуется путем зарождения и роста кристаллов скорость этих процессов зависит от переохлаждения. В отличие от кристаллизации из жидкости процесс превращения в твердом состоянии (перекристаллизация) обычно протекает при сильном переохлаждении, и таммановская зависимость с. к. и ч. ц. для этого случая даже более приемлема, чем для случая первичной кристаллизации. [c.49]

К самопроизвольным процессам, которые приводят пластически деформированный металл к более устойчивому состоянию, относятся снятие искажения кристаллической решетки и другие В1нутризеренные процессы и рост зерен. Первое е требует высокой температуры, так как при этом происходит незначительное перемещение атомов. Ул<е небольшой нагрев (для железа 300— —400°С) снимает искажения решетки (как результат многочисленных субмн кролроцессов — уменьшение плотности дислокаций в результате их взаимного уничтожения, так называемая аннигиляция, слияния блоков, уменьшение внутренних напряжений, уменьшение количества вакансий и т. д.). Линии на рентгенограммах деформированного металла, размытые вследствие искажений решетки и нарушений се правильности, вновь становятся четкими. Снятие искажений решетки в процессе нагрева деформированного металла называется возвратом, или отдыхом. В результате этого процесса твердость и прочность несколько понижаются (па 20— 30% по сравнению с исходными), а пластичность возрастает. [c.86]

Серия микроструктур, приведенная на рис. 72, показывает типичный процесс роста зерен (собирательная рекристаллизация). На рис. 12,а представлена структура сплава (твердый раствор хрома (В никеле) после окончания первичной рекристаллизации. Видны мелкие равноосные зерна. Повышение температуры приводит к росту отдельных зерен за счет мелких получается структура, состоящая из отдельных крупных зерен, OiKpy-женных мелкими (рис. 72,6). Дальнейшее повышение температуры еще увеличивает число крупных зерен (рис. 72,а), пока, наконец, мелкие зерна е окажутся поглощенными крупными, и вся структура тогда будет состоять из крупных зерен (рис. 72,г). [c.90]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...