Токи насыщения

Если подключить к освещаемому электроду отрицательный полюс батареи, то сначала сила тока с повышением напряжения возрастает, а. затем сила тока остается постоянной. Сила тока насыщения I пропорциональна мощности светового потока излучения. Этому случаю соответствует участок графика на рисунке 299 слева от оси ординат. Измерив запирающее напряжение, можно найти максимальное значение кинетической энергии электронов, вырываемых светом из катода [c.300]

Сила тока насыщения прямо пропорциональна мощности светового излучения, падающего на поверхность тела. [c.300]

Сила тока насыщения оказалась строго пропорциональной световому потоку. Это очень важное свойство фотоэффекта, на котором основаны различные фотоэлектрические способы изме рения световых потоков. [c.432]

Пропорциональные счетчики. Если ионизационная камера работает в режиме тока насыщения, то ее чувствительность к регистрации отдельных частиц невысока. Чувствительность значительно повышается, если ионизационная камера работает в режиме газового усиления. В области больших напряжений (участок D рис. 6, б) в результате ударной ионизации происходит лавинное умножение числа пар ионов н первоначально созданные ионизирующей заряженной частицей /г пар ионов превращаются в kn пар ионов. Величина k — коэффициент газового усиления. С возрастанием напряжения между электродами происходит увеличение коэффициента газового усиления. [c.40]

Так как ток насыщения соответствует условиям, при которых все освобожденные светом электроны проходят через цепь гальванометра, то сила тока насыщения и должна быть принята за меру фотоэлектрического действия света. [c.636]

Закон, приведенный выше, выполняется с полной строгостью в том случае, когда измеряемый ток насыщения образован лишь электронами, освобожденными светом. Это имеет место, если чувствительная поверхность помещена в вакуум. В приборах, наполненных газом и обычно гораздо более чувствительных, так как в 1 их к току электронной эмиссии прибавляется ток ионизации, могут уже возникать некоторые отступления от простой пропорциональности между силой тока насыщения и интенсивностью света поэтому приборами описанного рода надо пользоваться для измерительных целей с известной осмотрительностью. [c.637]

Для исследования зависимости силы фототока от длины волны необходимо определить силу тока насыщения, соответствующего определенной лучистой энергии монохроматического света. Результаты подобных измерений приведены на рис. 32.7, где по оси ординат отложена сала тока насыщения /, отнесенная к поглощенной лучистой энергии, а по оси абсцисс — длина волны X. Рис. 32.7 показывает, что красная граница соответствует Я, = 1ц и с уменьшением длины волны сила тока на единицу поглощенной энергии возрастает. Это значит, что свет с более короткой длиной волны более эффективен. Если принять во внимание, что чем короче длина волны падающего света, тем меньше квантов содержится в единице поглощенной энергии (ибо для коротких волн сами кванты, равные /IV = кс Х, больше), то из кривой рис. 32.7 ясно видно, как сильно растет способность фотонов выделять электроны по мере перехода к более крупным фотонам. [c.644]

Если угол падения достаточно велик, то в области селективного эффекта изменение направления вектора Е, т. е. ориентация электрического вектора, сказывается чрезвычайно отчетливо на величине фототока. Рнс. 32.11 изображает силу тока насыщения в зависимости от длины волны для двух ориентаций электрического вектора — перпендикулярной ( 1) и параллельной (Ер) плоскости падения. Приведенные кривые соответствуют углу падения в 60° и относятся к сплаву калия и натрия, максимум чувствительности которого приходится на длину волны Х - 390,0 нм. Ниже приводятся положения максимума для ряда чистых металлов [c.645]

Рис. 26.3. Пропорциональность тока насыщения световому потоку

Вольт-амперная характеристика внутреннего фотоэффекта при постоянном световом потоке в отличие от внешнего фотоэффекта не обладает током насыщения (рис. 26.12). Величина фототока пропорциональна приложенному напряжению. [c.168]

Пользуясь полученной формулой, можно найти число N электронов, выходящих из горячей металлической поверхности. Оно непосредственно определяет силу тока насыщения накаленного катода. [c.344]

Тело, испускающее электроны или ионы, называется эмиттером. Для наблюдения и использования электронной или ионной эмиссии необходимо создать у поверхности эмиттера электрическое поле, отсасывающее эмитированные частицы. Обычно для достижения эмиссионным током насыщения достаточно приложить небольшое поле (десятки или сотни вольт на сантиметр). В случае полевой эмиссии внешнее электрическое поле превращает потенциальный порог, существующий на границе тела и препятствующий выходу электронов, в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту, вследствие чего становится возможным квантовомеханическое туннелирование электронов сквозь барьер. При этом энергия электрического поля затрачивается только на ускорение эмитированных электронов. Для возникновения полевой эмиссии необходимо приложить к телу сильное электрическое поле (I 10 В/см), при этом плотность тока может достигнуть 10 А/см . При еще больших импульсных полях локальные участки эмиттера (выступы, заострения) сильно разогреваются (чаще всего током полевой эмиссии) и взрываются. Часть вещества эмиттера переходит из конденсированной фазы в плотную плазму. Этот процесс сопровождается испусканием интенсивного электронного потока — возникает взрывная электронная эмиссия. Монографии и обзоры по эмиссионной электронике и различным видам эмиттеров приведены в [1—4, [c.567]

Для их остановки и прекращения фототока необходимо приложить тормозящую разность потенциалов Uq. При увеличении разности потенциалов фототок увеличивается и стремится к току насыщения Ток насыщения является возрастающей функцией плотности светового потока S. Тормозящая разность потенциалов Uq от плотности светового потока энергии S не зависит. Зависимость Uq (со) показана на рис. 6. На рис. 7 ток насыщения представлен как функция от плотности потока энергии S. [c.19]

Значение плотности тока насыщения У в газах невелико и обычно не превышает [c.103]

В поле El все заряженные частицы, которые образуются в диэлектрике под действием внешних ионизаторов, уносятся электрическим полем к электродам, не рекомбинируя, а ток, протекающий через диэлектрик, достигает насыщения (рис. 5.4, участок 2). Ток насыщения зависит от расстояния h между электродами в конденсаторе. Например, в воздухе при нормальных условиях при h = 0,01 м напряженность Е - 0,6 В/м, плотность тока / ас = 6-10 А/м при Л = 0,1 м — соответственно 6,0 В/м и 6-10" А/м. Рабочие напряженности в диэлектрике намного боль- [c.139]

В отличие от газов в кривой зависимости тока от напряженности поля в жидких диэлектриках отсутствует горизонтальный участок (рис. 2-4). Для жидкостей высокой степени очистки на кривой возможен горизонтальный участок, отвечающий току насыщения (как и для газов). [c.36]

Для термоэмиссионного ПЭ при е к и плотности тока насыщения катода/ меньшей плотности тока насыщения анода/аа [c.77]

Если р- -переход подсоединить к внешнему источнику напряжения, как показано на рис. 5.12,0, (направление ЭДС совпадает с направлением потенциального барьера), значение тока неосновных носителей при этом не изменится, поскольку оно уже равно значению тока насыщения, так как все возникающие носители переходят через барьер. Если же знак приложенного внешнего напряжения будет [c.98]

Фототок равен разности тока основных носителей и тока насыщения, поскольку при отсутствии солнечного излучения и нагрузки оба тока равны [c.99]

При положительном потенциале на коллекторе (рис. 8.7, 6) все электроны, покидающие эмиттер, попадают на коллектор. Поэтому ток в цени меняться не должен, оставаясь равным току насыщения /о (штриховая кривая на рис. 8.8, а). [c.214]

II тем больше ток насыщения. Это типичный транзисторный эффект— напряжением на затворе (во входной цепи) можно управлять током стока (током в выходной цепи). [c.254]

На фиг. 9 показана кривая зависимости ионизационного тока от напряжения на электродах. На отрезке АВ ионизационный ток сохраняет постоянное значение и называется током насыщения. [c.72]

П.лотность заряда определялась по току насыщения, измеряемому при помощи массивного двойного зонда (способного выдержать воздействие потока твердых частиц и их отложение на его поверхности) с охлаяедаемыми водой медными электродами диаметром 19 мм и зазором 3 мм (разность потенциалов около 3 в). Ток 0,001—1,0 ма был измерен микроамперметром Кейтли. Зонд установлен таким образом, чтобы его рабочие поверхности были пара.члельны направлению струи. Эта мера позволяет уменьшить до минимума накопление твердых частиц на поверхности зонда. Перемещения зонда преобразовывались во временную зависимость для струи при помощи измерений скорости струи насадком полного давления и температуры газа термоэлектрическим зондом. Эти зонды перемещались вдоль оси струи. Температура твердых частиц измерялась пирометром. [c.458]

Обратимся теперь к весьма важному вопросу о практическом использовании фотоэффекта. В современном. жсперименте фо-то.элс>сгрпческие измерения световых потоков широко применяют во всем оптическом диапазоне. Измерения базируются на законах фотоэффекта, из которых в данном случае наиболее важна строгая пропорциональность силы тока насыщения и светового потока. Для измерений используют различные устройства, правильная оценка возможностей которых часто оказывается совсем не простой. [c.436]

Ионизационная камера обычно работает в режиме тока насыщения, где нет газового усиления. В этом случае число пар ионов, возникающих под действием попадающей в ионизационную камеру заряженной частицы, относительно невелико и регистрация отдельных. частиц с помощью ионизационной камеры при отсутствии газбвого усиления связана с большими трудностями. В режиме газового усиления ионизационная камера может работать в качестве счетчика отдельных заряженных частиц. Поэтому ионизационные камеры обычно подразделяются на два вида счетно-ионизационные камеры, предназначенные для регистрации прохождения через камеру одной какой-либо заряженной частицы, и интегрирующие ионизационные камеры, применяемые для измерения интенсивности потока частиц. В зависимости от условий задачи ионизационные камеры по форме электродов имеют вид плоского, сферического или цилиндрического конденсатора. Размеры их могут быть весьма различными — от долей кубических миллиметров до сотен литров, в зависимости от их назначения. [c.39]

Действительно, опыт пока.зывает что в соответствии с этими рассуждениями зависимость силы фототока / от приложенной к электродам разности потенциалов V — так называемая характеристика фо--тотока — имеет вид, изображенный на рис. 32.4 (сплошная кривая). При электродах, форма и взаимное расположение которых не удовлетворяют поставленным выше требованиям, характеристика фототока более или менее сильно искажается (см. рис. 32.4, пунктирная кривая). Однако сохраняются ее существенные черты при некоторой не чрезмерно большой ускоряющей разности потенциалов ток доходит до постоянной величины (ток насыщения)-, при определенной тормозящей разности потенциалов ток падает до нуля. На стремление фототока к насыщению также указал А. Г. Столетов. [c.636]

Эмиссионная постоянная В—физическая величина, являющаяся коэффщиентом пропорциональности в формуле Ричардсона — Дешмена, выражающей плотность анодного тока насыщения 8 [c.125]

Плотность тока насыщения термоэлектронной эмиссии (ТЭ) для эмиттера с однородной поверхностью при слабом внешнем электрическом поле, не влияющем на работу выхода, определяется уравнением Ричардсона — Дэшмана [2] [c.570]

Основные характеристики термокатодов — работа выхода бф рабочая температура Т плотность тока насыщения ТЭ /э и ее зависимость от температуры скорость испарения активного вещества при рабочей температуре Чисп эффективность катода ti — отношение плотности тока ТЭ к мощности, затрачиваемой на нагревание катода критерий качества катода t — отношение работы выхода к теплоте испарения активного вещества при данной температуре толщина активного слоя d (для однородных катодов — диаметр). Характеристики различных термокатодов приведены в табл. 25.5—25.14 и на рис. 25.4—25.11. [c.571]

Зависимость тока, насыщения от плотности коряет электроны В материале катода, светового потока S [c.20]

Если пластины из кремния п- и р-тнпов приведены в тесный контакт, то свободные электроны и свободные дырки, диффундируя к поверхности р-п перехода, будут рекомбинировать, как показано на рис. 5.11, а, образуя слой, обедненный носителями заряда, который носит название обедненной зоны. При этом атомы примеси в области перехода, лишенные соответствующих дырок или элементов, превратятся в ионы. Эти донорные или акцепторные ионы, закрепленные в кристалле, создают электрическое поле, образующее электрический потенциальный барьер Uq, препятствующий дальнейшей миграции основных носителей, как показано на рис. 5.11,6. На рисунке показано, как меняется потенциал при пересечении р- -перехода. После того как два куска вещества приведены в соприкосновение, должно произойти выравнивание их уровней Ферми. Ток неосновных носителей, не встречающий потенциального барьера, достигает значения тока насыщения /нлс, а ток основных носителей блокируется потенциальным барьером qil . Значение потенциального барьера невозможно измерить каки.м-либо прибором, поскольку на измерительных контактах формируется такой же барьер противоположного знака. [c.98]

Ток насыщения р— -перехода резко зависит от температуры. В соответствии с законом действующих масс tij, о = п /р,,о = п(Ш Рпо — пУппо = Так как п ехр (—EJkT), то с повы- [c.228]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...