Диффузионная длина

Поэтому, построив функцию (34.58) в полулогарифмическом масштабе, можно по наклону прямой найти диффузионную длину L. [c.313]

Дифференциальное сечение 222 Диффузионная длина 313 Диффузия нейтронов 312 Длина волны де Бройля 490 [c.715]

Пример маркировки германия ГДГ 0,75/0,5. Первая буква означает название материала (Г - германий) вторая - тип электропроводности (Э - электронный, или Д - дырочный) третья - название легирующей примеси (в данном случае галлия). Числитель дроби указывает значение удельного сопротивления в Ом см (0.75 Ом см знаменатель - диффузионную длину неосновных носителей заряда в миллиметрах 0,5 мм). Некоторые промышленные марки германия приведены в табл. 3.2. [c.79]

Марка Тип электропроводности Легирующая примесь Р Эм-см при 300 К Диффузионная длина неосновных носителей заряда, мм при 300 К [c.79]

Ширина запрещенной зоны при 20 °С, эР Подвижность электронов, mV(B- ). , Подвижность дырок, mV(B ). ... Диффузионная длина неосновных носителей, мм............. [c.254]

Свободные носители заряда, диффундируя в объеме полупроводника, за время своей жизни т перемещаются в среднем на расстояние L, которое называют диффузионной длиной носителей. Как показывает расчет, L зависит от т следующим образом [c.173]

На рис. 12.10, а показан диод, р-область которого освещается световым потоком мощностью Wq, вызывающим генерацию в этой области электронно-дырочных пар. Число таких пар G, ежесекундно появляющихся в р-области, определяется соотношением (12.13). Так как поглощение происходит в собственной области, то свет поглощается уже в узком слое у поверхности, от которой носители диффундируют совместно вглубь полупроводника. Если/ — -переход расположен на глубине w[c.327]

Диффундируя в глубь полупроводника, неравновесные носители рекомбинируют, проникая в среднем на расстояние диффузионной длины от слоя объемного заряда р — п-перехода. Если при этом существенная доля актов рекомбинации происходит с излучением света, то, создав условия для выхода этого света наружу, полупроводниковый диод можно использовать как источник излучения. Такой диод называют светодиодом. [c.331]

Известно, что глубина проникновения света в материал приближенно равна 1/а, а диффузионная длина пробега неосновных носителей VDx, где D — коэффициент диффузии т — время жизни неосновных носителей. Если провести расчет для конкретного полупроводникового материала, то можно показать, что [c.226]

Д. н. а. в п. сопровождается рекомбинацией носителей заряда в полупроводниках. В результате при биполярной диффузии неравновесных носителей диффузионный поток проникает на расстояния порядка диффузионной длины, носителей от источника неравновесных носителей. [c.690]

Для реализации эффекта усиления по току транзисторная структура (рис. 3) изготовляется так, чтобы расстояние между эмиттерным и коллекторным р—и-переходами, т. е. ширина базы W, было бы значительно меньше диффузионной длины дырок Lp в базе. [c.156]

Здесь R—коэф. отражения, а — коэф. оптич. поглощения, L—диффузионная длина электронов, В—вероятность выхода фотоэлектронов в вакуум, т. е. вероятность прохождения области изгиба зон и границы раздела полупроводник— вакуум. Обычно В лежит в пределах 0,05 ч-0,5. [c.366]

Некоторые электрофизические свойства кремния, предназначенного для фотоприемников, приведены в табл. 78. Диффузионная длина неравновесных носителей заряда [c.573]

Для придания выращиваемым монокристаллам тех или иных электрофизических параметров, необходимых для успешного их использования в конкретных областях полупроводникового приборостроения, применяются процессы легирования определенными примесями. В настоящее время круг используемых в технологии важнейших полупроводниковых материалов легирующих примесей достаточно ограничен. Как правило, легирование осуществляется примесями, образующими мелкие донорные и акцепторные уровни в запрещенной зоне, соответственно у дна зоны проводимости или у потолка валентной зоны. При этом удается управляемо воздействовать на тип проводимости и концентрацию носителей заряда в полупроводнике. Иногда для легирования используются примеси, образующие глубокие уровни в запрещенной зоне, что позволяет воздействовать на диффузионную длину носителей заряда и регулировать степень компенсации электрически активных центров в легируемом материале. [c.46]

Важной характеристикой полупроводников является также время жизни примесных носителей электрического тока. Б полупроводнике одновременно с процессом возникновения свободных электронов и дырок идет обратный процесс рекомбинации электроны из зоны проводимости вновь возвращаются в валентную зону, ликвидируя дырки. В результате концентрация носителей уменьшается. При данной температуре между этими двумя процессами устанавливается равновесие. Среднее время, в течение которого носитель существует до своей рекомбинации, называют временем жизни. Расстояние, которое успеет пройти за это время носитель, называют диффузионной длиной. Некоторые примеси и дефекты уменьшают время жизни носителей электрического тока и тем самым ухудшают работу прибора. Для хорошей работы полупроводникового прибора время жизни носителей должно быть не меньше, чем 10 с. [c.588]

Степень легирования, так же как и степень очистки, контролируют изменением электросопротивления. Специальными методами определяют тип проводимости, время жизни или диффузионную длину L. Измеренные параметры указывают в марках легированных полупроводников. [c.596]

Некоторые марки чистого и легированного германия и кремния приведены в табл. 18.5. Первое число в марке указывает значение удельного электросопротивления, второе — диффузионную длину L. [c.596]

Се и 51 маркируют по буквенно-цифровой системе. Так Се электронный, легированный 5Ь, обозначают ГЭЛС Се дырочный, легированный Са, — ГДЛГ. Цифры означают удельное электросопротивление (ом-м) в числителе и диффузионную длину неосновного носителя заряда (мм) в знаменателе. Например, ГЭЛС 0,3/0,2. [c.391]

Величина L = > захв называется диффузионной длиной тепловых нейтронов. Диффузионная длина — это мера смещения тепловых нейтроиов в процессе их диффузии (подобно тому, как дл ииа замедления Ls является мерой смещения нейтронов в процессе замедле ния). Так как D = а [c.313]

Диффузионная длина — это расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неравновесных носителей заряда уменьшается вследствие рекомби- [c.248]

Германий, использующийся в производстве полупроводниковых приборов, подразделяется на марки, отличающиеся легирующити примесями, значением удельного сопротивления и диффузионной длины неосновных носителей заряда. Для изготовления полупроводниковых приборов слитки германия распиливаются на пластинки, поверхность которых протравливается для устранения дефектен обработки. [c.254]

По мере повышения частоты сигнала со времени 1/со оказывается се в большей мере недостаточно для завершения переходных про-iue oB. Это должно приводить к уменьшению числа носителей, инжектированных в положительный полупериод сигнала, и тем самым к уменьшению диффузионной емкости. Кроме того, инжектирован-, ные носители не успевают продиффундировать в глубь пассивных областей диода на диффузионную длину, сосредоточиваясь с большим градиентом в тонком слое у границ р — -перехода, что должно. приводить к увеличению прямого тока, т. е. к уменьшению активного сопротивления р — -перехода. [c.236]

Помимо использования фотоэлементов как преобразователей солнечной энергии в электрическую, они применяются также в качестве чувствительных датчиков, реагирующих на изменение интенсивности светового потока. Широкое применение для этой цели получили германиевые, меднозакисные, селеновые, сернистосеребряные, сернистоталлиевые и другие элементы. Интегральная чувствительность их примерно на 2—3 порядка выше, чем у элементов с внешним фотоэффектом. Для ее повышения фотоэлементы конструируют так, чтобы возможно большее число носителей, возникающих при освещении, достигало р — -перехода. С этой целью базу элемента w (рис. 12.10, а) делают как можно тоньше, а полупроводниковый материал выбирают с возможно большей диффузионной длиной носителей L, чтобы выполнялось соотношение w< L. [c.330]

Германий для силовых выпрямителей (РЭТУ 613—59) — монокристаллы германия, легированного сурьмой. Марка ГЭС-15-24/0,9 характеризуется (числитель) удельным сопротивлением 15—24 ом-см при диффузионной длине (знаменатель) не менее 0,9 мм. Вес монокристалла не менее 150 г, диаметр (по вписанной окружности) не менее 25 мм. [c.106]

Германий зонноочищенный (РЭТУ 1247—65). Слитки весом не менее 300 г. Удельное сопротивление не менее 40 ом-см. Проводимость электронного типа. В обозначениях марок германия [8] принята система ГЭ — германий электронного типа проводимости, ГД — германий дырочного типа проводимости, и в случаях применения легированного германия добавляется соответствующая буква легирующего компонента, например ГЭС (или ГДС) — легированный сурьмой, ГДГ — галлием, ГДСЗ — сурьмой и золотом. К буквенному обозначению добавляется числовое числитель — номинальное значение удельного сопротивления в ом-см и знаменатель — значение диффузионной длины в мм. [c.106]

Электронное ограничение. На рис. 1, показана зонная диаграмма Г. типа N—p— P (двойная Г., ДГ). Предполагается, что тол1цина d узкозопного р-слоя 44В меньше диффузионной длины L) неравновесных носи- [c.448]

ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в полупроводнике — pa TOHiriie, на к-ром плоский диффузионный поток нсранновесных носителей наряда (в отсутствие электрич. поля) уменьшается в е раз. Д. д. L имеет смысл ср. расстояния, па к-рос смещаются носители заряда D полупроводнике вслодствио диффузии за время т их жизни L y Dr, j де D — коэф. диффузии повителей заряда й полупроводниках. [c.686]

Ван иой характеристикой Д. н. з. является длина дрейфа — ср. расстояние, к-рое успевают пройти носители от места их генерации (см. Генерация тсителей наряда в полупроиодинках) до места рекомбинации. Длина дрейфа 1 = ц.Ет, где т — время жизнл неравновесных носителей. Измерение длины дрейфа производится тем же методом, что и измерение диффузионной. длины. [c.18]

Инжекция неосновных носителей происходит при подаче прямого смещення на р — п-переход, гетеропереход или контакт металл — полупроводник вследствие уменьшения разности потенциалов на контакте. Инжектированные неосновные носители проникают в полупроводник на глубину, определяемую рекомбинацией она по порядку величины совпадает с диффузионной длиной в слабых внеш. нолях и с дрейфовой длиной (см. Дрейф носителей заряда) в сильных полях. Инжекция неосновных носителей лежит в основе действия полупроводникового диода, транзистора и др, полупроводниковых приборов. Изучение стационарных и переходных процессов И. н. з. позволяет исследовать подвижности носителей, а также определить концентрации, энергетич. положения и сечения захвата примесных центров в высокоомных полупроводниках и диэлектриках. Прохождение инжекционных токов является одним из механизмов переноса заряда в тонких диэлектрич. плёнках. [c.148]

На рис. 6 приведены эксперим. зависимости порога возбуждения самоподдерживающегося С. р. от давления рабочего газа р для разл. газов и при разных условиях. Зависимости всегда имеют минимум. На левой ветви, где порог падает с ростом давления, он тем Виже, чем больше размеры разрядного объёма, характеризуемые диффузионной длиной Л (рис. 6,а), и чем [c.423]

Если ширина слаболегированной области (базы) значи-тельно превышает диффузионную длину дырок ( >Р — коэф. диффузии дырок, т —время жизни дырок), то концентрация неравновесных (избыточных) дырок экспоненциально убывает в глубь базы />(x)=/)iexp( —j /L ,). Аналогично для электронов в эмиттере n x) = n-i np xlL ), где X принимает отрицат. значения. На границе р- и к-областей полный ток, протекающий через р—л-переход, складывается из диффузионного тока дырок jj, = eD (dpjdx) o и диффузионного тока электро-. нов j,=eD (anldx) Q (см. Диффузия носителей заряда в полупроводниках). При этом доля дырочного тока [c.156]

Осн. свойство коллекторного р—п-перехода, используемое при получении транзисторного эффекта, состоит в том, что любая дырка, возникаюищя в л-базе на расстоянии, меньшем, чем диффузионная длина с высокой вероятностью попадает в поле перехода и увлекается в коллектор. [c.156]

Наиб, чувствительностью в видимой и ближней ИК-областях спектра обладают Ф. с отрицат. электронным сродством (ОЭС). Они представляют собой сильнолегированные полупроводники /1-типа, работа выхода к-рых снижена так, что уровень вакуума оказывается ниже дна зоны проводимости в объёме полупроводника. Такие Ф. изготавливаются на основе полупроводниковых соединений GaP, GaAs, InP и их твёрдых растворов, а также на основе Si. В процессе изготовления Ф. поверхность полупроводника очищается прогревом в сверхвысоком вакууме, после чего работа выхода снижается адсорбцией цезия и кислорода. Наиб, высокую чувствительность имеют Ф. с ОЭС, изготовленные на основе совершенных полупроводниковых эпитаксиальных плёнок, обладающих большими диффузионными длинами (см. Эпитаксия). Длинноволновая П)аница Ф. с ОЭС определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника (рис. 2) i-oss 1,24/ , [c.349]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...