Фотоэлектронная эмиссия

Умножитель фотоэлектронный — электровакуумный прибор, в котором ток фотоэлектронной эмиссии, полученный от фотокатода, усиливается внутри самого прибора посредством вторичной электронной эмиссии имеет очень высокую чувствительность, малую инерционность 13, 4). [c.162]

В группу В входят явления, получившие название фотоэлектрических. В них энергия фотонов поглощается твердым телом и при этом генерируются свободные электроны, дырки или пары электрон — дырка, наблюдается фотоэлектронная эмиссия, возникают различные поверхностные и объемные явления с участием заряженных частиц и т. п. Различные виды взаимодействия света с твердым телом схематически изображены на рис. 9.1. [c.304]

Исторически сначала был открыт внешний фото,эф-фект (фотоэлектронная эмиссия). Этот эффект, как уже отмечалось, был обнаружен Герцем и подробно исследован Столетовым, который первым провел изучение фотоэффекта при низких напряжениях и предложил удобную измерительную схему (рис. 26.1), принцип которой сохранился и до настоящего времени. [c.156]

Как уже отмечалось, кро.ме внешнего фотоэффекта, называемого также фотоэлектронной эмиссией, существуют внутренний фотоэффект и фотогальванический эффект. Коротко рассмотрим эти два фотоэлектрических явления. [c.168]

Величину Y называют также квантовым выходом фотоэлектронной эмиссии. [c.161]

Для объяснения спектральной зависимости фотоэлектронной эмиссии металлов обратимся к энергетической диаграмме на рис 7.4, а. В левой половине рисунка (слева от вертикали АА) представлены энергетические состояния электрона в металле штриховкой показаны состояния в зоне проводимости, заполненные электронами. В правой половине рисунка показан так называемый уровень вакуума [c.162]

Чем определяется вероятность внешнего фотоэффекта Все приведенные выше замечания носят сугубо качественный характер. Они объясняют в общих чертах закономерности фотоэлектронной эмиссии, но, разумеется, не позволяют оценить вероятность процесса, его квантовый выход. Для этого пришлось бы обратиться к квантовой электродинамике и квантовой теории твердого тела и рассмотреть весьма сложную задачу, требующую учета многих факторов. [c.168]

Итак, допустим, что фотоэлектрон с нужной энергией зародился. До сих пор мы полагали, что этого достаточно для того, чтобы он вышел из тела в вакуум, т. е. чтобы состоялся акт фотоэлектронной эмиссии. Однако даже при самом упрощенном подходе нам потребовалось бы учесть в данном случае вероятность зародившемуся фотоэлектрону иметь импульс, направленный в сторону к поверхности. Можно считать, что в любой момент времени половина обобществленных электронов движется, приближаясь к поверхности, а половина — удаляясь от нее, поэтому упомянутая вероятность равна 1/2. [c.168]

Электронно-оптический преобразователь. Рассмотрим электровакуумный прибор, в котором используются сразу два квантово-оптических явления фотоэлектронная эмиссия и катодолюминесценция. Речь идет об электронно-опти-ческом преобразователе (ЭОП) — приборе, предназначенном для преобразования невидимого глазом изображения объекта (в инфракрасных, ультрафиолетовых или рентгеновских [c.200]

Фотоэлектронная эмиссия (ФЭ) — эмиссия электронов, вызываемая облучением тел электромагнитным излучением [15—21]. [c.574]

Рентгеновская фотоэлектронная эмиссия (РФЭ) возникает под действием рентгеновского излучения и связана с переходом фотоэлектронов с глубоких атомных уровней в вакуум. Характерной особенностью фотоэлектронных спектров РФЭ является наличие узких линий, соответствующих фотоэлектронам, которые вышли из тела без рассеяния энергии (табл. 25.18 и рис. 25.28— 25.30). При использовании длинноволнового рентгеновского излучения (/iv=l кэВ) энергия эмитированных электронов составляет несколько сот электрон-вольт. Длина свободного пробега таких электронов равна 0,5— 2 нм (рис. 25.27), так что линейчатая часть спектров РФЭ отражает свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Эта особенность спектров РФЭ позволяет использовать их для анализа состава поверхности в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС). Энергии для химических элементов в соединениях различаются на несколько электрон-вольт. Так, для углерода энергия фотоэлектронной 1 s-линии меняется от 281 (Hf , Ti ) до 292 эВ (СОг)-Этот эффект, обычно называемый химическим сдвигом, дает возможность получать с помощью РФС информацию не только о оставе поверхности, но и о химических [c.579]

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом — приборы, которые основаны на явлении фотоэлектронной эмиссии. Фотоэлемент состоит из стеклянного баллона, воздух из которого откачан до высокого вакуума. Внутри помещены кольцеобразный анод и катод в виде тонкого слоя светочувствительного металла (цезий, калий), нанесенного иа внутреннюю поверхность баллона по серебряной подкладке. [c.364]

Разрешающая сила 234 Фотореле — Схема 365 Фотоувеличители 249 Фотоэлектронная эмиссия 360 Фотоэлементы — Параметры 365 [c.555]

О, о, электронов в кристаллах используется для получения интенсивных поляризов. пучков свободных электронов, т. к. при спец, обработке поверхности кристаллов в высоком вакууме удаётся достичь отрицат. электронного сродства и обеспечить высокий квантовый выход фотоэлектронной эмиссии. [c.438]

Наиб, прямые методы определения спектра П. с., т. е. зависимости (Ц), основаны на угловой зависимости фотоэлектронной эмиссии и т. н. инверсионной фотоэмиссии (излучения, возникающего при захвате электронов из электронного пучка, падающего на поверхность). Первым способом измеряется спектр заполненных П. с., вторым — пустых. [c.652]

При столкновениях образуются также возбуждённые атомы, к-рые высвечиваются (УФ-излучение) за время 10 с. Энергия фотонов йоа почти всегда превосходит работу выхода электронов с поверхности катода, поэтому вырванные (с вероятностью 10 ) фотоэлектроны также движутся к аноду, усложняя картину разряда и образуя лавинные серии — последовательно затухающую цепочку импульсов, отстоящих друг от друга на время дрейфа электронов от катода к аноду. Фотоэлектронную эмиссию можно ослабить, если в состав газа кроме инертных (Ат, Кг, Хе) ввести многоатомные газы (СН С И , СО я т. д.), поглощающие УФ-излучение. Т. к. электроны поглощают газы и пары со сродством к электрону (О, НаО, галогены), то их в смеси П. с. должно быть мин. кол-во (концентрация О 10 см ). [c.147]

Бели пренебречь влиянием на лавину пространственного заряда от положит, ионов, прилипанием электронов и фотоэлектронной эмиссией, то [c.147]

Аналогичная ситуация возникает и в том случае, когда внеш. поле превышает величину, достаточную для устранения экранирующего влияния поверхностных состояний. По этим причинам отбор тока эмиссии из полупроводников (в отличие от металлов, где эти эффекты обычно малы) может приводить к значит, нарушению термодинамич. равновесия. Особая ситуация возникает при эмиссии из систем с отрицат. электронным сродством (см. Фотоэлектронная эмиссия), в к-рых неравновесный характер процессов эмиссии (в т. ч. и Т. э.) обусловлен изначальными особенностями приповерхностной энергетич. структуры эмиттеров. [c.101]

Осн. параметрами Ф. являются спектральная чувствительность, квантовый выход фотоэлектронной эмиссии, интегральная чувствительность и плотность темпового тока. Спектральная чувствительность —отношение фотоэлектронного тока в режиме насыщения (в мА) к мощности падающего на Ф, монохроматич. излучения с длиной волны X (в Вт). Со стороны длинных волн зависимость S (А.) ограничивается порогом, или длинноволновой грани- [c.347]

Ф. состоит из окиси цезия с примесями Ag и избыточного s и с вкраплением микрочастиц Ag. На поверхности этого Ф. находится плёнка адсорбированных атомов s. Механизм фотоэлектронной эмиссии из Ag—О— s до конца не ясен. Предполагается, что длинноволновая часть спектральной характеристики Ф. на основе Ag—О — s [c.349]

ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ (внешний фотоэффект)— испускание электронов твёрдыми телами или жидкостями под действием эл.-магн. излучения в вакуум иля др, среду, Практич. значение имеет Ф. э. из твёрдых тел в вакуум. Открыта в 1887 Г. Герцем. [c.364]

ФОТОЭФФЕКТ ВНЕШНИЙ — то же, что фотоэлектронная эмиссия (см. также Фотоэффект). [c.370]

Фотоэлектронной эмиссией называется вырывание электронов с поверхности тел под действием электромагнитного облучения (см. п. 6.6.6). [c.216]

Внешним фотоэффектом или, иначе, фотоэлектронной эмиссией называют испускание электронов веществом, про-исходяш,ее под действием электромагнитного излучения. Длина волны излучения должна находиться в диапазоне значений примерно от 10 до 10 м этот диапазон включает в себя оптическое излучение (без инфракрасной части спектра) и рентгеновское излучение. Энергия фотона в указанном диапазоне изменяется от 1 до 10 эВ (1 эВ = 1,6-Ю" Дж). Вещество может находиться в разных агрегатных состояниях — твердом, жидком, газообразном. В последнем случае используют термин фотоионизадия газа . Наиболее интересен в практическом отношении внеш- [c.155]

Электроны, испускаемые освещаемым твердым телом (фотоэлектроны), можно затем собрать на анод. Фотоэлектроны можно сформировать в направленный пучок, ускорить электрическим полем. Фотоэлектронная эмиссия используется в вакуумных и газонаполненных элементах, в различных электровакуумных приборах, где источником свободных электронов является фотоэмиттер. [c.156]

Основные закономерности внешнего фотоэффекта. Экспериментально установлены три основные закономерности внешнего фотоэффекта, справедливые для любого материала фотоэмиттера 1) количество электронов, испускаемых в единицу времени (сила фототока в режиме насыщения), пропорционально интенсивности света закон Столетова)-, 2) для каждого вещества при определенном состоянии его поверхности существует красная граница спектра излучения о. за которой (при (oкинетическая энергия фотоэлектронов линейно растет с частотой света и не зависит от его интенсивности (закон Эйнштейна). [c.161]

Спектральная зависимость фотоэлектронной эмиссии металлов. Одной из важнейших характеристик фотоэмиттера является его квантовая эффективность Y. Это есть вероятность испускания электрона данным фотоэмиттером при падении на его поверхность одного фотона определенной энергии. Пусть на фотоэмиттер падает в единицу времени п таких фотонов. Если пЗ>1, то число электронов п , испускаемых рассматриваемым фотоэмиттером в единицу времени, равно [c.161]

Измеряя квантовый выход У для разных значений энергии фотона %(л, выявляют для данного фотоэмиттера спектральную зависимость фотоэлектронной эмиссии. На рис. 7.3 в качестве примера приведена зависимость У (Ьы) для нескольких металлов — калия, индия, висмута. Рисунок хорошо иллюстрирует закономерности, проявляющиеся в спектральной зависимости фотоэлектронной эмиссии металлов. [c.161]

Исследуемый световой пучок направляют на фотоэмиттер, играющий роль фотодетектора. Он соединен соответствующей электронной схемой со счетчиком, который регистрирует (считает) число фотонов, вызывающих фотоэлектронную эмиссию в фотодетекторе. Фотодетектор снабжен затвором, позволяющим [c.297]

Действие ЭОП основано на явлении внешнего фотоэффекта. Он представляет собой стеклянный цилиндрический корпус, внутри которого создается высокий вакуум. На внутренней поверхности торцов корпуса наносят фотокатод и катодолюминофор. Между катодом и слоем люминофора создают потенциал (15—40 кВ). На фотокатод проектируют изображение, при этом за счет фотоэлектронной эмиссии возникает электронное изображение, плотность электронов в котором соответствует распределению яркости в исходном оптическом изображении. [c.101]

Эмиссионные явления находят применение в физическом металловедении в качестве методов исследования, весьма чувствительных к структуре и состоянию поверхности. К их числу можно отнести и фотоэлектронную эмиссию, применение которой, особенно в околопороговой области частот, интенсивно разрабатывается в последнее время [1]. [c.31]

В оптич. диапазоне отчётливо проявляются одновременно И волновые, и корпускулярные свойства эл.-магн. излучения. Волновые свойства О. и. позволяют дать объяснения явлениям его дифракции, интерференции, поляризации. В то же время процессы фотоэлектронной эмиссии, теплового излучения невозможно понять, не привлекая представления об О, и. как о потоке частиц — фотоное. Эта двойственность природы О. и. находит общее объяснение в квантовой механике (см. Корпускулярно-волновой дуализм). [c.459]

Методы M A основаны на сравнении из.меренвых молекулярных спектров исследуемого образца со стандартными спектрами индивидуальных веществ (или расчётными спектрами, когда спектры индивидуальных соединений неизвестны). Используют все виды молекулярных спектров, характеризующих взаимодействие вещества с эл.-магн. излучением (спектры поглощения, испускания, рассеяния, отражения, вращения плоскости поляризации, фотоэлектронной эмиссии). Измерения могут производиться в широком диапазоне длин волн — от 10" м (у-излучение) до 10 м (радиоволны диапазон частот 10 —10 Гц). [c.619]

ФОТОКЛТбД—фоточувствит. элемент вакуумных фотоэлектронных приборов, эмитирующий электроны под действием эл.-магн. излучения УФ-, видимого и ИК-диапазо-нов (см. Фотоэлектронная эмиссия). [c.347]

Ф., действие к-рого основано на фотоэлектронной эмиссии (внеш. фотоэффекте), представляет собой электровакуумный прибор с двумя электродами—фотокатодом и анодом (коллектором электронов), помещёнными в вакууми-рованный либо газонаполненный стеклянный баллон. Фотокатодом Ф. служит фоточувствит. слой, к-рый наносится либо непосредственно на участок стеклооболочки, либо на металлич. слой (подложку), предварительно осаждённый на стекло, либо на поверхность металлич. пластинки, смонтированной внутри баллона анод имеет вид металлич. кольца или сетки (рис. 1). Световой поток, падающий [c.368]

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМЙССИЯ —испускание электронов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его границе, или если внеш. электрич. поле делает его прозрачным для части электронов. Э. э. наблюдается при нагревании тел (тер.иоэлектронная эмиссия), при бомбардировке электронами вторичная электронная эмиссия), ионами (ионно-электронная эмиссия) или эл.-магн. излучением (фотоэлектронная эмиссия). [c.555]

Рентг. ЭОП (РЭОП) существенно отличаются от оптических. В них происходит трёхкратное преобразование изображения оптич. изображение, получаемое на первичном люминесцентном экране за счёт рентг. лучей, прошедших сквозь исследуемый объект, возбуждает фотоэлектронную эмиссию фотокатода электронное изображение электрич. полем переносится на выходной люминесцентный экран, возбуждая его свечение. Первичный люминесцентный экран формируется на тонкой прозрачной плёнке, на обратной стороне к-рой создаётся фотокатод, что обеспечивает перенос изображения с первичного экрана на фотокатод с мин. искажениями. Электронное изображение с фотокатода переносится на экран с десятикратным уменьшением. Общее усиление в РЭОП достигает неск. тысяч кд/м лк. [c.564]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...