Шокли состояния

Шокли состояния 77-78 Шокли-Рида-Холла формула для рекомбинации 100 [c.282]

Шокли 2) произвёл детальную проверку метода ячеек для случая, в котором известны точные решения, именно для случая, когда V (г) является постоянной. Он нашёл, что когда используется небольшое число граничных точек, получается удовлетворительное приближение для зон, заполненных в нормальном состоянии, но что приближение обычно получается очень плохим для возбуждённых состояний. [c.349]

Хорошо известна зависимость многих физических свойств полупроводников от состояния их поверхности [3—5]. В случае плёнок поверхностные эффекты могут полностью определять все характеристики материала. Именно это послужило Шокли и Пирсону [6] основанием для исследования эффекта поля в напыленных германиевых пленках, что впоследствии привело к созданию полевого транзистора [7]. Как показали дальнейшие исследования, и другие полупроводниковые материалы, например напыленные поликристаллические пленки сульфида кадмия, тоже могут быть применены в таких приборах [8]. Однако этот материал не оправдал надежд из-за недостаточной долговременной стабильности Одной из причин широкого изучения [c.317]

Состояния Шокли представляют собой в обычном смысле свободные валентности на поверхности. Четыре валентных электрона элементов группы IV распределены по четырем атомным орбиталям, если атом изолирован,— одна s-орбиталь и три р-ор-битали. В случае связи с другими атомами обычно рассматривается тетраэдрическая sp -гибридизация валентных электронов. С учетом спина имеется восемь состояний, четыре из которых заняты в связи, у четырех остальных энергия гораздо выше. Если они составляют кристалл структуры алмаза, дискретные энергетические уровни уширяются, образуя валентную зону и зону проводимости, как было описано выше. Рассмотрим атом на поверхности (111). Три орбитали необходимы для того, чтобы встроить атом в кристалл, четвертая орбиталь остается свободной. Свободная орбиталь, локализованная, таким образом, на поверхности, является состоянием Шокли. Состояния Шокли могут затем расщепляться в поверхностную зону. [c.21]

Как мы уже видели в предыдущем параграфе, имеет смысл предположить, что ниже уровней, соответствующих состояниям проводимости и описываемых с помощью приближения Блоха, в диэлектриках типа хлористого натрия имеются непроводящие возбуждённые уровни. В данном параграфе мы попытаемся описать эти возбуждённые состояния более подробно, используя простую модель, которая впервые была рассмотрена Френкелем ), Пайерлсом ) и в последние годы Слэйтером и Шокли ). [c.439]

Рассмотрим в качестве примера изотерму адсорбции О2 на атомарночистой поверхности графита (рис.7.6.) и, соответствующие изменения дифференциальной теплоты адсорбции ( ), электропроводности (о), термо5ДС Ет) и термоэлектронной работы выхода (Фг) на границе графит- золото (Р..7Л Измерен велись на образце, диспергированном при ЗООК и практически не содержащем спиновых центров (< 10 спин см -2). Как следует из рис.7.6, начальный вертикальный участок адсорбции соответствует заполнению я = 110 см- активных центров, что близко к концентрации угловых атомов С на реакционно-способных призматических гранях графита, находящихся в 52р2.гибридизации. Этот участок изотермы характеризуется весьма быстрой кинетикой установления равновесия (= 30 мин). В этой области Па теплота адсорбции qJ постоянна и высока (= 460 кДж/моль), также неизменны и все электрофизические характеристики — рис.7.7. Последнее указывает на неизменность заряда в контактах между наночастицами. Адсорбция протекает на дважды заполненных состояниях Шокли (спиновые центры, захватившие [c.231]

Для существования состояний Тамма важщ), что или кулоновский интеграл, или обменный интеграл между парой соседних атомов поверхности отличен от соответствующего интеграла внутри кристалла. Шокли [8] и другие авторы [4, 9—И] показали, что поверхностное состояние может появиться в германии, кремнии, алмазе, даже если значения кулоновского и обменного интегралов одинаковы внутри и на поверхности кристалла. Валентные орбитали атомов, образующих кристалл, являются 5- и р-орбиталями в их изолированных состояниях они имеют различную симметрию, но близкие друг к другу энергии. При уменьшении параметра решетки каждый уровень расщепляется в зону, и при определенном значении параметра решетки верхняя граница нижней зоны и нижняя граница верхней зоны пересекаются и затем расходятся, образуя при дальнейшем уменьшении параметра решетки зону проводимости и валентную зону (см. [4, 8—11]). Зона проводимости лежит выше валентной зоны. Каждая зона содержит два состояния на атом или четыре на атом, если учитывать спин. Четыре электрона каждого атома целиком заполняют валентную зону, оставляя зону проводимости пустой при низких температурах. В случае германия и кремния запрещенная полоса между зонами довольно узка и при достаточно высоких температурах часть электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости (собственный полупровод- [c.20]

В а й н ш т е й н л. А., Эпектройшгнит- верхности. На поверхности реального ности раздела. Образование и развилки Ф ш и ц Е м. Элек5оданамка сплош- кристалла всегда есть слой окисла, тие зародышей новой фазы в первона-ных сред, М., 1959. И. Г. Кондратьев, адсорбированные атомы, структурные чально однородной среде, находящей-ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПО- дефекты и т. п. Это приводит к появ- ся в метастабильном состоянии, также Л У ПРОВОДНИКОВ, свойства, обус- лению дополнит. П. с. с волновыми определяется П. я. (с этим связано половленные поведением носителей заря- ф-Циями, имеющими максимум на по- вышение растворимости малых капель да (электронов и дырок) вблизи гра- верхности или вблизи неё и затухаю- и кристалликов и повышение над ними ницы раздела полупроводника с др. Щими по мере удаления от неё (у р о в- давления насыщенного пара см. Яель-средой. На поверхности существуют Шокли). вина уравнение). [c.553]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...