Полупроводниковые соединения

В таблицы в основном включены данные о полупроводниках с Eg<3 эВ. Тройные и более сложные полупроводниковые соединения не описаны . Не приведены также сведения о параметрах различных полупроводниковых приборов. [c.455]

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ 22.3.1. Соединения типа Л Б — [c.469]

Таблица 22.6. Полупроводниковые соединения Л[293]

Таблица 22.7. Полупроводниковые соединения [293]

Таблица 22.8, Полупроводниковые соединения

Полупроводниковые соединения 111 и VI групп обладают стехиометрическим составом двух типов Л ЧД и и имеют много кристаллических модификаций. [c.500]

Из полупроводниковых соединений типа из- [c.517]

Таблица 22.23. Полупроводниковые соединения А

Таблица 22.25. Полупроводниковые соединения Л

Известны полупроводниковые соединения МпА з типа ( g = 0,45- 0,58 эВ, > 200 см2/(В-с), [c.536]

Таблица 22.28. Полупроводниковые соединения [288]

Таблица 22.30. Полупроводниковые соединения А В

Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 111 и V групп Пер. с англ. М. Мир. [c.540]

Полупроводниковые соединения 11—V групп. М. Наука. 1978. [c.541]

Материалы для полупроводниковых лазеров. В качестве активных сред полупроводниковых лазеров используются в подавляющем большинстве случаев бинарные полупроводниковые соединения или многокомпонентные твердые растворы на их основе, так как элементарные полупроводники не являются прямозонными. В табл. 34.6 представлены полупроводниковые материалы, используемые в качестве рабочего вещества лазеров, и указан способ накачки. [c.946]

Среди полупроводниковых соединений типа наиболее [c.292]

Какие сложные полупроводниковые соединения нашли наиболее широкое применение [c.293]

Полупроводниковые соединения могут обладать самыми разнообразными электрофизическими свойствами. Рассмотрим наиболее важные для электротехники материалы. [c.257]

Свойства полупроводниковых соединений типа [c.261]

Рис. 159. Температурные зависимости микротвердости элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений

Соединения А в применяются для изготовления изделий электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах. Соединения А в , А в и А В применяются для изготовления источников света, индикаторов и модуляторов излучений. Окисные полупроводниковые соединения применяются для изготовления фотоэлементов, выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей. [c.407]

Кроме элементарных полупроводниковых материалов, находят применение полупроводниковые соединения, получаемые путем сплавления или химической обработки чистых элементов СпО (для полупроводниковых выпрямителей), SbZn (для полупроводниковых термобатарей), РЬТе (для фотоэлектрических приборов и термоэлементов) и др. [c.389]

Именно это обстоятельство побудило многих теоретиков высказать мысль о том, что понятие ионный характер связи не определяется точным количественным образом. Но даже если частная математическая формулировка не оправдана, это не значит, что неверны выдвинутые первоначально идеи. Отметим, что семейство полупроводниковых соединений типа А В - (с восемью з—р-валентными электронами на два атома) представляет собой хороший экопериментальный материал для основательной проверки концепции ионности с количественной стороны. [c.99]

Известно полупроводниковое соединение Sbl типа vgvii кристаллизующееся в гексагональной решетке (а = 0,748 нм, с=2,09 нм, = 2,5 эВ [242]). [c.530]

Известно полупроводниковое соединение типа p- rSio очень малой подвижностью дырок ( g=l,3 эВ [16]) [c.535]

При выращивании из расплава монокристаллов полупроводниковых соединений пользуются методом Бриджмена -Стокбаргера. Нахреватель в этой установке устроен таким образом, что по его длине создается определенный градиент температуры (рис. 3.26 ). При выращивании кристаллов разлагающихся соединений тигель с веществом помещают в запаянную ампулу, в которой поддерживается необходимое давление паров летучего компонента. В положении 1 содержимое тигля рас- [c.82]

Полупроводниковые соединения А " В являются ближайшими аналогами кремния и германия. Они образуются в результате взаимодействия элементов II1-6 подгруппы периодической таблицы (бора, алюминия, галлия, индия) с элементами V-6 подгруппы (азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой). Соединения А В принято классйфицирбвать по мётм Соответственно раз- [c.291]

К полупроводниковым соединениям А"В относят халькогени-ды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды. [c.292]

Рис. 14.4. Схема получения полупроводниковых соединений методом регулируемого давления (а) и распределение температур по зонам для GaAs и InAs (б)

Использование когерентного излучателя в осветителе интро-скопа позволило осуществить контроль равнотолщинности плоскопараллельных пластин из оптических материалов, непрозрачных в видимой и ближней ИК области спектра. К такого рода материалам относится обширный класс полупроводниковых соединений с небольшой шириной запрещенной зоны, в частности германий, широко применяемый для изготовления оптических элементов мощных ИК лазеров. Так как плоскостность оптических поверхностей выполняется и контролируется с высокой точностью, то предлагаемый способ может быть использован для контроля клиновидности плоскопаралл л )НЬ1Х пластин. Измерение клино- [c.187]

Экспериментально обнаружены переходы нек-рых диэлектриков в полупроводники и фазы с металлич. проводимостью. В последних исчезает энергетич. щель между валентной зоной и зоной проводимости. В одних вeн e твax металлизация происходит путём фазового перехода с резким скачкообразным изменением кристаллич. структуры и физ. свойств (напр., в Ge, Si и мн. полупроводниковых соединениях типа АП1 В и АН BVI), в других — изменение зонной структуры, электрич. свойств и кристаллич. структуры происходит [c.550]

Для формирования требуемой конфигурации отд. планарных элементов и составленных из пих оптич. интегральных узлов применяется гл. обр. фотолитография. Для создания монолитных схем И. о. используются полупроводниковые соединения АШВ и твёрдые растворы на их основе. Монокристаллы диэлектриков, так же как н иыобат и танталат лития,. широко используются для ИЗГОТОИЛОШ1Я ра.эл. типов интегрально-оптических модуляторов, дефлетсторов, переключателей, акустооптич. устройств обработки информации и т. д. [c.154]

Цветное О. с., предназначенное для изготовления стеклянных абсорбц. светофильтров, представляет собой стекло со специально введёнными ионными, молекулярными, коллоидными красителями или содержит микрокристаллы полупроводниковых соединений. В отличие от цветного техи. или художеств, стекла, цветное О, с. обладает высокой оптич. однородностью. Среди разновидностей цветного О. с. существуют как прозрачные, так и полностью поглощающие в видимой области, но селективно прозрачные в УФ- и ИК-обла-стях спектра. Цветное О. с. нормируется по спектру поглощения обозначение типа цветного О. с. условно характеризует область его прозрачности напр,, СЗС22 — сине-зелёное стекло № 22. [c.460]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...