Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Электронные состояния

Для получения основных соотношений между свойствами, диссипацией и необратимостью, а также асимптотическими или равновесными состояниями используются методы термодинамики [724]. Другими сопутствующими проблемами являются свойства твердых частиц, электронные состояния и проводимость [510]. Явления, обусловленные присутствием электрических зарядов, и электродинамические процессы [378] наблюдаются во многих системах с накоплением заряда, эмиссией и при взаимодействии с поверхностью.  [c.17]


Соотношение (16.7) справедливо для всех систем, для которых распределение по подуровням возбужденного состояния не зависит от частоты возбуждающего света и вообще от способа возбуждения. Кроме того, для выполнения соотношения (16.7) необходимо выполнение ряда дополнительных условий — отсутствие в системе поглощающих, но не люминесцирующих примесей, отсутствие невозбуждающего поглощения и т. д. Следует отметить, что соотношение (16.7) применимо не только для электронно-колебательных спектров сложных молекул, но и для любых других систем, состоящих из двух подсистем быстрой и медленной. Необходимо только, чтобы время перераспределения энергии внутри медленной подсистемы значительно превосходило длительность возбужденного состояния быстрой подсистемы, как это имеет место у сложных молекул, где рассматриваются переходы между колебательными подуровнями нижнего и первого возбужденного электронных состояний. В сложных молекулах между актами поглощения и испускания света происходит довольно быстрое перераспределение энергии по колебательным степеням свободы, в результате чего перед актом испускания устанавливается равновесное (температурное) распределение по колебательным уровням возбужденной молекулы. В то же время подобное равновесие электронных состояний не имеет места — в возбужденном электронном состоянии имеется значительный избыток молекул.  [c.368]

Рассмотрим уединенный атом водорода, находящийся в покое, но в возбужденном электронном состоянии. Он излучает световой квант с энергией Е и импульсом Е/с). При этом он испытывает отдачу с импульсом — Е/с). В результате отдачи центр масс системы (состоящей из атома и светового кванта) не сможет остаться в покое, если мы не припишем световому кванту некоторую массу Му Чтобы ее найти, нужно положить  [c.393]

Соотношение между различными частями полосатого спектра можно представить и несколько иначе. Вообразим, что в нашей молекуле могут изменяться только электронные состояния, а вращения и колебания отсутствуют, т. е. что энергия стационарных состояний молекулы определяется только величиной Х е- Спектр такой молекулы состоял бы, подобно спектру атомов, из линий, соответствующих электронным переходам с частотой V = (1 —и расположенных по всему спектру примерно на местах, где наблюдаются в действительности системы полос. Эти линии и намечают распределение всей серии по спектру.  [c.747]

Учтем теперь, что в молекуле возможны различные колебательные состояния в таком случае каждая из описанных выше линий распадается на систему линий, каждая из которых представляет отдельную полосу реальной системы полос. Наконец, если принять во внимание возможные изменения ротационной энергии, то каждая из только что упомянутых отдельных линий превратится в совокупность линий, представляющих наблюдаемые в действительности полосы. Изложенное толкование наблюдаемых закономерностей позволяет заключить, что —1Уг), т. е. разность энергий двух электронных состояний, гораздо больше, чем (117. ,—а последняя в свою очередь много больше, чем (1 ,—Ц7 ), т. е.  [c.747]


Нижняя группа соответствует первому электронному состоянию молекулы и состоит из ряда уровней, отмеченных цифрами V" — 0, 1, 2,. .., соответствующих разным колебательным состояниям молекулы около каждого из таких уровней нанесено несколько уровней, соответствующих различным состояниям вращения. Верхняя группа уровней относится к молекуле с измененной электронной конфигурацией.  [c.750]

Изложенная схема процессов сильно упрощена, и существует целый ряд факторов, в той или иной мере затрудняющих развитие генерации. 1< числу мешающих факторов относится, например, фотохимическое разложение молекул красителя при высоких значениях освещенности, нагревание раствора, приводящее к безызлучательному затуханию возбужденного электронного состояния, и многие другие. Однако все эти препятствия устраняются специальными методами ), и генерацию удается осуществить с большим числом разных красителей (их насчитывается сейчас около 100) в импульсном и непрерывном режимах, в широкой области спектра (от 350,0 до 1000,0 нм) и с применением в качестве источников возбуждающего излучения ксеноновых газоразрядных ламп и лазеров.  [c.817]

Как видно из рис. 6.9, при повышении температуры распределение в виде ступеньки, имеющее место при О К, вблизи Е—Ер размывается и возникает вероятность заселения электронами состояний, находящихся выше Ef-  [c.178]

Формулу для теплоемкости электронного газа можно получить, если известны зависимости энергии Ферми и полной энергии электронов от температуры. Для нахождения этих зависимостей необходимо знать распределение электронных состояний по энергии,, которое является наиболее важной характеристикой электронного энергетического спектра. Введем понятие плотности состояний. Снова, как это мы делали для -пространства (рис. 6.4), в пространстве импульсов построим сферы с радиусами р и p+dp. Объем сферического слоя толщиной dp  [c.179]

С помощью выражения (6.53) для плотности электронных состояний в металле можно вычислить энергию Ue T) электронов при конечной температуре Т и электронную теплоемкость Су Т) металла. Энергия электронов в единичном объеме  [c.181]

Введенный при обсуждении функций Блоха волновой вектор к играет в задаче о движении электрона в периодическом поле кристалла такую же роль, какую играет волновой вектор в задаче о движении свободного электрона. Состояние свободно движущегося электрона с массой т характеризуется энергией Е и импульсом р. При этом  [c.216]

Электронные состояния и электронные спектры молекул  [c.242]

Двухатомная молекула представляет собой систему, состоящую из двух ядер и определенного числа электронов, взаимодействующих с ядрами и между собой, что и определяет свойства электронных состояний молекулы.  [c.242]

Как отмечалось выще (см. 33.1), отдельные электроны в атоме характеризуются главным ( ), орбитальным (/), магнитным (т) и спиновым (х) квантовыми числами, а состояние электронной оболочки атома в целом— суммарными орбитальным и спиновым квантовыми числами. Электронная оболочка двухатомной молекулы имеет, в отличие от атома, не сферическую, а аксиальную симметрию, поэто.му физический смысл имеет не просто значение суммарного орбитального момента молекулы, а его проекция на ось молекулы, которая задается величиной орбитального квантового числа Л. Электронные состояния молекулы, которым отвечают значения Л = 0, 1, 2,..., обозначаются соответственно греческими буквами Е, П, А,.. . .  [c.242]

Кроме орбитального квантового числа Л каждое электронное состояние характеризуется спиновым квантовым числом А, которое определяет мультиплетность этого состояния ( =25 + 1), т. е. число энергетических подуровней, на которое оно может расщепляться во внешнем поле при отсутствии орбитального вырождения. Мультиплетность уровня записывается в виде индекса у обозначения состояния, например означает уровень с Л=1, А=1. Состояния, для которых 5 = 0, называются синглетными (одиночными) состояниями, для которых 5=1,— триплетными (тройными).  [c.242]


Электронные состояния двухатомных молекул могут различаться также по свойствам симметрии. В основе этого лежит представление о двух противоположных типах симметрии квантовых систем, различие которых можно охарактеризовать в общем виде знаками плюс и минус, что, в свою очередь, определяется различным поведением волновых функций, описывающих данное состояние при операциях симметрии. Если волновая функция Ч " сохраняет знак при отражении в плоскости, проходящей через ось молекулы, то тип симметрии плюс.  [c.242]

Так, основным состоянием молекулы водорода является состояние, т. е. синглетное,, положительное и четное (Л=0), тогда как первое возбужденное электронное состояние этой молекулы является уже триплетны.м и нечетным  [c.243]

Это уравнение выделяет всевозможные частоты переходов между различными колебательными уровнями двух электронных состояний. Схема таких переходов дана на рис. 33.8. Никаких принципиальных ограничений для переходов v - v" не существует.  [c.244]

Наибольший интерес при изучении поглощения сложных молекул вызывает самая длинноволновая полоса поглощения, которая по форме примерно идентична для многих веществ. Она образуется при переходах между различными колебательными подуровнями основного и наиболее низкого возбужденного электронных состояний. При переходе вещества из одного состояния в другое или от одного растворителя к другому положение длинноволновой полосы может несколько изменяться, что связано с изменением влияния молекул окружения на электронную оболочку.  [c.251]

Рис. 34.7. Распределение сложных молекул по запасам колебательной энергии в верхнем и нижнем электронных состояниях в растворе Рис. 34.7. Распределение сложных молекул по запасам <a href="/info/144612">колебательной энергии</a> в верхнем и нижнем <a href="/info/22664">электронных состояниях</a> в растворе
Функции распределения молекул по колебательным уровням верхнего р ( кол ) и нижнего р( "кол) электронных состояний представлены на рис. 34.7 (кривые справа). Равенство р ( кол. ) =р(" кол) будет справедливо, если вероятность обмена энергией флуоресцирующих молекул со средой значительно превышает вероятность переходов молекулы в невозбужденное состояние. Для сложных молекул такое предположение справедливо, так как длительность возбужденного состояния у них составляет 10 с, что намного больше времени установления теплового равновесия  [c.254]

Универсальное соотношение Степанова. На основании изложенного и с учетом многочисленных экспериментальных фактов, в частности независимости контура полосы флуоресценции от частоты возбуждающего света, можно утверждать, что у сложных молекул между актами поглощения и испускания света происходит очень быстрое перераспределение энергии по колебательным степеням свободы. Поэтому перед актом испускания устанавливается температурное равновесие по колебательным уровням возбужденной молекулы. Однако полное равновесие в системе отсутствует, так как в возбужденном электронном состоянии имеется значительный избыток молекул.  [c.254]

Рис. 35.17. Диаграмма наиболее низколежащих колебательных уровней основного электронного состояния молекул углекислого газа и азота, вращательные уровни не показаны Рис. 35.17. Диаграмма наиболее низколежащих колебательных уровней основного <a href="/info/631850">электронного состояния молекул</a> углекислого газа и азота, вращательные уровни не показаны
Инверсия заселенностей в таких системах может создаваться между нижними колебательными уровнями верхнего возбужденного состояния 5] и верхними колебательными уровнями основного состояния 5о. Действительно, согласно распределению Больцмана (35.8) высокие колебательные уровни нижнего электронного состояния заселены крайне слабо. Поэтому даже если 1< о (Л), По — число частиц на уровнях 5] и 5о соответственно), число частиц на низких наиболее заселенных колебательных уровнях состояния 5] может быть больше числа частиц на высоких колебательных уровнях состояния 5о. В этом случае коэффициент усиления достаточно высок даже при малых концентрациях красителя.  [c.293]

Чтобы получить среднее число электронов N (г)йе в интервале энергий от 8 до e+de, надо использовать наряду с v(e) также спектр электронных состояний G(e)  [c.139]

Металлы, диэлектрики, полупроводники. Металлы и диэлектрики существенно различаются характером заполнения энергетических зон электронами. На рис. 6.11 заполненным электронным состояниям отвечает двойная штриховка, а свободным — однократная. Случай а относится к металлу, б—к диэлектрику. В последнем случае свободная зона — это зона проводимости, а полностью заполненная — валентная зона. Хотя обобществленные электроны и перемещаются по кристаллу, однако для электропроводимости этого мало надо, чтобы носители заряда обладали также некоторой свободой перемещения по шкале энергии. Ведь для направленного переноса заряда нужна соответствующая составляющая скорости электронов, что связано с приращением энергии. Ясно, что в полностью заполненной зоне приращение энергии невозможно, поэтому в случае б на рисунке мы имеем диэлектрик.  [c.143]

Нетрудно представить себе, насколько сложным оказывается расчет квантового выхода фотоэффекта. Во-первых, надо найти вероятность зарождения фотоэлектрона в определенном состоянии и на определенном расстоянии от поверхности. Во-вторых, надо найти вероятность того, что указанный фотоэлектрон достигнет поверхности и при этом будет иметь энергию над уровнем вакуума . В-третьих, надо обе вероятности перемножить и затем проинтегрировать по соответствующим начальным состояниям электрона, а также по расстоянию от места поглощения фотона до поверхности тела. Тогда мы и получим значение квантового выхода для данной энергии фотона. При решении этой задачи надо знать структуру электронных состояний и распределение электронов по состояниям, фононный спектр, характер примесей и их распределение.  [c.169]


Согласно представлениям Г. Улига, критическая концентрация легирующего компонента, которой отвечает резкий скачок пассивируемости, объясняется изменением электронной конфигурации атомов сплава от заполненной а(-оболочки к незаполненной (никелевые сплавы, стали). В основу расчетов критических составов положено представление Л. Полинга о существовании в d-оболочках переходных металлов незаполненных электронных состояний (дырок). По современной электронной теории сплавов, такой большой перенос зарядов между компонентами сплавов невозможен. Эксперименты по рентгеновской фотоэмиссии показали, что число ii-электронов и дырок в d-оболочках атомов переходного металла в сплаве с непереходным не изменяется (сплав Ni—Си) или изменяется очень мало [55а—55d], — Лримеч. ред.  [c.97]

Поскольку наряду с электронными состояниями существуют колебательные, то каждому электронному уровню соответстР ует набор колебательных подуровней. При учете вращательных состояний каждый колебательный уровень расщепляется на ряд подуровней, связанных с различными вращательными состояниями. Согласно постулату Бора, можно определить также и v p.-  [c.357]

Айвс и Стилуэлл (Opt. So . Am., 1938, у, 28, p. 215 1941, v. 31,. p. 369) выполнили спектральные опыты с пучками водородных атомов, находившихся в возбужденных электронных состояниях. Атомы, входившие в состав молекулярных водородных ионов-и Н+, ускорялись в сильном электрическом поле. Как продукт распада ионов образовывался атомарный водород. Скорость его атомов имела порядок р = 0,005. Айвс и Стилуэлл определяли смещение средней длины волны отдельной спектральной линии, испускаемой атомами водорода. Среднее значение бралось по направлениям вперед (в) и назад (н) относительно траектории полета атомов. Из (42) получаем, считая Рв = —Рн, что средняя длина волны  [c.360]

Итак, решение задачи о колебаниях атомов двух сортов в цепочке приводит к двум кривым зависимости 03 от k, которые получили название двух ветвей закона дисперсии. Ветви в приведенной зоне Бриллюэна изображены на рис. 5.9 для сличая Mi>M2. На этом же рисунке приведена расширенная зона Брнл,-люэна, для которой интервал изменений волновых чисел (—л/а 1й +л/а) такой же, как для линейной цепочки из одинаковых атомов и, как мы увидим в дальиейигем, для описания электронных состояний. Представление зависимости о) от k В расширенной зоне эквивалентно ее представлению в приведенной зоне, поскольку, как мы говорили выше, добавление к волновому числу k из интервала (5.53) величины 2л/(2а) не изменяет вида решения.  [c.154]

При любых электронных переходах происходит изменение свойств электронной оболочки, что должно найти отражение в такой важной энергетической характеристике молекулы, как кривая потенциальной энергии. Иными словами, в разных электронных состояниях вид кривых Еа г) молекулы должен быть в общем случае различным. При этом возникают разные возможности в возбужденном состоянии может иметь место увеличение или (чаще) уменьшение энергии диссоциации, уменьшение или (чаще) увеличение равновесного расстояния, наконец, возбужденное состояние вообще может оказаться неустойчивым. Каждому электронному состоянию отвечает своя потенциальная кривая Еп г) и, следовательно, своя собственная колебательная частота Vкoл, которая меняется при переходе из невозбужденного электронного состояния в возбужденное благодаря изменению коэффициента упругой связи к. Поскольку меняется расстояние между ядрами Ге, меняется и момент инерции / молекулы, что влечет за собой изменение и вращательных уровней. Каждой потенциальной кривой, каждому электронному уровню отвечает своя совокупность колебательных и вращательных уровней (см. рис. 33.1). Полная энергия молекулы в данном состоянии  [c.243]

Рассмотрим случай, приведенный на рис. 33.9. Пусть молекула находится в основном невозбуждениом электронном состоянии на колебательном уровне п"=1. Это значит, что молекула колеблется с частотой т,<ол и обладает колебательной энергией (3/2)/IV кол-  [c.244]

В многоатомных молекулах, как и в двухатомных, важное значение имеет принцип Франка — Кондона. К сожалению, в применении к многоатомным молекулам этот принцип нельзя проиллюстрировать так наглядно, как к двухатомным. Использование принципа Франка — Кондона приводит к ряду важных результатов. Так, например, можно показать, что если равновесная конфигурация многоато.мпой молекулы одинакова как в основном, так и в возбужденном электронных состояниях, то при данном переходе могут возбуждаться только симметричные колебания.  [c.245]

Спектром испускания (флуоресценции) называется распределение интенсивности испускаемой веществом энергии по частотам (или длинам волн). Вид спектра флуоресценции определяется составом и строением флуоресцентного центра, а также влиянием растворителя. Как и длинноволновая полоса поглощения, спектр флуоресценции сложных молекул не имеет колебательной структуры и представляет собой одну довольно широкую бесструктурную полосу (рис. 34.4). Такое строение полос поглощения и флуоресценции свидетельствует о том, что колебательные уровни 1[ижнего и верхнего электронных состояний не дискретны, а образуют непрерывную последовательность.  [c.251]

В качестве еще одного примера рассмотрим спектры поглощения и люминесценции молекулы красителя родамина 6G. Молекулярные оптические спектры обусловлены значительно более сложной картиной переходов, нежели спектры атомов или ионов. В этом случае начальное и конечное состояния представляют собой не отдельные электронные уровни, а совокупности колебательных и вращательных уровней, каждая из которых соответствует определенному электронному состоянию молекулы. Чем сложнее молекула, тем богаче указанная совокупность колебательно-вращательных состояний, тем плотнее расположены уровни в этой совокупности. Все это объясняет, почему спектры поглощения н люминесценции молекул красителей обычно не обнаруживают тонкой структуры и характеризуются большой шириной (порядка 0,1 мкм). Вид этих спектров для молекулы родамина 6G приведен на рис. 8.5, а (1—спектр поглощения, 2 — спектр люминесценции). Рисунок хорошо ИЛЛЮСТ- fy 1  [c.193]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронные состояния : [c.181]    [c.242]    [c.246]    [c.357]    [c.409]    [c.817]    [c.243]    [c.243]    [c.246]    [c.252]    [c.254]    [c.193]    [c.277]    [c.257]   
Смотреть главы в:

Жидкие металлы  -> Электронные состояния


Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул (1949) -- [ c.75 , c.140 ]

Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.15 , c.127 ]



ПОИСК



Адсорбционные поверхностные электронные состояния

Анализ электронных состояний

Быстрые электронные состояния

Вероятность заполнения электронами примесных состояний

Взаимодействие локальных электронных состояний с разрешенными энергетическими зонами

Возбуждение атомов из основного состояния электронным ударом. Дезактивация

Возбуждённые состояния электронов твёрдого тела

Возмущения электронных состояний взаимные

Вращательная структура электронных состояний

Вращательная структура электронных состояний невырожденных электронно-колебательных уровней

Вращательные электронных состояний

Вырождение низшего электронного состояни

Вырожденные электронные состояния

Г-состояния, F-состояния электронные

Г-состояния, F-состояния электронные

Группа МС для уровней нескольких электронных состояний

Дефекты и электронные локализованные состояния слоистых систем

Заряд поверхностных электронных состояний

Исследование валентного состояния соединений, образующихся при анодном растворении молибдена, методом электронной спектроскопии Яцик Н.П., Колосницин

Квантовая поправка к плотности состояний и проводимости, происходящая от взаимодействия электронов

Квантово-размерные электронные состояния в модели Кейна

Квантовые состояния электрона

Классификация колебательных и электронных состояний кристалла

Классификация нормальных колебаний и электронных состояний молекулы

Классификация электронных состояний кристалла

Колебательная структура электронных состояний

Корреляция низших состояний атома О с соответствующими состояниями Молекулярные электронные состояния молекул Н2СО и С2Н4, соответствующие низшим состояниям молекулы

Корреляция электронных состояний

Корреляция электронных состояний для различных конфигураций данной молекулы

Линейные молекулы вырожденные электронные состояния

Линейные молекулы симметричные, электронные состояни

Локализованные состояния электрона в кристалле

Медленные электронные состояния межфазной границы

Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния

Молекула. Энергетические состояния двухатомной молекулы Их разделение на электронные, колебательные и вращательные составляющие

Молекулы вращательная структура электронных состояний

Молекулы корреляция электронных состояний

Молекулярные постоянные восьмиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные двенадцатиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные девятиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные десятиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные многоатомных молекул (с числом атомов от трех до двенадцати) в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные одиннадцатиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные пятиатомных дигидридов и моно гидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные пятиатомных молекул, не содержащих водорода, в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные пятиатомных тетра- и тригидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные семиатомных молекул в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные трехатомных дигидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные трехатомных молекул, не содержащих атомов водорода, в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные трехатомных моногидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные четырехатомных дигидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные четырехатомных молекул, не содержащих атомов водорода, в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные четырехатомных моногидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные четырехатомных тригидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные шестиатомных дигидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные шестиатомных молекул, не содержащих атомов водорода, в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные шестиатомных моногидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные шестиатомных тетрагидридов в различных электронных состояниях

Молекулярные постоянные шестиатомных тригидридов в различных электронных состояниях

Мультиплетные переходы электронные состояния

Напряженное состояние брус ьев винтовых круглого поперечного сечени на электронных машинах

Напряженное состояние брус ьев плоское 6, 7, 13 — Запас прочности 502 — Пример расчета с помощью электронной цифровой машины 611 — Формулы

Невырожденные электронные состояния

Нелинейные молекулы вырожденные электронные состояния

Номер Название таблицы таблицы Типы симметрии электронных состояний нелинейных многоатомных молекул, соответствующих определенным состояниям различных разъединенных групп атомов

Обозначение электронных состояний. Заполнение электронных состояний в первых трех периодах. Отклонения от идеальной схемы заполнения оболочек Трансурановые элементы

Образование локализованных электронных состояний при адсорбции

Общее правило отбора.— Переходы между невырожденными электронными состояниями.— Переходы между электронными состояниями, из которых по крайней мере одно вырожденное.— Переходы между состояниями с различной симметрией равновесных конфигураций ядер Запрещенные электронные переходы

Определение молекулярных электронных состояний на основе электронных состояний разъединенных атомов или групп атомов

Основное состояние молекулы Н20.— Основное состояние молекулы — Основное состояние молекулы СН4.— Основное состояние молекулы С02.— Основное состояние молекулы С2Н4.— Насыщение валентностей.— Основное состояние молекулы С6Н6.— Сопряжение и сверхсопряжение.— Взаимодействие конфигураций.— Модель свободного электрона.— Молекулы, содержащие атомы переходных элементов (так называемая теория поля лигандов) Возбужденные состояния

Основное состояние сверхпроводящего электронного газа

Основные методы и приближения для описания электронных состояний в твердом теле

Основные молекулярные постоянные ряда двухатомных молекул в основном и некоторых возбужденных электронных состояниях

Плотность состояний для сверхпроводящего электронного

Плотность состояний электронов

Плотность состояний электронов локальная

Плотность состояний электронов парциональная

Поверхностные электронные состояния

Полносимметричные колебания электронные состояния

Получение молекулярных электронных состояний на основе электронных состояний объединенного атома или молекулы

Постоянные расщепления у электронно-колебательных состояний 2 2 в электронных состояниях

Правила отбора.— Запрещенные переходы между невырожденными электронными состояниями.— Запрещенные переходы между электронными состояниями, одно из которых (или оба) вырождено Изотопические эффекты

Правила отбора.— Зеемановские компоненты.— Спектры магнитного вращения.— Расщепление Штарка ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ОКОЛОЧЕН. ЭЛЕКТРОННЫЕ КОНФИГУРАЦИИ UСТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ Корреляция электронных состояний

Принцип Паули и основное состояние в приближении свободных электронов

Принцип Франка - Кондона. Классификация электронных состояний молекулы Отбор переходов между колебательными состояниями. Предиссоциация. Люминесценция Задачи

Размерное квантование электронных состояний в квантовых ямах

Реннера различных электронных состояни

Ридберговские состояния.— Субридберговские состояния.— Интенсивности электронных переходов Межмолекулярные силы

СОа, углекислота электронном состоянии

Сверхпроводимость электронного газа ноэбуждеиное состояние

Сверхпроводимость электронного газа основное состояние

Свойства симметрии вращательных уровней.— Тонкая структура невырожденных электронно-колебательных состояний,— Тонкая структура в вырожденных электронно-колебательных состояниях Молекулы тина асимметричного волчка

Связывающие, разрыхляющие и несвязывающие электроны.— Резонанс и одноэлектронная связь.— Вес ионных структур.— Делокализация.— Распределение заряда, анализ заселенностей Основные состояния

Смешивание электронно-колебательных состояний

Состояние электронов

Состояние электронов

Состояние электронов в модельных СПУ-структурах

Состояния атомов с эквивалентными электронами

Состояния электрона в кристаллической решетке

Состояния электронные, тина

Состояния электронные, тина трижды вырожденные

Состояния электронов проводимости

Стабильность молекулярных электрониых состояний

Типы гибридизации, соответствующие образованию эквивалентных локализованных орбиталей. (Согласно Кимбаллу , Мацеку и Даффею Типы симметрии состояний систем неэквивалентных электронов

Типы нормальных координат, которые дают нестабильность по Яну — Теллеру в вырожденных электронных состояниях нелинейных молекул

Типы симметрии молекулярных состояний, соответствующих различным электронным конфигурациям при большом спин-орбитальном расщеплении

Типы симметрии молекулярных электронных состояний линейных молекул, соответствующих определенным состояниям разъединенных атомов

Типы симметрии основных и первых возбужденных состояний линейных молекул ХН2, отвечающих определенным электронным конфигурациям

Типы симметрии основных и первых возбужденных состояний нелинейных молекул XY2, отвечающих определенным электронным конфигурациям

Типы симметрии основных и первых возбужденных состояний плоских молекул ХН3, отвечающих определенным электронным конфигурациям

Типы симметрии основных состояний и первых возбужденных состояний нелинейных молекул ХН2, отвечающих определенным электронным конфигурациям

Типы симметрии состояний систем эквивалентных электронов в поле симметрии ряда наиболее важных точечных групп

Типы симметрии электронных состояний линейных молекул, соответствующие состояниям разъединенных неэквивалентных групп атомов

Типы симметрии электронных состояний нелинейных многоатомных молекул, соответствующих определенным состояниям одинаковых разъединенных групп атомов

Типы симметрии электронных состояний нелинейных трехатомных молекул, соответствующих определенным состояниям разъединенных атомов

Типы симметрии электронных состояний нелинейных четырех-, пяти- и шестиатомных молекул, соответствующих определенным состояниям разъединенных атомов

Типы симметрии электронных состояний симметричных линейных молекул (Dooh), соответствующих одинаковым состояниям разъединенных эквивалентных групп атомов

Факторы Ланде в основных электронных состояниях некоторых молекул

Фотоионизация из высоковозбужденных классических состояний электрона в атоме

ЭДС Дембера Фотоэдс поверхностных электронных состояний

ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ Электронная энергия, электронные волновые функции, потенциальные поверхности

ЭЛЕКТРОННЫЕ состояния Структура Зои

Электрон-электронное взаимодействие и энергия основного состояния газа свободных электронов

Электронная структура и плотность состояний

Электронно-колебательные возмущения состояния (уровни)

Электронно-колебательные типы.— Электронно-колебательный момент количества движения.— Электронно-колебательное взаимодействие (эффект Реннера — Теллера) в синглетных электронных состояниях,— Электронно-колебательное взаимодействие в дублетных состояниях.— Электронно-колебательное взаимодействие в триплетных состояниях Вырожденные электронные состояния нелинейные молекулы

Электронно-колебательные энергии.— Электронно-колебательные волновые функции и электронно-колебательные типы симметрии.— Корреляция между электронно-колебательными уровнями плоской и неилоской равновесных конфигураций Вырожденные электронные состояния линейные молекулы

Электронные волновые функции состояния, корреляция

Электронные и магнитные состояния в модели Хаббарда

Электронные молекулярные состояния

Электронные состояния аморфных сплавов типа металл — металл

Электронные состояния атома или молекулы

Электронные состояния возбужденные

Электронные состояния двухатомных молекул, обозначения

Электронные состояния дублетные

Электронные состояния и электронные спектры молекул

Электронные состояния классификация

Электронные состояния молекул

Электронные состояния молекул и переходы между ними

Электронные состояния мультиплетные

Электронные состояния полносимметричные

Электронные состояния получение из состояний объединенного

Электронные состояния разт,единенных атомов или групп атомов

Электронные состояния системы неэквивалентных электроно

Электронные состояния стабильность

Электронные состояния триплетные

Электронные состояния эквивалентных электронов

Электронный газ в металле Введение. Волновая функция оснозного состояния

Электронных состояний плотность

Энергия основного состояния газа свободных электронов

Эффект Зеемана в невырожденных электронных состояниях.— Эффект Зеемана в орбитально вырожденных электронных состояниях.— Эффект Штарка. I ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ Типы электронных переходов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте