Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния

Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния. В актах захвата свободного носителя заряда на центр локализации освобождается энергия, которая должна быть передана какому-то третьему участнику процесса кристаллической решетке, другому свободному носителю, кванту света (излучательный захват). На поверхности твердого тела, помимо указанных выше, могут протекать такие процессы, как колебательное или электронное возбуждение адсорбированных молекул, их десорбция и т.п. Темп диссипации избыточной энергии в значительной мере определяет величину сечений захвата электрона или дырки на тот или иной центр и, соответственно, характерное время его перезарядки. Как упоминалось выше, по временам взаимодействия с разрешенными зонами центры захвата делят на быстрые и медленные (см. раздел 2.4.2). Поскольку время перезарядки центра локализации зависит не только от сечения захвата, но и от концентрации свободных [c.89]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...