Рентгеновская фотоэмиссия

Рентгеновская фотоэмиссия. Наиболее полная информация об элементном составе поверхностной фазы может быть получена из диагностики внутренних электронных оболочек атомов, характеризующих индивидуальные свойства элемента. Для возбуждения внутренних электронов атомов необходимо использовать либо рентгеновское излучение, либо быстрые электроны. [c.136]

Тепловая модель лазерного отжига подтверждается результатами комплексных исследований поверхностей полупроводников во время и после окончания действия лазерного импульса. Сюда относится большое число экспериментов по сверхбыстрой лазерной спектроскопии поверхности сильно возбужденных полупроводников (см. гл. IV). Измерение скоростей атомов, испаренных с поверхности при лазерном отжиге, показывает, что температура поверхности достигает примерно 2000 К, т.е. превышает температуру плавления Si. Тепловая модель подтверждается также измерениями временной эволюции температуры с помощью синхротронного рентгеновского излучения, фотоэмиссии и электропроводности и распределения примесей после лазерного отжига. [c.151]

Согласно представлениям Г. Улига, критическая концентрация легирующего компонента, которой отвечает резкий скачок пассивируемости, объясняется изменением электронной конфигурации атомов сплава от заполненной а(-оболочки к незаполненной (никелевые сплавы, стали). В основу расчетов критических составов положено представление Л. Полинга о существовании в d-оболочках переходных металлов незаполненных электронных состояний (дырок). По современной электронной теории сплавов, такой большой перенос зарядов между компонентами сплавов невозможен. Эксперименты по рентгеновской фотоэмиссии показали, что число ii-электронов и дырок в d-оболочках атомов переходного металла в сплаве с непереходным не изменяется (сплав Ni—Си) или изменяется очень мало [55а—55d], — Лримеч. ред. [c.97]

В качестве источников рентгеновского излучения обычно используют трубки с алюминиевым или магниевым анодами линии А (А1 и Mg) с энергией , = 1486,6 эВ и 1253 эВ, соответственно. Падающие на образец фотоны вызывают переходы связанных на внутренних К, I, М оболочках электронов в зону проводимости полупроводника (переход 1 на рис.4.12,а), выше уровня Ферми металла или фотоэмиссию, электронов в вакуум (переход 2 на рис.4.12,а). Этим переходам соответствуют характеристические спектры поглощения (рентгеновская абсорбционная спектроскопия). В РФЭС исследуются переходы второго типа — измеряется распределение эмит-тированных фотоэлектронов по кинетическим энергиям Екин- [c.136]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...