Возмущения электронных состояний взаимные

Взаимное возмущение электронных состояний. Когда в определенном приближении электронные состояния располагаются достаточно близко друг к другу, они могут взаимно возмущаться, т. е. взаимно отталкиваться и принимать свойства друг друга в соответствии со смешением волновых функций ). При очень малом снин-орбитальном взаимодействии взаимно возмущаться могут только состояния одинаковых (орбитальных) типов и одинаковых мультиплетностей. Конечно, установить наличие таких возмущений, как правило, непросто. Это легче сделать, когда состояние, принадлежащее к серии Ридберга, расположено близко к состоянию того же типа, но имеет другую электронную конфигурацию. При этом будет наблюдаться отклонение от нормальной формулы Ридберга, а при достаточном смешении — и дополнительные члены серии Ридберга. [c.27]

Причину возникновения колебательных возмущений между электронными состояниями различных типов можно пояснить еще и следующим образом когда ядра смещены относительно положения равновесия, молекула имеет более низкую симметрию, чем в положении равновесия электронные состояния, относящиеся в положении равновесия к различным типам, могут иметь одинаковую симметрию в точечной группе более низкой симметрии, к которой принадлежат смещенные положения, и, следовательно, могут возмущать друг друга. Поэтому получается взаимное искажение потенциальных функций двух электронных состояний, но в данном случае в отличие от взаимодействия двух электронных состояний одного и того же тина искажение появляется только как функция определенных нормальных координат. Его можно рассматривать как следствие таких искажений потенциальных функций, при которых смещаются (возмущаются) определенные электронно-колебательные уровни двух электронных состояний. Нелегко [c.69]

В третьем случае (взаимное возмущение состояний В2 ж А 2) все остается таким же, как во втором случае Bi — Ао), показанном на фиг. ИЗ, б. Только теперь электронно-колебательно-вращательные свойства симметрии уровней в состоянии i 2 противоположны по сравнению с состоянием Bi (т. е. следует заменить В на 5i, Bi на В ,ж А жа. Ai, Ai на А2). [c.266]

Взаимодействие электронных состояний различных типов. В отличие от двухатомных молекул в многоатомных молекулах перемешивание (взаимодействие) электронных состояний различных типов может быть вызвано взаимодействием колебательного и электронного движений. Так происходит потому, что теперь для взаимодействия двух состояний друг с другом одинаковыми должны быть типы электронно-колебательных волновых функций. Это возможно при наличии двух подходящих колебательных уровней в двух электронных состояниях различных тинов. В таких случаях можно ожидать сдвиги колебательных уровней каждого из двух электронных состояний от их нормального положения в смысле взаимного отталкивания возникают электронно-колебательные возмущения. И обратно, величина этих возмущений зависит от расстояния между невозмущенными уровнями. В то же время каждое из взаимно возмущающихся электронно-колебательных состояний приобретает свойства другого электронного состояния, и это приводит к появлению запрещенных переходов (гл. II). [c.69]

Правила отбора для электронно-колебательных возмущений, В многоатомных молекулах точно так же, как и в двухатомных, электронно-колебательные возмущения наиболее велики, когда две потенциальные поверхности двух электронных состояний пересекают друг друга (или проходят очень близко друг к другу). Перекрывание собственных функций наиболее благоприятно для уровней, расположенных вблизи области пересечения, поэтому и возмущение этих уровней должно быть большим при взаимодействии электронных состояний как одинаковых, так и различных тинов. Пересечение потенциальных поверхностей состояний одного и того же типа в двухатомных молекулах, вообще говоря, запрещено (правило непересечения см. [221, стр. 295 русский перевод, стр. 217), а в многоатомных молекулах, как впервые показано Теллером [11971, оно при определенных условиях может встречаться (см. также гл. IV). Поэтому возмущения между колебательными уровнями, принадлежащими к электронному состоянию одного и того же тина, во многом похожи па возмущения между состояниями различных типов, за исключением того, что в первом случае могут взаимно возмущаться даже нолносимметричные колебательные уровни. [c.70]

Существенно отметить, что возможные значения общей функции (3), описывающие состояния двух электронов, выражаются как через антисимметричные, так и через симметричные решения и уравнения Шредин-гера, взятого в нулевом приближении. Из этого получается следующий важный вывод. В первом приближении, когда мы учтем взаимную потенциальную энергию электронов как малое возмущение, мы должны будем, [c.158]

Наряду с указанными выше сведениями, общими для всех рассмотренных способов воздействия на кристалл, эти исследования дают ряд параметров, специфических для каждого типа возмущения. Эта специфика в первую очередь касается параметров, определяющих величины расщеплений уровней (g-фактор для магнитного поля, параметры деформационного или штарковского возмущения). Величины этих параметров сущест-венпо связаны с волновыми функциями электронных уровней в кристалле. Электрическое ноле, так же как и деформационное возмущение, действует на орбитальное состояние иона, тогда как магнитное поле воздействует также и на спин. Благодаря этому последнему обстоятельству исследования, проводимые при различных типах возмущения, могут взаимно дополнять друг друга. [c.116]

При очень низких температурах в кристаллах с дипольно активными экситонами нижайшей зоны электронных возбуждений их взаимодействие с фотонами нельзя рассматривать методом теории возмущений. Вследствие большой вероятности взаимного превращения экситонов и фотонов необходимо их взаимодействие учитывать точно. Это легко осуществляется путем использования представления о поляритоиах, характеризующих квазистационарные состояния системы взаимодействующих экситонов и фотонов (см. 45). При этом взаимодействие поляритонов с фононами учитывается методом теории возмущений. [c.585]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...