Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Быстрые состояния

В действительности рассмотренная ситуация на поверхности реальных полупроводников обычно не наблюдается из-за наличия на ней тонкого слоя оксида, адсорбированных атомов, примеси, дислокаций и др., которые так же, как и обрыв кристаллической решетки, обусловливают образование поверхностных уровней на энергетической диаграмме. Эти уровни могут быть как донорными (рис. ИЛ,а), так и акцепторными. Время перехода носителей заряда на поверхностные уровни полупроводника порядка 10" с, поэтому их называют быстрыми состояниями.  [c.79]


Поверхностная рекомбинация, очевидно, осуществляется через быстрые состояния, так как время перехода свободных носителей заряда на медленные уровни слишком велико.  [c.79]

Результаты измерений позволяют предположить, что на реальной поверхности имеются два различных типа состояний быстрые и медленные . Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей тока порядка не более нескольких микросекунд, медленные состояния — от миллисекунд до нескольких часов. Быстрые состояния связаны в основном с характером обработки поверхности (наличие примесей, дефектов), медленные — со структурой окисного слоя и окружающей газовой средой. Быстрые состояния находятся на границе германий — окись германия, медленные — в самом слое и на его поверхности. Установлено, что в связи с существованием поверхностных состояний на границе объем — поверхность возникает потенциальный барьер, от которого зависят такие явления, как работа выхода, контактный потенциал, выпрямление, поверхностная рекомбинация ( а следовательно и эффективное время жизни носителей тока), поверхностная проводимость, шумы.  [c.179]

Этот анализ затрудняется из-за присутствия различных типов быстрых состояний, хотя обычно основной вклад в поверхностную рс-  [c.62]

Для стабилизации поверхности, помимо герметизации приборов и нанесения защитных покрытий, полезно создание на ней толстого слоя окиси. При этом ослабляется влияние медленных состояний, наиболее зависящих от окружающей среды, и затрудняется образование новых быстрых состояний.  [c.62]

Поскольку ЛД обмениваются зарядами с полупроводником, мы их относим к ПЭС структуры полупроводник-диэлектрик, подчеркивая трехмерный характер распределения поверхностных состояний. По отношению к полупроводнику ЛД обладают аномально малыми сечениями захвата, с р = 10"2 -Ю 27 см . Характерные времена релаксации заряда для них часто превышают х = 10 -10 с. Вероятности захвата зависят от высоты барьера Щ) и механизма транспорта носителей заряда в оксиде. По отношению к оксиду, при возбуждении его электронной подсистемы жесткими квантами, ЛД могут являться быстрыми состояниями.  [c.191]

Рис.6.18. Сравнение данных по изохронному отжигу сигнала ЭПР от / -центров и плотности быстрых состояний (в области /+ 0,3 эВ на рис.6.16, [31] Рис.6.18. Сравнение данных по изохронному отжигу сигнала ЭПР от / -центров и плотности быстрых состояний (в области /+ 0,3 эВ на рис.6.16, [31]

Рис.6.19. Зависимости плотности / -центров в кремниевой МДП структуре от напряжения на затворе (а) от положения их уровней в запрещенной зоне кремния (б) энергетический спектр быстрых состояний этих структур, подвергнутых воздействию у-из-лучения (в). Внизу — схема изменения заряда спиновых центров (321 Рис.6.19. <a href="/info/531280">Зависимости плотности</a> / -центров в кремниевой МДП структуре от напряжения на затворе (а) от положения их уровней в запрещенной зоне кремния (б) <a href="/info/32454">энергетический спектр</a> быстрых состояний этих структур, подвергнутых воздействию у-из-лучения (в). Внизу — схема изменения заряда спиновых центров (321
Взаимодействие адсорбированных молекул с быстрыми и рекомбинационными состояниями. Уже давно известно, что ад-сорбционно-десорбционные процессы оказывают значительное влияние на захват носителей заряда быстрыми состояниями (5С) и на эффективную скорость поверхностной рекомбинации. Это часто объяснялось непосредственным воздействием собственных дипольных моментов ц адсорбированных молекул на параметры дефектов, составляющих основу этих состояний (п.6.3.4).  [c.253]

В зависимости от скорости охлаждения с температур, лежащих выше линии SE, углерод частично или полностью выделяется из твердого раствора в виде карбидов. Этот процесс оказывает решающее влияние на свойства сталей. При быстром охлаждении (закалке) распад твердого раствора не успевает произойти, и аустепит фиксируется в пересыщенном и неустойчивом состоянии. Количество выпавших карбидов хрома, помимо скорости охлаждения, зависит и от количества углерода в стали. При его содержании меиее 0,02—0,03%, т, е. ниже предела его растворимости в аустените, весь углерод остается в твердом растворе.  [c.283]

Рассмотрим, например, процесс сжатия газа в цилиндре. Если время смещения поршня от одного положения до другого существенно превышает время релаксации, то в процессе перемещения поршня давление и температура успеют выравняться по всему объему цилиндра. Это выравнивание обеспечивается непрерывным столкновением молекул, в результате чего подводимая от поршня к газу энергия достаточно быстро и равномерно распределяется между ними. Если последующие смещения поршня будут происходить аналогичным образом, то состояние системы в каждый момент времени будет практически равновесным.  [c.10]

Под маневренностью понимается способность ТЭС (котлов, турбоустановок) быстро набирать нагрузку, быстро увеличивать выработку электроэнергии, что бывает необходимо в моменты наибольшего (пикового) потребления энергии предприятиями и населением. При этом котел и турбину часто приходится пускать из холодного состояния. Ввод турбины в работу и набор нагрузки возможны только после прогрева ее до температуры пара. Быстро обеспечить равномерный прогрев массивных фасонных элементов паровой турбины, работающей под высоким давлением пара, невозможно, т. е. невозможен и быстрый пуск мощной паровой турбины из холодного состояния.  [c.218]

При быстром охлаждении может не завершиться реакция образования химического соединения и останется часть первичных кристаллов В, не успевших прореагировать с жидкостью. При последующем охлаждении эти кристаллы также останутся непревращенными по достижении эвтектической температуры сплав будет содержать уже четыре фазы, и величина степени свободы становится отрицательной (что невозможно). Из этого примера следует, что для неравновесного состояния правило фаз неприменимо. Если система не подчиняется правилу фаз (имеется больше фаз, чем этого следовало он<н-дать), это в первую очередь указывает на неравновесность состояния.  [c.134]

Описанный выше процесс фиксирования быстрым охлаждением неустойчивого состояния носит название закалки, а последующий процесс постепенного приближения к равновесному состоянию (путем нагрева или длительной выдержки) называется отпуском и старением. Столь разнообразное изменение структуры, достигаемое разной степенью приближения сплава к равновесному состоянию, приводит к разнообразному изменению свойств, чем и обусловлено широкое применение термической обработки, в основе которой заложены процессы неравновесной кристаллизации, в общих чертах описанные выше.  [c.144]


Первая группа. Предшествующая обработка может привести металл в неустойчивое состояние. Так, холодная пластическая деформация создает наклеп — искажение кристаллической решетки. При затвердевании не успевают протекать диффузионные процессы, и состав металла даже в объеме одного зерна оказывается неоднородным. Быстрое охлаждение или неравномерное приложение напряжений делает неравномерным распределение упругой деформации. Неустойчивое состояние при комнатной температуре сохраняется долго, так как теплового движения атомов при комнатной температуре недостаточно для перехода в устойчивое состояние.  [c.225]

Закалка — термическая операция, состоящая в нагреве выше температуры превращения с последующим достаточно быстрым охлаждением для получения структурно неустойчивого состояния сплава.  [c.227]

Все сплавы, кристаллизующиеся по диаграмме состояния, изображенной на рис. 174,в, могут быть подвергнуты термической обработке по второй, третьей или четвертой группам. При нормальной температуре все сплавы состоят из а+Р-фаз. При /аит а- и р-фазы превращаются в 7-фазу. Последующее охлаждение определяет вид термической обработки — отжиг (медленное охлаждение) или закалку (быстрое охлаждение). Термическая обработка по второй и третьей группам возможна лишь при условии нагрева выше температуры фазовой перекристаллизации /опт и образования 7-твердого раствора.  [c.229]

Продолжительность работы резца зависит от того, насколько быстро вырабатывается лунка, а это зависит от износостойкости быстрорежущей стали в нагретом состоянии и от степени нагрева.  [c.419]

Как видно из рис. 410, медь растворяется при комнатной температуре в количестве около 0,2%, а максимальная растворимость при эвтектической температуре 548°С равна 5,7%. Любой сплав, содержащий до 5,7% Си, можно перевести в однофазное состояние соответствующим нагревом. Это состояние можно зафиксировать быстрым охлаждением.  [c.568]

СОСТОЯНИЙ С объемом полупроводника значительно больше, чем для-быстрых состояний, 1 колеблется от микросекунд до минут, часов и даже суток. Это обусловлено тем, что вероятность прохождения электронов сквозь окнсный слой, являющийся излятором, весьма низка. С увеличением толщины окнсной пленки постоянная времени увеличивается.  [c.243]

Медленные электронные состояния межфазной границы (МСГ). Эта фуппа состояний наиболее типична для реальных поверхностей полупроводников, находящихся в контакте с атмосферой. В присутствии адсорбированных молекул концентрация МСГ может достигать 10 —10 см , что на несколько порядков выше концентрации быстрых состояний (БС). При отсутствии заметного заряда в окисной пленке заряд МСГ часто определяет суммарный заряд поверхности Qs- Как уже упоминалось в п.2.4.2, характеристическое время релаксации заряда в МСГ колеблется от секунд до часов и сильно зависит от природы и концентрации адсорбированных молекул. Многочисленные эксперименты по заряжению различных полупроводников при адсорбции широкого круга донорных и акцепторных молекул показывают, что по крайней мере значительная часть МСГ имеет адсорбционное происхождение (АПЭС).  [c.192]

Для сварки также часто применяют газовые лазеры, рабочим телом которых является смесь газов. Такие лазеры возбуждаются электрически51 разрядом. Типичной конструкцией такого лазера является заполненная смесью газов трубка, ограниченная с двух сторон строго параллельными зеркалами непрозрачным и полупрозрачным (рис. 89, б). В результате электрического разряда между введенными в трубку электродами возникают быстрые электроны, которые переводят газовые молекулы на возбужденные уровни. Возвращаясь в основное состояние, эти молекулы образуют кванты света совершенно так же, как и в твердотельном лазере.  [c.167]

Высокологпровпниые хромистые стали, находящиеся в феррит-иом состоянии, при температурах выше И50° С обладают склонностью к быстрому росту зерна. Так как в таких сталях обычно присутствует и карбидная фаза, то при быстром нагреве и охлаждении, характерном для условий сварки, растворяющиеся карбиды обогащают углеродом только микрообъемы металла, прилегающие к ним, без общей гомогенизации, в результате чего в этих участках создаются условия протекания в них превращении а у, а при охлаждении — у а. Наиболее вероятны эти процессы вблизи границ зерен. В результате таких процессов  [c.261]

Ни низкий, ни достаточно высокий подогрев не предохраняют от прохождения распада по мартенситному механизму. Поэтому в состоянии после сварки с характерным для этих условий быстрым охлаждением сварные соединения имеют высокую твердость и достаточно низкую вязкость (рис. 133). Сталь 08X13 при верх-  [c.267]

При быстром расширении газа изменение его состояния протекает обычно на режимах, соответствующих нолитропному процессу.  [c.412]

Разрушение от усталости при температурах пнже порога хладноломкости происходит очень быстро после появления трещины другими словами, в хрупком состоянии зоны II и И очень малы, хотя зона / мо к гг быть достаю ик) значительной, а a i иметь большое значение.  [c.83]

Предположим, что охлаждение было достаточно быстрое и получился белый чугун (нерлит+цементит), — исходное состояние. В результате нагрева белого чугуна выше линии PSK перлит превращается в аустенит выдержка при этих температурах (>738°С) приводит к графитизации избыточного нерастворив-шегося цементита. Если процесс закончился полностью, то при высокой температуре структура будет состоять из аустенита-f-+ графита, а после охлаждения из перлита + графита. При не-  [c.208]

Между обработкой второй и третьей групп есть общее. И в том, и в другом случае сплав нагревается выше температуры фазового превращения, и окончательное строение приобретает в результате превращения при последующем охлаждении. Однако между обоими видами имеется и принщ пиальная разница. При обработке по второй группе цель охлаждения — приближение сплава к равновесному состоянию, поэтому охлаждение проводят медленно. При обработке по третьей группе охлаждение быстрое, чтобы отдалить структурное состояние сплава от равновесного.  [c.226]


Из диаграммы видно, что критическая точка А, лежит при 700°С и Лз при 800 С. Перлито-троститный распад (при 500—700°С) в этой стали отсутствует, и аусте-нит может превратиться или в бей-нит (в районе 450—300°С), или н мартенсит—при быстром непрерывном охлаждении. Температурный интервал мартенситного превраще ния находится приблизительно в следующих пределах начала (точка Мя) 370°С, конец (точка Л1к) 250°С. Высокое положение точки Мк способствует образованию в этой стали в закаленном состоянии лишь небольщого количества остаточного  [c.382]

Ю0°С. Нагрев до этих температур вызывает растворение карбидов хрома (МазСб), а быстрое охлаждение фиксирует состояние пересыщенного твердого раствора. Медленное охлаждение недопустимо,  [c.493]


Смотреть страницы где упоминается термин Быстрые состояния : [c.79]    [c.61]    [c.62]    [c.62]    [c.160]    [c.5]    [c.90]    [c.206]    [c.254]    [c.280]    [c.99]    [c.125]    [c.209]    [c.379]    [c.285]    [c.164]    [c.208]    [c.226]    [c.282]    [c.375]    [c.629]   
Основы физики поверхности твердого тела (1999) -- [ c.57 , c.59 , c.89 , c.109 , c.206 ]



ПОИСК



Быстрые электронные состояния

Взаимодействие адсорбированных молекул с быстрыми и рекомбинационными состояниями

КАРС-спектрохронография в диагностике состояния и быстрых лазерно-индуцированных фазовых превращений поверхности полупроводников

Механизмы диссипации энергии в актах захвата. Быстрые и медленные электронные состояния

Ось быстрая



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте