Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Состояние электронов в модельных СПУ-структурах

Состояние электронов в модельных СПУ-структурах  [c.178]

Как отмечалось в гл. 5, 1, электронная структура сплавов в течение длительного времени была объектом интенсивных исследований, но настоящая проблема отличается от той, которая обычно рассматривается, так как одна из компонент является не металлом, а ковалентно-связанной молекулой. Приближение когерентного потенциала (ПКП) привело к появлению модельных расчетов, которые демонстрируют важность некоторых эффектов, которыми пренебрегалось в нашей модели, в частности сужения зон и межзонного смешивания. На рис. 7.19 приведен результат одного из таких расчетов из работы Белицкого и др. [252]. Следует обратить внимание на искажение симметричной формы зон в приближении сильной связи й смешанное происхождение состояний в зонах. В более поздних работах по ПКП учитывались эффекты переноса заряда [105].  [c.144]


Уже на заре развития полупроводниковой электроники остро встал вопрос о возможности использования оксидных пленок не только для пассивирования свойств поверхности, но и в качестве изолирующего слоя в планарных приборах. При этом необходимо было добиться минимальной плотности поверхностных электронных состояний на границе полупроводника с его собственным окислом. Экзамен выдержала структура 81-8102 — кремний, покрытый его собственным окислом. До сих пор система 81-8102 является сердцем современной микроэлектроники. Менее совершенна система Ое-ОеО . Однако, благодаря ряду преимуществ, она часто используется как модельная для изучения электронных явлений на поверхности. Состав и структура оксидных поверхностных фаз в многокомпонентных полупроводниковых соединениях неизмеримо более сложны, что является серьезным препятствием для изучения их электрофизических свойств. Технология синтеза оксидных слоев на многих практически важных соединениях и Л В еще не позволяет достичь уровня  [c.121]

ЯДЕРНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ—раздел эксперим. ядерной физики, объединяющий методы исследования ядерных излучений а-, fS-частиц, 7-квантов, электронов внутр. конверсии (см. Конверсия внутренняя), а также протонов, нейтронов и др. частиц, возникающих при радиоакт. распаде и в ядерных реакциях. Определяются энергия частиц, их поляризация, пространств, и временные распределения. Цель исследований—определение спектра и квантовых характеристик ядерных состояний энергии, спина, чётности, магн. дипольных и квадрупольных моментов ядер, параметров деформации (см. Деформированные ядра) и др., а также вероятностей переходов между ядерными состояниями в зависимости от их квантовых характеристик. Получаемые методами Я. с. эксперим. данные при сравнении их с результатами теоретич. расчётов в рамках тех или иных ядерных моделей позволяют судить об осн. чертшс связи и движений нуклонов в ядре, что может быть выражено через структуру модельной волновой ф-ции ядра.  [c.656]

Будем придерживаться той же поатедовательности изложения, как и в предьщущем разделе, и рассмотрим электронную структуру оксидной пленки в модельной системе Si-Si02. Поскольку все многообразие свойств кристаллических и аморфных модификаций Si02 в основном определяется широкой вариацией углов 0 между кремний-кислородными тетраэдрами при малых изменениях параметров самих тетраэдров, для теоретического построения их зонной диафаммы широко применялся метод сильной связи с короткодействующим потенциалом взаимодействия. Такие расчеты для а-кварца показали, что его валентная зона состоит из трех подзон самая нижняя (шириной 1,5-3 эВ) в основном образована 2s орбиталями кислорода с небольшой примесью 2р состояний и 3s состояний Si средняя  [c.186]



Смотреть главы в:

Аморфные металлы  -> Состояние электронов в модельных СПУ-структурах



ПОИСК



Г-состояния, F-состояния электронные

Состояние электронов

ЭЛЕКТРОННЫЕ состояния Структура Зои

Электронная структура

Электронные состояния



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте