Электронные состояния стабильность

Ионная связь. Наиболее стабильная электронная конфигурация атома состоит из замкнутых электронных оболочек, в которых все электронные состояния заполнены. [c.302]

В предыдущем параграфе мы убедились, что при селективном лазерном возбуждении можно получать структурные спектры флуоресценции. Однако этим методом практически невозможно исследовать полосу в области чисто электронной БФЛ, если синглетный переход в молекуле разрешен, и поэтому ее возбужденное электронное состояние имеет короткое время жизни. В этом параграфе мы рассмотрим второй метод селективной спектроскопии — метод выжигания стабильных спектральных провалов [6, 7, 61]. Этот метод позволяет исследовать БФЛ примесных центров. Он получил очень широкое распространение в последнее десятилетие, так как доказал свою высокую эффективность. [c.171]

Выжигание стабильных провалов осуществляется тогда, когда уровень 3 на рис. 7.3 расположен ниже уровня 1, и подавлены туннельные переходы в основном электронном состоянии хромофора, т. е. а = Л = 0. Рассмотрим именно такой случай при возбуждении лазером 0-1 перехода. Учитывая, что в момент регистрации первого фотона, принимаемый за нуль, ро (0) = 1, мы с помощью формул (18.31) и (18.33) приходим к следующему выражению для двухфотонного коррелятора [c.289]

Способность к аморфизации Термическая стабильность Электросопротивление (сверхпроводимость) Термическая стабильность Упругость Твердость, прочность Пластичность, вязкость Магнитная проницаемость Коррозионная стойкость Температура Давление Скорость охлаждения Деформация Атмосфера Атомные конфигурации Электронные состояния Химический состав Структура Диффузия Превращения [c.291]

В том случае, если зоны перекрываются, переход данной структуры в более стабильную отсутствует, так как после достижения поверхностью Ферми границы зоны Бриллюэна будут заполняться электронные состояния обеих зон и кривая плотности состояний будет продолжать возрастать, как показано на фиг. 2,в. [c.226]

Сравним мощности испускания частот vf бv и (см. рис. 25). Можно допустить, что в неустойчивом электронном состоянии 4 сохраняется форма потенциальной поверхности исходного стабильного состояния 3, тогда для переходов = + бг, +/гбу = и уровней Е , Е выполняются равенства [c.56]

Фрагменты образуются в возбужденном электронном состоянии, а затем излучают энергию и переходят в более стабильное состояние. В результате этого перехода их энергия становится слишком небольшой, а симметрия не способствует рекомбинации. Таким образом, фрагменты стабилизируются скорее в силу электронной несовместимости, чем вследствие значительного расстояния между ними. [c.79]

ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ОБОЛОЧЕК, ЭЛЕКТРОННЫЕ КОНФИГУРАЦИИ И СТАБИЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ МОЛЕКУЛ [c.276]

После определения одним из этих способов многообразия электронных состояний необходимо рассмотреть вопрос о том, какие из этих состояний являются стабильными и каково взаимное расположение энергетических уровней этих состояний. Этому вопросу посвящен последний раздел настоящей главы. [c.277]

ТОГО, какие состояния будут стабильны, и даже еще меньше о том, при каких конфигурациях ядер будет достигаться максимум стабильности. Другими словами, они позволяют очень мало получить сведений относительно геометрии молекул. Упомянутый в начале настоящей главы третий метод построения молекулы — метод электронных конфигураций — оказался более полезным и валяным. В этом разделе мы рассмотрим его более детально. Метод дает возможность не только установить совокупность электронных состояний, ио и позволяет без детального расчета получить определенную информацию о порядке расположения электронных состояний и, в частности, позволяет сделать определенные выводы о характере основного состояния и других низколежащих состояний. Метод образует основу молекулярно-орбитального подхода к пониманию стабильности электронных состояний, о чем более подробно говорится в разд. 3 1). [c.300]

В предшествующих разделах данной главы мы ограничивались рассмотрением вопроса о том, какие электронные состояния многоатомной молекулы получаются при образовании молекулы из составляющих ее атомов, либо при добавлении электронов к ядерному остову, либо при образовании молекулы из объединенного атома или объединенной молекулы. Большое число получающихся таким образом состояний оказываются нестабильными, и только сравнительно небольшое число — стабильными ), другими словами, в этих состояниях у потенциальной поверхности есть явно выраженный минимум. В данном разделе рассматривается вопрос о том, каше состояния оказываются стабильными. Это непосредственно связано с проблемой валентности в многоатомных молекулах. С вопросом о стабильности тесно связан также и вопрос о геометрической конфигурации молекулы в различных электронных состояниях. [c.360]

СТАБИЛЬНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ 361 [c.361]

СТАБИЛЬНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ 363 [c.363]

СТАБИЛЬНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ 367 [c.367]

СТАБИЛЬНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ 369 [c.369]

В теории молекулярных орбиталей существует два важных аспекта 1) определение порядка расположения и энергий различных электронных состояний данной молекулы и 2) предсказание стабильности каждого из этих состояний, в частности, основного состояния. Первый аспект достаточно исчерпывающим образом уже был рассмотрен в разд. 2. Теперь остается рассмотреть второй аспект, другими словами, рассмотреть вопрос о том, как можно на основе теории молекулярных орбиталей понять стабильность и характер валентности в многоатомных молекулах. [c.388]

СТАБИЛЬНОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИИ [c.401]

Метастабильные состояния могут наблюдаться и у стабильных ядер. В этом случае разрядка метастабильного состояния происходит путем испускания у-квантов и конверсионных электронов. Примером стабильного изомера является 4э1п с мета-стабильным уровнем 0,338 Мэе и временем жизни 4,5 ч. Таким образом, сущность изомерии заключается в высвечивании во. -бужденного состояния ядра с измеримым временем жизни. Из-за сравнительно большого времени жизни и обнаруживаются все перечисленные виды изомерии. [c.174]

Качественное объяснение механизма выжигания стабильных провалов выглядит следующим образом. Молекула, которая является химически стабильной в основном электронном состоянии, может потерять свою стабильность в возбужденном электронном состоянии. Тогда после поглощения фотона с частотой шь, отвечающей частоте первого синглетного перехода в молекуле, в этой молекуле могут произойти какие-либо изменения, приводящие к образованию новой молекулярной формы, которая поглощает свет уже другой частоты. Новая молекулярная форма называется фотопродуктом. Поскольку фотопродукт уже не поглощает свет частоты шь, то на этой частоте образуется провал в неоднородно уширенной оптической полосе. Такой провал живет очень долго, потому что фотопродукт находится в основном электронном состоянии. [c.177]

Интересные особенности ШЩ) появляются, когда ввиду симметрии из (1. 4) получаются вырожденные состояния. Это особенно актуально, в комплексных соединениях, где даже основные состояния в исходной конфигурации ядер В получаются вырожденными. Рассмотрению адиа-. батического потенциала в таких случаях посвящен целый ряд работ однако они все носят частный характер, т. е. рассматривается взаимодействие определенного вырожденного электронного состояния с конкретными колебаниями в молекуле, имеющей заданную симметричную конфигурацию ядер. Фактически многие из результатов можно получить в общем виде из соображений симметрии. Целью настоящей работы и является рассмотрение адиабатического потенциала на основе теоретиков групповых соображений. При этом рассмотрение будем проводить в два этапа. На первом этапе зададимся колебаниями определенной симметрии и установим принципиально возможные стабильные конфигурации ядер молекулы, а на втором рассмотрим, какие ограничения накладывает симметрия электронного уровня. [c.3]

В случае 4-уровневой схемы состояния и 2 и 1 являются заведомо неравновесными установление равновесия по колебательным уровням, по-видимому, должно осуществиться одновременно с перестройкой между-ядерных расстояний, т. е. безызлучательным переходом 2 2. Однако для наших целей это не существенно, так как предлагаемое рассмотрение проводится именно с точки зрения того, что было бы при условии стабильности уровня 2 для поглощения (или 1 — для флуоресценции). При этом мы как бы заменяем истинный 4-уровневый переход 1 2 -> 2 1 парой 2-уровневых переходов 1 2 1 ж2 —> 7 2. Если же в рассматриваемой молекуле реализуется 2 - уровневая схема, то, по-видимому, для не слишком низких температур, равновесие по колебательным уровням возбужденного электронного состояния обычно успевает установиться, особенно в растворах. Хотя универсальное соотношение выведено для сложных молекул, в настоящее время показана его применимость и к полусложным, даже в парообразной фазе [ ]. Поэтому мы считаем возмон ным применить соотношение, например, для п-> 71 -полосы (у =36 ООО см" ) нолусложной молекулы жидкого ацетона, которая в действительности описывается 3-уровневой схемой (после акта поглощения возбуждается синглетный уровень, с которого происходит безызлучательный переход в возбужденное триплетное состояние). Зная интегральную интенсивность полосы поглощения, можно оценить время жизни верхнего электронного состояния получаем для интересующего нас возбужденного синглетного состояния ацетона 10 сек. Следовательно, в жидком ацетоне при комнатной температуре за время жизни (синглетного, возбужденного состояния успевает установиться равновесное распределение по его колебательным уровням (как известно, для жидкости время релаксации по колебательным степеням свободы составляет при комнатной температуре сек.) и универ- [c.11]

Потенциальная поверхность основного электронного состояния молекулы СО , а также других стабильных линейных молекул ХУ , имеет глубокий минимум в точке г — г — соответствующей положению равновесия. Вовсе стороны от этого. минимума, т. е. при любом изменении I оординаты г,, координаты г, или координат г, и одновременно, потенциальная энергия увеличивается. При больших г, или при больших молекула распадается на У и ХУ, т. е. попэречноэ сечение потенциальной поверхности, при больших г, параллельное оси г , дает потенциальную кривую молекулы ХУ. Аналогично, и поперечное сечение потенциальной поверхности при больших Гц параллельное оси Г1, так же дает потенциальную кривую молекулы ХУ. При одновременном увеличении г, и достигается плоскогорье, соответствующее энергии трех атомов на больших расстояниях друг от друга. При малых значениях координаты Г], или координаты г,, или и той и другой одновременно потенциальная поверхность очень круто возрастает и соответствует отталкиванию атомов. Легко видеть, что исследуемая поверхность образует две потенциальные долины (для У-[-ХУ и УХ- -У). ведущие в глубокую впадину, соответствующую стабильной молекуле ХУ.,. [c.220]

Почти все электронные переходы в многоатомных молекулах дают спектры в видимой и ультрафиолетовой областях и лишь очень немногие — в инфракрасной области. И yчeниe этих спектров позволяет получать информацию о различных электронных состояниях, их вращательных и колеба-тельш>1х энергетических уровнях. Инфс рмация о вращательных и колебательных уровнях основных электронных С1)Стояний стабильных молекул в большинстве случаев получается легче и с большей точностью при исследовании инфракрасных, микроволновых и рамановских спектров. Значение из(учения электронных спектров стабильных молекул состоит в том, что они содержат информацию об электронной структуре этих молекул, геометрической структуре в возбужденных электронн1.(х состояниях и об ионизационных потенциалах, энергии диссоциации и т. д. Но для химически нестабильных молекул (свободных радикалов), для которых инфракрасные и комбинационные спектры получаются нелегко, изучение электронных спектров в настоящее время является единственным ) источником информации о вращательных и колебательных энергетических уровнях основного состояния и, следовательно, о геометрической структуре молекулы в этом состоянии. [c.9]

Взаимодействие электронных состояний одинаковых типов. Все расчетные электронные состояния одного и того же типа взаимодействуют друг с другом, так как в волновом уравнении электронного движения всегда существуют какие-нибудь члены, которыми пренебрегают в первом или более высоком приближении и которые, будучи учтенными, привели бы к слабому перемешиванию состояний одного и того же типа. Не всегда легко установить получающиеся в результате этого сдвиги электронных энергетических уровней или изменения потенциальных функций. Это возможно только когда невозмущенные энергетические уровни получены в очень грубом приближении, или когда известны ридберговские серии электронных состояний, из которых легко определить отклонение от формулы Ридберга, обусловленное наличием другого состояния такого Hie типа, не принадлежащего к серии (точно так же, как в атомных спектрах см. [21] Взаимодействие мен ду неридберговскими состояниями одного и того же типа имеет большое значение для понимания валентности и стабильности электронных O TOHHHII (гл. П1). Однако оно мало сказывается на электронных переходах, влияя лишь на их полную интенсивность. Подобный вывод относится также к мультиплетным состояниям данного орбитального типа при малом спин-орбитальном взаимодействии или к индивидуальным компонентам мультиплета со спин-орбитальными функциями одного и того же типа при большом спин-орбитальном взаимодействии. [c.69]

В первых двух главах мы принимали как само собой разумеющееся существование различных стабильных электронных состояний многоатомных молекул и рассмотрели тины электронных состояний, их колебательные и вращательные уровни, а также структуру спектров, возникающих в результате переходов между этими уровнями. Теперь же рассмотрим следующую проблему какие электроппые состояния могут быть у данной молекулы согласно теории. Другими словами, попытаемся на основании квантовой теории установить все многообразие электронных состояний, их взаимное расположение и стабильность аналогично тому, как это сделано в гл. VI книги Спектры и строение двухатомных молекул [22]. [c.276]

Следует отметить, что в последующих разделах пспользуются некоторые постулаты п предположения, содержание которых пе излагается и которые часто вообще не указываются. Ниже в ряде мест эти молчаливо принимаемые предположения по возможности будут сформулированы и пояснены. Здесь отметпм только, что в разд. 1 и 2 ( Корреляция электронных состояний и Электронные конфигурации ) предполагается, что точечная группа симметрии, к которой принадлежит равновесная конфигурация ядер молекулы, известна. Следовательно, в этих разделах теоретические соображения (теория групп и квантовая механика) не используются для установления равновесной геометрической конфигурации ядер молекулы и ее элементов симметрии. Если рассматривается реальная молекула, то предполагается, что данные по геометрии равновесной конфигурации ядер (по меньшей мере точечная группа симметрии равновесной конфигурации) известны из эксперимента. Если рассматривается какая-либо пробная модель молекулы, то указанные данные задаются как исходные прп рассмотрении возможных электронных состояний этой модели. В отличие от этого в разд. 3 ( Стабильность молекулярных электронных состояний. Валентность ) ставится вопрос об определении равновесной геометрической конфигурации ядер или ее отдельных параметров пли, наконец, только точечной группы симметрии, к которой относится равновесная конфигурация, исходя не из экснеримента, а на основании теоретических положений квантовой механики. [c.276]

Принципиально стабильность молекулярного электронного состояния может быть установлена теоретически расчетом значений электронной энергии для ряда межъядерных расстояний с последующим выяснением, будет ли получаться при этом минимум потенциальной энергии (после добавления ядерного отталкивания). Практически же оказывается, что подобные расчеты настолько трудны, что даже для простейшей многоатомной системы Нд они пока не проведены с высокой точностью. С достаточной точностью проведен лишь расчет для двухатомных систем и Нз, для которых было получено исключительно хорошее согласие с экспериментальными данными (см. [22], стр. 351 и 360 русский перевод, стр. 258 и 264, а также работы Колоса и Роотхаана [685] и Герцберга и Монфилса [535]). Хотя таким же способом были проведены (с гораздо меньшей точностью) расчеты небольшого числа других молекул, однако для качественного понимания возможности образования молекулы и стабильности молекулярных электронных состояний необходимо ввести определенные допущения, позволяющие существенно упростить подход. Как уже говорилось в работе [22], в этом направлении были развиты два различных метода, которые широко использовались для понимания вопросов стабильности молекулярных электронных состояний метод валентных связей (метод валентных схем), или метод электронных пар, являющийся развитием первоначальной теории Гайтлера — Лондона для молекулы Нз, и метод молекулярных орбиталей, [c.360]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...