Электронные Характеристика

Появление добавки 6v к плотности состояний приводит к аномалиям всех электронных характеристик кристалла. Так, термодинамич. потенциал при 7"= О К приобретает добавку, к-рая отлична от О лишь с одной стороны от Э. т. п. (в области I) и пропорциональна где энерге- [c.583]

Первые попытки изучения схемы электронных состояний кристаллического 8102 были предприняты более 20 лет назад [8, 9]. Как правило, в ранних работах [8—22] использовались приближенные зонные или кластерные модели и рассматривалась одна кристаллическая фаза (в основном, а-кварц) диоксида кремния. Количественные данные, составляющие основу современных представленных об электронных свойствах ПМ ЗЮг, явились результатом применения достаточно строгих неэмпирических схем расчетов [23—51], где наряду с описанием зонного спектра идеальных кристаллов большое внимание уделено исследованиям локальных электронных характеристик 8102 (в модели молекулярных кластеров [34—36]), а также численным оценкам структурных состояний диоксида методами молекулярной динамики [37 4]. [c.153]

Наряду со структурными и электронными характеристиками, в [137—148] широко обсуждаются динамические свойства и колебательные спектры а-ЗЮг, ряд транспортных и спектроскопических параметров. [c.170]

Электронные характеристики легких элементов [c.83]

Интегральная степень черноты и электронные характеристики жидких сплавов Ре—Со при температуре 1600° [c.91]

Весьма перспективно также привлечение электронных характеристик ПАВ и металла к разработке теории подбора ингибиторов, к выяснению влияния химической структуры ПАВ на защитное действие их при кислотной коррозии металлов [29]. [c.26]

Важным преимуществом модели молекулярных орбиталей является возможность использования полуэмпирических методов структурной химии для оценок энергии и электронных характеристик молекулярных орбиталей из этой информации можно вывести картину энергетических зон, используя модель сильной связи. Модель молекулярных орбиталей впервые была применена к жидким полупроводникам для сплавов Т1—Те [47, 48] этот пример удобен для описания метода. [c.88]

Мы видим, что изменение электронных характеристик под действием примеси может быть выражено через фазы рассеяния. В рассматриваемом нами случае электроны взаимодействуют [c.249]

Следующий этап в описании поверхности — рассмотрение статистического распределения локальных электрических полей на поверхности и их влияния на макроскопические поверхностные электронные характеристики. Определенные перспективы в этом направлении открывает современная электронная теория неупорядоченных систем. [c.12]

Условие (12.9) для напряженности магнитного поля нарушить не столь сложно. Энергия ЙЮс имеет порядок 10" эВ для поля напряженностью 10 Гс тогда условие (12.9) нарушается для щелей шириной 10 эВ. Хотя эта величина очень мала, такие ш,ели вполне могут встречаться, особенно если появление щели связано со снятием вырождения за счет спин-орбитальной связи. Когда условие (12.9) нарушено, электроны при своем движении могут не следовать орбитам, определяемым полуклассическими уравнениями (12.6). Такой эффект называют магнитным пробоем. Возможность магнитного пробоя всегда следует иметь в виду при интерпретации электронных характеристик металла в очень сильных магнитных полях. [c.223]

Таким образом, при расчете электронных характеристик твердого тела необходимо учитывать только частично заполненные зоны. Это объясняет возникновение загадочного параметра теории свободных электронов — числа электронов проводимости. Проводимость обусловлена лишь электронами из частично заполненных зон. Допущение Друде, согласно которому число электронов проводимости в расчете на [c.226]

Эта переформулировка приближения ПСЭ на языке экранированных псевдопотенциалов оказывается весьма ценной в качестве нулевого приближения в очень сложной задаче расчета электронных характеристик металла. В том или ином из многих ее [c.463]

Таблица 35. Характеристики некоторых отечественных электронно-лучевых сварочных установок

Улучшение характеристик противоточной системы с помощью принципа механического торможения изучалось автором совместно с сотрудниками не только при каскадно расположенных вставках, рассмотренных выше. Представляется, что наиболее эффективным осуществлением этого принципа является применение винтовых сетчатых вставок (одно- или многозаходных). Экспериментальное изучение таких вставок проводилось методами меченых частиц, р-просвечивания и отсечек [Л. 21, 84]. В первом случае экспериментальная установка состояла из стенда торможенной газовзвеси и электронного блока для регистрации заряженных частиц. Стенд торможенной газовзвеси включал в себя прозрачную цилиндрическую камеру из органического стекла высотой 0,8 и диаметром 0,34 м, в которую вставлялись сменные винтовые сетчатые вставки. Источником излучения являлась частица алюмосиликата di = = 4,35 мм, меченная Со активностью 0,5 мг-экв. Для проверки методики вначале были проведены опыты по определению времени свободного падения одиночной меченой частицы, которое сопоставлялось с теоретически рассчитанной величиной. Время находилось по (2-45) при у = 0, Vo.a=VT,a=0. Многократное определение времени, в течение которого меченая частица проходила контрольный участок камеры, совпадало с расчетным с погрешностью 4%, что лежит в пределах точности эксперимента и служит частной проверкой [c.95]

Все АРМ снабжены накопителями, в которых хранятся соответствующие файлы информации описание типовых логических схем компонентов БИС, описание и характеристики электронных элементов БИС (транзисторов, диодов и т. д.), данные для планирования технологии изготовления БИС и другие справочные и архивные данные. Все файлы через внешние связи подключены к центральному БД информационно-вычислительного центра (ИВЦ) предприятия. [c.85]

Проблема детектора теплового излучения неотделима от вопроса об излучательных свойствах источника излучения. Спектральные характеристики излучения черного тела, как будет показано, описываются законом Планка. Проинтегрированный по всем длинам волн закон Планка приводит к закону Стефана — Больцмана, который описывает температурную зависимость полного излучения, испущенного черным телом. Если бы не было необходимости учитывать излучательные свойства материалов, оптический термометр был бы очень простым. К сожалению, реальные материалы не ведут себя как черное тело, и в законы Планка и Стефана — Больцмана приходится вводить поправочные факторы, называемые коэффициентами излучения. Коэффициент излучения зависит от температуры и от длины волны и является функцией электронной структуры материала, а также макроскопической формы его поверхности. [c.311]

Идеальные кристаллы, не содержащие примесей, почти не встречаются. Примеси в кристаллах полупроводниковых материалов увеличивают количество электронов или дырок. Так, при введении одного атома 5Ь в 1 см Ое или 81 возникает один электрон, а одного атома В— одна дырка. Присутствие даже 10 примесей изменяет электрические характеристики Ое (р = 0,15). [c.388]

Такое устройство получило название графический дисплей. В настоящее время существует ряд разновидностей графических дисплеев, которые имеют различные принципы работы, электронные схемы, характеристики и [c.323]

Источником электронов в электронных пушках обычно служит термоэмиссионный катод I, который выполняется из вольфрама, тантала или гекса-борида лантана, обладающих высокими эмиссионными характеристиками. В зависимости от материала катода его рабочая температура может достигать 2400...2800 К. Подогрев катода чаще всего осуществляется при помощи накаливаемого электрическим током элемента, причем в некоторых случаях сам этот элемент может выполнять функции катода (катод прямого накала). [c.107]

В качестве источника теплоты при сварке с вакуумной защитой используется кинетическая энергия испускаемых раскаленным катодом свободных электронов, которые ускоряются электрическим полем специального устройства (электронная пушка). Физические и энергетические характеристики электронного луча подробно рассмотрены в разд. I. [c.401]

Приборы, использующие электронные преобразователи (механотроны). Радиоэлектронные преобразователи основаны на зависимости характеристик электронной лампы от геометрического расположения ее элементов (катодов, анодов, сеток и т, п.) Наибольшее распространение получили механотроны в виде двойных диодов с механическим управлением (рис. 7.16). Контролируемое изделие поворачивает на угол а стержень /, закрепленный на эластичной мембране 2. На другом конце стержня имеются аноды 3, перемещающиеся при контроле относительно катода 4. Анодный ток определяют по формуле [c.160]

А/ = 0 1. Для атомов с двумя или неск. внеш. электронами характеристика уровней энергии более сложна и может быть произведена исходя из приближённой характеристики одноэлектронных состояний при помощи квантовых чисел п,-, г,- и у/ (i,=0, 1,2,. .., [c.153]

Внеш. воздействие на металл может привести к изменению геометрии Ф.-п, может возникнуть или исчезнуть полость Ф.-п. и (или) разорваться либо образоваться перемычка у Ф.-п. При этом электронные характеристики металла обнаруживают аномалии, называемые электронным топологическим переходо.м в нормальном металле. [c.285]

Подобно работам по Ш-нитридам, развитие компьютерного материаловедения нитридов р лементов IV группы следует двум направлениям. В рамках первого из них, используя современные первопринципные методы, добиваются наиболее полного описания электронных характеристик и возможно большего числа физико-химических свойств для чистых нитридов (в кристаллическом либо аморфном состояниях). Сюда же можно причислить работы по моделированию иных возможных форм IV-нитридов — нанотубулярных, молекулярных (кластерных), которые рассмотрены нами на примере нитридов углерода, глава 3. Исследования второй группы ориентированы на описание микроскопических механизмов модификации свойств нитридов при создании на их основе разнообразных гетероструктур, композиционных и керамических материалов, связанных с изменением химического и структурного состояний исходного соединения. [c.84]

Предметом работ по теоретическому описанию а-81Мд. является изучение его локальных электронных характеристик, природы межатомных связей в зависимости от соотношения 81/П, а также исследование микроскопического механизма стабилизации некоторых составов нитрида в присутствии примеси — водорода [19, 26, 41—46]. Экспериментальные исследования электронной структуры а-81Н , 8119 Н проведены в работах [47—49]. [c.88]

В [30] предпринята попытка установить ряд коррелятивных зависимостей между структурными характеристиками кристаллических модификаций 8Ю2 и параметрами из электронных состояний. В качестве примера на рис. 7.4 приводятся зависимости от объема ячейки (V) величин ЗЩ и диэлектрической постоянной 1(0). Можно видеть, что для4 2-координированных ПМ 8Ю2 величины ВЩ и е, хорошо коррелируют с изменением объема ячейки с ростом V (уменьшением плотности ПМ) запрещенная щель возрастает, величина 1 уменьшается. Найдена также прямая зависимость значения диэлектрической щели от средней длины связи 81—О (ЗЩ уменьшается с ростом длины связи) однако какие-либо корреляции электронных характеристик с углами связей 81—О—81 в ПМ 8102 установить не удалось [30]. [c.157]

Учитывая сложность кристаллического строения ПМ SIO2, широкое распространение при исследовании дефектов в диоксиде кремния получили кластерные подходы [109—130]. Сразу отметим, что в рамках соответствующих вычислительных схем в последние годы исследуются также стабильность и свойства изолированных (молекулярных) кластеров Si 0 [131,132], предпринимаются попытки изучения электронных характеристик гетерогенных наносистем (AI/SIO2/SI, [133]). [c.162]

Тщательное изучение электронных характеристик переходных металлов и их сплавов в связи с разработкой сверхпроводящих материалов выявило, что свойства металлов IV и VI групп не изменяются монотонно, как модуль С, а имеют низкие значения для титана, циркония, гафния, далее проходят через максимум вблизи металлов V группы — ванадия, ниобия и тантала — (4,7—4,8 эл/атом), тогда как электронным концентрациям, лежащим вблизи металлов VI группы — хрома, молибдена, вольфрама и равным 5,7—6,0 эл/атом, вновь отвечает минимум. При переходе к металлам VII—VIII групп наблюдается второй максимум вблизи технеция и рения (6,7—7 эл/атом), а затем новый минимум, приходящийся на рутений и осмий (8 эл/атом). [c.54]

Таким образом, изменение электронных характеристик переходных металлов IV—VIII групп точно соответствует развитым выше представлениям об образовании металлических связей, образуемых перекрывающимися eg- или г -орбиталями коллективизированных -электронов. [c.57]

Анализ электронного строения и характеристик электронов проводимости переходных металлов показывает, что по мере заполнения eg ( едг)-состояния четырьмя d-электронами эффективное число электронов проводимости, определяющих 7, 1/0 и Т , сначала растет, достигая максимума при 4,5 d-, 5-эл/атом, а затем падает вследствие локализации четырех d-электронов, перестающих участвовать в проводимости у металлов VI группы. При заполнении /г -состояния первые -электроны участвуют в проводимости, а при увеличении их числа становятся все более тяжелыми, менее подвижными и постепенно локализуются на атомах. Таким образом, двугорбые пики электронных характеристик (см. рис. 24—27), так же как двугорбые пики -оболочек (см. рис. 28, 29), четко связаны с расщеплением d-оболочки во внутреннем октаэдрическом поле нижележащей р -оболочки на eg (dxi/z)- и t2g dxy, dxz, dyг)- o xoя.mя, заполняемые соответственно четырьмя и шестью d-электронами. Это показано на рис. 8, где заполнению d-электронами eg- и g-состояний отвечают область устойчивости ОЦК структур у металлов V—VI групп и область ПГ структур у металлов VII—VIII групп с двумя максимумами Тс, соответствующими максимальной концентрации электронов проводимости. [c.59]

В ремонтной практике нашло применение ограниченное количество видов пластмасс — стекловолокнит, асбодин и электронит, характеристика и области применения которых указаны в табл. 15. [c.54]

Я. . Брандт и др.. Превращение металла в диэлектрик и особенности электронных характеристик металлов в сильных магнитных полях, ЖЭТФ 48, 1206 (1965). [c.621]

Многие зарубежные фирмы прежде всего с целью улучшения равномерности дозирования топлива по цилиндрам применяют системы впрыска топлива. Наиболее распространены механические системы непрерывного впрыска бензина во впускные каналы К—Шгоп1с и электронные системы импульсного впрыска L—1е1гошс с давлением впрыска 50. .. 300 кПа. Впрыск топлива перед впускными клапанами дает возможность двигателю устойчиво работать на обедненной смеси, является эффективным средством снижения образования СО, Сп и расхода топлива. Системы впрыска имеют большие потенциальные возможности улучшения показателей автомобильного двигателя, определяемые прежде всего высокой точностью дозирования, возможности программирования любой характеристики топливоподачн. В связи с тем что впускной тракт теряет функции смесеобразующего элемента, появляется возможность улучшить мощностные характеристики двигателя путем реализации резонансного наддува. [c.41]

В задачи оформления конструкторской документации входит изготовление текстовых и графических документов. Текстовые документы, кроме описательной части, содержат характеристики и паспортные данные узлов и агрегатов технические условия на изготовление, сборку, наладку и эксплуатацию спецификации и т. д. К графическим документам относятся чертежи сборочные и де-талировочные, графики структурных сеток кинематических цепей, циклограммы и зависимости для выбора параметров режимов работы агрегатов и устройств, схемы структурные, функциональные и принципиальные (электрические, электронные, гидравлические и т. д.). [c.9]

То, что а и б являются характеристиками термометра, естественно следует из теории, обсуждавшейся ранее. Согласно (5.1), наклон кривой зависимости сопротивления от температуры обратно пропорционален полному времени релаксации т. Основная часть т — это вклад элоктрон-фононных взаимодействий, который обратно пропорционален температуре, однако сюда входят также времена релаксации для взаимодействий электронов с примесями, вакансиями и границами зерен. Все эти вклады зависят также от температуры, и поэтому величина а должна служить и служит чувствительным показателем чистоты проволоки и качества ее отжига. Отклонение от линейности б является функцией коэффициентов при Р и членах более вы- [c.202]

Необходимо отметить, что для современного этапа развития механики многофазных сред характерны экспериментальные исследования, интенсивно проводимые с целью изучения физических особенностей процессов движения и накопления их количественных характеристик. Однако опытное изучение таких течений связано со значительными трудностями, так как необходимо разрабатывать п применять новые методы измерений, позволяющие фиксировать дисперсность и скорости дискретной фазы, а также параметры течения газовой фазы. До сих пор такие методы окончательно не разработаны, но уже достигнуты результаты, показывающие, что напбо.тее перспектпвны.ми следует считать оптические, оптико-электронные и оптико-радиометрические методы измерений. [c.6]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...