Анализ электронных состояний

При выводе выражения (17.1) использованы также некоторые"другие приближения как физического, так и математического характера, но они менее суш ественны, чем уже упомянутые. Вильсон [11 (стр. 254) отмечает Выражение для AF (т. е. для изменения потенциальной энергии при смещении иона), несомненно, является не вполне точным, поскольку ионы должны до некоторой степени деформироваться... возможно, что грубый характер приближения, сделанного при рассмотрении взаимодействий между электронами проводимости и колебаниями решетки, является причиной того, что эта теория не в состоянии объяснить сверхпроводимость. Хотя вероятно, что для объяснения явления сверхпроводимости необходимо привлечь некоторые новые физические принципы, все же вполне возможно, что существующие трудности имеют скорее математический, чем физический, характер. Так же как тщательный анализ уравнения состояния газа приводит к выводу о возможности существования жидкой фазы, более точное математическое толкование проблемы взаимодействия приведет и к объяснению сверхпроводимости... необходима более совершенная и более общая теория взаимодействия между электронами и решеткой ). [c.188]

Для выявления энергетических характеристик и анализа многих физических свойств кристаллов целесообразно иметь информацию о распределении энергетических состояний не в к-прост-ранстве, а в шкале энергий. Так, например, электронная теплоемкость и электропроводность обусловливаются в определенной мере количеством фермиевских электронов и т. д. В связи с этим большой интерес представляет функция, характеризующая число электронных состояний, приходящихся на заданный интервал энергии. [c.85]

Сравнение преобразований симметрии и свойств их взаимного сочетания с элементами абстрактных групп и их композициями показало, что многие характеристики преобразований симметрии могут быть описаны на языке теории абстрактных групп. Теоретико-групповой анализ преобразований симметрии позволяет не только наиболее компактно их описывать, но и широко используется в последнее время для классификации электронных состояний, колебательных уровней и т. д. В связи с этим в следующем параграфе излагаются наиболее важные элементы теории абстрактных групп. [c.130]

Отбор переходов между колебательными состояниями. При анализе электронных переходов не существует никакого правила отбора для квантового числа п, характеризующего колебательные СОСТОЯНИЯ. Переход по колебательным состояниям осуществляется с помощью дополнительного [c.325]

Анализ распределения интенсивности по всей ячейке ОР позволяет определить бинарные параметры ближнего порядка для ряда координационных сфер. Если эти параметры соответствуют равновесным состояниям, то непосредственно можно получить термодинамические характеристики растворов — энергии упорядочения или распада, активности компонентов, особенности критических флуктуаций вблизи точки фазового перехода второго рода, а также исследовать характеристики электронной структуры металлических сплавов, радиусы поверхности Ферми [45, 46]. Преимуществом рентгеновского метода является то, что он применим и для концентрированных растворов, когда из-за малости длины свободного пробега электронов другие методы неэффективны. Рентгеновское определение термодинамических характеристик твердых растворов — эффективный метод анализа диаграмм состояния бинарных систем. [c.128]

Преимущество этого метода по сравнению с автоэлектронной микроскопией или использованием ионного проектора состоит в том, что при дифракции медленных электронов не нужны сильные внешние электрические поля поэтому нет и деформации поверхности. Вместе с тем силы, которые удерживают адсорбированные атомы на поверхности, имеют величину не ниже напряженности поля. Поэтому результаты метода дифракции медленных электронов могут быть использованы для анализа нормального состояния поверхности. Кроме того, можно проследить кинетику процесса адсорбции в зависимости от давления остаточного газа и от температуры. [c.367]

Спектроскопия межмолекулярных взаимодействий — новое направление молекулярной спектроскопии, теоретические основы которого начали создаваться в последние два десятилетия. Исследования в этой области весьма перспективны, поскольку открывают принципиально новые возможности для изучения конденсированных сред и определения электрических, оптических и структурных характеристик молекул в основном и возбужденном электронных состояниях. Они имеют также большое практическое значение в связи с развитием молекулярного спектрального анализа жидкостей, интерпретация спектров которых усложняется необходимостью учета взаимодействий молекул. [c.8]

Рассматриваются общие закономерности электронного поглощения и испускания многоатомных соединений в жидкой фазе. Благодаря взаимодействию со средой, а также миграции колебательной энергии внутри системы процессы поглощения и испускания сложных молекул подчиняются определенным статистическим закономерностям. Это позволяет получить ряд, спектральных соотношений универсального характера и предложить достаточно общие методы определения молекулярных спектроскопических и термодинамических параметров. Они могут быть использованы при исследовании процессов перераспределения колебательной энергии и условий нарушения термодинамического равновесия в растворах, изучении конфигурации частиц среды и релаксации электронных состояний, для разделения полос поглощения и испускания, структура и форма которых искажаются за счет перекрывания спектров нескольких электронных переходов, различных типов центров, наличия примеси, что необходимо для последовательного и глубокого анализа влияния среды на спектры. [c.30]

Наиболее подробные данные представлены в работе [5.24]. Рассматривались два процесса 4-фотонная и 6-фотонная ионизация основного состояния атома водорода. Пороговая ионизация наблюдалась при умеренном значении интенсивности излучения порядка 10 Вт/см . Было найдено, что в обоих случаях кинетическая энергия фотоэлектронов очень мала — порядка 0,2 эВ в первом случае и порядка 0,5 эВ во втором. Хотя длительность лазерного излучения была относительно велика — 10 не, но при малой кинетической энергии фотоэлектрона и небольшом значении лазерной интенсивности создаются условия для небольшого искажения электронных траекторий между родительским атомным ионом и детектором. Анализ электронных спектров позволяет отделить пороговую ионизацию от надпороговой. В случае 4-фотонной ионизации надпороговая ионизация отсутствовала. Электроны наблюдались под углом 90° к направлению лазерного пучка. [c.125]

Пересечение состояний. Рассмотрим четыре электронных состояния молекулы, схематически показанные на фиг. 4.6, а. Обратим внимание на два состояния (2, 3), которые существуют при одной и той же энергии и одном и том же межъядерном расстоянии (т. е. их потенциальные кривые пересекаются). Если эти два состояния имеют различную симметрию, то графики потенциальных функций на фиг. 4.6, а верные. Если же они имеют одинаковую симметрию (см. 4.7.3), то правильный вид будет у кривых, показанных на фиг. 4.6, б. Этот эффект называется отталкиванием одинаковых состояний . Отметим, что пересекающиеся кривые на фиг. 4.6, а в действительности являются только приближенными, построенными на основе атомных волновых функций. Непересекающиеся кривые на фиг. 4.6, б представляют точные квантовомеханические решения. Таким образом, если бы не было нашего желания использовать приближенный качественный анализ решения (который более легко осуществим), то вопрос о пересечении состояний не возник бы. В рассмотренном [c.102]

С заметно меньшими затратами машинного времени удается решать задачи анализа статических состояний в электронных схемах. Задача статического анализа сводится к решению системы алгебраических и трансцендентных уравнений (1.9) Р(У)=0. [c.102]

Можно перечислить след, важнейшие направления развития М. изучение особенностей электронных состояний металлов и сплавов при различных условиях детальный анализ физ. природы алектрич. и магнитных свойств, микромеханизма пластич. деформации, возникновения, движения и торможения дислокаций и их взаимодействия с другими несовершенств ами строения исследование особенностей упрочнения, достигаемого путем пластич. деформации, фазовых превращений и облучения изучение закономерностей разрушения изучение межатомного взаимодействия в сплавах и термодинамич. ф-ций металлич. фаз исследование кинетики фазовых превращений в различных металлич. системах и механизма сопровождающих эти превращения структурных изменений. [c.196]

Наиболее длинноволновая область поглощения СН3 расположена вблизи 2160 А. Для этой области поглощения характерны два диффузных максимума. Соответствующая полоса в спектре поглощения СВз, расположенная при 2140 А, имеет гораздо более четкий контур с частично разрешенной тонкой структурой (фиг. 96). К этой полосе примыкают три очень слабые полосы как со стороны длинных, так и со стороны коротких длин волн. Наличие в системе единственной интенсивной полосы указывает на то, что конфигурация молекулы в верхнем и нижнем электронных состояниях должна быть практически одной и той же. Тонкая структура полосы может быть полностью объяснена, если полоса является параллельной полосой симметричного волчка (фиг. 97). Чередование интенсивности линий в полосе и, в частности, очень низкая интенсивность линии Л (0) свидетельствуют о том, что по крайней мере в одном из двух участвующих в электронном переходе состояний молекула имеет плоскую конфигурацию, так как чередование интенсивности линий в подполосе ЛГ = О (фиг. 97) может наблюдаться только в случае симметрии 1>з . Таким образом, анализ распределения интенсивности в колебательной и вращательной структуре рассматриваемой системы приводит к выводу, что молекула должна иметь плоскую структуру в обоих электронных состояниях, участвующих в переходе. Следует, правда, отметить, что нельзя исключить возможность того, что структура молекулы СН3 слегка отклоняется от плоской конфигурации, но лишь в пределах, оставляющих возможность для появления инверсионного удвоения, столь большого по величине, что в спектре поглощения наблюдается лишь одна инверсионная компонента. [c.523]

АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПО СПЕКТРАМ ПОЛЯРИЗАЦИИ. Валер И Вебер [ 5] использовали спектр поляризации индола для того, чтобы различить в спектре поглощения состояния и Мы приводим этот пример из-за его дидактического значения и важности для детального понимания флуоресценции триптофановых остатков в белках (гл. 11). При любой длине волны возбуждения Л наблюдаемая анизотропия равна [c.134]

Роль электронов в металлах как фактора, определяющего их прочность и пластичность, подчеркивалась Я. И. Френкелем еще в ранних работах [1] на основе пористой электронной модели. Современные представления о реальной прочности металлов, учитывающие, с одной стороны, кооперативный характер процессов перемещения атомов при деформации, а с другой — локальный характер разрушения, не отрицают роли электронного фактора. Так, справедливо считается, что наблюдаемые различия прочностных характеристик кристаллов определяются их электронной структурой, а роль дефектов упаковки в механизме деформации и разрушения металлов и качественная связь энергии дефектов упаковки с характеристиками электронной структуры [2] общепринятые. Для дальнейшего развития этих представлений стала очевидной необходимость установления закономерностей взаимосвязи процессов деформации и разрушения с электронными свойствами самих дефектов, ответственных за прочностные свойства металлов [.3]. Со времени открытия явления взаимодействия позитронов с дефектами кристаллической решетки [4] стало понятным, что метод позитронной аннигиляции является уникальным для получения информации об электронной структуре дефектов [5]. В основе этой возможности лежит тот факт, что при наличии в кристал.те дефектов с концентрацией 10 все термализованные позитроны захватываются ими и аннигиляция с электронами в дефектах дает информацию об их электронной структуре. Если концентрация дефектов недостаточна, то в позитронную аннигиляцию будут вносить вклад как совершенные, так и дефектные области кристалла. Следовательно, использование метода электронно-позитронной аннигиляции для анализа структурного состояния в области дефектов, образующих- [c.139]

Колебательная структура электронных спектров. Поверхности потенц, энергии и соответствующие им системы колебат. уровней разл. электронных состояний иогут существенно отличаться друг от друга, поэтому колебат. структура электронных переходов подчиняется довольно сложным правилам отбора и электронно-колебат. спектр сильно отличается от чисто колебательного. Тем не менее оси. особенности колебат. структуры поддаются не только качеств., но и количеств, анализу. Теоретич. основой этого анализа является Франка — Кондона принцип, позволяюпщй предсказывать распределение интенсивностей полос колебат. структуры, [c.203]

Анализ электронных свойств Н. с. покалывает, что благодаря существованию ближнего порядка возможно приближённое описание Н. с. в терминах разрешённых и запрещённых энергетич. зон (см. Зонная теория). Н. с. могут быть диэлектриками, полупроводниками и металлами. Свойственные Н. с. многочнсл. нарушения кристаллич. решётки приводят в аморфных металлах к дополнит, механизму рассеяния электронов. В аморфных полупроводниках возникают электронные состояния в запрещённой зоне, так что плотность состояний не обращается в О на границе разрешённых зон, а монотонно убывает в глубь запрещённой зоны, как правило экспоненциально ехр [ — ( f — /)/ о1, где — энергия, 0 — условная энергия границы разрешенной зоны, а /"о — характерная энергия, к-рая значительно меньше ширины запрещённой зоны g. Хвост плотности состояний в запрещённой зоне проявляется в меж-зонном оптич. поглощении, к-рое не обрывается сразу после того, как энергия фотона Ло) становится < g, а плавно спадает с уменьшением энергии, так что оптич. границы зон оказываются слегка размытыми. Однако в целом электронные зоны в аморфных и кристаллич. полупроводниках одного хим. состава различаются не очень сильно. [c.342]

Кроме двух параметров (г, U или t, J) X. м. характеризуется еще одним параметром — электронной концентрацией п (число электронов на один узел решётки). В этой невырожденной модели п меняется в пределах 0< <2, причём поведение системы существенно зависит от величины п. Из (3) видно, что при половинном заполнении зоны (п = ) гамильтониан /—У-модели сводится к гамильтониану Гейзенберга модели с атомным локализованным спином S— jj, так что основное состояние системы должно быть антиферромагнитным с волновым вектором Й = (п, я, п). За счёт взаимодействия электронных состояний с антиферромагн. порядком при п — 1 должна открываться щель на поверхности Ферми, так что в этих условиях система должна быть диэлектриком. При отклонении от половинного заполнения в системе появляется дырочная проводимость, а антиферромагн. порядок ослабляется за счёт движения дырок, так что при нек-рой концентрации дырок антиферромагнетизм исчезает при последующем уменьшении п сильно коррелированная система переходит в режим ферми-жидкости. Т. о., из рассмотрения двух предельных случаев ясно, что при изменении п должен существовать кроссовер от ферми-жидкостного поведения в фазу диэлектрич. состояния и одновременно кроссовер от коллективизированного магнетизма к магнетизму с локализованными маги, моментами. При фиксированном и аналогичный кроссовер должен возникать с ростом U. Эти наиб, интересные явления появляются в области промежуточных значений U W, где возмущений теория не работает, поэтому необходимо использовать при анализе X. м. другие приближённые подходы, не основанные на разложениях по параметрам UjW или WjU. Ниже рассматривается ряд таких подходов [2]. [c.392]

Анализ более сложных спектральных траекторий с помощью двухфотонного коррелятора. Проведем теперь теоретический анализ более сложной спектральной траектории (см. рис. 7.4). На этом примере тоже можно проследить связь, существующую между двух- и однофотонными методами регистравдш. Поскольку спектральная линия здесь прь ает между четьфьмя П03ИЩ1ЯМИ, то, очевидно, мы должны рассмотреть двухфотонный коррелятор примесной молекулы, взаимодействующей с двумя ДУС. У двух ДУС имеется четыре квантовых состояния в каждом электронном состоянии хромофора. Следовательно, спектр поглощения такого хромофора будет состоять из четьфех линий. В этом случае в формулу (21.4) для двухфотонного коррелятора вместо формулы (21.6) мы должны подставить следующую [c.290]

Упомянутая гетероструктура Si/Si02 явилась предметом большого числа теоретических [159—166] и экспериментальных работ [167—171], 1де обсуждались электронные состояния контактирующих как аморфных, так и кристаллических Si и Si02. При анализе результатов основное внимание уделялось собственно интерфейсным электронными уровням, моделировались также структурные и химические состояния межфазной зоны ( эффекты слоевых релаксаций, образование промежуточных субоксидных слоев, наличие точечных дефектов в области интерфейса), известны попытки МД-моделирования кинетики и механизма роста оксидных пленок на Si. [c.171]

Диаграмма состояния Си—Zr, приведенная в справочнике [X], основном по данным работы [1], в дальнейшем претерпела знач тельные изменения. Были уточнены составы и температуры образон. ния ранее установленных фаз и найдены новые соединения. Однак до настоящего времени окончательный вариант диаграммы не отрл ботан. Основные различия связаны с идентифицированием первы> трех соединений со стороны Си. Авторы работы [2, 3] методам,, дифференциального термического анализа, электронной микроскопии [c.356]

В настоящей главе приводятся результаты расчетов плотности состояния электронов, основанные главным образом на моделях структуры аморфных твердых тел (см. 6.2.1). Далее (6.2.2 и 6.2.3) обсуждаются наиболее типичные экспериментальные результаты, полученные методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (РФС и УФС), позволяющими непосредственно наблюдать уровни энергии электронов, а также результаты анализа спектров испускания мягкого рентгеновского излучения (МРС). Кроме того, рассмотрены результаты экспериментов по комптоновскому рассеянию для определен1Ия волновых фунвдий элек1 ронов, находящихся в различ1ных электронных состояниях (см. 6.3.1) и результаты некоторых экспериментов по аннигиляции позитронов (см. 6.3.2). [c.178]

В работе [142] методом ЭСХА (электронная спектроскопия для химического анализа) исследовали состояние пассивных пленок, образованных на сплавах Fe—Сг, содержащих от 4 до 30 % Сг при выдержке в воде, насыщенной кислородом при 25 и 70°С в течение 2 мин 1 50 и 300 ч. Результаты опытов показали, что при выдержке 1 ч толщина оксидных пленок составляет несколько нанометров. Обогащение оксида хромом наблюдали после выдержки при повышенной температуре. Выдержка в течение 1—50 ч приводит к обогащению оксидной пленки хромом. При этом содержание хрома больше в наружном слое оксида и степень обогащения пленки хромом выше для сплавов с более низким содержанием хрома. Увеличение длительности пассивации до 300 ч не приводит к заметному увеличению содержания хрома в высокохромистых сплавах. [c.149]

Симметрия позволяет определить отличные от нуля члены возмущений в гамильтониане молекулы. Такой анализ особенно полезен для членов колебательно-вращательных возмущений в заданном электронном состоянии эти возмущения создают эффекты ангармоничности, центробежного искажения и кориоли-сова взаимодействия и могут быть записаны в виде [см. формулы (8.286) —(8.28г) и (7.138) и (7.149)] [c.310]

Квантовые числа g, gev и g (а также G, Gev и Gy) для произвольного электронного состояния любой молекулы типа симметричного волчка определяются путем анализа свойств преобразования ровиброниых, вибронных и колебательных волновых функций под действием одной из операций группы МС [54]. Такой операцией является перестановка, эквивалентная вращению rI, для которого угол р (—2п/п) имеет наименьшее зна- [c.333]

Анализ электронного строения и характеристик электронов проводимости переходных металлов показывает, что по мере заполнения eg ( едг)-состояния четырьмя d-электронами эффективное число электронов проводимости, определяющих 7, 1/0 и Т , сначала растет, достигая максимума при 4,5 d-, 5-эл/атом, а затем падает вследствие локализации четырех d-электронов, перестающих участвовать в проводимости у металлов VI группы. При заполнении /г -состояния первые -электроны участвуют в проводимости, а при увеличении их числа становятся все более тяжелыми, менее подвижными и постепенно локализуются на атомах. Таким образом, двугорбые пики электронных характеристик (см. рис. 24—27), так же как двугорбые пики -оболочек (см. рис. 28, 29), четко связаны с расщеплением d-оболочки во внутреннем октаэдрическом поле нижележащей р -оболочки на eg (dxi/z)- и t2g dxy, dxz, dyг)- o xoя.mя, заполняемые соответственно четырьмя и шестью d-электронами. Это показано на рис. 8, где заполнению d-электронами eg- и g-состояний отвечают область устойчивости ОЦК структур у металлов V—VI групп и область ПГ структур у металлов VII—VIII групп с двумя максимумами Тс, соответствующими максимальной концентрации электронов проводимости. [c.59]

В последние годы выявились новые возможности метода локального рентгеноспектрального анализа, связанные с открытиями новых эффектов при взаимодействии электронов с кристаллическим веществом. Разработано много новых локальных физических методов исследования и анализа, в которых используют информацию, получаемую при исследованиях характеристических рентгеновских и электронных спектров, спектров вторичных и первично рассеянных ионов. В отличие от способа локального рентгеноспектрального анализа все эти методы имеют высокую локальность лишь в одном измерении (по глубине) это методы вторичной ион-ионной эмиссии, рентгенофотоэлектронной спектроскопии, оже-электронной спектроскопии и др. Перечисленные методы позволяют проводить локальный анализ тонких слоев толщиной 0,2—4 нм с целью количественного элементного анализа, определения валентного состояния атомов на поверхностях соединений, сплавов, получения сведений о распределении электронных состояний по энергиям [1, 63]. [c.84]

Основным видом одновариантного анализа нелинейных электронных схем является анализ переходных процессов, при котором определяются зависимости переменных состояния от времени V(t) при заданных X и Q. По известным (t) могут быть найдены временные зависимости токов, напряжений и мощностей любых компонентов схемы и вычислены выходные параметры-функционалы этих зависимостей. ММС при этом есть система (1.8а) или (1.86). При V(t)=0 будут 1юлучены стационарные значения переменных состояния, т. е. при анализе переходных процессов будет выполнен и анализ статических состояний схемы. [c.23]

Изменение состояния поверхности металла в результате адсорбции ПАВ очень важно для решения коррозионных проблем в химмотологии. Физико-химические свойства адсорбированных ПАВ значительно отличаются от их свойств в объеме нефтепродукта. Свойства адсорбированных слоев ПАВ детально изучены методами спектрального анализа (электронная спектроскопия для химического анализа ЭСХА, ядерный магнитный резонанс ЯМР, электронографические исследования и др.), микрокалориметрии, жидкостной и бумажной хроматографии, пьезокварцевого резонатора (ПКР), уже упоминавшимся методом определения контактной разности потенциалов (Д КРП) [49, 54], методом сдувания , прецизионность которого была повышена благодаря применению газово- [c.22]

Большой интерес представляют глава IV, посвященная потенциальным функциям многоатомных молекул в основном и возбужденных электронных состояниях, и глава V, содержащая критический анализ огромного количества экспериментальных данных по электронным спектрам и молекулярным постоянным большого числа многоатомных молекул. Эта последняя глава содержит цельп" ряд ценных таблиц, в которых приведены значения молекулярных постоянных многих молекул, рекомендуемые автором на основании критического анализа литературных данных, в том числе и многих собственных работ. [c.5]

Следующим важным примером является система полос поглощения НоСО в близкой ультрафиолетовой области (эта молекула обладает несколько более высокой симметрией). Анализ полос был впервые проведен Дике и Кистяковским [277] еще в 1934 г. (в действительности это был первый успешный анализ вращательной структуры электронного спектра многоатомной молекулы). Анализом занимались также Дайн [332], Робинсон [1075] н Калломон и Иннес [178]. Спектр в данном случае также состоит из типичных перпендикулярных полос. Происходит четкое чередование интенсивности по К более интенсивны подполосы с нечетными значениями К", откуда следует, что нижнее электронное состояние относится к типу А или А 2,. Хотя на основании структуры полос и нельзя решить, относится ли состояние к типу Al или к типу Az, рассмотрение электронной конфигурации молекулы [c.259]

Ф п г. 138. Наблюдаемые электронные состояния молекулы Н2О. Кроме типа симметрии осиовиого состояния, из анализа тонкой вращательной структуры был установлеи тип симметрии состояния (Джонс [631]). Отнесение для других состояний было [c.351]

Распределение заряда, анализ заселенностей. Другим способом получения информации о прочности связей в молекулярно-орбитальной теории служит исследование величины электронной плотности, создаваемой электронами различных орбиталей в различных точках пространства молекулы. Малликен [911, 915] развил подход, который получил название анализа электронных заселенностей. Основная мысль этого подхода заключается в следующем причиной гомеополярного притяжения двух атомов друг к другу как в теории валентных связей, так и в молекулярно-орбитальной теории является то, что электронная плотность в пространстве между атомами повышается по сравнению с тем, что получилось бы, если бы просто существовала система невзаимодействующих недеформированных атомов ). Большая концентрация электронной плотности в пространстве между ядрами ведет к появлению притяжения между ними. Наоборот, уменьшение электронной плотности в этой области пространства приводит к отталкиванию. Эти положения можно проиллюстрировать хорошо известной диаграммой распределения электронной плотности, полученной Лондоном для состояний типа и молекулы Hg (см. [22], фиг. 162 русский перевод, фиг. 144). [c.392]

Потенциалы ионизации, найденные из анализа ридберговских серий, составляют 12,61g и 10,472 эв соответственно для НгО и НгЗ (Прайс [1015] и Прайс, Тиган и Уолп[ [1024]). Хеннинг [494] наблюдал в спектре НгО две прогрессии полос (диффузных), расположенные за первым ионизационным проделом п начинающиеся при 116 760 и 125 820 СЛ1-1. Эти прогрессии, вероятно, представляют собой члены ридберговской серии, предел которой связан с четкой границей поглощения при 16,5 эв. Подобная интерпретация подтверждается экспериментами по электронному удару, выполненными Фростом и Мак-Дауэлом [401] (а также более ранней работой Прайса и Сагдена [1023]), которые наблюдали три потенциала появления НгО+ при 12,60, 14,35 и 16,34 эв, причем последний, вероятно, соответствует пределу поглощения, найденному Хеннингом. Трп потенциала появления должны соответствовать трем электронным состояниям иона Н2О+—основному й -состоянию, первому возбужденному состоянию типа А i при [c.502]

НСО. В спектре радикала НСО наблюдались две системы полос расположенные в близком ультрафиолете полосы углеводородного пламени, найденные впервые Вай-диа [1233], и красные полосы, впервые наблюдавшиеся Рамсеем [1040]. Несмотря на значительные усилия, предпринятые многими авторами, полосы углеводородного пламени до сих пор полностью не проанализированы (см., например, работу Хорнбека и Германа [567] и одну из последних работ Вайдиа [1235]), в то время как для красных полос выполнен детальный анализ (Герцберг и Рамсей [538], Джонс, Приддл и Рамсей [638]). Как видно из фиг. 92, каждая из полос красной системы состоит из простых Р-, Q- и Д-ветвей. Заметный комбинационный дефект, который значительно больше в D O, чем в НСО (см. стр. 213), показывает, что НСО имеет сильно изогнутую форму в нижнем состоянии и линейную в верхнем состоянии рассматриваемого перехода. Предполагая, что расстояние С — Н равно 1,08 + 0,01 А, можно найти для геометрических параметров НСО в основном электронном состоянии следующие значения угол Н — С — О равен 119,5° и расстояние С — О равно 1,20А. [c.506]

Как п в НСО, момент перехода для полосы А X нернондикуляреп плоскости молекулы, а это значит, что наблюдаемая система в спектре HNO может быть связана либо с переходом 1 Л" — Л, либо с переходом Л — Л". На основании анализа электронной конфигурации можно ожидать, что основное состояние HNO должно быть состоянием типа Л, а, следовательно, верхнее состояние — состоянием типа Л". Для линейной молекулы HNO основное электронное состояние должно иметь электронную конфигурацию. . . (как у Оа), которой могут соответствовать состояния 2 , [c.507]

Малликен в примечании к статье Венкатесварлу рассматривал полосы С Кг как относящиеся к электронному переходу — Ai. Однако Мэтьюз [8006] на основании детального анализа тонкой структуры полос показал, что они принадлежат электронному переходу Ai (или Bj) — A . Других электронных переходов в спектре СРг пока не обнаружено. Безусловно, интересно было бы получить и исследовать триплетные системы, аналогичные таким системам в спектре СНг. Представляется весьма вероятным, хотя это и не доказано, что состояние Ai является основным электронным состоянием радикала F2. [c.520]

Яковлева и Кондратьев [619] обнаруииши несколько прогрессий в диффузных полосах, накладывающихся на полосу Хартли (или являющихся ее частью). Найденная из анализа этих прогрессий частота 300 см , без сомнения, соответствует деформационному колебанию молекулы озона v в возбужденном электронном состоянии. Большая протяженность нолос Хартли и Хаггинса указывает на существенное изменение угла при переходе из нижнего в верхнее состояние. Имеющиеся в настоящее время данные но исключают полностью возможности того, что обе системы полос в действительности связаны с одним и тем же электронным переходом. [c.521]

Еще одна очень слабая прогрессия с подобным же расщеплением была найдена Дугласом и Холлас(Ш [295] и Дугласом [294] в той же области спектра, где расположена система полос В — X. Анализ тонкой структуры показывает, что это полосы параллельного типа. Поэтому они, очевидно, должны быть связаны с другим электронным переходом С — X, хотя трудно с определенностью исключить возможность идентификации полос как принадлежащих к запрещенной компоненте системы В — X, для которой правила запрета ослаблены благодаря электронно-колебательному взммодействию. Поскольку нумерация колебательных уровней не проводилась, состояние С может быть либо состоянием А[, либо состоянием А" , однако на основании анализа электронной конфигурации отнесение состояния С к типу А х представляется более разумным. [c.526]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...