Анизотропия релаксация

Некоторые особенности эффекта Керра в жидкости. Следует остановиться на особенности эффекта Керра в жидкостях. При включении внешнего электрического поля искусственная анизотропия жидкости не исчезает мгновенно. Требуется определенное время, так называемое время релаксации, зависящее от структуры данной жидкосги, для того, чтобы анизотропная жидкость снова перешла б изотропное состояние, т. е. повернутые диполи под [c.291]

Время существования явления Керра, или, что то же самое, время релаксации анизотропии, может быть определено из хода убывания интенсивности света зеленого импульса в зависимости от разности времен прихода обоих импульсов. [c.536]

Такие измерения показали, что время релаксации анизотропии в сероуглероде равно с, а в нитробензоле 50-10 с. [c.536]

В гл. 3 приведены экспериментальные данные (Эгами) по изменению интерференционной функции при низкотемпературном отжиге. Эти изменения отражают атомные перестройки в процессе эволюции аморфной фазы. Показано также, что машинные эксперименты могут успешно применяться для моделирования процесса структурной релаксации и для расшифровки природы эффекта анизотропии. [c.15]

На рис. 5.33 показано, как зависит константа одноосной магнитной анизотропии Ки от температуры отжига и его продолжительности. Основываясь на этих данных, можно заключить, что Ки появляется только при температурах ниже точки Кюри при высоких температурах Ки легко (т. е. за небольшое время) достигает насыш,ения, но при низких температурах, когда время релаксации большое, насыщения не происходит с понижением температуры [c.152]

Сплавы Си — А1 — N1 и Си — 2п — А1 имеют размеры кристаллитов порядка миллиметра, фактор упругой анизотропии зтих сплавов очень высок (13—15) — все это создает условия легкого возникновения концентрации напряжений на границах зерен. Несмотря на зто, сплавы Си — 2п — А1 характеризуются сравнительно высокой пластичностью, в них часто наблюдается транскристаллитное разрушение. Причина такого поведения заключается в различии кристаллических структур сплавов Си — А1 — Мт и Си — 2п — А1. Сплавы Си — А1 — N1, как указано в таблице, имеют кристаллическую структуру 00 , в то время как сплавы Си — 2п — А1 — структуру В2. Элементарная ячейка структуры ООз имеет постоянные решетки в два раза больше, чем элементарная ячейка структуры В2. Поэтому величина вектора Бюргерса сверхструктурной дислокации, движущейся в кристаллах типа Юз в два раза больше соответствующей величины в кристаллах В2. В связи с этим движение дислокаций в кристаллах со структурой типа 00 затруднено. Например, в сплавах Си — А1 — N1 скольжение дислокаций происходит при напряжении растяжения 600 МПа, в то время как в сплавах Си — 2п — А1 — 200 МПа. Таким образом, можно считать, что в сплавах Си — 2п — А1, в которых дислокации движутся легко, высокая пластичность обусловлена легкостью релаксации напряжений на границах зерен. [c.129]

Стали, упрочняемые холодным пластическим деформированием с последующей термической обработкой, заключающейся обычно в отпуске или старении. После холодного пластического деформирования стали подвергают низкотемпературному отпуску при 150-350 °С, что повышает пределы упругости и выносливости, а также сопротивления релаксации. Характерной особенностью этих сталей является различие значений показателей свойств вдоль или поперек направления деформирования (анизотропия свойств). [c.105]

Изложенным методом можно определять напряженное состояние и в условиях ползучести. Имеется также принципиальная возможность определения напряжений в случаях, когда разгрузка сопровождается пластическим деформированием. Однако необходимости учета деформационной анизотропии, а также неизбежной релаксации остаточных напряжений чрезвычайно усложняет методику определения напряжений в этих случаях. [c.79]

По мнению авторов работы [8, 9], одноосная анизотропия обусловлена группами катионов, предпочтительно ориентированными в определенных узлах решетки. В этом случае катионные вакансии влияют лишь на время релаксации переориентации ионов, ускоряют диффузию катионов в шпинели, не внося непосредственного вклада в наведенную анизотропию. [c.191]

Разработанная теория распределения интенсивности в крыле линии Рэлея (М. А. Леонтович, 1941. г., С. М. Рытов, 1957, 1970 гг.) вместе с результатами измерений позволяет определять времена релаксации анизотропии. [c.598]

Амплитуда и форма резонансной кривой поглощения определяются процессами релаксации. Наличие их приводит к тому, что компоненты тензора магнитной проницаемости становятся комплексными величинами. При отсутствии внешнего магнитного поля магнитная проницаемость скалярна. Ширина резонансной кривой ферромагнитного резонанса АН обычно определяется как разность полей, при которых мнимая часть диагональной компоненты тензора проницаемости ц" составляет половину своего значения м-"рез в точке резонанса. Зависимость ее вещественной ц и мнимой ц" частей от частоты называют магнитными спектрами. Для магнитных спектров ферритов характерно наличие двух областей дисперсии. Низкочастотная область дисперсии обусловлена смещением границ доменов, а более высокочастотная — естественг.ым ферромагнитным резонансом в эффективных полях анизотропии и размагничивающих полях. [c.708]

Общие линейные соотношения между напряжениями sij (/,/=1,2,3) и деформациями ец в ортогональной декартовой системе координат (хиХ2,Хз) для нестареющего вязкоупругого материала с произвольной анизотропией сразу получаются из формулы (9). Используя функции (модули) релаксации iju(t) (г, 1, 2,3), можно записать [c.107]

При циклическом деформировании в упругопластической области возникают пластические деформации, накапливающиеся циклически (за каждый цикл возникает деформация гистерезиса, обозначенная на рис. 4 2sp) и односторонне (Авр,), за счет циклической анизотропии [15], процессов релаксации и ползучести при выдержках. Для деформационной оценки накопленного повреждения используется уравнение кривой малоцикдовой усталости в начально предложенной форме [16] [c.11]

На основе развития теорий течения с остаточными микронапряжениями (с целью отразить эффект Баушингера, свойственный циклическим процессам, релаксацию при выдержках и анизотропию упрочнения) и использования метода конечного элемента осуществляются вычислительные решения краевых задач при циклическом нагружении в изотермической и неизотермической постановке. Примером осуществления такого решения в Горьковском физико-техническом институте под руководством А. Г. Угодчи-кова является задача о концентрации деформации и напряжений в пластине из стали Х18Н9Т с круглым поперечным отверстием при пульсирующем малоцикловом растяжении, сопровождающемся синфазным циклическим изменением температуры. На рис. 18 представлена схема двух следующих друг за другом циклов нагружения с указанием последовательных стадий (обозначены цифрами), для которых производился расчет полей методом конечного [c.25]

Вклады в магн. круговую анизотропию от двух последних членов характеризуются, как правило, одинаковой спектральной зависимостью, и для их разделения используется различие динамич. свойств парамагнитный член характеризуется конечной скоростью установления равновесного значения, к-рая совпадает со скоростью продольной релаксации намагниченности системы ванфлековский член практически безынер-циопеп (в масштабе времён, существенно превышающих обратную частоту магн. резонанса). [c.702]

Другой механизм влияния электрич. поля на оптич. свойства вещества связан с определ. ориентацией в поле молекул, обладающих постоянным дипольным моментом или анизотропией поляризуемости. В результате у первоначально изотропного ансамбля молекул появляются свойства одноосного кристалла. Характерное время ориентационных процессов колеблется от 10 —10 с для газов и чистых жидкостей до 10 с и больше для коллоидных растворов, молекул, аэрозолей и т. п. Особенно сильно выражен ориентационный эффект в жидких к р и с т а л л а X (время релаксации 10" с), в них наблюдается целый ряд электрооптич. эффектов. В твёрдых телах при наложении электрич, поля наблюдается появление оптической анизотропии, обусловлен, установлением различий в ср. расстояниях между частицами решётки вдоль и поперёк поля (стрикционный эффект). Как ориентационный, так и стрикционный эффекты не только дают существ, вклад в эффект Керра, но и приводят к изменению интенсивности и деполяризации рассеянного света под влиянием электрич, поля (т. н. дитин дализм). [c.589]

Авторы [60] построили модель ближнего порядка аморфного сплава Pd—Si, используя СПУ-структуру, составленную из жестких сфер двух разных диаметров, и показали, что анизотропия парциальной парной функции распределения, соответствующей связи Pd—Si, при структурной релаксации большей частью исчезает, и структура становится изотропной. Албен с сотр. 1[69], исходя из модели СПУ-структуры Беннета [70], в центральной части которой содержалось 890 атомов, рассчитали связь между интен- [c.106]

Ранее предполагалось, что поскольку аморфные сплавы имеют изотропную и однородную в магнитном отношении структуру, они должны легко намагничиваться. Подтверждением этому может служить то, что коэрцитивная сила не превышает 8 А/м. Однако видно, что аморфные ферромагнетики, согласно 3 и 4, могут проявлять анизотропию при намагничивании, т. е. доменные стенки при своем перемеш,ении преодолевают потенциальный барьер. Это указывает на то, что аморфные металлические ленты не всегда находятся в идеально однородном магнитном состоянии. Магнитная анизотропия аморфных сплавов как следствие неоднородности их магнитного состояния, хотя полностью не разрушается при термообработке, но все же, за (Счет дротекания, процессов структурной релаксации значительно уменьшается, вследствие чего аморфные сплавы,становятся гораздо более магнитномягкими. Возможность улучшения магнитных свойств аморфных сплавов является сейчас стимулом для разработки новых химических составов, совершенствования способов изготовления и режимов термической обработки. При этом сам поиск оптимальных составов и режимов улучшения магнитных свойств способствует в конечном итоге лучшему пониманию физики процессов намагничивания аморфных ферромагнетиков. [c.136]

Рис. 5.35. Закон Аррениуса для магнитной анизотропии, наведенной магнитным полем в сплаве (Feo,2 oo,8) 7oSi2,5627,5 (т — среднее время релаксации при температурах отжига Та). Закон Аррениуса наблюдается также для энергии магнитного гистерезиса IFa и магнитной проницаемости iie [87]

Полученные соотношения были усложнены путем учета анизотропии термического расширения фаз и релаксации внутренних напряжений. Проведенное в работе [304J сопоставление данных расчета с полученными экспериментальными результатами для урана, титана, циркония, железа и кобальта показало, в общем, удовлетворительное соответствие. Эксперименты подтвердили также расчеты, выполненные для разного типа фазовых превращений, совершающихся по нормальному и сдвиговому механизмам. [c.72]

При анализе механизма порообразования при изотермической обработке и термоциклировании кадмия с легкоплавкими примесями авторы работ [210, 255] исходят из следующего. При резкой смене температуры благодаря анизотропии термического расширения кадмия в образцах возникают высокие термоструктурные напряжения, которые могут релаксировать путем миграции границ и межзерен-ного проскальзывания. Присутствующие на границах зерен поры и жидкость задерживают миграцию границ и вклад ее в релаксационные процессы при этом уменьшается. В этих условиях релаксация осуществляется в основном благодаря проскальзыванию вдоль границ зерен. Задержка проскальзывания, например, в местах стыка трех зерен вызывает концентрацию растягивающих напряжений, что должно приводить к образованию несплошностей. В соответствии с наблюдениями [210—212], поры и трещины образуются преимущественно в местах стыка трех зерен. Как и при изотермической обработке, причиной образования пор во время термоциклирования мон ет явиться различие удельных объемов фаз до и после оплавления [2551. Однако этот фактор существенной роли не играл, поскольку многократное чередование процессов плавления и кристаллизации (термоциклы по режиму 280 300° С) мало сказывалось на изменении удельного объема образцов. [c.104]

Тл, что используют на практике (табл. 8.10). Наибольшее распространение получили сплавы Fe—Со примерно эквиатомного состава (пер-мендюры). Для них характерна весьма высокая магнитострикция насыщения (60...100)- 10 , поэтому их используют также как магнито-стрикционные материалы (табл. 8.11). Одновременно пермендюры имеют относительно невысокую константу магнитокристаллической анизотропии К , что обусловливает невысокое значение наблюдаемой у этих материалов коэрцитивной силы (30... 160 А/м), достаточно высокую максимальную проницаемость (5500) и малые потери на перемагничивание при высоких индукциях (Р, g/400 = 25 Вт/кг для ленты толщиной 50 мкм). Из-за высокой магнитострикции процессы перемагничивания во многом определяются энергией магнитоупругой анизотропии, пропорциональной произведению и внутренних напряжений Для релаксации этих напряжений необходимо использовать длительный отжиг с последующим медленным охлаждением. Но в результате такого отжига в сплавах типа пермендюр происходит химическое упорядочение — при температурах ниже 730 °С возникает сверхструктура РеСо эквиатомного состава. Как следствие, сплав приобретает повышенную хрупкость, препятствующую выпуску пермендюра в виде тонкой ленты. Для повышения пластичности сплав легируют ванадием (1,5...2 %), что приводит к [c.550]

К причинам уширения линии ФМР (как и в описанных ЯМР и ЭПР) относят спин-спино-вый и спин-решеточный механизмы релаксации. Наиболее узкая линия ФМР в совершенных монокристаллах (А// = 42,2 А/м) зарегистрирована в соединении УзРе50[2 (иттрие-вый феррит со структурой граната). Кроме влияния дефектов, в этом кристалле ширина линии ФМР определяется дипольным (магнитостатическим) взаимодействием и магнито-стрикцией. При введении редкоземельных примесей наблюдается максимум на кривой температурной зависимости ширины линии и анизотропия спектра ФМР изменение ширины линии в зависимости от ориентации оси легкого намагничивания кристалла. [c.182]

Для получения устойчивого комплекса свойств (табл. 16.5) ленты АМС отжигают ниже с наложением магнитного поля и без него. Отжиг без наложения магнитного поля при нагреве выше в с регулируемым охлаждением устраняет последствия структурной релаксации уменьшается Яс, повышается устраняется магнитоупругая анизотропия несмотря на увеличение А , так как снимаются остаточные напряжения. Отжиг в продольном магнитном поле создает продольную ориентацию доменов ВтIBs > 0,9), значительно возрастает уменьшаются потери при повышенных частотах. Отжиг в поперечном магнитном поле обеспечивает поперечную ориентацию доменов (Яг/Bs < ОД) и снижает потери при повышенных частотах полученная ориентация доменов обеспечивает линейное увеличение при возрастании напряженности поля от О до 1 Ts.AfM. [c.541]

Метод осреднения применяется к решению квазистатически Е задач линейной теории вязкоупругости для композитов. Особое внимание уделяется теории нулевого приближения. Для слоистых-вязкоупругих композитов тензоры эффективных ядер релаксации и ползучести находятся в явном виде. Выясняются особенности строения этих тензоров в случае структурной анизотропии. Вводится понятие канонических вязкоупругих операторов и описывается схема экспериментального определения их ядер. Дается описание метода численной реализации упругого решения и на" двух конкретных задачах показывается его применение. Даются постановки связанной задачи термовязкоупругости для физичес- ки линейных композитов и квазилинейной теории вязкоупругости, для композитов. [c.268]

Эффективные тензоры ядер релаксации и ползучести в это случае будут инвариантными относительно некоторой группы, связанной с анизотропией эквивалентного тела. Такая анизотро ПИЯ называется структурной анизотропией. Операторы эффектив, ных тензоров зависят от операторов а=1, 2 [c.276]

При этом тензоры ядер релаксации различных типов анизотропии представлены соотношениями (4.22), (4.24), (4.26) гл. 1. Заметим, что сокращенные соотношения (5.1), (5.3) напоминают по записи соотношения Гука (2.2), причем в последних вместо тензора модулей упругости ijki следует подставить тензор-оператор [c.107]

Анализ модели позволил предсказать возможность аномального протекания процессов смещения петли после определенной предыстории, приводящей к деформационной анизотропии циклическую релаксацию с возрастанием асимметрии при жестком цикле нагружения и циклическую ползучесть в направле-йии, противоположном по знаку среднему напряжению,— при Мягком. Эти эффекты аномального смещения петли гистерезиса Наблюдались в специально поставленных экспериментах (сталь 12Х18Н9Т). В первом опыте (рис. А5.31, а) предельное увеличе- [c.197]

При приложении электрического напряже1Игя к слою нематического ЖК с отрииатсльгго анизотропией диэлектрической проницаемости, обла- ающего достаточной электропроводностью (10- —10- Ом- -см ), он с некоторого порогового значения напряжения теряет механическое равновесие, т. е. в слое возникает макроскопическое движение молекул, переходящее в турбулентное [19J. Оно обусловлено взаимодействием внешнего электрического поля с объемными зарядами, образующимися в жидкости в результате анизотропии ее проводимости Преломление световых лучей на градиентах показателя преломления в перемешивающемся слое Жидкого Кристалла и приводит к их интенсивному рассеянию, вследствие чего этот эффект получил название динамического рассеяния света. Он характеризуется низкими упразляго-щими напряжениями (единицы вольт) и достаточным оптическим контрастом, а также удобен в условиях хорошей освещенности. Время релаксации ЖК. к исходному прозрачному состоянию после выключения напряжения составляет обычно десятки и сотни [c.35]

Оптическая генерация с вырожденной либо квазивырожденной по частоте накачкой позволяет дополнить арсенал методов изучения нелинейных свойств хорошо известными методами лазерной спектроскопии. При этом сохраняются все основные возможности и преимущества известных методов (ориентация волнового вектора по любой из кристаллографических осей позволяетЪзучать анизотропию отклика управление поляризацией записывающего и считывающего излучения — изучать тензорные свойства нелинейности управление пространственным масштабом решетки — идентифицировать механизмы релаксации записываемой решетки и т.д.). С другой стороны, наличие порога генерации и достаточно резкие зависимости выходных характеристик лазерного излучения от надпоро-гового усиления дают удобный и точный метод определения пороговых усиления и потерь резонатора. [c.253]

Во внешнем магнитном поле Н частицы приобретают дополнительную энергию —МН = —МН os ф, которая изменяет энергетический барьер Ев и время релаксации т [1034, 1053]. В тех случаях, когда эффектами анизотропии можно пренебречь МН KV или к-вТ KV), ориентации векторов М отдельных частиц стохастически изменяются под действием тепловых флуктуаций, вследствие чего исчезают внешние признаки ферромагнетика петля гистерезиса вырождается в одиночную кривую намагничивания (коэрцитивная сила Не и остаточная намагниченность равны нулю), описываемую формулой Ланжевена [1033, 1034] [c.320]

В другой работе [1095] исследовалась температурная зависимость ширины линии ФМР у частиц Ni, внедренных в поры Х-цеолита. Результаты измерений приведены на рис. 145. Авторы этой работы разложили суммарную ширину линии на три составляюш,ие АЯ,, обусловленную полем магнитокристаллической анизотропии АЯд, связанную со взаимодействием дииольных магнитных моментов частиц, и АЯд, относяш уюся к спин-решеточной релаксации. Величина АЯз пропорциональна дипольному магнитному моменту частицы, который, в свою очередь, пропорционален функции Ланжевена, даваемой формулой (448). [c.327]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...