Ширина резонансной кривой

Д(ч — ширина резонансной кривой на высоте, равной половине максимальной амплитуды, принятой равной 3 мм. [c.347]

Дса) ширина резонансной кривой на уровне 1/2 [c.231]

Добротность Q — величина, характеризующая резонансные свойства линейной колебательной системы, равная отношению резонансной частоты со к ширине резонансной кривой Асо на уровне убывания амплитуды в 2 раз [72] [c.146]

Поскольку ширина резонансной кривой колебательного контура обратно пропорциональна его добротности Qg, а амплитуда вынужденных колебаний при резонансе почти в Qg раз превосходит амплитуду внешней силы, то, увеличивая добротность резонансного прибора, можно одновременно повысить его чувствительность и избирательность. При высокой добротности (<Зо = — 10 и выше) [c.96]

По ширине резонансной кривой можно определить добротность контура О. [c.80]

Параметры образца С и 1й б удобно также выразить через добротность контура. Не присоединяя С , настраивают контур в резонанс, измеряют добротность контура и отсчитывают емкость С,. Отсюда находят проводимость контура gк по формуле (4-33). Добротность Q, можно определить по ширине резонансной кривой [c.80]

Коэффициент внутренних потерь ц связан с резонансной частотой /а и шириной резонансной кривой А/ при амплитуде, равной 0,707 максимальной (рис. 46). Найдем условие, при котором амплитуда колебательной скорости уменьшится до 0,707 д, для чего положим (о Oj и запишем уравнение движения в виде [c.128]

На рис. 46 видно, что ширина резонансной кривой [c.128]

Ширина резонансной кривой может быть определена формулой [c.338]

Из формулы (29) видно, что с увеличением значения добротности ширина резонансной кривой уменьшается, а с увеличением резонансной частоты — увеличивается. Таким образом, добротность системы характеризуется ее избирательностью. [c.338]

При известной зависимости декремент колебаний определяется по ширине резонансной кривой либо по величине — максимальному значению [c.335]

Для большинства твердых тел указанным эффектом обычно можно пренебречь. Гораздо более существенными для них оказываются гистерезисные потери, имеющие место в течение каждого цикла поляризации и вызывающие нагревание тела. Для таких тел задача о хрупком разрушении решается в два этапа. Сначала из решения уравнений Максвелла определяется поглощение электромагнитной энергии в среде, причем диэлектрическая постоянная и коэффициент поглощения считаются известными из опыта. Коэффициент поглощения связан с шириной резонансной кривой или же с шириной спектральной линии. Затухание волн можно учесть также, задавая связь между напряженностью Е и поляризацией Р в виде [c.513]

Интенсивность и форма резонансной кривой поглощения определяются процессами релаксации. Наличие их приводит к тому, что компоненты тензора магнитной проницаемости становятся комплексными величинами. Ширина резонансной кривой ферромагнитного резонанса ДЯ обычно определяется как разность полей, при которых мнимая часть диагональной компоненты тензора проницаемости fx" составляет половину своего значения в точке резонанса. При отсутствии внешнего магнитного поля магнитная проницаемость ска-лярна. Зависимости ее вещественной и мнимой [х" частей от частоты называют магнитными спектрами. Для магнитных спектров ферритов характерно наличие двух областей дисперсии. Низкочастотная область дисперсии обусловлена смещением границ доменов, а более высокочастотная — естественным ферромагнитным резонансом в эффективных полях анизотропии и размагничивающих полях. [c.563]

Рис. 29.10. Зависимость ширины резонансной кривой А Я для марганец-цинкового феррита, содержащего небольшое (неизвестное) количество цинка от температуры [70]

U,/V2-, изменение угловой частоты (ширина резонансной кривой) [c.380]

Аш — ширина резонансной кривой а высоте половины максимальной амплитуды, гц [c.120]

Следовательно, связанные осцилляторы являются полосовым фильтром — ослабляют влияние внешней силы частотой лежащей вне интервала (0J2, (Oi) [62]. Отметим чрезвычайно важный эффект сужения резонансной кривой. Определим ширину резонансной кривой С ((о) как интервал частот Л(о = (й—(о , в пределах которого значение амплитуды не опускается ниже величины 1/V2 С (о)). Для изолированного осциллятора A(Oti =v- Однако при возбуждении двух мод ширина резонансной кривой Дсоп = = 7/2. [c.166]

Рис. 29.15. Температурная зависимость ширины резонансной кривой сферы из d roSe4 [76]

Рис. 29.14. Угловые зависимости резонансного поля (а) и ширины резонансной кривой (б) сферы из d r2Se4 [76] Т = 4.2 К 6 — угол между линиями постоянного магнитного поля и осью [1001 I — кристалл, выращенный методом кристаллизации из квазноднородиого расплава 2 — кристалл, выращенный методом переноса в жидкой фазе 3 — кристалл, выращенный методом кристаллизации из квазиоднородного расплава, с молярной ири.месыо Ag 0.08%

Полученный результат имеет важное значение. Оказывается, что для определения активной проводимости достаточно уменьшить (или увеличить) емкость колебательного контура относичельно ее значения при резонансе на величину АС,, соответствующую снижению напряжения при резонансе 11 до и 1]/2 =0,7070, Отрезок 2АС,, соответствующий 0,707 С, где О — напряжение при резонансе, получил название ширины резонансной кривой. [c.80]

Экснерим. изучение Г. у. проводят по прямым записям петель (с помощью механич., оптич., эл.-измерит, аппаратуры, регистрирующей усилия и деформации), по затуханию свободных колебаний, по измерению ре-301НП1СНЫХ пиков амплитуд вынужденных колебаний или ширины резонансной кривой. Удаётся измерять мощность резонансного возбуждения, сдвиг фаз между силами и перемещениями, оценивать теплоотдачу и проводить прямое калориметрирование выделенного тепла. [c.495]

ЗАТУХАНИЕ КОНТУРА — величина, определяющая скорость убывания амплитуд собств. колебаний в электрич, контуре и вместе с тем характеризующая его резонансные свойства при вынужденных колебаниях. Амплитуда собств. колебаний в контуре убывает вследствие рассеяния энергии. Если обозначить всю энергию колебаний в контуре, а W — часть сё, составляющую потери за один период колебаний, то при Wk,>W 3, к. равно с1=И п/2пИ к. В электрич. контуре, состоящем из сосредоточенной индуктивности L, ёмкости С II сопротивления В, 3. к. (при том же ограничении) равно d = RY jL. 3. к. является величиной, обратной добротности, и определяет ширину резонансной кривой в случае вынужденных колебаний 3. к. пропорционально декременту затухания S d = bln. [c.57]

Добротность колебательной системы Q fa tor) - безразмерная величина, характеризующая резонансные свойства системы. Она равна отношению резонансной круговой частоты w к ширине резонансной кривой Дсо на уровне убывания амплитуды в -Jl раз Q = со/Дсо. При действии периодической возбуждающей силы = sin ot на механическую систему с одной степенью свободы, добротность может быть определена как отношение максимальной амплитуды колебаний, когда со со , к статическому смещению под действием постоянной силы F , то есть как коэффициент усиления Amplifi ation) при резонансной частоте. Это отношение приблизительно равно [c.302]

Обозначения ц, е — действительные чабти магнитной и диэлектрической проницаемости соответственно tg — тангенс угла диэлектрически потерь АН — ширина резонансной кривой. [c.560]

Потерн при колебаниях в материале пружины (внутреннее трение) и в опорных витках (конструкционное трение) отличаются по характеру и величине обычно потери, обусловленные действием сил сухого трения между элементами конструкции, оольше, чем внутренние потери, примерно на один порядок. Количественные характеристики получены известными методами записи свободных затухающих колебаний или оценкой ширины резонансной кривой [7, 15, 28, 30] и приведением к логарифмическому декременту колебаний на основе модели Фойхта. [c.53]

Измерение логарифмических декрементов колебаний. Декремент колебаний определяют различными способами. Требования к точности результата здесь в несколько раз ниже, чем при определении а°. Большей частью приведенные внше способы измерения декремента одностепенной системы по ширине резонансных кривых (или по частотному годографу) пригодны н в случае системы со многими степенями свободы. Логарифмический декремент определяется попутно соотношениями (22) в процессе измерения а° при добавлении квадратурной составляющей сил возбуждения. На практике проверяют, изменяется ли декремент 6° с изменением перемещения 9о- Зависимость 6J (i o) может быть найдена при измерениях 6 , на разных уровнях или по переходному процессу, вызванному мгновенным выключением гармониче" ского возбуждения выделенного тона. При отсутствии биении декремент определяют-как указано выше для системы с одной степенью свободы, с усреднением за несколько (пять — десять) колебаний. Биений не будет при отсутетвии связи исследуемого тона с другими через силы демпфирования. Как правило, это относится к двум — трем низшим по частоте формам. [c.341]

Этот особый случай поверхностного резонанса, когда амплитуды скользящих волн и полей в щелях во много раз превышают поле падающей волны, назван в [29] двойным резонансом, так как он наступает (при Ф = 0) при периоде решетки, равном целому числу длин волн 1, и глубине канавок Н, несколько большей пХ12. Из рис. 113 видно, что резонансное поле существенно зависит от б. Например, ширина резонансной кривой на уровне 0,7 пропорциональна 0 (Або,, 0 ). Численные расчеты для решеток с широкими щелями показывают, что резонансные явления в режиме скольжения сохраняются и в этом случае, ослабевая по мере роста ширины щели. В момент двойного резонанса амплитуды А при наклонном падении также сильно изменяются (амплитуды скользящих лучей при этом пропорциональны 0" ), [c.163]

Рис. 29.30. Зависимость ширины резонансной кривой от температуры монокристалла ит-триевого граната, выращенного из специальной окиси иттрия, содержащей менее 10 % остаточных примесей редкоземельных элементов [142]

Рис. 29.32. Зависимость ширины резонансной кривой для ферритов-гранатов самария, иттербия, эрбия и гольмия от температуры [123J

Рис. 29.33. Зависимость ширины резонансной кривой от температуры для монокристалла ит-триевого граната с примесью тербия и европия [144]

Рис. 29.34. Зависимости эффективного значения -фактора и ширины резонансной кривой для случая ферромагнитного резонанса в гадолиниевом гранате вблизи Т омп от температуры [145]. Данные получены на поли кристаллическом сферическом образце при частоте 9479 Мгц

Пузырьки с широким распределением по радиусам. В реальных экспериментальных ситуациях пузырьки редко грушшруются около выделенного радиуса, гораздо чаще функция и (i o) широка в том смысле, что разброс резонансных частот превышает ширину резонансной кривой отдельного пузырька, т.е. [c.173]

Чтобы еще упростить это выражение, предположим, что П/со б" , т.е. й меньше ширины резонансной кривой пузырька. Кроме того, в реапь-иых условиях концентрация обычно падает с ростом радиуса (в типичных случаях и йо > где а = 3- 4). Тогда, пренебрегая вторым слагаемым в (6.18), получаем [c.175]

Интервал частот Дсо (или для циклических частот Дл ), в котором по определению энергия колебаний составляет половину энергии на резонансной частоте (т. е. на частоте (Оо), называют шириной резонансной кривой. Таким образом, добротность колебательной системы равна отношению ее собственной частоты к ширине энергетической резонансной кривой, откуда добротность (а вместе с нею и другие характеристики затухания) легко определяется экспериментально из частотной зависимости какойчшбудь акустической величины. Если измеряется интенсивность ультразвука (плотность энергии, мощность и т. д.), то добротность находится непосредственно из полученной кривой частотной зависимости. Если же измеряемой величиной является, например, амплитуда давления (колебательной скорост , смещения и т. д.), то для использования формулы (УИЬбб) полученную частотную зависимость данной величины нужно предварительно пересчитать на частотную зависимость квадрата этой величины. В свою очередь, добротность системы определяет ее избирательность по частоте, или полосу пропускания, т. е тот интервал частот, в котором энергия вынужденных колебаний составляет не менее 50% от энергии на резонансной частоте. Это означает, например, что пластинка с добротностью Q , используемая в качестве преобразователя, может излучать ультразвук с интенсивностью более 50% от максимальной в полосе частот Дл = Vo/Qд. Это означает также, что плоскопараллельный слой, на который падают плоские ультразвуковые волны, обладает коэффициентом пропускания ф более 0,5 от максимального в интервале частот vJQ . Поскольку добротность нагруженного слоя на основной частоте его колебаний определяется отношением волновых сопротивлений слоя и внешней среды рс/(р1С1), то для полосы пропускания слоя вблизи основной частоты это дает Av = [c.196]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...